JP2837171B2 - Transparent conductive film - Google Patents

Transparent conductive film

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Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、電界発光素子(エレクトロルミネッセンス
(EL)素子)用の透明導電性フィルムに関する。くわし
くは一つの電極から電子を、もう一方の電極から正孔を
注入して動作する注入型EL素子において、発光機能を発
現する層として、有機化合物薄膜層を設けた十分な発光
輝度を有し、かつポリマーフィルムを基体とすることか
ら付与される可撓性を有するEL素子に好適に利用される
透明導電性フィルムに関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a transparent conductive film for an electroluminescent device (electroluminescence (EL) device). More specifically, in an injection-type EL device that operates by injecting electrons from one electrode and holes from the other electrode, it has sufficient light emission luminance with an organic compound thin film layer provided as a layer that expresses a light emitting function. The present invention relates to a transparent conductive film suitably used for an EL element having flexibility provided by using a polymer film as a substrate.

〔発明の背景〕[Background of the Invention]

EL素子とは、一般に注入型EL素子と真性型EL素子とに
分類される。このなかで注入型EL素子の動作機構は、ダ
イオードなどのp−n接合に順方向バイアスを印加し
て、両側の電極からそれぞれ電子と正孔を注入し、その
再結合により光を発生する。一般にこのEL素子は、上記
の光発光機能を発現する層を、2つの電極間に配置した
構造を有し、これら電極間に電圧を印加することによ
り,電気エネルギーを直接光に変換する発光素子であ
る。注入型EL素子の特徴としては、直流から交流までの
広い駆動周波数範囲で動作し、しかも低電圧駆動が可能
であり、また電気から光への変換効率がよいなどの可能
性や、従来の発光素子、例えば白熱電球や、蛍光灯など
とは異なり、薄膜パネル、ベルト状、円筒状等の種々の
形状の例えば、線、図、画像等の表示用部料や、あるい
は大面積のパネル等の面状の発光体を実現化できる可能
性を有することである。一方真性型EL素子は2つの電極
間に誘電体層で挟む、あるいは高誘電性ポリマーなどで
分散させる、などの方法で遷移金属や希土類金属などを
ドープした硫化亜鉛などの発光材料を設け、両電極に比
較的高い交流電圧を印加することにより、電気エネルギ
ーを直接光に変換する発光素子である。これらの真性型
EL素子は薄膜パネルや液晶ディスプレイなどのバックラ
イトとして広く利用されているが低電圧駆動させること
ができないなどの問題を抱えていた。
EL elements are generally classified into injection-type EL elements and intrinsic EL elements. Among them, the operation mechanism of the injection type EL element applies a forward bias to a pn junction such as a diode, injects electrons and holes from electrodes on both sides, respectively, and generates light by recombination. Generally, this EL element has a structure in which a layer exhibiting the above-mentioned light emitting function is arranged between two electrodes, and a voltage is applied between these electrodes to directly convert electric energy into light. It is. The characteristics of injection-type EL devices are that they operate in a wide drive frequency range from DC to AC, can be driven at low voltage, and have good conversion efficiency from electricity to light. Unlike elements, for example, incandescent lamps, fluorescent lamps, etc., thin-film panels, belts, various shapes such as cylinders, for example, lines, diagrams, display materials for images, etc., or large-area panels, etc. That is, there is a possibility that a planar light emitting body can be realized. On the other hand, an intrinsic EL element is provided with a luminescent material such as zinc sulfide doped with a transition metal or a rare earth metal by a method such as sandwiching a dielectric layer between two electrodes or dispersing with a high dielectric polymer. A light-emitting element that converts electric energy directly into light by applying a relatively high AC voltage to the electrodes. These intrinsic types
EL elements are widely used as backlights for thin-film panels and liquid crystal displays, but have had problems such as being unable to operate at low voltage.

最近になり正孔伝導性と電子伝導性の有機化合物薄膜
を2層重ねた注入型発光ダイオード素子が報告された。
(C.W.Tang:Appl.Phys.Lett.51.(12).193,(1987))
この有機材料を用いた発光素子は、種々の薄膜形成方法
が選択でき、また精度よく大面積で薄膜の形成が可能で
ある等の特徴を有するため注目されている。
Recently, an injection type light emitting diode device in which two organic compound thin films having hole conductivity and electron conductivity are stacked has been reported.
(CWTang: Appl.Phys.Lett.51. (12) .193, (1987))
Light-emitting elements using this organic material have attracted attention because of their features such as various thin film formation methods and the ability to form a thin film with a large area with high accuracy.

