JP2823381B2 - Semiconductor laser device - Google Patents

Semiconductor laser device

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JP2823381B2
JP2823381B2 JP3088367A JP8836791A JP2823381B2 JP 2823381 B2 JP2823381 B2 JP 2823381B2 JP 3088367 A JP3088367 A JP 3088367A JP 8836791 A JP8836791 A JP 8836791A JP 2823381 B2 JP2823381 B2 JP 2823381B2
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  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、レーザの発光素子とし
て半導体レーザチップを使用した半導体レーザ装置のう
ち、前記半導体レーザチップの部分をキャップ体にて覆
って成るカンシール型の半導体レーザ装置の改良に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a can-seal type semiconductor laser device in which a semiconductor laser chip is used as a light emitting element of a laser and the portion of the semiconductor laser chip is covered with a cap. It is about.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種のカンシール型の半導体レーザ装
置は、金属製のステムに設けた突起の側面に、半導体レ
ーザチップを、レーザビームの出射面となる前方劈開面
が突起の突出方向に向くようにして固着し、前記突起
に、レーザビーム出射用の窓孔を穿設したキャップ体を
被嵌して、このキャップ体をステムに固着した構成にな
っている。
2. Description of the Related Art In a can-seal type semiconductor laser device of this type, a semiconductor laser chip is mounted on a side surface of a projection provided on a metal stem, and a front cleavage plane serving as a laser beam emission surface is oriented in the projection direction of the projection. Thus, a cap having a window hole for emitting a laser beam is fitted on the projection, and the cap is fixed to the stem.

【0003】そして、前記半導体レーザチップを大気中
の湿気や塵埃から保護した状態にて、レーザビームを外
部に出射できるようにする手段として、従来は、例えば
実開昭62−58066号公報に記載されているよう
に、キャップ体をステムに対してシール状態にて固着す
る一方、前記キャップ体における窓孔の箇所に、当該窓
孔を塞ぐガラス製の透明板を、ガラス半田にてシール状
態に固着することにより、キャップ体の内部を機密状態
に保持するとか、或いは、キャップ体の内部に透明な合
成樹脂を充填するとかしてしている。
As means for emitting a laser beam to the outside in a state where the semiconductor laser chip is protected from moisture and dust in the air, conventionally, a means described in, for example, Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 62-58066 is disclosed. As described above, while the cap body is fixed to the stem in a sealed state, a transparent plate made of glass, which covers the window hole, is sealed at the location of the window hole in the cap body with glass solder. By fixing, the inside of the cap body is kept confidential or the inside of the cap body is filled with a transparent synthetic resin.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】前者のように、キャッ
プ体に、その窓孔を塞ぐ透明板をガラス半田にて固着し
て、キャップ体の内部を密封状態にする手段を採用する
と、ガラス製の平滑な透明板を介してレーザビームを出
射できるので、高いビーム特性を確保できる利点を有す
る。
As in the former case, when a means for sealing the inside of the cap body with a transparent plate for closing the window hole is fixed to the cap body with glass solder, and the cap body is made of glass, Since the laser beam can be emitted through the smooth transparent plate, there is an advantage that high beam characteristics can be secured.

【0005】しかし、その反面において、透明板をガラ
ス半田にてキャップ体に固着するには、ガラス半田をリ
ング状に製造して、これを透明板とキャップ体との間に
介挿してから高温に加熱して焼成せねばならず、ガラス
半田の製造工程と焼成工程とに多大の手間を要すること
に加えて、高温での焼成によって変色したキャップ体に
対して、酸洗いしたのちニッケルメッキを施すという後
処理工程を必要とするため、透明板をキャップ体に固着
することに要するコストが嵩み、半導体レーザ装置の価
格が大幅に高くなると言う問題があった。
However, on the other hand, in order to fix the transparent plate to the cap body with glass solder, glass solder is manufactured in a ring shape, inserted between the transparent plate and the cap body, and then heated to a high temperature. In addition to the fact that the glass solder manufacturing process and the firing process require a lot of labor, the cap body that has been discolored by firing at a high temperature is pickled and then nickel-plated. Since a post-processing step of performing the application is required, there is a problem that the cost required for fixing the transparent plate to the cap body is increased, and the price of the semiconductor laser device is significantly increased.

