JP2839932B2 - Method for producing barium titanate porcelain semiconductor - Google Patents
Method for producing barium titanate porcelain semiconductorInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、キュリー点以上の温度において正の抵抗温
度係数を有し、室温抵抗率が非常に小さいことによる優
れたPTC特性を有するチタン酸バリウム系磁器半導体の
製造方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a titanic acid having a positive temperature coefficient of resistance at a temperature above the Curie point and having excellent PTC characteristics due to a very low room temperature resistivity. The present invention relates to a method for manufacturing a barium-based ceramic semiconductor.
〔従来の技術〕 ランタン、タンタル、セルウム、イットリウム、ビス
マス、タングステン、銀、サマリウム、ディスプロシウ
ム等の酸化物をチタン酸バリウム系磁器に添加すること
によって、正の抵抗温度係数(PTC特性)を有する磁器
半導体を得ることは、従来から広く知られている。ま
た、希土類元素、タンタル、ニオブ、またはアンチモン
を含有するチタン酸バリウム系磁器半導体組成物に二酸
化ケイ素を添加し、酸素の存在下で焼成することによっ
て磁器半導体組成物の電気特性を向上させることも提案
されている(特開昭53−59888号公報参照)。[Prior art] Positive temperature coefficient of resistance (PTC characteristic) is obtained by adding oxides such as lanthanum, tantalum, cellium, yttrium, bismuth, tungsten, silver, samarium, and dysprosium to barium titanate-based porcelain. Obtaining a porcelain semiconductor having the same has been widely known. In addition, it is also possible to add silicon dioxide to a barium titanate-based ceramic semiconductor composition containing a rare earth element, tantalum, niobium, or antimony, and to improve the electrical characteristics of the ceramic semiconductor composition by firing in the presence of oxygen. It has been proposed (see JP-A-53-59888).
ところが、上記従来のチタン酸バリウム磁器半導体の
製造方法では、キュリー点以上の温度において正の抵抗
温度係数を有し、かつ室温において抵抗率の非常に小さ
い素子を得るのは難しいという問題点を有している。However, the conventional method for manufacturing a barium titanate ceramic semiconductor has a problem that it is difficult to obtain an element having a positive temperature coefficient of resistance at a temperature equal to or higher than the Curie point and having a very small resistivity at room temperature. doing.
本発明に係るチタン酸バリウム磁器半導体の製造方法
は、上記課題を解決するために、キュリー点移動物質を
含むチタン酸バリウム基体組成物に半導体化剤を加えて
焼成してなるチタン酸バリウム磁器半導体の製造方法に
おいて、半導体化剤として、チタン酸バリウム基体組成
物に対して、室温抵抗率を下げるためにSb2O3のみを使
用することを特徴としている。なお、Sb2O3の添加量
は、好ましくは0.075モル%〜0.14モル%の範囲であ
る。In order to solve the above problems, a method for producing a barium titanate porcelain semiconductor according to the present invention comprises: adding a semiconducting agent to a barium titanate base composition containing a Curie point transfer substance; Is characterized in that only Sb 2 O 3 is used as a semiconducting agent with respect to the barium titanate base composition in order to lower the room temperature resistivity. Incidentally, amount of Sb 2 O 3 is preferably in the range of 0.075 mol% ~0.14 mol%.
上記の構成によれば、半導体化剤として添加した0.07
5モル%〜0.14モル%のSb2O3によって、半導体化が容易
に行え、しかも室温での抵抗率をより小さく設定するこ
とができるので、電流容量の小さい回路中に対応するこ
とができる汎用性に優れた低抵抗PCT素子を製造するこ
とができる。According to the above configuration, 0.07 added as a semiconducting agent
5 mol% to 0.14 mol% of Sb 2 O 3 can be easily made into a semiconductor and the resistivity at room temperature can be set smaller, so it can be used in circuits with small current capacity. A low-resistance PCT element having excellent properties can be manufactured.