しかしながら、現在知られているEL用の有機材料のみ
で素子を形成した時、発光の強度がある程度限られる、
また発光強度が不安定等の問題があり現実には実用化さ
れていない。
However, when an element is formed using only an organic material for EL that is currently known, the intensity of light emission is limited to some extent.
Further, there is a problem that the light emission intensity is unstable and the like, and it has not been practically used.

大面積に均一薄膜の製造が可能で、量産性に富み、コ
スト的にも有利なEL素子が求められている。しかも実用
性を考える時には素子形態に可とう性をもつことが重要
である。本発明者らは、鋭意検討の結果、上記の問題点
を解決し、しかも可とう性を有し、大面積に均一な薄膜
の製造が可能で、しかも量産性に富み、コスト的にも有
利なEL素子を開発するに当たり、その基板材料とて極め
て適した透明導電性フィルムを発明した。
There is a demand for an EL element that can produce a uniform thin film over a large area, is high in mass productivity, and is cost effective. Moreover, when considering practicality, it is important that the element form has flexibility. The present inventors have assiduously studied, and as a result, have solved the above-mentioned problems, have flexibility, can produce a uniform thin film over a large area, have high mass productivity, and are economically advantageous. In developing a new EL device, we have invented a transparent conductive film that is extremely suitable as a substrate material.

〔発明の開示〕[Disclosure of the Invention]

本発明は、インジウム主成分として錫およびアンチモ
ンをインジウムに対して2〜25at.%含む酸化膜をポリ
マーフィルム上に薄膜形成した透明導電性フィルムであ
り、特に、EL素子基板として適したものである。本発明
の透明導電性フィルムを少なくとも一方の電極とし、対
向する2つの電極間に発光機能を発現する層として,有
機化合物薄膜層を設けることにより形成される発光素子
は可撓性を有し、大面積に均一な薄膜の製造が可能で、
しかも量産性に富み、コスト的にも有利なものである。
The present invention is a transparent conductive film in which an oxide film containing tin and antimony as a main component of indium in an amount of 2 to 25 at.% With respect to indium is formed on a polymer film as a thin film, and is particularly suitable as an EL element substrate. . A light emitting element formed by providing the transparent conductive film of the present invention as at least one electrode and providing an organic compound thin film layer as a layer exhibiting a light emitting function between two opposing electrodes has flexibility, It is possible to produce a uniform thin film over a large area,
Moreover, it is rich in mass productivity and advantageous in cost.

上記の透明導電膜のポリマーフィルム上への形成方法
としては、ゾルーゲル法,スプレー法、蒸発法、スパッ
タ法、などの各種の物理的または化学的な薄膜形成法な
どが用いられる。特に好ましくはDCあるいはRFマグネト
ロンスパッタ法で形成されたものは数100Åの薄膜であ
りながらピンホールの少ない良好なものであった。
As a method for forming the transparent conductive film on the polymer film, various physical or chemical thin film forming methods such as a sol-gel method, a spray method, an evaporation method, and a sputtering method are used. Particularly preferably, a thin film formed by DC or RF magnetron sputtering is a thin film having a thickness of several hundreds of mm and has few pinholes.

本発明の導電性フィルムにおける透明電極層は、イン
ジウムを主成分とし錫およびアンチモンを含む複合酸化
物からなり、インジウムに対して錫とアンチモンを加え
たこのの割合が2〜25at.%であることが重要であり、
さらに好ましくは、錫に対してアンチモンの割合が5〜
50at.%である電極層である。この透明電極層の厚みは3
00Å〜10000Åで、その表面抵抗は1〜300Ω/□であ
る。より好ましくは500Å〜2000Åである。
The transparent electrode layer in the conductive film of the present invention is composed of a composite oxide containing indium as a main component and tin and antimony, and the ratio of tin and antimony to indium is 2 to 25 at.%. Is important,
More preferably, the ratio of antimony to tin is 5 to 5.
The electrode layer is 50 at.%. The thickness of this transparent electrode layer is 3
The surface resistance is from 1 to 300 Ω / □. More preferably, it is 500-2000 °.