【0006】更に、ガラス半田に、当該ガラス半田とキ
ャップ体との熱膨張率の違いによって亀裂が発生するこ
とがないように、キャップ体としては、ガラスに近い熱
膨張率を有する特殊な金属を使用しなければならないば
かりか、キャップ体をステムに対してシール状態に固着
することに厳格な工程管理を要するため、製造コストが
一層嵩んでいた。
Furthermore, a special metal having a coefficient of thermal expansion close to that of glass is used for the cap so that the glass solder does not crack due to a difference in the coefficient of thermal expansion between the glass solder and the cap. Not only must it be used, but strict process control is required to secure the cap body to the stem in a sealed state, so that the manufacturing cost is further increased.

【0007】他方、後者のように、キャップ体の内部に
透明な合成樹脂を充填する手段では、ガラス半田を製造
する工程や高温での焼成工程、及び後処理としての酸洗
い及びメッキ工程を必要とせず、キャップ体内に合成樹
脂を充填して乾燥等にて硬化させるだけの簡単な工程で
足り、しかも、キャップ体は完全なシール状態でステム
に固着する必要がないため、製造コストを格段に低減で
きる利点を有する。
On the other hand, the means for filling the inside of the cap body with a transparent synthetic resin, as in the latter, requires a glass solder manufacturing step, a high-temperature baking step, and a pickling and plating step as post-processing. A simple process of filling the cap with synthetic resin and curing it by drying etc. is sufficient, and it is not necessary to fix the cap to the stem in a completely sealed state, so the manufacturing cost is significantly reduced It has the advantage that it can be reduced.

【0008】しかし、その反面において、合成樹脂は、
乾燥等による硬化にてその外面を平滑面に形成すること
が困難であり、しかも、傷つきやすいため、高いビーム
特性を得ることが困難であると言う問題があった。ま
た、キャップ体の熱膨張によって合成樹脂に応力が加わ
り、合成樹脂にひずみが生じるため、ビーム特性の安定
性が低いと言う点も問題であった。
However, on the other hand, synthetic resin is
There is a problem that it is difficult to form the outer surface into a smooth surface by curing by drying or the like, and it is difficult to obtain high beam characteristics because the outer surface is easily damaged. In addition, stress is applied to the synthetic resin due to thermal expansion of the cap body, and distortion occurs in the synthetic resin, so that the stability of beam characteristics is low.

【0009】本発明は、高いビーム特性を安定して維持
できるようにした半導体レーザ装置を、安価に提供でき
るようにすることを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an inexpensive semiconductor laser device capable of stably maintaining high beam characteristics.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明は、「ステムに設けた突起の側面に、半導体レー
ザチップを、レーザビームの出射面が前記突起の突出方
向に向くようにして固着し、前記ステムに、前記突起に
被嵌するキャップ体を固着し、該キャップ体の内部に透
明板を、前記半導体レーザチップにおけるレーザビーム
の出射面と略平行に配設して成る半導体レーザ装置にお
いて、前記ステムにおける突起の先端面を、前記半導体
レーザチップにおけるレーザビームの出射面と略平行の
平面に形成して、この先端面に、前記透明板を、前記キ
ャップ体と非接触の状態で接着剤にて固着し、該透明板
と前記突起の側面との間に、透明な合成樹脂を、当該透
明な合成樹脂で前記半導体レーザチップの全体を密封す
るように充填する。」と言う構成にした。
In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor device having a semiconductor laser chip mounted on a side surface of a projection provided on a stem such that an emission surface of a laser beam is directed in a projecting direction of the projection. A semiconductor laser having a cap body fixed to the stem and fixed to the stem, and a transparent plate disposed inside the cap body substantially parallel to a laser beam emission surface of the semiconductor laser chip; In the apparatus, the tip end surface of the projection on the stem may be connected to the semiconductor
The laser chip is approximately parallel to the exit surface of the laser beam.
Formed on a flat surface , the transparent plate is fixed to the tip surface with an adhesive in a non-contact state with the cap body, and a transparent synthetic resin is provided between the transparent plate and the side surface of the projection. The semiconductor laser chip is filled with the transparent synthetic resin so as to hermetically seal the semiconductor laser chip. ".