本発明の一実施例を第1図に基づいて説明すれば、以
下のとおりである。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
本実施例は、キュリー点移動物質を含むチタン酸バリ
ウム基体組成物に半導体化剤を加えて焼成することから
なるチタン酸バリウム磁器半導体の製造方法において、
半導体化剤として、チタン酸バリウム基体組成物に対し
て0.070モル%〜0.180モル%の酸化アンチモン(Sb
2O3)のみを使用した時に、Sb2O3の添加量によって室温
における抵抗率がどのように変化し、その結果、チタン
酸バリウム磁器半導体の製造に対して好ましいSb2O3の
添加量の範囲を限定することを開示している。The present embodiment is a method for producing a barium titanate ceramic semiconductor comprising firing a barium titanate base composition containing a Curie point transfer material by adding a semiconducting agent,
As a semiconducting agent, 0.070 mol% to 0.180 mol% of antimony oxide (Sb
When only 2 O 3 ) is used, how the resistivity at room temperature changes depending on the addition amount of Sb 2 O 3 , and as a result, the preferable addition amount of Sb 2 O 3 for the production of barium titanate ceramic semiconductor Are disclosed to limit the range of
本実施例においては、炭酸ストロンチウム(SrCO3)
等のキュリー点移動物質を含むチタン酸バリウム基体組
成物に対して0.070モル%〜0.150モル%の酸化アンチモ
ン(Sb2O3)を配合するが、その際、この配合物に鉱化
剤として炭酸マンガン(MnCO3)を、また電圧依存性安
定剤として二酸化ケイ素(SiO2)等を配合している。In this embodiment, strontium carbonate (SrCO 3 )
0.070 mol% to 0.150 mol% of antimony oxide (Sb 2 O 3 ) is blended with the barium titanate base composition containing the Curie point transfer material such as It contains manganese (MnCO 3 ) and silicon dioxide (SiO 2 ) as a voltage-dependent stabilizer.
この配合物を自動乳鉢において1時間〜24時間、エタ
ノール(特級試薬)の存在下で湿式混合し、乾燥した
後、1000℃〜1400℃において1時間〜3時間仮焼する。
仮焼した配合物は、粉砕し、自動乳鉢においてPVA(ポ
リビニルアルコール)2wt%〜8wt%の水溶液を加えて1
時間〜6時間混合し、乾燥した後に十分粉砕する。この
ようにしてできた粉末を円盤状成形器において成形した
後、その成形物を1300℃〜1400℃において0時間〜10時
間保持し、焼成してチタン酸バリウム磁器半導体が得ら
れる。This composition is wet-mixed in an automatic mortar for 1 to 24 hours in the presence of ethanol (special grade reagent), dried, and then calcined at 1000 to 1400 ° C. for 1 to 3 hours.
The calcined composition was crushed, and added with an aqueous solution of 2 wt% to 8 wt% of PVA (polyvinyl alcohol) in an automatic mortar.
Mix for 6 hours, dry and pulverize well. After the powder thus formed is molded in a disc-shaped molding machine, the molded product is held at 1300 ° C. to 1400 ° C. for 0 to 10 hours and fired to obtain a barium titanate ceramic semiconductor.
以下において本発明を〔実施例1〕ないし〔実施例
4〕に基づいて、さらに詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on [Example 1] to [Example 4].
〔実施例1〕 無水炭酸バリウム(BaCO3、日本化学工業製高純度
品)68.07g、高純度二酸化チタン(TiO2、東邦チタニウ
ム社製)29.01g、無水炭酸ストロンチウム(SrCO3、本
荘ケミカル社製)2.68g、炭酸マンガン(MnCO3、和光純
薬社製99.9%)0.0209g、二酸化ケイ素(SiO2、東芝セ
ラミックス製US−85)0.1091g、酸化アンチモン(Sb
2O3、レアメタリック社製99.99%試薬)0.1058gを内径2
00mmのアルミナ乳鉢に入れ、自動乳鉢において3時間エ
タノール(特級試薬)の存在下で湿式混合した後、その
混合物を130℃において乾燥した。その乾燥混合物を90m
m×90mmのアルミナルツボ(三菱鉱業セメント製、DFA−
PS99)に入れ、これを電気炉に入れて180℃/hの昇温速
度で加熱し、1150℃で2時間仮焼した。[Example 1] Anhydrous barium carbonate (BaCO 3 , Nippon Kagaku Kogyo's high-purity product) 68.07 g, high-purity titanium dioxide (TiO 2 , Toho Titanium Co., Ltd.) 29.01 g, anhydrous strontium carbonate (SrCO 3 , Honjo Chemical Co., Ltd.) ) 2.68 g, manganese carbonate (MnCO 3 , 99.9% manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 0.0209 g, silicon dioxide (SiO 2 , US-85 manufactured by Toshiba Ceramics) 0.1091 g, antimony oxide (Sb
2 O 3 , 99.99% reagent manufactured by Rare Metallic Co.) 0.1058 g inside diameter 2
After placing in a 00 mm alumina mortar and wet mixing in an automatic mortar for 3 hours in the presence of ethanol (special grade reagent), the mixture was dried at 130 ° C. 90 m of the dry mixture
mx 90mm alumina crucible (Mitsubishi Mining Cement, DFA-
PS99), this was placed in an electric furnace, heated at a heating rate of 180 ° C./h, and calcined at 1150 ° C. for 2 hours.