本発明の透明導電性フィルムよりなるEL素子を形成す
る際の発光機能発現層としての有機化合物薄膜層は、1
種類の有機化合物薄膜、または2種類以上の有機化合物
薄膜の積層膜よりなる。有機化合物は、高い発光量子効
率を持ち、外部摂動を受けやすいπ電子系を有し、容易
に励起されやすい有機化合物などが好適に用いられる。
The organic compound thin film layer as a light emitting function exhibiting layer when forming an EL element composed of the transparent conductive film of the present invention comprises 1
It consists of a kind of organic compound thin film or a laminated film of two or more kinds of organic compound thin films. As the organic compound, an organic compound having high emission quantum efficiency, a π-electron system which is easily affected by external perturbation, and which is easily excited is preferably used.

このような有機化合物としては、例えば縮合多環芳香
族炭化水素、p−ターフェニル、2,5−ジフェニルオキ
サゾール、1,4−bis−(2−メチルスチリル)−ベンゼ
ン、キサンチン、クマリン、アクリジン、ジアニン色
素、ベンゾフェノン、フタロシアニン、および金属と有
機物の配位子とから形成される金属錯体合物、ならびに
上記以外の複素環式化合物およびその誘導体、芳香族ア
ミン、芳香族ポリアミン、およびキノ構造を有する化合
物のなかで励起状態で錯体を形成する化合物、ポリアセ
チレン、ポリシランなど、またはこれらの化合物の混合
されたものを用いる。より具体的に金属と有機物の配位
子から形成される金属錯体化合物を説明すると、錯体を
形成する金属としては、Al,Ga,Ir,Zn,Cd,Mg,Pb,Taなど
が用いられる。有機物の配位子としては、ポリフィリ
ン、クロロフィル、8−ヒドロキシキノリン(オキシン
(Ox))、フタロシアニン、サリチルアルデヒドオキシ
ム、1−ニトロソ−2−ナフトール、クフェロン、ジチ
ゾン、アセチルアセトンなどが用いられる。さらにより
具体的に説明すると、オキシン錯体類では、、オキシン
錯体、5,7−ジブロムオキシン錯体(以下diBrOxで示
す),5,7−ジヨードオキシン錯体(以下diIOxで示
す),チオオキシン錯体(以下ThioOxで示す),セレノ
オキシン錯体(以下SelOxで示す),メチルオキシン錯
体(以下MeOxで示す)などが挙げられ、この金属錯体化
合物をより具体的に示すと、Al(Ox)3,Zn(Ox)2,Zn
(diBrOx)、Zn(diIOx)2,Zn(ThioOx)2,Zn(SelO
x)2,Bi(MeOX)などが用いられる。
Examples of such organic compounds include condensed polycyclic aromatic hydrocarbons, p-terphenyl, 2,5-diphenyloxazole, 1,4-bis- (2-methylstyryl) -benzene, xanthine, coumarin, acridine, Having a diamine dye, benzophenone, phthalocyanine, and a metal complex compound formed from a metal and an organic ligand, and a heterocyclic compound and a derivative thereof other than the above, an aromatic amine, an aromatic polyamine, and a quino structure Among the compounds, a compound that forms a complex in an excited state, polyacetylene, polysilane, or the like, or a mixture of these compounds is used. More specifically, a metal complex compound formed from a ligand of a metal and an organic substance will be described. As the metal forming the complex, Al, Ga, Ir, Zn, Cd, Mg, Pb, Ta, or the like is used. As the ligand of the organic substance, porphyrin, chlorophyll, 8-hydroxyquinoline (oxin (Ox)), phthalocyanine, salicylaldehyde oxime, 1-nitroso-2-naphthol, kuferon, dithizone, acetylacetone and the like are used. More specifically, the oxine complexes include an oxine complex, a 5,7-dibromooxin complex (hereinafter referred to as diBrOx), a 5,7-diiodoxine complex (hereinafter referred to as diIOx), and a thiooxin complex ( The following metal complex compounds are more specifically represented by Al (Ox) 3 , Zn (hereinafter represented by ThioOx), selenooxin complex (hereinafter represented by SelOx), methyloxin complex (hereinafter represented by MeOx), and the like. Ox) 2 , Zn
(DiBrOx) 2 , Zn (diIOx) 2 , Zn (ThioOx) 2 , Zn (SelO
x) 2 , Bi (MeOX) 2 or the like is used.