【0011】[0011]

【発明の作用・効果】このように構成すると、半導体レ
ーザチップにおける出射面からのレーザビームは、透明
な合成樹脂を透過して透明板から外部に出射されること
になり、透明板としてガラス板等の平滑なものを使用で
きるから、高いビーム特性を得ることができる。
According to this structure, the laser beam from the emission surface of the semiconductor laser chip passes through the transparent synthetic resin and is emitted from the transparent plate to the outside. Can be used, and thus high beam characteristics can be obtained.

【0012】また、半導体レーザチップが、当該半導体
レーザチップの全体を密封する透明な合成樹脂によって
湿気や塵埃等から確実に保護されていることと、透明板
が突起に接着されていて、半導体レーザチップと透明板
との間隔及び透明板の姿勢が所定の状態に保持されるこ
と、及び、透明板や透明な合成樹脂がキャップ体と非接
触の状態にあり、キャップ体が熱膨張しても、透明板や
透明な合成樹脂にひずみが生じることはないことの三者
が相俟って、温度変化等の外部環境の変化の影響を受け
ることなく、高いビーム特性を安定して維持できること
になる。
Further, the semiconductor laser chip is reliably protected from moisture, dust, and the like by a transparent synthetic resin that seals the entire semiconductor laser chip, and the transparent plate is adhered to the projection, and The gap between the chip and the transparent plate and the posture of the transparent plate are maintained in a predetermined state, and even if the transparent plate or the transparent synthetic resin is in a non-contact state with the cap body, even if the cap body is thermally expanded. The combination of the fact that no distortion occurs in the transparent plate and the transparent synthetic resin enables stable maintenance of high beam characteristics without being affected by changes in the external environment such as temperature changes. Become.

【0013】更に、キャップ体の内面と透明板とは非接
触に構成されているから、キャップ体に作用した外部衝
撃が透明板及び半導体レーザチップに直接に作用するこ
とを防止して、半導体レーザチップ装置の耐衝撃性も向
上できる。そして、キャップ体は、その熱膨張による弊
害を考慮する必要がないから、鋼板等の安価な素材を使
用できると共に、ステムに対してシール状態に固着する
必要はないから、キャップ体をステムに固着することに
要する手間を格段に低減できるのであり、これらキャッ
プ体の製造と取付けのコストを低減できることと、透明
板を接着剤にて突起に簡単に接着できること、及び、透
明な合成樹脂の充填は、乾燥により硬化する合成樹脂や
熱硬化性合成樹脂等を利用して至極容易に行えることと
が相俟って、製造コストを格段に低減できることにな
る。
Further, since the inner surface of the cap is not in contact with the transparent plate, an external impact acting on the cap is prevented from directly acting on the transparent plate and the semiconductor laser chip. The impact resistance of the chip device can also be improved. Since the cap body does not need to consider the adverse effects of thermal expansion, it is possible to use an inexpensive material such as a steel plate, and it is not necessary to fix the cap body to the stem in a sealed state. The cost required for manufacturing and mounting these cap bodies can be reduced, the transparent plate can be easily adhered to the projections with an adhesive, and the filling of the transparent synthetic resin is required. In addition, the manufacturing cost can be remarkably reduced in combination with the fact that it can be extremely easily performed by using a synthetic resin or a thermosetting synthetic resin which is cured by drying.