その仮焼物を乳鉢で粉砕した後、自動乳鉢においてPV
A(ポリビニルアルコール)2wt%水溶液を約100ccとと
もに3時間混合し、130℃で乾燥した。After crushing the calcined product in a mortar,
A 2 wt% aqueous solution of A (polyvinyl alcohol) was mixed with about 100 cc for 3 hours, and dried at 130 ° C.
このようにして得られた乾燥物を乳鉢でよく粉砕し、
PVA配合の粉末を成形用成形器〔12.5mm(径)×35mm
(高さ)〕に入れ、1ton/cm2の加圧下の成形し、その成
形物を次の条件において焼成した。The dried product thus obtained is pulverized well in a mortar,
PVA compound powder molding machine [12.5mm (diameter) x 35mm
(Height)] and molded under a pressure of 1 ton / cm 2 , and the molded product was fired under the following conditions.
温度範囲 昇温または降温の条件 室温〜800℃ 145℃/hの昇温 800℃ 2時間保持 800℃〜1360℃ 150℃/hの昇温 1360℃ 15分間保持 1360℃〜1000℃ 360℃/hの降温 1000℃〜550℃ 245℃/hの昇温 550℃ 温度コントロールの終了 室温に冷却した後、錠剤状成形物の円盤面にオーミッ
ク性の銀電極(デグサ社製)を塗布し、850℃において
5分間焼付けて電極を形成し、その電極上にカバー電極
(デグサ社製)を塗布し、さらに560℃において5分間
焼付けを行って、チタン酸バリウム磁器半導体の試料を
得た。Temperature range Conditions for raising or lowering the temperature Room temperature to 800 ° C 145 ° C / h Heating 800 ° C Hold for 2 hours 800 ° C to 1360 ° C Heating up to 150 ° C / h 1360 ° C Hold for 15 minutes 1360 ° C to 1000 ° C 360 ° C / h After cooling to room temperature, apply an ohmic silver electrode (manufactured by Degussa) to the disk surface of the tablet-like molded product, and apply 850 ° C. For 5 minutes to form an electrode, a cover electrode (manufactured by Degussa) was applied on the electrode, and further baked at 560 ° C. for 5 minutes to obtain a barium titanate ceramic semiconductor sample.
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は
次のとおりであった。The composition of the raw materials for the barium titanate ceramic semiconductor was as follows.
(Ba0.95Sr0.05)TiO3+0.0005MnO2 +0.005SiO2+0.0010Sb2O3 この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗
温度係数を示す領域が生じる温度(キュリー点)は103
℃であり、抵抗の立ち上がり幅は4.2桁であった。この
とき室温での抵抗率は14.00Ω・cmであった。(Ba 0.95 Sr 0.05 ) TiO 3 + 0.0005MnO 2 + 0.005SiO 2 + 0.0010Sb 2 O 3 As a result of measuring the temperature change of the resistance of this sample, the temperature (Curie point) at which a region showing a positive temperature coefficient of resistance occurs is 103
° C, and the rise width of the resistance was 4.2 digits. At this time, the resistivity at room temperature was 14.00 Ω · cm.
〔実施例2〕 無水炭酸バリウム(BaCO3)68.05g、高純度二酸化チ
タン(TiO2)29.00g、無水炭酸ストロンチウム(SrC
O3)2.68g、炭酸マンガン(MnCO3)0.0209g、二酸化ケ
イ素(SiO2)0.1090g、酸化アンチモン(Sb2O3)0.1375
gを使用したこと以外は上記実施例1と同様にしてチタ
ン酸バリウム磁器半導体の試料を得た。Example 2 68.05 g of anhydrous barium carbonate (BaCO 3 ), 29.00 g of high-purity titanium dioxide (TiO 2 ), and anhydrous strontium carbonate (SrC)
O 3 ) 2.68 g, manganese carbonate (MnCO 3 ) 0.0209 g, silicon dioxide (SiO 2 ) 0.1090 g, antimony oxide (Sb 2 O 3 ) 0.1375
A barium titanate ceramic semiconductor sample was obtained in the same manner as in Example 1 except that g was used.
このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は
次のとおりである。The composition of the raw material for the barium titanate ceramic semiconductor is as follows.
(Ba0.95Sr0.05)TiO3+0.0005MnO2 +0.005SiO2+0.0013Sb2O3 この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗
温度係数を示す領域が生じる温度(キュリー点)は105
℃であり、抵抗の立ち上がり幅は3.5桁であった。この
とき室温での抵抗率は4.94Ω・cmであった。(Ba 0.95 Sr 0.05 ) TiO 3 + 0.0005MnO 2 + 0.005SiO 2 + 0.0013Sb 2 O 3 As a result of measuring the temperature change of the resistance of this sample, the temperature (Curie point) at which a region showing a positive temperature coefficient of resistance occurs is 105
° C, and the rise width of the resistance was 3.5 digits. At this time, the resistivity at room temperature was 4.94 Ω · cm.
〔実施例3〕 無水炭酸バリウム(BaCO3)69.00g、高純度二酸化チ
タン(TiO2)29.02g、無水炭酸ストロンチウム(SrC
O3)2.68g、炭酸マンガン(MnCO3)0.0209g、二酸化ケ
イ素(SiO2)0.1091g、酸化アンチモン(Sb2O3)0.0741
gを使用したこと以外は上記実施例1と同様にしてチタ
ン酸バリウム磁器の試料を得た。Example 3 69.00 g of anhydrous barium carbonate (BaCO 3 ), 29.02 g of high-purity titanium dioxide (TiO 2 ), and anhydrous strontium carbonate (SrC)
O 3) 2.68 g, manganese carbonate (MnCO 3) 0.0209g, silicon dioxide (SiO 2) 0.1091g, antimony oxide (Sb 2 O 3) 0.0741
A barium titanate porcelain sample was obtained in the same manner as in Example 1 except that g was used.
このチタン酸バリウム磁器の原料の配合組成は次のと
おりである。The composition of the raw materials for the barium titanate porcelain is as follows.
(Ba0.95Sr0.05)TiO3+0.0005MnO2 +0.005SiO2+0.0007Sb2O3 この試料の室温での抵抗率は、3.4×103Ω・cmであっ
たが、半導体とならず、上記諸特性の測定は不可能であ
った。(Ba 0.95 Sr 0.05 ) TiO 3 + 0.0005MnO 2 + 0.005SiO 2 + 0.0007Sb 2 O 3 The resistivity of this sample at room temperature was 3.4 × 10 3 Ω · cm, but it did not become a semiconductor. Measurement of various properties was not possible.
〔実施例4〕 無水炭酸バリウム(BaCO3)68.04g、高純度二酸化チ
タン(TiO2)29.00g、無水炭酸ストロンチウム(SrC
O3)2.68g、炭酸マンガン(MnCO3)0.0209g、二酸化ケ
イ素(SiO2)0.1090g、酸化アンチモン(Sb2O3)0.1587
gを使用したこと以外は上記実施例1と同様にしてチタ
ン酸バリウム磁器の試料を得た。Example 4 68.04 g of anhydrous barium carbonate (BaCO 3 ), 29.00 g of high-purity titanium dioxide (TiO 2 ), and strontium anhydrous (SrC)
O 3) 2.68 g, manganese carbonate (MnCO 3) 0.0209g, silicon dioxide (SiO 2) 0.1090g, antimony oxide (Sb 2 O 3) 0.1587
A barium titanate porcelain sample was obtained in the same manner as in Example 1 except that g was used.
このチタン酸バリウム磁器の原料の配合組成は次のと
おりである。The composition of the raw materials for the barium titanate porcelain is as follows.
(Ba0.95Sr0.05)TiO3+0.0005MnO2 +0.005SiO2+0.0015Sb2O3 この試料は絶縁体化して半導体とならず、上記諸特性
の測定は不可能であった。(Ba 0.95 Sr 0.05 ) TiO 3 + 0.0005MnO 2 + 0.005SiO 2 + 0.0015Sb 2 O 3 This sample was made into an insulator and did not become a semiconductor, and the above-mentioned characteristics could not be measured.