上記の有機化合物薄膜の製造方法としては、真空蒸着
法などの各種の物理的または化学的な薄膜形成法などが
用いられるほか、昇華法や、塗布法、スピンコーティン
グ法、引き上げ法なども有効に用いられる。
As a method for producing the above organic compound thin film, various physical or chemical thin film forming methods such as a vacuum evaporation method are used, and a sublimation method, a coating method, a spin coating method, a pulling method, etc. are also effectively used. Used.

本発明におけるポリマーフィルムとしては、透明性の
よいものであれば特に限定する必要はないが、電極形成
条件によっては耐熱性を必要とすることがある。利用し
やすいものとしては、ポリエチレンテレフタレート(PE
T)、ポリカーボネート(PC)、ポリエーテルスルフォ
ン(PES)、ポリエーテルエーテルケト(PEEK)などで
あるが、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)な
ども利用できる。さらにホモポリマーのみならず各種コ
ポリマーも利用できる。
The polymer film in the present invention is not particularly limited as long as it has good transparency, but may require heat resistance depending on electrode forming conditions. One that is easy to use is polyethylene terephthalate (PE
T), polycarbonate (PC), polyethersulfone (PES), polyetheretherketo (PEEK) and the like, but polyethylene (PE) and polypropylene (PP) can also be used. Further, not only homopolymers but also various copolymers can be used.

なお、本発明の導電性フィルムを利用してEL素子を形
成する場合の対向電極には上記透明電極あるいは一般の
金属酸化物電極のみならず金属、合金、金属シリサイド
などの金属化合物等の薄膜,またはそれらの1種類また
は2種類以上の積層薄膜が用いられる。よりこの好まし
くは、接触している有機発光層への電子の注入効率のよ
い材料を用いるとよい。この電極材料としては、より具
体的に説明すると、一般的に電子の仕事関数の小さな金
属や合金薄膜、それらの積層薄膜などが用いられる、さ
らにより具体的にはMg,Li,Na,K,Ca,Rb,Sr,Ceなどの金
属,Mg−Agなどの合金,Cs−O−Ag,Cs3 Sb、Na2 KSb,(C
s)Na2 KSbなどの金属化合物薄膜、またそれらの積層薄
膜などが好適である。
In addition, when forming an EL element using the conductive film of the present invention, not only the transparent electrode or a general metal oxide electrode but also a metal, an alloy, a thin film of a metal compound such as a metal silicide, etc. Alternatively, one or two or more of these stacked thin films are used. More preferably, it is preferable to use a material having a high efficiency of injecting electrons into the organic light emitting layer in contact. More specifically, as the electrode material, a metal or alloy thin film having a small work function of electrons, a laminated thin film thereof, or the like is used, and even more specifically, Mg, Li, Na, K, Ca, Rb, Sr, metals such as Ce, alloys such as Mg-Ag, Cs-O- Ag, Cs 3 Sb, Na 2 KSb, (C
s) A thin film of a metal compound such as Na 2 KSb or a laminated thin film thereof is suitable.

上記発光素子は、電極層/発光機能を発現する層/電
極層/光機能を発現する層/電極層/発光機能を発現す
る層/電極・・・と多段かさねてもよい。この素子構造
により、色調の調整や多色化なども可能である。また、
この素子を、平面上に多数ならべてもよい。この平面上
に並べられた素子では、それぞれの素子の発光色を変え
て、カラー表示用部材として用いてもよい。
The light emitting element may have a multi-layer structure of electrode layer / layer exhibiting light emitting function / electrode layer / layer exhibiting optical function / electrode layer / layer exhibiting light emitting function / electrode. With this element structure, it is also possible to adjust the color tone and make the color multi-colored. Also,
This element may be arranged in large numbers on a plane. The elements arranged on this plane may be used as a color display member by changing the emission color of each element.

