JP2828032B2

JP2828032B2 - 多層配線構造体の製造方法

Info

Publication number: JP2828032B2
Application number: JP8125016A
Authority: JP
Inventors: 佳嗣船田; 直典下戸; 孝二松井; 勇三嶋田; 和明内海
Original assignee: Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1996-05-20
Filing date: 1996-05-20
Publication date: 1998-11-25
Anticipated expiration: 2016-05-20
Also published as: JPH09307234A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、印刷配線板等の電
子部品に代表される多層配線構造体の製造方法に関し、
更に詳しくは、半導体素子を搭載する実装基板の多層配
線構造体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体バデイスの高速かつ高集積化に伴
い、これを搭載する多層配線基板を構成する層間絶縁膜
には、耐熱性を有し、併せて低誘電率，低吸水率，低熱
膨張率，導体および絶縁膜同士の高密着性，良好な耐薬
品性等が要求されている。さらに最近では、上下電極配
線を導通させるためのヴィアホール形成の工程簡略化を
図るため、材料自体が感光性を有し、フォトレジストと
同様なプロセスでヴィアホールが形成できることが好ま
しい。

【０００３】現在、これらの特性を有する層間絶縁膜材
料として、ポリイミド系樹脂（例えば、特開平４−２８
４４５５号公報，特開平５−１６５２１７号公報），有
機珪素系樹脂（例えば、特開平３−４３４５５号公報，
特開平４−４６９３４号公報，特開平６−１３０３６４
号公報，特開平７−２２５０８号公報）等が提案されて
いる。

【０００４】一方、導体の形成方法は、プリント基板の
製造に代表されるように、サプトラクティブ法とアディ
ティブ法に大別される。前者は、絶縁基材表面の全面に
形成された導体の不溶部分を化学処理で選択的に取り除
くことにより、導体パターンと絶縁部をつくる方法であ
り、後者は、絶縁基板上に無電解めっき等によって導電
性材料を選択的に析出させて導体パターンを形成する方
法である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記記載のポリイミド
系樹脂は、硬化時に縮合水を伴い、また分子内に導入さ
れている感光基が脱離するので、硬化時の膜収縮が大き
く、高精度かつ微細なヴィアホールの形成が困難であ
る。また、収縮応力が発生し、多層化を行うと、クラッ
クが発生するといった問題点がある。

【０００６】また、有機珪素系樹脂においては、硬化時
における収縮はポリイミドほどではないもののヴィアホ
ール形成をするための現像液に有機溶剤を用いているの
で、露光部の膜が膨潤し解像度が低下する。このため、
高精度かつ微細なヴィアホールの形成が困難であり、高
密度な多層配線構造体を得ることが困難である。また、
有機溶剤系の現像液は、環境汚染や安全衛生上使用する
ことは好ましくない。

【０００７】さらに、ポリイミド系樹脂および有機珪素
系樹脂は、硬化温度が４００℃と高く、絶縁膜を形成す
る基材として、プリント配線板やモールド配線板等の低
コストな樹脂製基材を耐熱性上の問題から選択すること
ができない。このため、セラミック類あるいはＳｉ等の
基材上にしか絶縁膜を形成できず、高コストとなる。

【０００８】低コストな樹脂製基材を上に形成できる絶
縁膜材料として、エポキシ系樹脂がよく知られている。
しかしながら、エポキシ系樹脂は、誘電率が高い、熱膨
張率が大きい，ガラス転移温度が低い，解像度に劣る，
硬化膜の平坦性に劣る等の問題点があり、最近の電子部
品の高性能化に伴い、適用が困難になりつつある。

【０００９】一方、上記導体パターン形成方法のサブト
ラクティブ法は、エッチングを通常薬剤を用いて行う
が、高密度なパターンを形成するには、ウェットエッチ
ングでは困難であり、ドライエッチングを行わなければ
ならず、コスト高となる。そのため、微細配線形成に有
利な無電解めっきによるアディティブ法が有効である。
無電解めっきにより絶縁基材表面に導体を形成するため
には、触媒として作用するパラジウム等の貴金属を該表
面に付与する必要がある。

