JP2844771B2 - Plasma CVD equipment - Google Patents

Plasma CVD equipment

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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は管状基材、特に複雑な形状を有する管状基材
の内側表面のコーティングに適したプラズマCVD装置に
関するものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a plasma CVD apparatus suitable for coating the inner surface of a tubular substrate, particularly a tubular substrate having a complicated shape.

[従来の技術] 管状基材の内側表面にセラミックスや金属等をコーテ
ィングすることにより基材表面の耐食性、耐摩耗性を向
上させ、基材の安全性、信頼性を向上させることが近年
盛んに行われているが、このコーティングは第2図に示
すような装置で実施されている。図において10は真空容
器を示し、真空容器10の中心にその底部より原料ガス供
給パイプ先端につながるノズル3が突出して配置され
る。該ノズルは、図に示すようにパイプ状で被コーティ
ング基材1の上端から下端に至る間に、配列を決めてノ
ズル3の内外に連通する複数の細孔3′が放射状、且つ
上下方向において一様に形成される。この複数の細孔
3′を有するノズル3を囲んで同軸状に真空容器10の底
部に絶縁体7が設置され、この絶縁体7上に被コーティ
ング基材1を載置する導電性の被コーティング支持台5
が固定される。4は、真空容器10の外側に設置されたヒ
ーターで11は真空容器10の底部に設けた排気パイプであ
る。
[Prior art] In recent years, it has been active to improve the corrosion resistance and abrasion resistance of the substrate surface by coating the inner surface of the tubular substrate with ceramics, metal, etc., and to improve the safety and reliability of the substrate. As it has been done, this coating has been carried out in an apparatus as shown in FIG. In the figure, reference numeral 10 denotes a vacuum container, and a nozzle 3 connected to the tip of a source gas supply pipe protrudes from the bottom of the vacuum container 10 at the center thereof. As shown in the figure, a plurality of fine holes 3 ′ which are arranged in a pipe shape and communicate with the inside and outside of the nozzle 3 are arranged radially and vertically in a pipe-shaped manner from the upper end to the lower end of the substrate 1 as shown in the figure. Formed uniformly. An insulator 7 is installed coaxially around the nozzle 3 having the plurality of pores 3 ′ at the bottom of the vacuum vessel 10, and the substrate 1 to be coated is placed on the insulator 7. Support 5
Is fixed. Reference numeral 4 denotes a heater provided outside the vacuum vessel 10, and reference numeral 11 denotes an exhaust pipe provided at the bottom of the vacuum vessel 10.

前記ノズル3は金属製であって、接地され、導電性の
支持台5は高周波電源8と接続される。
The nozzle 3 is made of metal and is grounded, and the conductive support 5 is connected to a high frequency power supply 8.

前記絶縁された支持台5の上に被コーティング基材1
を載置し、真空容器10を閉じ、排気パイプ11を介して真
空引きし、ノズル3より原料ガスを供給し、これを細孔
3′より吹出し、高周波電源8を印加すると、前記基1
とノズル3とが電極となってグロー放電を生じ、細孔
3′より導入された原料ガスを反応、分解させ、基材1
の内側表面に薄膜を形成することができる。
The substrate 1 to be coated is placed on the insulated support 5.
Is placed, the vacuum container 10 is closed, vacuum is evacuated through the exhaust pipe 11, the raw material gas is supplied from the nozzle 3, this is blown out from the fine hole 3 ', and the high frequency power supply 8 is applied.
And the nozzle 3 become an electrode to generate glow discharge, react and decompose the raw material gas introduced through the pores 3 ′,
A thin film can be formed on the inner surface of the substrate.

又、別の方式のものとしては、プラズマ中で管状被コ
ーティング基材に回転運動を与えながら薄膜をコーティ
ングするものもある。
Further, as another method, there is a method in which a thin film is coated while giving a rotating motion to a tubular substrate to be coated in plasma.

