JP2831882B2 - エッチングパターンの作成方法 - Google Patents
エッチングパターンの作成方法Info
- Publication number
- JP2831882B2 JP2831882B2 JP4243616A JP24361692A JP2831882B2 JP 2831882 B2 JP2831882 B2 JP 2831882B2 JP 4243616 A JP4243616 A JP 4243616A JP 24361692 A JP24361692 A JP 24361692A JP 2831882 B2 JP2831882 B2 JP 2831882B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- pattern
- light
- time
- point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
製作に際して使用するフォトエッチングの終点を検出
し、エッチング後のパターン寸法を制御する方法及び、
その装置に関する。
る。石英基板上にクロム(Cr)を付け、その上にレジ
ストを塗布し、必要な回路パターンを電子線描画装置又
は、紫外線投影装置により、焼き付ける。これを現像し
て回路として残す部分以外のCrを除去する。次いで、
エッチング液にこの基板を漬け、回路として残す部分以
外のCrをエッチング除去する。その後、レジストを剥
離してホトマスクが完成する。Crエッチングは通常固
定された時間エッチングを行う。この方法では、エッチ
ングの条件が変化した場合(エッチング液の濃度及び温
度の変化、被エッチング物であるCrの膜質の変化)、
仕上がったCrパターンの寸法が所望する寸法からずれ
て仕上がってしまう。これを防ぐために、Crエッチン
グの終点を検出する方法が発表されている(特開平4−
176880号『パターン形成方法及び装置』)。しか
し、この方法では、エッチング終点を検出できるが、C
rパターンを所望する寸法に制御する事は出来ない。
イナミックラム)では、実際の回路パターンは、最小寸
法で0.35〜0.40μmである。5対1の縮小投影
露光法を考えた場合のマスク寸法は、1.75〜2.0
μmとなり、ウエハ上の焼き付けパターンを±10%に
押さえるためには、マスク上のCrパターン寸法は、所
望寸法に対して±0.175〜0.20μm以内に押さ
える必要がある。この様な高い寸法制御性を達成するた
めの、寸法制御方法及び装置を提供する。
を行った結果、基板上にモニターパターンを設け、a)
エッチング中のモニターパターンに上部から光を投射
し、b)モニターパターン部分からの反射光または透過
光の干渉光の強度変化を測定し、c)干渉光の強度が一
定になった点をブレークスルーポイントとし、d)エッ
チング開始からブレークスルーポイントまでの時間に、
あらかじめ求められたオーバーエッチング係数を乗じて
総エッチング時間を求め、e)エッチング開始から総エ
ッチング時間が経過した時にエッチングを終了すること
により、エッチングパターンの寸法を良好に制御できる
ことを見いだし本発明を完成した。
基板界面で反射され干渉を起こす。ただし、Cr膜が
0.1μm以上の厚さではCr膜の光吸収が大きく干渉
は現れない。Cr膜がエッチングされ、基板面が露出さ
れると信号強度は一定になる。本明細書においては、こ
の点をブレークスルーポイントと呼び、エッチング開始
からブレークスルーポイントまでの時間をブレークスル
ータイム(BTT)と呼ぶ。
1−相対反射率の関係が成り立つので、反射光が干渉す
れば透過光も干渉する。材料に吸収がある場合にも強度
は変化するが同様に干渉が起こる。
ば図1に示す装置を使用することにより行うことができ
る。
あり、回転軸2によって回転させられる。13はスピン
装置のモータを回転させるモータ駆動回路である。チャ
ック1には吸引機構が備えられ、下地基板3は吸引して
装着するようになっている。下地基板3の上方にはエッ
チング液供給機構4とリンス液供給機構5とが備えられ
ている。エッチング液供給機構4からは下地基板3の半
径方向に幅1cm程度、長さ10cm程度の帯状にエッ
チング液が吹きつけられ、下地基板3がスピン装置によ
って回転させられることにより下地基板3上に均一にエ
ッチング液が液盛りされる。リンス液供給機構5も同様
にリンス液を下地基板3上に吹きつけることができる。
る光学系の長波長を有する光源であり、例えばタングス
テンランプや水銀灯などが用いられる。
に導く光ファイバ束であり、下地基板3上での光の直径
が例えば10mm程度になるように照射する。
反射光を導く役目もしている。光ファイバ8で導かれた
反射光はフィルタ11を経てフォトトランジスタ10で
受光される。フィルタ11は特定の波長範囲の光のみを
透過させる狭帯域バンドパスフィルタであり、下地基板
3の種類などによって最もS/N比の大きくなるような
波長を選択できるものを使用する。フォトトランジスタ
10の検出信号はA/Dコンバータ15を経てデジタル
信号に変換され、コンピュータ12に取り込まれて茨形
の解析が行われ、その波形解析の結果からリンス液供給
機構5やモータ駆動回路13を制御する。コンピュータ
12としては市販のパーソナルコンピュータを使用する
ことができる。
せ、エッチング液供給機構4からエッチング液を吹きつ
けてエッチング液を液盛りした後、コンピュータ12は
時間の計測を開始し、スピン装置を停止し、フォトトラ
ンジスタ10からA/Dコンバータ15を経てデータを
取り込む。
を検出するプログラムを実行する。
ントを検出すると、エッチング開始からブレークスルー
ポイントが検出されるまでの時間BTTを計測し、予め
実験的に定められて設定されたオーバーエッチング係数
Aを乗じて総エッチング時間を算出する。エッチング開
始から算出された総エッチング時間が経過した時点でエ
ッチングを停止する。エッチングの停止は、リンス液供
給機構5からリンス液(たとえば純水)を吹き付けると
ともに、モーター駆動回路13を経てスピン装置を回転
させて現像液を除去することにより行う。
基板3の回転を続けて下地基板3を乾燥させる。
ーフリンジアルゴリズムにより行うことができる。
に適用される。
t)の時間による2次微分を求め、2次微分が極大とな
る点をBTTとして算出する。
示す。
の極小点からノーフリンジアルゴリズムを適用し、ブレ
ークスルーポイントを検出する。
透過光の強度変化の例を示す。
ノーフリンジアルゴリズムが適用される。
するかは任意であり、終点検出のしやすい方を選べばよ
い。又、両者を同時に測定し、その平均を求めてもよ
い。
BTTと実際のエッチングパターン寸法とを関係付ける
ために実験的に決定される。すなわち、いくつかの条件
下でエッチングを行い、BTTと得られたエッチングパ