以上より、〔実施例1〕ないし〔実施例4〕の結果を
整理すると、第1表に示すようになる。第1表から明ら
かなように、半導体化剤として、チンタ酸バリウム基体
組成物に対して酸化アンチモン(Sb2O3)を使用するこ
とによって、室温における抵抗率を非常に小さくするこ
とができる。また、上記チタン酸バリウム磁器半導体の
Sb2O3添加量依存性(〔実施例1〕ないし〔実施例3〕
の各試料の特性に対応する)は、第1図に示すようにな
る。即ち、第1図に示すように、チタン酸バリウム磁器
半導体Sb2O3添加量が0.075モル%よりも小さいか、また
は0.14モル%よりも大きい場合、室温における抵抗率
(比抵抗)は大きくなってしまう。よって、Sb2O3の添
加量は、好ましくは、0.075モル%〜0.14モル%の範囲
であることがわかる。From the above, the results of [Example 1] to [Example 4] are summarized in Table 1 below. As is clear from Table 1, by using antimony oxide (Sb 2 O 3 ) as a semiconducting agent for the barium titanate base composition, the resistivity at room temperature can be made very small. In addition, the barium titanate ceramic semiconductor
Sb 2 O 3 addition amount dependency ([Example 1] to [Example 3]
(Corresponding to the characteristics of each sample) is as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 1, when the added amount of barium titanate ceramic semiconductor Sb 2 O 3 is smaller than 0.075 mol% or larger than 0.14 mol%, the resistivity (specific resistance) at room temperature increases. Would. Therefore, amount of Sb 2 O 3 is preferably found to be in the range of 0.075 mol% ~0.14 mol%.
ここで、原料の配合組成の異なる上記各種チタン酸バ
リウム磁器半導体の試料の諸物性の測定方法を以下に説
明する。Here, methods for measuring various physical properties of samples of the above-mentioned various barium titanate ceramic semiconductors having different compounding compositions of raw materials will be described below.
(1)キュリー点の測定 チタン酸バリウム磁器半導体の試料を測定用の試料ホ
ルダーに取り付け、測定槽(MINI−SUBZERO MC−810P
タバイ エスペック(株)製)内に装着して、−50℃か
ら190℃までの温度変化に対する試料の電気抵抗の変化
を直流抵抗計(マルチメーター3478A YHP製)を用いて
測定した。(1) Measurement of Curie point A barium titanate porcelain semiconductor sample is attached to a sample holder for measurement, and the measurement tank (MINI-SUBZERO MC-810P
The sample was mounted in Tabai Espec Co., Ltd.) and the change in electrical resistance of the sample with respect to a temperature change from −50 ° C. to 190 ° C. was measured using a DC resistance meter (manufactured by Multimeter 3478A YHP).
測定により得られた電気抵抗−温度のプロットより、
抵抗値が室温における抵抗値の2倍になるときの温度を
キュリー点とした。From the plot of electrical resistance-temperature obtained by measurement,
The temperature at which the resistance value becomes twice the resistance value at room temperature was defined as the Curie point.
(2)室温抵抗率の測定 チタン酸バリウム磁器半導体の試料を25℃の測定槽に
おいて、直流抵抗計(マルチメーター3478A YHP製)を
用いて電気抵抗を測定した。(2) Measurement of room temperature resistivity A barium titanate porcelain semiconductor sample was measured for electrical resistance in a 25 ° C. measurement tank using a DC resistance meter (manufactured by Multimeter 3478A YHP).
チタン酸バリウム磁器半導体の試料の調製において、
電極塗布前に試料に大きさ(径および厚さ)を測定して
おき、次式により比抵抗(ρ)を算出し、これを抵抗率
とした。In the preparation of a barium titanate porcelain semiconductor sample,
Before applying the electrode, the size (diameter and thickness) was measured on the sample, the specific resistance (ρ) was calculated by the following equation, and this was defined as the resistivity.