【0014】従って、本発明によれば、環境の変化に影
響されることなく高いビーム特性を維持できると共に耐
衝撃性を向上した半導体レーザ装置を、安価に提供でき
る効果を有する。
Therefore, according to the present invention, there is an effect that a semiconductor laser device which can maintain high beam characteristics without being affected by a change in environment and has improved impact resistance can be provided at low cost.

【0015】[0015]

【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図において符号1は、炭素鋼等の金属にて円盤型
に形成したステム2と、上端に窓孔を穿設した金属製の
キャップ体3とを備えた半導体レーザ装置を示す。前記
ステム2の上面には、ブロック状の突起4を一体的に造
形しており、この突起4の側面に半導体基板5を固着し
て、該半導体基板5に、半導体レーザチップ6を、その
前方劈開面6a(外部へのレーザビーム出射面)が突起
4の突出方向に向き、後方劈開面6bが前記半導体基板
5に設けたモニター用フォトダイオード(図示せず)に
向かうようにしてダイボンディングする。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the figure, reference numeral 1 denotes a semiconductor laser device including a disk-shaped stem 2 made of metal such as carbon steel, and a metal cap body 3 having a window hole formed at an upper end. A block-shaped projection 4 is integrally formed on the upper surface of the stem 2. A semiconductor substrate 5 is fixed to a side surface of the projection 4, and a semiconductor laser chip 6 is mounted on the semiconductor substrate 5. Die bonding is performed such that the cleavage plane 6a (the laser beam emission plane to the outside) faces the projection direction of the projection 4 and the rear cleavage plane 6b faces the monitoring photodiode (not shown) provided on the semiconductor substrate 5. .

【0016】更に、前記突起4の上面を、前記半導体レ
ーザチップ6における前方劈開面6a(外部へのレーザ
ビーム出射面)と略平行の平面に形成して、この上面
に、ガラス製等の透明板7を、エポキシ樹脂系等の適宜
素材の接着剤8にて接着し、該透明板7と突起4とに、
前記キャップ体3を被嵌し、このキャップ体3を非接触
の状態で被嵌し、当該キャップ体3の下端に形成した外
向きフランジ部3bの全周を前記ステム2の上面に対し
て抵抗溶接することにより、ステム2に対して固着して
いる。
Further, the upper surface of the projection 4 is placed on the semiconductor laser.
Front cleavage surface 6a of the laser chip 6 (external laser
(A beam exit surface) and a plane substantially parallel to the upper surface.
A transparent plate 7 made of glass or the like is
Adhering with a material adhesive 8 , the transparent plate 7 and the projection 4
The cap body 3 is fitted, the cap body 3 is fitted in a non-contact state, and the entire circumference of the outward flange portion 3b formed at the lower end of the cap body 3 is resistance to the upper surface of the stem 2. It is fixed to the stem 2 by welding.

【0017】そして、透明板7の下面と突起4の側面と
の間に、シリコン系等の透明で接着性を有する合成樹脂
9を、前記半導体レーザチップ6の全体を密封するよう
にして充填する。前記透明な合成樹脂9は、乾燥によっ
て硬化するものや熱硬化性のもの、或いはUV樹脂等を
使用できる。
A space between the lower surface of the transparent plate 7 and the side surface of the projection 4 is filled with a transparent and adhesive synthetic resin 9 of silicon or the like so as to seal the entire semiconductor laser chip 6. . As the transparent synthetic resin 9, a resin that is cured by drying, a thermosetting resin, a UV resin, or the like can be used.

【0018】半導体レーザチップ6に対する三本のリー
ド端子10,11,11のうち一本のリード端子10
を、前記ステム2の下面に溶接にて固着し、他の二本の
リード端子11,11は、ステム2に穿設した貫通孔か
らキャップ体3の内部に挿入すると共に、ステム2に対
して、ガラス半田とか接着材による接着等にて固着して
いる。
One of the three lead terminals 10, 11, 11 for the semiconductor laser chip 6
Is fixed to the lower surface of the stem 2 by welding, and the other two lead terminals 11 are inserted into the inside of the cap body 3 through the through holes formed in the stem 2, and , And is fixed by bonding with glass solder or an adhesive.