【００１０】本発明は、以上の点を鑑み、耐熱性，低誘
電率，低熱膨張率等の優れた特性を有する高性能，高密
度な多層配線構造体およびその低コストでの製造方法を
提供することを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に鋭意検討した結果、次の如き発明に到った。すなわち
本発明は、層間絶縁膜材料として、フルオレン骨格を有
するエポキシアクリレートまたはベンゾシクロブテンを
使用し、導体をウェットプロセスのみで形成することに
より、多層配線構造体を製造する。なお、支持基材とし
て、プリント配線板あるいはモールド樹脂基板を使用す
る。

【００１２】次に本発明を更に詳しく説明する。支持基
材上に、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート
またはベンゾシクロブテンからなる絶縁膜を形成し、そ
の上に導体電極パターンを形成することにより、多層配
線構造体を製造する。フルオレン骨格を有するエポキシ
アクリレート樹脂としては、下記一般式で示される材料
が好ましく用いられる。

【００１３】

【式１】

【００１４】ここで、Ｒは、Ｈもしくは低級アルキル基
であり、ｎは、０〜２０の整数である。この材料は、特
開平４−２９２６１１号公報にて光学用としての応用が
開示されている。

【００１５】一般的に、エポキシアクリレート樹脂は、
多層配線基板の層間絶縁膜材料として使用されている材
料の一種である。しかし、前記一般式（４）で示される
フルオレン骨格を有する樹脂は、通常のエポキシアクリ
レート系樹脂と比較して耐熱性が高く、熱膨張率が小さ
く、かつ吸水性の面で非常に優れていることが明らかに
なった。従来耐熱性を有している絶縁性材料は、概して
硬化温度が非常に高いという問題があったが、この樹脂
は１６０℃〜２００℃程度で硬化が可能であり、多層配
線用絶縁材料として非常に好ましい。

【００１６】ベンゾシクロブテン樹脂も多層配線基板の
絶縁材料として使用されている材料の一つである。この
材料は、前記フルオレン骨格を有するエポキシアクリレ
ート樹脂より高価ではあるが、耐熱性，低熱膨張率，低
吸水性を具備し、さらに低誘電率であるため、該用途に
好適である。本発明による多層配線構造体の製造方法
は、低コストであるため、高価な材料でも実用的なレベ
ルで製造することが可能となる。

【００１７】これらの材料により絶縁膜を形成するに
は、樹脂を溶剤に溶解した、いわゆるワニスを絶縁基材
上に塗布後に熱硬化する。ポリイミド等と比較して、本
発明で使用する樹脂は分子量が低く、ワニスが低粘度で
あるため、塗膜の平滑性が極めて良好である。

【００１８】前述したように、無電解めっきを行うため
には、めっき反応の核となる触媒を絶縁基材表面に付与
する必要がある。しかしながら、上述の材料は、表面が
極めて平滑であるが故に、表面処理を行わないと触媒が
基材に付与し難い、あるいは付与してもめっき膜と良好
な密着強度を発現することが困難である。そのため、絶
縁基材表面を粗化する必要がある。

【００１９】そこで、導体パターン形成予定部分のみを
粗化した後に触媒処理し、無電解めっきを行うことによ
り、粗化部分にのみに選択的に配線パターンが形成さ
れ、粗例外の部分には導体が形成させない、あるいは形
成しても容易に剥離除去することができる。

【００２０】ここで、無電解めっき膜と良好な密着性を
発現し、かつ半導体素子の実装に供する多層配線構造体
を得るためには、絶縁膜表面を所定の条件下で粗化する
必要がある。すなわち、粗化面の平均粗さ（Ｒａ），最
大粗さ（Ｒｙ）および導体厚さ（Ｔ）が次の関係を満足
する必要がある。０．２≦Ｒａ≦０．６〔単位：μｍ〕（１）０．０２≦Ｒａ／Ｔ≦０．２（２）０．０５≦Ｒｙ／Ｔ≦０．５（３）

【００２１】上記各式の範囲未満であると、絶縁膜と導
体との密着性不十分のため信頼性が乏しい。また、範囲
より大きいと、表面の平坦性が悪化し、積層数が増すに
従ってその傾向は顕著になり、実装に不利になる。

【００２１】表面の粗化方法は、特に限定されないが、
バフ研磨等の物理的な処理のみでは粗化後の表面凹凸が
疎で良好な密着性を得ることが困難であるため、化学的
な処理を併用することが好ましい。