ターン寸法とを測定し、両者の関係を求めることにより
決定される。Aは定数またはBTTの関数として決定さ
れる。
近似およびその補間は、以下の方法のいずれか、または
これらの組み合わせにより行うことができる。
ることにより、AとBTTとの関係を式化できる。次数
を上げると近似の精度がより向上することは当然である
が、精度よい近似を求められる場合でも高々10次であ
ればよく、通常の場合は5ないし6次式で十分である。
発明による効果は得られる。近似式の次数の決定はあく
までも製品管理上において許容される管理巾により決定
されるものであり、近似精度すなわち近似式の次数によ
り本発明の範囲が制限されるものではない。
めによる補間 式の形によっては適当な変数変換を行うことにより直線
関係で表現できる場合がある。
lny=lna+bxとなり、これをY=A+BXと比
較すれば上表に記載されている関係となる。
である。 Lagrange補間式を用いる場合には、
1組でも信頼性の低いデータが含まれていると補間式全
体の精度が低下するので注意が必要である。
よって示され、Cox2)とde Boor3)は、スプラ
インの数値計算に有効な反復計算式を求めた、曲線の定
義、Bスプライン基底関数を応用したのはRiesen
feld4)である。
ライン曲線P(t)は次式であらわされる。
らわす。
ン基底関数Ni,k (t)はつぎに示す反復公式により
与えられる。
いは「コンピュータグラフィックス」(山口富士夫訳昭
和54年5月30日、日刊工業新聞社発行)に記載され
ている。
“Contributions tothe Prob
lem of Approximation of E
quidistant Data by Analyt
ic Functions”Q,Appl.Mat
h.,Vo1.4(1946)p.45〜99,112
〜141。
erical Evaluationof B−Spl
ines”National Physical La
boratory DNAC4,August(197
1)。
Calculating withB−Spline
s”J,Approx,Theory,Vo1.6(1
972)p.50〜62。
“Berstein−Bezier Methods
for the Computer−Aided De
signof Free:Form Curves S
urfaces”、Ph,D.Thesis,Syra
cuse University,March(197
3)。
り、任意のBTTに対するAを決定することができる。
BTTとA値データをBTTについて最小単位0.01
秒毎にテーブル化し、コンピューターにファイルしてお
くと瞬時のデータアクセスが可能となるので好ましい。
ッチング終点が変化し、パターン密度が密になるとエッ
チング終点が早くなることを発見した。このような現象
はレジストの現像などの場合には見られず、エッチング
に特有のものである。
係を測定したところ、以下の表のような結果が得られ
た。
れるエッチング終点が変化することになる。このこと
は、モニターしたパターン部分については適切なエッチ
ング終点でエッチングを終了しても、パターン密度が異
なる他の部分については不十分なエッチングやオーバー
エッチングの状態になっていることを意味する。
で最も正確にエッチングしたい箇所と同じパターンまた
は同じ密度を有する所定のパターンをモニターパターン
として基板上に設け、これをモニターすることが好まし
い。モニターパターンは製品となるエッチングパターン
領域外に設けられる。一般的には基板の隅に設けられ、
その数は任意である。フォトカップラーのような、基板
を回転させるスピンモーターから同期信号を得る手段を
設け、この信号とデータサンプリングを同期させること
によりモニターパターンのみをモニターすることができ
る。回転同期サンプリング機構についての図を図2とし
て示す。
し、エッチング液として硝酸第二セリウムアンモニウム
水溶液を使用してエッチングを行った。
してエッチング終点を決定し、オーバーエッチング係数
を2.3BTT+0.02とした場合と、3.4BTT
とした場合、さらに一定時間(90秒)でエッチングを
終了した場合の結果を比較した。エッチング終点を変化
させるため、エッチング液温度を10、20、および3
0°Cと変化させた。それぞれの場合において、基板の
パターンのうち、2.0μmにエッチングすべき部分の
仕上がり寸法(ボトム寸法)を評価した。その結果を図
6に示す。
mL//Sモニターパターンを使用してエッチング終点
を決定した場合、5μmL/Sモニターパターンを使用
してエッチング終点を決定した場合、および一定時間
(90秒)でエッチングを終了した場合の結果を比較し
た。
ング液温度を10、20、および30°Cと変化させ
た。それぞれの場合において、基板のパターンのうち、
5.0μmにエッチングすべき部分の仕上がり寸法を評
価した。その結果を図7に示す。
エッチング終点を決定することにより、エッチング条件
が変動しても一定の線幅にエッチングできることがわか
る。さらに、オーバーエッチング係数やモニターパター
ンのラインスペースを変化させることにより、得られる
線幅を調節できる。例えば、実施例1の結果からはAを
3.4BTTとすることにより、線幅を2μmより若干
狭い領域で調節できることがわかる。また、実施例2の
結果からはモニターパターンを2μmL/Sとすること
により、線幅を5μmより若干太い領域で調節できるこ
とがわかる。すなわち、オーバーエッチング係数などを
変化させることにより、得られる線幅の微調整ができ
る。
装置の例である。
方法の例を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 エッチングパターンの作成方法であっ
て、 基板上にモニターパターンを設け、 a)エッチング中のモニターパターンに上部から光を投
射し、 b)モニターパターン部分からの反射光または透過光の
干渉光の強度変化を測定し、 c)干渉光の強度が一定になった点をブレークスルーポ
イントとし、 d)エッチング開始からブレークスルーポイントまでの
時間に、あらかじめ求められたオーバーエッチング係数
を乗じて総エッチング時間を求め、 e)エッチング開始から総エッチング時間が経過した時
にエッチングを終了する、 エッチングパターンの作成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4243616A JP2831882B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | エッチングパターンの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4243616A JP2831882B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | エッチングパターンの作成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0697151A JPH0697151A (ja) | 1994-04-08 |