[発明が解決しようとする課題] 前記、従来のプラズマCVD装置において、原料ガスは
高周波電極(管状被コーティング基材)と対向電極(ノ
ズル)の間に起こるグロー放電により励起、活性化され
る。従って高品質な薄膜を得る目的で原料ガスの励起、
活性化を高いものにしようとするならば、グロー放電の
強度を増加させねばならず、それには極めて大きな投入
出力を必要とするという欠点があった。その一方で投入
出力を大きくすれば、グロー放電により被コーティング
基材が加熱され、被コーティング基材が熱的損傷を受け
るという問題があった。
[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional plasma CVD apparatus, the source gas is excited and activated by glow discharge generated between the high-frequency electrode (tubular substrate to be coated) and the counter electrode (nozzle). Therefore, in order to obtain a high quality thin film,
If the activation is to be increased, the intensity of the glow discharge must be increased, which has the disadvantage of requiring a very high input power. On the other hand, if the input power is increased, the substrate to be coated is heated by the glow discharge, and there is a problem that the substrate to be coated is thermally damaged.

[課題を解決するための手段] 本発明は前記課題を解決するためになされたものであ
って、真空容器内でグロー放電によりノズルから導入さ
れたガスを反応、分解させ、被コーティング基材表面に
薄膜を形成するプラズマCVD装置において、前記ノズル
は真空容器内中心に突出して配置されたパイプ状で、複
数の細孔が放射状、且つ上下方向に一様に形成されてお
り、該ノズルを囲む同軸状にメッシュ電極を配置し、さ
らに該メッシュ電極外周部に被コーティング基材が同軸
状に載置できるようになされており、前記ノズルは接地
され、前記メッシュ電極は高周波電源と接続し、前記被
コーティング基材にはメッシュ電極に対し負の電位が印
加できるように直流電源を接続し、真空容器外部又は内
部にはヒーターを設けるように構成したものである。
Means for Solving the Problems The present invention has been made to solve the above problems, and reacts and decomposes a gas introduced from a nozzle by a glow discharge in a vacuum vessel to form a substrate surface to be coated. In the plasma CVD apparatus for forming a thin film, the nozzle has a pipe shape protruding from the center of the vacuum vessel, and a plurality of fine holes are formed radially and uniformly in the vertical direction, and surround the nozzle. A mesh electrode is arranged coaxially, and further, a substrate to be coated is placed coaxially around the outer periphery of the mesh electrode, the nozzle is grounded, the mesh electrode is connected to a high-frequency power source, and A DC power source is connected to the substrate to be coated so that a negative potential can be applied to the mesh electrode, and a heater is provided outside or inside the vacuum vessel. is there.

以下、第1図に示す実施例について本発明の説明をす
る。図は、本発明装置の概略図の一例を示し、第2図と
同一部分は同一符号を用いる。図に示すように真空容器
10の内部にはその中心より、ノズル3、メッシュ電極
2、被コーティング基材支持台5の順で各々同軸状に配
置されている。ノズル3は原料ガス供給パイプの先端に
つながり、第2図で示した従来装置のそれと同様に多数
の細孔3′を有するパイプ状で、真空容器内中心に突出
して配置されている。このノズル3を囲んで同軸状に真
空容器内底部より絶縁体7に支持された導電性のメッシ
ュ電極支持台6が載置され、該支持台6の上には金属製
で網目状のメッシュ電極2が固定されている。又、前記
メッシュ電極の外周部には、管状被コーティング基材が
同軸状に載置できるように絶縁体7上に固定された導電
性の被コーティング基材支持台5が配置されている。
Hereinafter, the present invention will be described with reference to the embodiment shown in FIG. The figure shows an example of a schematic diagram of the device of the present invention, and the same parts as those in FIG. Vacuum container as shown
The nozzle 3, the mesh electrode 2, and the substrate to be coated support 5 are coaxially arranged in this order from the center of the inside of 10. The nozzle 3 is connected to the tip of the source gas supply pipe, has a pipe shape having a large number of pores 3 'like the conventional apparatus shown in FIG. 2, and is arranged so as to protrude from the center of the vacuum vessel. A conductive mesh electrode support 6 supported by an insulator 7 from the bottom of the vacuum vessel is mounted coaxially around the nozzle 3, and a metal mesh electrode is placed on the support 6. 2 is fixed. A conductive coated substrate support 5 fixed on an insulator 7 is arranged on the outer periphery of the mesh electrode so that the tubular coated substrate can be placed coaxially.

高周波電源8の一方の端子はメッシュ電極支持台6に
接続され、他方の端子は接地される。可変電圧直流電源
9の負の端子は被コーティング基材支持台5に接続さ
れ、正の端子は接地される。尚、ノズル3は図に示すよ
うに接地されている。
One terminal of the high frequency power supply 8 is connected to the mesh electrode support 6, and the other terminal is grounded. The negative terminal of the variable voltage DC power supply 9 is connected to the substrate 5 to be coated, and the positive terminal is grounded. The nozzle 3 is grounded as shown in the figure.

これらを備えた真空容器は、その外部に設けられたヒ
ーター4により所定の温度まで昇温、維持できるように
構成されており、排気パイプ11を介して真空引きし、高
周波電源8の印加によりメッシュ電極2と基材1との間
でグロー放電が起こり、ノズル3に設けられた細孔3′
より吹出される原料ガスはメッシュ電極2の網目を通り
ぬけ励起活性化され基材1の表面に達し薄膜が形成され
る。
The vacuum vessel equipped with these components is configured so that the temperature can be raised and maintained to a predetermined temperature by a heater 4 provided outside the vacuum container. A glow discharge occurs between the electrode 2 and the substrate 1, and a pore 3 ′ provided in the nozzle 3
The raw material gas blown out passes through the mesh of the mesh electrode 2 and is excited and activated to reach the surface of the substrate 1 to form a thin film.

[作用] 先に述べたように、ノズル3は多数の細孔3′を有し
ており、この細孔壁よりイオン、自由電子等の供給が活
発に行われることにより原料ガスの励起、高活性化が達
成される。又、コーティング時にはメッシュ電極に高周
波電圧を印加し、被コーティング基材に負の電圧を印加
し、これらの間でグロー放電を起こさせるため、コーテ
ィング時の被コーティング基材の温度は低温でありその
熱的損傷を避けることが可能となる。
[Operation] As described above, the nozzle 3 has a large number of pores 3 ′, and the supply of ions, free electrons, and the like is actively performed from the pore walls, so that the excitation of the source gas and the high Activation is achieved. In addition, during coating, a high-frequency voltage is applied to the mesh electrode, a negative voltage is applied to the substrate to be coated, and a glow discharge is caused between them. Thermal damage can be avoided.

ところで、前記メッシュ電極の目のサイズについてで
あるが、該サイズが大きすぎるとメッシュ模様が薄膜上
に形成されるため、目のサイズは一辺が50mm以下のもの
を用いるのが適当である。
By the way, regarding the mesh size of the mesh electrode, if the size is too large, a mesh pattern is formed on the thin film. Therefore, it is appropriate to use an eye size of 50 mm or less on one side.

又、被コーティング基材とメッシュ電極との間隔d1
びメッシュ電極とノズルとの間隔d2との比率は、ホロカ
ソード放電の効果が生かせて、かつメッシュ模様が薄膜
上に形成されない程度がよい。
Also, the ratio between the distance d 2 between the distance d 1 and the mesh electrode and the nozzle of the coating base material and the mesh electrode is Ikase the effect of hollow cathode discharge, and it is the degree of mesh pattern is not formed on the thin film.

これに関し、前記比率を変化させてTiNコーティング
の密着性及び色調に関する実験を行った。
In this regard, experiments were conducted on the adhesion and color tone of the TiN coating by changing the ratio.

被コーティング基材として直径50mm、内径44mm、長さ
500mmのステンレス製パイプを用い、メッシュ電極の目
のサイズは5mmのものを使用し、原料ガスとしてTiCl4
びNH3を用いた。そして、前記比率を変化させ、0.3Torr
まで真空引きした容器中で、被コーティング基材に−10
0Vの直流電圧を印加しメッシュ電極には出力1kWの13.56
MHzの高周波電源を印加してコーティングを行ったTiN膜
について各々の条件で密着性と色調についての評価を行
った。その結果を表1に示す。
50mm diameter, 44mm inner diameter, length as substrate to be coated
A 500 mm stainless steel pipe was used, the mesh electrode mesh size was 5 mm, and TiCl 4 and NH 3 were used as source gases. Then, changing the ratio, 0.3 Torr
In a container evacuated to -10,
A DC voltage of 0 V is applied, and an output of 13.
The adhesion and color tone of the TiN film coated by applying a high frequency power of MHz were evaluated under each condition. Table 1 shows the results.

表1に示すようにd1とd2の比率を1:20乃至20:1とすれ
ば、高い密着性を有し外観上光沢のある黄金色を呈した
高品質な薄膜が形成されることがわかる。前記比率が1:
30のときは、密着性が低く色調も不良な上、メッシュ模
様が薄膜上に形成されてしまう。以上とは異なり、前記
比率を30:1とした場合、メッシュ模様が薄膜上に形成さ
れることはなかったが、密着性が低く、色調の点でも不
良であった。
As shown in Table 1, when the ratio of d 1 to d 2 is 1:20 to 20: 1, a high-quality thin film having a high adhesion and a glossy golden color in appearance is formed. I understand. The ratio is 1:
In the case of 30, the adhesion is low and the color tone is poor, and a mesh pattern is formed on the thin film. Contrary to the above, when the ratio was 30: 1, no mesh pattern was formed on the thin film, but the adhesion was low and the color tone was poor.

[試作例] 以下において本発明のプラズマCVD装置によるTiN膜の
コーティング試作例を示す。
[Trial Production Example] A trial production example of a TiN film by the plasma CVD apparatus of the present invention will be described below.

被コーティング基材として長さ500mm、外径50mm、内
径44mmのステンレス製パイプを用い、直径30mmで目のサ
イズが5mmの金属製メッシュ電極を前記比率d1:d2が1:1
となるように各々支持台7及び6の上にセットした上、
高周波電源をメッシュ電極支持台に接続し、直流電源を
ステンレスパイプの載置された被コーティング基材支持
台に接続し、ノズルは接地を行った。
A stainless steel pipe having a length of 500 mm, an outer diameter of 50 mm, and an inner diameter of 44 mm was used as a substrate to be coated, and a metal mesh electrode having a diameter of 30 mm and an eye size of 5 mm was used in a ratio of d 1 : d 2 of 1: 1.
After being set on the supports 7 and 6 respectively so that
The high frequency power supply was connected to the mesh electrode support, the DC power supply was connected to the support for the substrate to be coated on which the stainless steel pipe was mounted, and the nozzle was grounded.

容器内を0.3Torrまで真空引きし、外部ヒーターによ
り所定の温度まで昇温する。コーティングを行う前に、
Arガスを0.1Torrまでノズルを介して導入し、ステンレ
スパイプに−1000Vを印加して直流放電によりパイプ内
側のクリーニングを行った。クリーニングの後、ステン
レスパイプにマイナス100Vの直流電圧を印加した状態で
メッシュ電極に13.56MHzの高周波を印加し、ノズルより
原料ガスとしてTiCl4及びNH3を供給してTiNコーティン
グを行った。この際のステンレスパイプの表面温度は50
0℃であった。
The inside of the container is evacuated to 0.3 Torr, and the temperature is raised to a predetermined temperature by an external heater. Before coating,
Ar gas was introduced up to 0.1 Torr through a nozzle, −1000 V was applied to the stainless steel pipe, and the inside of the pipe was cleaned by DC discharge. After cleaning, a high frequency of 13.56 MHz was applied to the mesh electrode while applying a DC voltage of minus 100 V to the stainless steel pipe, and TiCl 4 and NH 3 were supplied as raw material gases from the nozzle to perform TiN coating. The surface temperature of the stainless steel pipe at this time was 50
It was 0 ° C.

このようにしてTiNコーティングを行った結果、膜厚
は2乃至3μmと均一な膜厚で外観上光沢のある黄金色
を呈しており、密着度はステンレスパイプの全長にわた
り30±5Nと高い値を示した。
As a result of performing the TiN coating in this manner, the film thickness is a uniform thickness of 2 to 3 μm, and has a golden golden appearance, and the adhesion is as high as 30 ± 5 N over the entire length of the stainless steel pipe. Indicated.

メッシュ電極を用いずに従来装置同様、被コーティン
グ基材とノズルとの間のグロー放電によりTiNコーティ
ングを行った場合、薄膜には電場の影響による光沢むら
が生じており、密着度は20N以下であった。
When TiN coating is performed by glow discharge between the substrate to be coated and the nozzle as in the conventional device without using a mesh electrode, the thin film has uneven gloss due to the influence of the electric field, and the degree of adhesion is 20 N or less. there were.