【００２２】しかしながら、フルオレン骨格を有するエ
ポキシアクリレートおよびベンゾシクロブテンの熱硬化
膜は、耐薬品性が良好であるため、表面粗化し難い。

【００２３】そこで、熱硬化率を１５〜６０％の範囲に
抑えた半硬化樹脂膜に粗化処理を行った後、更に熱硬化
することが有効である。熱硬化率が１５％未満である
と、物理的，化学的粗化工程中で膜が損傷しやすいため
好ましくない。また、６０％より高いと、膜の化学的耐
性が著しく高くなり、化学的粗化の効果が低くなり好ま
しくない。使用する化学薬品は、特に限定されず、プリ
ント基板のデスミア処理に通常使用されるクロム酸塩，
過マンガン酸塩，水酸化アルカリ等が使用できる。ま
た、必要に応じて有機溶剤による膨潤等の前処理を行う
こともできる。

【００２４】導体形成予定部分のみを選択的に粗化する
ことは、一般的には手間がかかる。そこで、予め絶縁樹
脂膜表面全面を粗化し、その上にメッキレジストの機能
を兼ねてフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート
またはベンゾシクロブテンのパターン形成膜を積層すれ
ばよい。そうすることにより、パターン形成予定部分の
みに下地の粗化面が露出し、それ以外の面は平滑な樹脂
面で覆われているため、触媒のパターン形成予定部分へ
の選択的付与に有利である。

【００２５】なお、後述の触媒処理は、下地の粗化層を
６０％より高く、好ましくは７０％以上に熱硬化させた
後に行ってもよいし、１５〜６０％の範囲内で処理した
後に熱硬化により６０％より高くしてもよい。

【００２６】一般的に無電解めっきの触媒としては、パ
ラジウムをはじめとする貴金属が用いられ、特に、パラ
ジウムのコロイドタイプのものが、作業性も良く多用さ
れている。しかしながら、コロイドタイプのものは、素
材に対する吸着選択性が乏しく、通常メッキレジスト面
上への吸着を起こし易く、そのため無電解めっき析出を
伴い易い。

【００２７】本発明では、これらの貴金属触媒を用い
ず、還元により金属となる金属化合物層を形成し、これ
を還元後置換パラジウムめっきすることにより触媒核を
付与する。

【００２８】具体的には、まず粗化された絶縁樹脂膜上
に上記金属化合物溶液を塗布，熱処理した後にメッキレ
ジスト層を形成し、あるいは粗化された絶縁樹脂膜上に
メッキレジストパターンをフルオレン骨格を有するエポ
キシアクリレートまたはベンゾシクロブテンにより形成
した後、その上に金属化合物溶液を塗布，熱処理する。
ここで、無電解めっきを析出させたい部分は粗化され、
析出させたくない部分は平滑であるため、粗化部分に優
先的に付与される。

【００２９】また、フルオレン骨格を有するエポキシア
クリレートおよびベンゾシクロブテン樹脂は、いずれも
疎水性が強いため、後述するように金属化合物の親水性
溶媒に溶解した溶液を塗布するので、平滑面には殆ど溶
液が濡れず好適である。続いて該金属化合物を還元後、
置換パラジウムめっきを実現する。

【００３０】上記二つの方法のうち、前者は下地絶縁樹
脂層全面に金属化合物が形成されるため、絶縁性が良好
である必要がある。金属化合物としては、コバルト，ニ
ッケル，鉄，銅の硝酸塩，硫酸塩，塩化物，蓚酸塩，酢
酸塩または酸化物の少なくとも一種が用いられ、これら
を溶解する溶媒として、純水，塩酸酸性水あるいはアル
コール等が使用できる。これらの溶液を絶縁樹脂膜上に
塗布後加熱処理を行い、基材に十分密着させる。さら
に、絶縁性を強化するために、酸素プラズマ処理等を行
うことが好ましい。

【００３１】金属化合物層を還元する還元剤としては、
Ｈ₂，ＨＩ，ＣＯ，水素化ホウ素ナトリウム，水素化ホ
ウ素カリウム，ジメチルアミノボラン，アンモニアボラ
ン等のホウ素化合物等還元性を有するものであれば、あ
らゆるものが使用できる。還元方法も使用される還元剤
に応じた、あらゆる還元反応を利用することが可能であ
る。例えば、還元剤としてＨ₂ガスを使用する場合に
は、Ｈ₂ガス雰囲気中で基板を２００℃程度に加熱する
ことにより還元される。また水素化ホウ素ナトリウムを
使用する場合には、０．１〜１ｇ／１程度の水溶液を調
製し、溶液中に数分間浸漬することにより還元できる。

【００３２】続いて、還元された金属化層の表面には、
パラジウム置換めっきにより無電解めっきの触媒核とな
るパラジウムを析出させる。この際、還元処理の済んだ
基板に直ちにめっき処理を行ってもよいが、還元処理後
の基板表面を一旦酸等により洗浄しておくことにより、
めっきの析出性やめっき層と基板の密着性を向上させる
ことができる。パラジウム置換めっきの方法は特に限定
されないが、例えば、塩化パラジウム０．５〜５ｍＭ／
Ｉ程度の塩酸酸性水溶液（ｐＨ：０．５〜３程度）中
に、数秒から数分間浸漬すればよい。

【００３３】なお、金属化合物として銅化合物を用いる
場合は、還元された銅自体が無電解めっき反応の触媒核
として作用するため、置換パラジウムめっきは必ずしも
行う必要はない。

【００３４】最後に無電解めっきを行う。めっきの材質
は特に限定されないが、通常配線基板に使用されている
る銅，ニッケルを使用することが、低コストの点からも
好ましい。めっきの方法は、これらの金属をめっきする
場合に一般に用いられている方法を使用することができ
る。例えば、銅をめっきする場合には、硫酸銅めっき
浴，ピロリン酸銅めっき浴，シアン化銅めっき浴を、ま
たニッケルをめっきする場合には、次亜リン酸ナトリウ
ムや水素化ホウ素ナトリウムを還元剤とした硫酸ニッケ
ルめっき浴あるいは塩化ニッケルめっき浴を使用するこ
とができる。

【００３５】微細な配線パターンを形成する場合は、上
述のように無電解めっき単独によるフルアディティブ法
で行うことが好ましいが、必要に応じて電解めっきを併
用することもできる。例えば、予め粗化された下地絶縁
樹脂層上に無電解めっき薄膜を全面形成後、市販のメッ
キレジストでパターンを形成し、電解めっきで厚付け
し、メッキレジストを除去後不要部分の無電解めっき薄
膜をクィックエッチングすることができる。

【００３６】別の方法として、予め粗化された下地絶縁
樹脂層上にフルオレン骨格を有するエポキシアクリレー
トまたはベンゾシクロブテンによりパターン形成した
後、上述の方法により全面に無電解めっき層を形成し、
不要な部分の無電解めっきをバフ研磨等により除去する
こともできる。

【００３７】このようなエッチング工程を用いる場合
は、無電解めっきの触媒核を形成する方法として上述の
方法以外に通常の触媒付与工程、すなわちコロイドタイ
プのパラジウム触媒を使用することもできるし、塩酸酸
性の塩化第二錫溶液浸漬〔センシタイジング〕後に塩化
パラジウム溶液浸漬〔アクチベイティング〕することも
できる。

【００３８】上述のように絶縁樹脂層と導体層を交互に
必要な層数を繰り返し形成することにより、多層配線構
造体を製造することができる。

【００３９】多層配線構造体には、層間接続用のスルー
ホールを形成することもできる。この場合最終導体層形
成前に貫通穴を形成し、穴内部にも金属化合物溶液を塗
布あるいは基板を溶液中に浸漬し、同様な処理を行えば
よい。

【００４０】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。

【００４１】（実施形態１）図１は、プリント配線基板
等の支持基板上に前記一般式（４）に示したフルオレン
骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を絶縁膜材料と
して用いて製造した導体三層構造体を製造工程順に示す
断面図である。

【００４２】図１（ａ）に示す基板１上に、フルオレン
骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を塗布した後、
加熱処理により硬化反応率２０％の半硬化のエポキシア
クリレート膜１０を形成する（図１（ｂ））。この表面
をバフ研磨およびクロム酸塩水溶液中に浸漬して、Ｒａ
が０．４３μｍ，Ｒｙが２．５μｍの表面粗度に粗化し
た後、再び加熱処理することにより、硬化反応率を８０
％とする。

【００４３】続いて、硝酸ニッケルの０．０５Ｍ水溶液
を基板表面に均一塗布後、１５０℃で３時間加熱処理を
行い、さらに１５０℃で酸素プラズマ処理を１分間行っ
た。この上に再びフルオレン骨格を有するエポキシアク
リレート樹脂の膜１１を塗布形成した（図１（ｃ））
後、露光，現像，熱硬化（硬化反応率８０％）により配
線パターン１５を形成する。熱硬化後の樹脂膜厚は６μ
ｍとする。

【００４４】この基板を水素化ホウ素ナトリウムの１ｇ
／ｌ水溶液中で５分間還元処理後十分水洗し、塩化パラ
ジウムの０．００１Ｍ塩酸酸性溶液（ｐＨ１．５）中に
１分間浸漬し、十分水洗後ジャパンエナジー社の無電解
銅めっき液ＫＣ−５００により、導体１３としての銅を
６μｍ配線パターン１５に析出させた（図１（ｄ））。

【００４５】続いて上記基板表面を同様に粗化処理後、
その上に再び硝酸ニッケル処理層を設け、その上にフル
オレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂の膜１２
を塗布形成した後、露光，現像，熱硬化（硬化反応率８
０％）によりヴィアホール１６を形成する（図１
（ｅ））。同様に、ヴィアホール１６底部の硝酸ニッケ
ル層を還元，置換パラジウムめっき，無電解銅めっきを
実施し、ヴィアホール１６内部に導体１４としての銅を
析出させる（図１（ｆ））。

【００４６】以上の操作を繰り返して行い図１（ｇ）〜
（ｌ）に示すように、エポキシアクリレート膜２１，２
２，導体２３，２４，配線パターン２５，ヴィアホール
２６，エポキシアクリレート膜３１，導体３３，配線パ
ターン３５，を形成して、導体１３，１４（２３），２
４（３３）からなる導体三層ブラインドヴィア構造が得
られる。

【００４７】（実施形態２）図２は、図１と同様にプリ
ント配線基板等の支持基板上に前記一般式（４）に示し
たフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を
絶縁膜材料として用いて製造した導体三層構造体の別の
実施形態断面図である。

【００４８】図２（ａ）に示す基板２上に、フルオレン
骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を塗布した後、
加熱処理により硬化反応率２０％の半硬化膜（エポキシ
アクリレート膜）４０を形成する（図２（ｂ））。この
表面をバフ研磨およびクロム酸塩水溶液中に浸漬して、
Ｒａが０．４３μｍ，Ｒｙが２．５μｍの表面粗度に粗
化した後、再び加熱処理することにより、硬化反応率を
８０％とする。続いて、硝酸ニッケルの０．０５Ｍ水溶
液を基板表面に均一塗布後、１５０℃で３時間加熱処理
を行い、さらに１５０℃で酸素プラズマ処理を１分間行
った。この上に再びフルオレン骨格を有するエポキシア
クリレート樹脂の膜４１を塗布形成した後、露光，現
像，熱硬化（硬化反応率８０％）により配線パターン４
５を形成する（図２（ｃ））。熱硬化後の樹脂膜厚は６
μｍとする。

【００４９】この基板を水素化ホウ素ナトリウムの１ｇ
／ｌ水溶液中で５分間還元処理後十分水洗し、塩化パラ
ジウムの０．００１Ｍ塩酸酸性溶液（ｐＨ１．５）中に
１分間浸漬し、十分水洗後ジャパンエナジー社の無電解
銅めっき液ＫＣ−５００により、導体４３としての銅を
６μｍパターン部に析出させた（図２（ｄ））。

【００５０】続いて上記基板表面上に再びフルオレン骨
格を有するエポキシアクリレート樹脂の膜４２を設け、
ヴィアパターン４６を形成し（図２（ｅ））、熱硬化
（硬化反応率２０％）させた後、同様に、粗化，硝酸ニ
ッケル溶液処理を行い、さらにその上にフルオレン骨格
を有するエポキシアクリレート樹脂の膜５１を形成し、
２層の膜４２，５１に配線パターン（硬化反応率８０
％）５５を形成する（図２（ｆ））。ヴィアパターン４
６の底部および配線パターン５５部の硝酸ニッケル層を
還元，置換パラジウムめっき，無電解銅めっきを実施
し、ヴィアパターン４６内部に導体５３としての銅を析
出させる（図２（ｇ））。

【００５１】以上の操作を繰り返し実施し、図２（ｈ）
〜図２（ｊ）に示すように、エポキシアクリレート膜５
２，ヴィアパターン５６，エポキシアクリレート膜６
１，配線パターン６５，導体６３を形成し、導体４３，
５３，６３からなる導体三層ブラインドヴィア構造が得
られる。

【００５２】（実施形態３）図３は、支持基板上にベン
ゾシクロブテン樹脂を絶縁材料として用いて製造した、
導体三層構造体の一実施形態を示す断面図である。

【００５３】図３（ａ）に示す基板３上に、３−アミノ
プロピルトリエトキシシランの１％水溶液を塗布後、ベ
ンゾシクロブテン樹脂を塗布し、加熱処理により硬化反
応率１５％の半硬化膜（ベンゾシクロブテン膜）７０を
形成する（図３（ｂ）。この表面をバフ研磨および過マ
ンガン酸塩水溶液に浸漬することにより、Ｒａが０．２
８μｍ，Ｒｙが３．２μｍの表面粗度に粗化した後、再
び加熱処理することにより、硬化反応率を７０％とす
る。この基板上に再び３−アミノプロピルトリエトキシ
シランの１％水溶液を塗布後、ベンゾシクロブテン樹脂
の膜７１を塗布形成した後、露光，現像，熱硬化（硬化
反応率７０％）により配線パターン７５を形成する（図
３（ｃ））。熱硬化後の樹脂膜厚は７μｍとする。

【００５４】続いて、硫酸銅の０．０２Ｍ水溶液を基板
表面に均一塗布後、１５０℃で３時間加熱処理を行い、
さらに１５０℃で酸素プラズマ処理を１分間行った。

【００５５】この基板を水素化ホウ素カリウムの０．５
ｇ／ｌ水溶液中で１０分間還元処理した後十分水洗し、
ジャパンエナジー社の無電解銅めっき液ＫＣ−５００に
より導体７３としての銅を７μｍの膜厚で配線パターン
７５に析出させた（図３（ｄ））。

【００５６】上記絶縁樹脂層と導体の形成プロセスを図
３（ｅ）〜（ｋ）に示すように、必要層数分繰り返して
実施し、ベンゾシクロブテン膜７２，配線パターン７
５，導体７３，ベンゾシクロブテン膜８１，８２，導体
８３，配線パターン８５，ベンゾシクロブテン膜９１，
配線パターン９５，導体９３を順次形成する。この場
合、最終的に導体９３を形成する前に、貫通スルーホー
ル９６を設け、この基板を硫酸銅溶液中に浸漬後に同様
な処理を行えば、最終的な導体９３と貫通スルーホール
９３を同時に形成することができる。

【００５７】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、導体電極
パターンの層間絶縁膜をフルオレン骨格を有するエポキ
シアクリレートまたはベンゾシクロブテン樹脂膜で形成
しているので、耐熱性，低誘電率，低熱膨張率等の優れ
た特性を有し、さらに高精度かつ微細なヴィアホールを
有しており、電子部品や実装基板の高性能化および高密
度化による小型化を図ることができる。

【００５８】また、本発明によれば、低コストなプリン
ト配線基板あるいはモールド樹脂配線基板上にも形成で
き、さらに、導体プロセスをすべてウェットプロセスで
実施するため、電子部品や実装基板の低コスト化を図る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１に係る多層配線構造体の製
造プロセスを示す断面図である。

【図２】本発明の実施形態２に係る多層配線構造体の製
造プロセスを示す断面図である。

【図３】本発明の実施形態３に係る多層配線構造体の製
造プロセスを示す断面図である。

【符号の説明】

１基板２基板３基板１０エポキシアクリレート膜１１エポキシアクリレート膜１２エポキシアクリレート膜１３導体〔無電解めっき〕１４導体〔無電解めっき〕１５配線パターン１６ヴィアホール２１エポキシアクリレート膜２２エポキシアクリレート膜２３導体〔無電解めっき〕２４導体〔無電解めっき〕２５配線パターン２６ヴィアホール３１エポキシアクリレート膜３３導体〔無電解めっき〕３５配線パターン４０エポキシアクリレート膜４１エポキシアクリレート膜４２エポキシアクリレート膜４３導体〔無電解めっき〕４５配線パターン４６ヴィアパターン５１エポキシアクリレート膜５２エポキシアクリレート膜５３導体〔無電解めっき〕５５配線パターン５６ヴィアパターン６１エポキシアクリレート膜６３導体〔無電解めっき〕６５配線パターン７０ベンゾシクロブテン膜７１ベンゾシクロブテン膜７２ベンゾシクロブテン膜７３導体〔無電解めっき〕７５配線パターン８１ベンゾシクロブテン膜８２ベンゾシクロブテン膜８３導体〔無電解めっき〕８５配線パターン９１ベンゾシクロブテン膜９３導体〔無電解めっき〕９５配線パターン９６貫通スルーホール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者嶋田勇三東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内 (72)発明者内海和明東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内 (56)参考文献特開平７−106767（ＪＰ，Ａ) 特開平５−235546（ＪＰ，Ａ) 特開平３−3298（ＪＰ，Ａ) 特開平２−188992（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H05K 3/46

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】表面粗化工程と、金属化合物層形成工程
と、メッキレジスト膜形成工程と、金属化工程と、メッ
キ工程と、導体回路形成工程とを有する多層配線構造体
の製造方法であって、表面粗化工程は、基板表面に形成した絶縁樹脂層を表面
粗化する処理であり、その表面粗化は、粗化面の平均粗
さをＲａ，最大粗さをＲｙおよび導体厚さをＴとした場
合に、０．２≦Ｒａ≦０．６〔単位：μｍ〕０．０２≦Ｒａ／Ｔ≦０．２０．０５≦Ｒｙ／Ｔ≦０．５の関係を満足するものであり、金属化合物層形成工程は、粗化された絶縁樹脂層表面
に、還元により金属となる絶縁性良好な金属化合物層を
形成する処理であり、メッキレジスト膜形成工程は、絶縁樹脂層表面上の導体
回路を形成すべき部分以外にメッキレジスト膜を形成す
る処理であり、金属化工程は、露出している金属化合物層表面を還元
し、金属化する処理であり、メッキ工程は、該金属表面をパラジウム置換めっきする
処理であり、導体回路形成工程は、置換されたパラジウムを触媒核と
して無電解めっきを行い、導体回路を形成する処理であ
り、導体回路の厚さ（Ｔ）は、粗化面の平均粗さをＲ
ａ，最大粗さをＲｙとした場合に、０．２≦Ｒａ≦０．６〔単位：μｍ〕０．０２≦Ｒａ／Ｔ≦０．２０．０５≦Ｒｙ／Ｔ≦０．５の関係を満足するものであり、金属塩の溶液を基板表面に塗布あるいは基板を溶液中に
浸漬した後に、乾燥，熱処理することにより、金属化合
物層を形成することを特徴とする多層配線構造体の製造
方法。
【請求項２】前記層間絶縁樹脂層が、フルオレン骨格を
有するエポキシアクリレートまたはベンゾシクロブテン
のいずれかであり、その粗化前の硬化反応率が１５〜６
０％であり、粗化終了後加熱処理により硬化反応率を６
０％より高くすることを特徴とする請求項１に記載の多
層配線構造体の製造方法。
【請求項３】前記金属化合物が、コバルト，ニッケル，
鉄，銅の硝酸塩，硫酸塩，塩化物，蓚酸塩，酢酸塩また
は酸化物の少なくとも一種であることを特徴とする請求
項１に記載の多層配線構造体の製造方法。
【請求項４】前記金属化合物が、銅の硝酸塩，硫酸塩，
塩化物，蓚酸塩，酢酸塩または酸化物の少なくとも一種
であり、前記メッキ工程及び導体回路形成工程の代わり
に、金属化工程で還元された銅を触媒核として直接無電
解銅めっきを行うことを特徴とする請求項１に記載の多
層配線構造体の製造方法。
【請求項５】前記層間絶縁樹脂層およびメッキレジスト
層が、ともにフルオレン骨格を有するエポキシアクリレ
ートまたはベンゾシクロブテンの少なくとも１種であ
り、メッキメジスト層がそのまま絶縁層として残ること
を特徴とする請求項１に記載の多層配線構造体の製造方
法。