【0019】以上の構成にすると、半導体レーザチップ
6の前方劈開面6aからのレーザビームは、透明な合成
樹脂9を透過して、表面を平滑に形成した透明板7から
外部に出射されるから、高いビーム特性を得ることがで
きる。また、半導体レーザチップ6の全体は透明な合成
樹脂9にて密封されており、大気中の湿気や塵埃の影響
を受けることはないこと、透明板7が突起4に接着され
ていて、半導体レーザチップ6と透明板7との間隔寸法
及び透明板7の姿勢を一定に保持できること、及び、透
明板7や透明な合成樹脂9がキャップ体3とは非接触の
状態にあって、キャップ体3が熱膨張しても、透明板7
や透明な合成樹脂9にひずみが生じることはないことの
三者が相俟って、温度変化等の外部環境の変化の影響を
受けることなく、高いビーム特性を維持できることにな
る。
With the above configuration, the laser beam from the front cleavage surface 6a of the semiconductor laser chip 6 passes through the transparent synthetic resin 9 and is emitted to the outside from the transparent plate 7 having a smooth surface. , High beam characteristics can be obtained. Further, the entire semiconductor laser chip 6 is sealed with a transparent synthetic resin 9 so that the semiconductor laser chip 6 is not affected by moisture or dust in the atmosphere, and the transparent plate 7 is adhered to the projections 4. The distance between the chip 6 and the transparent plate 7 and the posture of the transparent plate 7 can be kept constant, and the transparent plate 7 and the transparent synthetic resin 9 are in a non-contact state with the cap 3 and the cap 3 The transparent plate 7
And the transparent synthetic resin 9 is not distorted, so that high beam characteristics can be maintained without being affected by changes in the external environment such as temperature changes.

【0020】更に、キャップ体3に対して透明板7は非
接触の状態にあるから、キャップ体3に作用した外部衝
撃が透明板7及び半導体レーザチップ6に直接に作用す
ることを防止して、半導体レーザチップ装置の耐衝撃性
も向上できる。そして、キャップ体3は、その熱膨張に
よる弊害を考慮する必要がないから、鋼板等の安価な素
材を使用できると共に、ステム2に対してシール状態に
固着する必要はないから、キャップ体3をステム2に固
着することに要する手間を格段に低減できるのであり、
これらキャップ体3の製造と取付けのコストを低減でき
ることと、透明板7を接着剤にて突起4に簡単に接着で
きること、及び、透明な合成樹脂9にて半導体レーザチ
ップ6を被覆することを、乾燥により硬化する合成樹脂
や熱硬化性合成樹脂等を液状の状態にて滴下することに
よって至極容易に行えることとが相俟って、製造コスト
を格段に低減できるのである。
Further, since the transparent plate 7 is in a non-contact state with respect to the cap body 3, it is possible to prevent external shocks acting on the cap body 3 from directly acting on the transparent plate 7 and the semiconductor laser chip 6. Also, the impact resistance of the semiconductor laser chip device can be improved. The cap body 3 does not need to consider the adverse effects of its thermal expansion, so that an inexpensive material such as a steel plate can be used, and it is not necessary to fix the cap body 3 to the stem 2 in a sealed state. The time required for fixing to the stem 2 can be remarkably reduced.
The cost of manufacturing and mounting the cap body 3 can be reduced, the transparent plate 7 can be easily bonded to the protrusion 4 with an adhesive, and the covering of the semiconductor laser chip 6 with the transparent synthetic resin 9 By dropping a synthetic resin, a thermosetting synthetic resin, or the like which is cured by drying in a liquid state, it can be performed extremely easily, and the manufacturing cost can be remarkably reduced.

【0021】なお、図1に一点鎖線で示すように、透明
な合成樹脂9の表面に、フッ素樹脂等の非透湿性の合成
樹脂12を塗着しても良い。また、透明板7を突起4に
接着するための接着剤6として透明な接着剤を使用して
も良く、このようにすると、接着材8が半導体レーザチ
ップ6の前方劈開面6aに付着しても、レーザビームの
透過性を損なうことはないので、透明板7を接着するに
際して接着剤8を精密に塗布する必要がなく、製造の手
間をより一層低減できる利点を有する。
As shown by a dashed line in FIG. 1, an impermeable synthetic resin 12 such as a fluororesin may be applied to the surface of the transparent synthetic resin 9. Further, a transparent adhesive may be used as the adhesive 6 for adhering the transparent plate 7 to the projection 4. In this case, the adhesive 8 adheres to the front cleavage surface 6 a of the semiconductor laser chip 6. However, since the transparency of the laser beam is not impaired, there is no need to precisely apply the adhesive 8 when bonding the transparent plate 7, and there is an advantage that the manufacturing labor can be further reduced.

【0022】更に、ステムとキャップ体とは金属にて形
成することには限らず、それぞれ合成樹脂等の他の素材
にて形成しても良いのであり、このように両者を合成樹
脂製にした場合には、キャップ体はステムに対して熱融
着にて固着しても良い。また、ステムを金属板にて形成
して、突起を切り起こしにて形成しても良いのである。
Further, the stem and the cap body are not limited to being formed of metal, but may be formed of other materials such as synthetic resin, respectively. Thus, both are made of synthetic resin. In this case, the cap body may be fixed to the stem by heat fusion. Alternatively, the stem may be formed of a metal plate, and the projection may be formed by cutting and raising.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例を示す正断面図である。FIG. 1 is a front sectional view showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1のII−II視断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of FIG.

【図3】図1のIII − III視平断面図である。FIG. 3 is a plan sectional view taken along the line III-III of FIG. 1;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ装置 2 ステム 3 キャップ体 4 突起 5 半導体基板 6 半導体レーザチップ 6a 前方劈開面(レーザビーム出射面) 7 透明板 8 接着剤 9 透明な合成樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor laser device 2 Stem 3 Cap body 4 Projection 5 Semiconductor substrate 6 Semiconductor laser chip 6a Front cleavage surface (laser beam emission surface) 7 Transparent plate 8 Adhesive 9 Transparent synthetic resin

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−136684(JP,A) 特開 昭64−28882(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01S 3/18────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-63-136684 (JP, A) JP-A-64-28882 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01S 3/18

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ステムに設けた突起の側面に、半導体レー
ザチップを、レーザビームの出射面が前記突起の突出方
向に向くようにして固着し、前記ステムに、前記突起に
被嵌するキャップ体を固着し、該キャップ体の内部に透
明板を、前記半導体レーザチップにおけるレーザビーム
の出射面と略平行に配設して成る半導体レーザ装置にお
いて、 前記ステムにおける突起の先端面を、前記半導体レーザ
チップにおけるレーザビームの出射面と略平行の平面に
形成し、この先端面に、前記透明板を、前記キャップ体
と非接触の状態で接着剤にて固着し、該透明板と前記突
起の側面との間に、透明な合成樹脂を、当該透明な合成
樹脂で前記半導体レーザチップの全体を密封するように
充填したことを特徴とする半導体レーザ装置。
1. A cap body fixed to a side surface of a projection provided on a stem such that an emission surface of a laser beam is directed to a projection direction of the projection, and a cap body fitted to the stem on the stem. the fixed, the transparent plate inside of the cap body, in a semiconductor laser device comprising disposed substantially parallel to the exit surface of the laser beam in the semiconductor laser chip, the tip surface of the projection in the stem, said semiconductor laser
On a plane approximately parallel to the laser beam exit surface of the chip
The transparent plate is fixed to the tip surface with an adhesive in a state of not contacting the cap body, and a transparent synthetic resin is provided between the transparent plate and the side surface of the projection. A semiconductor laser chip filled with a synthetic resin so as to seal the whole of the semiconductor laser chip.
JP3088367A 1991-04-19 1991-04-19 Semiconductor laser device Expired - Fee Related JP2823381B2 (en)

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