[発明の効果] 以上説明したように、ノズルに形成された細孔よりイ
オン、自由電子等の供給が活発に行われるため原料ガス
の励起、高活性化がなされ、コーティング時には、メッ
シュ電極に高周波が印加され、被コーティング基材に負
の電圧が印加され、これらの間でグロー放電を行うた
め、被コーティング基材は低温であり熱的損傷を避ける
ことができる。このため被コーティング基材に高周波を
印加し、これとノズルとの間でグロー放電を起こすこと
によりコーティングを行った従来のプラズマCVD装置に
比べ、同じ消費電力によって被コーティング基材がより
低温状態で、密着性、硬度が高く、色調も良好な高品質
な薄膜を形勢することができる。
[Effects of the Invention] As described above, since the supply of ions, free electrons, and the like is actively performed from the pores formed in the nozzle, the source gas is excited and highly activated. Is applied, a negative voltage is applied to the substrate to be coated, and a glow discharge is performed between them, so that the substrate to be coated has a low temperature and thermal damage can be avoided. For this reason, compared to a conventional plasma CVD device that applies a high frequency to the substrate to be coated and causes glow discharge between the nozzle and the nozzle to perform coating, the substrate to be coated is kept at a lower temperature with the same power consumption. A high quality thin film having high adhesion, high hardness and good color tone can be formed.

特に被コーティング基材が管状の複雑形状を有する場
合にも本発明により高品質な薄膜を形勢することが可能
である。
In particular, even when the substrate to be coated has a complicated tubular shape, a high-quality thin film can be formed by the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明実施例装置の概略図を示し、第2図は従
来装置の概略図を示す。 1……被コーティング基材、2……メッシュ電極、3…
…ノズル、3′……細孔、4……ヒーター、5……被コ
ーティング基材支持台、6……メッシュ電極支持台、7
……絶縁物、8……高周波電源、9……直流電源、10…
…真空容器、11……排気パイプ。
FIG. 1 is a schematic view of an apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic view of a conventional apparatus. 1 ... substrate to be coated, 2 ... mesh electrode, 3 ...
... nozzle, 3 '... pore, 4 ... heater, 5 ... substrate to be coated, 6 ... mesh electrode support, 7
…… Insulator, 8… High frequency power supply, 9… DC power supply, 10…
... Vacuum container, 11 ... Exhaust pipe.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土居 陽 兵庫県伊丹市昆陽北1丁目1番1号 住 友電気工業株式会社伊丹製作所内 (56)参考文献 実開 昭58−68958(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C23C 16/00 - 16/56──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yo Doi 1-1-1, Konokita, Itami-shi, Hyogo Pref. Itami Works, Sumitomo Electric Industries, Ltd. (58) Fields surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) C23C 16/00-16/56

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】真空容器内でグロー放電によりノズルから
導入されたガスを反応分解させ、被コーティング基材表
面に薄膜を形成するプラズマCVD装置において、前記真
空容器内に多数の細孔が放射状かつ長さ方向に一様に形
成されるパイプ状のノズルを配置し、該ノズルを囲んで
同軸状にメッシュ電極を配置し、該メッシュ電極の外側
に被コーティング基材を同軸状に配置できるようにし、
前記ノズルを接地するとともに前記メッシュ電極に高周
波電源を接続し、前記被コーティング基材に負の電位を
与えるようにし、前記真空容器外側又は内側にヒーター
を設け、メッシュ電極のメッシュの目のサイズを50mm以
下とし、被コーティング基材とメッシュ電極の間隔及び
メッシュ電極とノズルの間隔との比率を20:1乃至1:20と
することを特徴とするプラズマCVD装置.
In a plasma CVD apparatus for reacting and decomposing a gas introduced from a nozzle by glow discharge in a vacuum vessel to form a thin film on a surface of a substrate to be coated, a large number of pores are radially formed in the vacuum vessel. A pipe-shaped nozzle formed uniformly in the length direction is arranged, a mesh electrode is arranged coaxially around the nozzle, and a substrate to be coated can be arranged coaxially outside the mesh electrode. ,
The nozzle is grounded and a high-frequency power supply is connected to the mesh electrode so that a negative potential is applied to the substrate to be coated, a heater is provided outside or inside the vacuum vessel, and the mesh size of the mesh of the mesh electrode is reduced. A plasma CVD apparatus characterized in that the ratio of the distance between the substrate to be coated and the mesh electrode and the distance between the mesh electrode and the nozzle is 20: 1 to 1:20.
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