ρ=R・S/t ρ:比抵抗(抵抗率)〔Ω・cm〕 R:電気抵抗の測定値〔Ω〕 S:電極の面積 〔cm2〕 t:試料の厚さ 〔cm〕 (3)抵抗率の立ち上がり幅の測定 キュリー点の測定の温度変化(−50℃から190℃)に
対する試料の電気抵抗の変化の測定を、さらに200℃を
超える温度まで続行し、その抵抗率−温度プロットにお
いて、キュリー点における電気抵抗の急激な立ち上がり
のときの抵抗率と、200℃における抵抗率とを比較し
て、その桁数の対数比を抵抗率の立ち上がり幅とした。ρ = R · S / t ρ: specific resistance (resistivity) [Ω · cm] R: measured value of electric resistance [Ω] S: electrode area [cm 2 ] t: sample thickness [cm] (3 ) Measurement of the rise width of the resistivity Measurement of the change in the electrical resistance of the sample with respect to the temperature change (-50 ° C to 190 ° C) in the measurement of the Curie point is continued until the temperature exceeds 200 ° C. , The resistivity at the time of a sharp rise in electrical resistance at the Curie point was compared with the resistivity at 200 ° C., and the logarithm of the number of digits was defined as the rise width of the resistivity.
なお、本発明に係るチタン酸バリウム磁器半導体は、
室温において抵抗率が小さいので、電流容量の小さい回
路における低抵抗PTC素子として使用することができ、
例えば温度ヒューズスイッチング電源のコンパレータと
しても使用することができる。本発明に係るチタン酸バ
リウム磁器半導体は、上記以外に、電解コンデンサーの
保護回路、カラーTV自動消磁装置、自動車等のモータ起
動装置、電子機器の過熱防止装置、遅延素子、タイマ、
液面計、無接点スイッチ、リレー接点保護装置などに利
用することができる。Incidentally, the barium titanate porcelain semiconductor according to the present invention,
Since the resistivity is low at room temperature, it can be used as a low-resistance PTC element in circuits with small current capacity,
For example, it can be used as a comparator of a thermal fuse switching power supply. Barium titanate porcelain semiconductor according to the present invention, in addition to the above, a protection circuit for an electrolytic capacitor, a color TV automatic degaussing device, a motor starting device for automobiles, etc.
It can be used for liquid level gauges, non-contact switches, relay contact protection devices, etc.
〔発明の効果〕 本発明に係るチタン酸バリウム磁器半導体の製造方法
は、半導体化剤として、チタン酸バリウム基体組成物に
対して、室温抵抗率を下げるために0.075モル%〜0.14
モル%のSb2O3のみを使用する構成をなしている。 [Effects of the Invention] The method for producing a barium titanate porcelain semiconductor according to the present invention comprises, as a semiconducting agent, 0.075 mol% to 0.14
It is configured to use only mol% of Sb 2 O 3 .
それゆえ、半導体化がより容易に行え、しかもキュリ
ー点以上の温度において正の抵抗温度係数を有すると共
に、室温での抵抗率をより小さく設定することができる
ので、電流容量の小さい回路中に対応することができる
汎用性に優れた低抵抗PTC素子を製造できるという効果
を奏する。Therefore, it can be easily made into a semiconductor, has a positive temperature coefficient of resistance at a temperature higher than the Curie point, and can set a lower resistivity at room temperature, so that it can be used in a circuit having a small current capacity. This has the effect that a low-resistance PTC element with excellent versatility that can be manufactured can be manufactured.
第1図は本発明の一実施例を示すものであり、本発明に
係るチタン酸バリウム磁器半導体の比抵抗の酸化アンチ
モン(Sb2O3)添加量依存性を示す説明図である。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, and is an explanatory view showing the dependency of the specific resistance of the barium titanate porcelain semiconductor according to the present invention on the added amount of antimony oxide (Sb 2 O 3 ).
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−95673(JP,A) 特開 昭58−147004(JP,A) 特開 昭51−47292(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01C 7/02──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-55-95673 (JP, A) JP-A-58-147004 (JP, A) JP-A-51-47292 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 6 , DB name) H01C 7/02
Claims (1)
ム基体組成物に半導体化剤を加えて焼成してなるチタン
酸バリウム磁器半導体の製造方法において、半導体化剤
として、チタン酸バリウム基体組成物に対して、室温抵
抗率を下げるために0.075モル%〜0.14モル%のSb2O3の
みを使用することを特徴とするチタン酸バリウム磁器半
導体の製造方法。1. A method for producing a barium titanate porcelain semiconductor comprising a step of adding a semiconducting agent to a barium titanate base composition containing a Curie point transfer substance, followed by firing, wherein the barium titanate base composition is used as a semiconducting agent. On the other hand, a method for producing a barium titanate porcelain semiconductor characterized by using only 0.075 mol% to 0.14 mol% of Sb 2 O 3 to lower the room temperature resistivity.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2121469A JP2839932B2 (en) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | Method for producing barium titanate porcelain semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
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