〔適用例〕[Application example]

第1図に示すように、厚さ75μmのPETフィルム1上
にインジウム−錫−アンチモンターゲットを用いたDCマ
グネトロンスパッタ法により透明導電膜2を1000Å形成
し第一の電極層とした。この透明導電膜中のインジウ
ム、錫、アンチモンの原子組成比は87/11/2であった。
次に本電極層上に、真空抵抗加熱蒸着法により、アルミ
ニュームオキシン(Al(Ox))の薄膜を膜厚400A堆積
し、有機化合物薄膜層3を形成した。さらに、この層の
上に、電子ビーム蒸着法によりMg金属薄膜を堆積し、第
二電極層4を形成し、本発明で得られた透明導電性フィ
ルムを用いた発光素子を得た。Mg金属の蒸着膜の面積は
3mm角である。
As shown in FIG. 1, a transparent conductive film 2 was formed on a 75 μm thick PET film 1 by DC magnetron sputtering using an indium-tin-antimony target to form a first electrode layer. The atomic composition ratio of indium, tin, and antimony in this transparent conductive film was 87/11/2.
Next, a thin film of aluminum oxine (Al (Ox) 3 ) having a thickness of 400 A was deposited on the electrode layer by vacuum resistance heating evaporation to form an organic compound thin film layer 3. Further, a Mg metal thin film was deposited on this layer by an electron beam evaporation method to form a second electrode layer 4, thereby obtaining a light emitting device using the transparent conductive film obtained in the present invention. The area of the deposited Mg metal film is
3mm square.

本発光素子に、直流電圧を印加して、印加電圧に対す
る電流特性を調べた。第2図にその特性を示す。透明電
極をプラス、Mg側をマイアスにすると、電流が電圧の増
加とともに増加し、この逆の極性では、電流が流れな
い、所謂ダイオード特性を示した。また、このダイオー
ドの順方向に電圧12Vを印加すると、100mAの注入電流が
観測された。この電流値を電流密度に換算すると、1.1A
/cm2にも達した。また、この素子は、直流でも交流でも
動作した。また、通常の室内の蛍光灯の下で、明るく、
しかもはっきりと緑色の面発光が観測された。またポリ
マーフィルムの可撓性を利用し円筒状にし、同様の通電
試験を行ったところ同一の発光が観測された。
A DC voltage was applied to the light emitting device, and current characteristics with respect to the applied voltage were examined. FIG. 2 shows the characteristics. When the transparent electrode was positive and the Mg side was positive, the current increased with an increase in voltage. With the opposite polarity, current did not flow, so-called diode characteristics were exhibited. When a voltage of 12 V was applied in the forward direction of this diode, an injection current of 100 mA was observed. When this current value is converted to current density, 1.1 A
/ cm 2 . The device also operated at DC or AC. Also, under normal indoor fluorescent light,
Moreover, green surface emission was clearly observed. In addition, the same light emission was observed when a cylindrical film was formed by utilizing the flexibility of the polymer film and a similar energization test was performed.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上の適用例から明らかなように、本発明は、従来技
術において、到達できなかった可撓性を有する高性能な
発光素子に適した透明導電性フィルムを提供するもので
あり、表示用部材等として工業的に有用なものである。
As is apparent from the above application examples, the present invention provides a transparent conductive film suitable for a high-performance light-emitting element having flexibility that could not be achieved in the prior art, and a display member and the like. Is industrially useful.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の導電性フィルムを用いたEL素子への適
用例を示す説明図である。第2図は本発明の透明導電性
フィルムを用いた発光素子の特性を示すグラフである。
図中、1……PET、2……透明導電膜からなる電極層、
3……有機化合物薄膜層、4……第二電極層、を示す。
FIG. 1 is an explanatory view showing an application example to an EL element using the conductive film of the present invention. FIG. 2 is a graph showing characteristics of a light emitting device using the transparent conductive film of the present invention.
In the figure, 1 ... PET, 2 ... An electrode layer made of a transparent conductive film,
Reference numeral 3 indicates an organic compound thin film layer, and reference numeral 4 indicates a second electrode layer.

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ポリマーフィルム上に形成された透明導電
膜がインジウムを主成分とし錫およびアンチモンを2〜
25at.%含む酸化膜であることを特徴とする透明導電性
フィルム。
1. A transparent conductive film formed on a polymer film, comprising indium as a main component and tin and antimony in an amount of 2 to 2.
A transparent conductive film characterized by being an oxide film containing 25 at.%.
【請求項2】電界発光素子用の請求項1記載の透明導電
性フィルム。
2. The transparent conductive film according to claim 1, which is for an electroluminescent device.
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