JP2831882B2 true JP2831882B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=17106475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4243616A Expired - Fee Related JP2831882B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | エッチングパターンの作成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2831882B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6406641B1 (en) | 1997-06-17 | 2002-06-18 | Luxtron Corporation | Liquid etch endpoint detection and process metrology |
KR20010046064A (ko) * | 1999-11-10 | 2001-06-05 | 황인길 | 반도체 웨이퍼 스피너 회전속도 제어 장치 |
US20040221957A1 (en) * | 2003-05-06 | 2004-11-11 | Tokyo Electron Limited | Method system and computer readable medium for monitoring the status of a chamber process |
JP5544997B2 (ja) * | 2010-04-12 | 2014-07-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置。 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61121339A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | Matsushita Electronics Corp | エツチング終点検出方法 |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP4243616A patent/JP2831882B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0697151A (ja) | 1994-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6322935B1 (en) | Method and apparatus for repairing an alternating phase shift mask | |
US4998021A (en) | Method of detecting an end point of surface treatment | |
JP5013657B2 (ja) | 半導体プロセスパラメータを制御する方法 | |
JP2516270B2 (ja) | 材料の成長速度とエッチング速度の光学的監視 | |
JP4915502B2 (ja) | レジストパターンシミュレーション方法 | |
EP0483349A1 (en) | Method for control of photoresist develop processes | |
US8043772B2 (en) | Manufacturing method and manufacturing system of semiconductor device | |
JP2995542B2 (ja) | ウェットエッチング装置のエッチング終点の測定方法 | |
JP5175696B2 (ja) | 現像方法、及びフォトマスクの製造方法 | |
JP2831882B2 (ja) | エッチングパターンの作成方法 | |
JP4097973B2 (ja) | アルカリ現像液の濃度測定方法 | |
US6132940A (en) | Method for producing constant profile sidewalls | |
EP0134453B1 (en) | Method for exposure dose calculation of photolithography projection printers | |
JPH07243814A (ja) | 線幅測定方法 | |
WO2001059525A1 (en) | Method and apparatus for controlling photoresist baking processes | |
US6641963B1 (en) | System and method for in situ control of post exposure bake time and temperature | |
JP2001318471A (ja) | リソグラフィー方法 | |
JP2004079681A (ja) | 基板の露光方法および基板処理装置 | |
JP2001343219A (ja) | エッチング深さ測定装置及びその方法 | |
JP2818689B2 (ja) | 現像方法 | |
JP2000058417A (ja) | レジストパターン予測方法 | |
JP2802177B2 (ja) | フォトレジスト表面の溶解速度の測定方法 | |
JP2544161B2 (ja) | 現像方法 | |
JPH02176755A (ja) | 現像方法 | |
JP2559153C (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070925 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080925 Year of fee payment: 10 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080925 Year of fee payment: 10 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090925 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |