JP2822999B2 - High temperature defect sorting apparatus and high temperature defect sorting method - Google Patents
High temperature defect sorting apparatus and high temperature defect sorting methodInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は高温不良選別装置及
び高温不良選別方法に関し、特に半導体回路の製品にお
ける高温時の動作及び電気的特性を保証するための試験
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-temperature defect selection apparatus and a high-temperature defect selection method, and more particularly to a test for guaranteeing high-temperature operation and electrical characteristics of a semiconductor circuit product.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、半導体回路の製品においては、通
常、動作及び電気的特性が一定の温度範囲で保証されて
いる。しかしながら、半導体回路の製品の試験を行う
際、動作及び電気的特性の試験は常温で実施されている
のが普通である。つまり、予め温度特性を評価してお
き、温度変動分のマージンをもたせることによって特性
を補償しているわけである。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor circuit product, operation and electrical characteristics are usually guaranteed in a certain temperature range. However, when a semiconductor circuit product is tested, the operation and electrical characteristics are usually tested at room temperature. That is, the temperature characteristics are evaluated in advance, and the characteristics are compensated by providing a margin for the temperature fluctuation.
【0003】このような補償方法ではどのような不良品
が発生するかは予想しておらず、正常品の温度特性を考
慮しているだけである。しかしながら、不良品におい
て、一部のトランジスタが正常に動作していない状態で
は、不良品及び良品の温度特性が同じであるという保証
はまったくない。したがって、不良品が良品と著しく異
なった温度特性を持っている場合には不良品を選別する
ことができない可能性が大きいと考えられる。[0003] Such a compensation method does not anticipate what kind of defective product will occur, but merely considers the temperature characteristics of a normal product. However, in a defective product, when some transistors are not operating normally, there is no guarantee that the temperature characteristics of the defective product and the good product are the same. Therefore, if the defective product has a temperature characteristic that is significantly different from that of a good product, it is highly likely that the defective product cannot be sorted out.
【0004】そこで、不良率が非常に低いことが要求さ
れるような製品では、実際に高温状態にして不良品及び
良品の選別を実施するということが行われている。実際
に高温で試験を行うためには製品周囲の測定器(テス
タ)等に温度変化を与えずに製品のみを高温にして測定
し、かつ製品を予め一定の温度に保って測定できるよう
に高温試験用の装置を用意する必要がある。[0004] Therefore, in the case of a product which requires a very low rejection rate, it is practiced that the rejected product and the non-defective product are actually placed in a high temperature state. In order to perform the test at a high temperature, it is necessary to measure only the product at a high temperature without changing the temperature of the measuring device (tester) around the product, and to maintain the product at a constant temperature beforehand. It is necessary to prepare test equipment.
【0005】このような特殊な装置の導入や高温試験を
行うことによって測定時間が増加するため、製品の製造
コストが非常に高くなる。このような状況から、不良率
が非常に低いことが要求されるような製品(安全に深く
関わるもの等)以外では、実際に高温での不良品及び良
品の選別を実施していないのが現状である。Since the measurement time is increased by introducing such a special device or performing a high-temperature test, the production cost of the product becomes extremely high. Under these circumstances, except for products that require a very low reject rate (such as those that are deeply involved in safety), the current situation is that high-quality defective products and non-defective products are not actually sorted out. It is.
【0006】また、このような高温試験用の装置を用い
ないで試験するために、試験を実施する半導体回路の電
源電圧を動作保証範囲より大きくすることによって、半
導体回路自体の消費電力とパッケージの熱抵抗との積の
分だけ温度上昇させて測定することも行われている。In order to perform a test without using such a high-temperature test apparatus, the power supply voltage of the semiconductor circuit to be tested is set to be higher than the operation guarantee range, thereby reducing the power consumption of the semiconductor circuit itself and the package. The measurement is also performed by increasing the temperature by the product of the thermal resistance.
【0007】しかしながら、この方法では回路動作上、
無条件に電圧を設定することが不可能であり、また耐圧
以上に電源電圧を上げることができず、また回路の消費
電力が小さいと十分に温度上昇させることができないこ
とから、この方法を適応できる製品には制約がある。However, in this method, in terms of circuit operation,
This method is applicable because it is impossible to set the voltage unconditionally, it is not possible to raise the power supply voltage beyond the withstand voltage, and it is not possible to raise the temperature sufficiently if the power consumption of the circuit is small. There are restrictions on the products that can be made.
【0008】また、半導体回路の中にテスト回路として
発熱する素子を設けておき、半導体回路の接合温度を上
昇させて試験を行うことも可能である。この方法として
は、特開昭63−010537号公報に記載された技術
がある。この技術の場合、発熱する素子を特に限定して
いないが、図5に示すように、半導体回路20にテスト
端子23と抵抗24とを備え、抵抗24を発熱素子とし
て用いる例が開示されている。尚、図5において、21
は電源端子、22は接地端子である。この技術と同様
に、抵抗を用いた例としては特開昭63−006856
号公報に開示された技術もある。Further, it is also possible to provide an element which generates heat as a test circuit in a semiconductor circuit, and perform a test by increasing a junction temperature of the semiconductor circuit. As this method, there is a technique described in JP-A-63-010537. In the case of this technology, the element that generates heat is not particularly limited, but as shown in FIG. 5, an example is disclosed in which a semiconductor circuit 20 is provided with a test terminal 23 and a resistor 24 and the resistor 24 is used as a heating element. . Incidentally, in FIG.
Is a power supply terminal, and 22 is a ground terminal. Similarly to this technology, an example using a resistor is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-006856.
There is also a technique disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. H11-26095.
【0009】さらに、発熱素子としてダイオードを用い
た例やMOS(Metal Oxide Semico
nductor)トランジスタを用いた例もある。ダイ
オードを用いた例については特開平04−174532
号公報に開示されており、MOSトランジスタを用いた
例については特開平04−074451号公報に開示さ
れている。Further, examples using a diode as a heating element and MOS (Metal Oxide Semico)
There is also an example using a transistor. For an example using a diode, see JP-A-04-174532.
An example using a MOS transistor is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 04-074451.
【0010】すなわち、ダイオードを用いた例では、図
6に示すように、半導体回路30にテスト端子33とダ
イオード34とを備え、ダイオード34を発熱素子とし
て用いている。尚、図6において、31は電源端子、3
2は接地端子である。That is, in the example using a diode, as shown in FIG. 6, a semiconductor circuit 30 is provided with a test terminal 33 and a diode 34, and the diode 34 is used as a heating element. In FIG. 6, reference numeral 31 denotes a power terminal, 3
2 is a ground terminal.
【0011】上記の方法ではすべて、専用の発熱素子と
テスト端子とを設けているので、発熱素子とテスト端子
とを増やす場合にはチップサイズが増大し、製造コスト
が大きくなる。In all of the above methods, a dedicated heating element and a test terminal are provided. Therefore, when the number of the heating elements and the test terminals is increased, the chip size increases and the manufacturing cost increases.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
回路に対する高温試験では、良品と著しく異なった温度
特性を持っている不良品を常温の試験で判別することが
できないので、常温による選別だけで不良品を選別する
ことができない。In the above-described high-temperature test for a conventional semiconductor circuit, a defective product having a temperature characteristic remarkably different from that of a non-defective product cannot be discriminated by a test at room temperature. Defective products cannot be sorted out.
【0013】また、高温試験用の装置で半導体回路に対
する高温試験を行う場合には、高温試験を行うために高
温試験用の装置を導入しなければならず、測定時間の増
大によって製品の製造コストが大きくなってしまう。When a high-temperature test is performed on a semiconductor circuit using a high-temperature test device, a high-temperature test device must be introduced to perform the high-temperature test, and the measurement time increases, thereby increasing the manufacturing cost of the product. Becomes large.
【0014】さらに、半導体回路の中にテスト回路とし
て発熱する素子を設けておき、接合温度を上昇させて試
験を実施することも可能であるが、この方法では発熱素
子とテスト端子とを増やさなければならず、チップサイ
ズが増大し、製造コストが大きくなってしまう。Further, it is possible to provide an element that generates heat as a test circuit in the semiconductor circuit and perform the test by increasing the junction temperature. However, in this method, the number of heat generating elements and test terminals must be increased. Therefore, the chip size increases and the manufacturing cost increases.
【0015】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、装置の導入や測定時間の増大によって製品の製造
コストを大きくすることなく、高温で実施するのと同様
な試験を実施することができ、高温での不良の選別を可
能として不良率の改善及び品質向上を図ることができる
高温不良選別装置及び高温不良選別方法を提供すること
にある。Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to carry out a test similar to that performed at a high temperature without increasing the production cost of a product by introducing an apparatus and increasing the measurement time. It is an object of the present invention to provide a high-temperature defect selection device and a high-temperature defect selection method capable of selecting defects at a high temperature and improving a defect rate and quality.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明による高温不良選
別装置は、静電破壊保護用のダイオードを含む半導体回
路の高温不良選別装置であって、高温にて測定する必要
のある試験において使用されない入出力端子に接続され
た前記ダイオードに対して順バイアス方向に接続されか
つ前記半導体回路の接合温度が前記試験で必要な周囲温
度となるように電源電圧値を供給する試験用外部電源
と、前記試験を行う際に前記試験用外部電源と前記ダイ
オードとを接続するスイッチ素子とを備えている。SUMMARY OF THE INVENTION A high-temperature defect sorting apparatus according to the present invention is a high-temperature defect sorting apparatus for a semiconductor circuit including a diode for electrostatic breakdown protection, and is not used in a test that needs to be measured at a high temperature. An external test power supply connected in a forward bias direction to the diode connected to the input / output terminal and supplying a power supply voltage value such that a junction temperature of the semiconductor circuit becomes an ambient temperature necessary for the test; A switch element for connecting the external power supply for testing and the diode when performing a test.
【0017】本発明による高温不良選別方法は、静電破
壊保護用のダイオードを含む半導体回路の高温不良選別
方法であって、高温にて測定する必要のある試験におい
て使用されない入出力端子に接続された前記ダイオード
に対して試験用外部電源を順バイアス方向に接続する第
1の工程と、前記半導体回路の接合温度が前記試験で必
要な周囲温度となるような前記試験用外部電源からの電
源電圧値を前記ダイオードに供給する第2の工程とから
なる。The method for selecting high-temperature defects according to the present invention is a method for selecting high-temperature defects in a semiconductor circuit including a diode for protection against electrostatic damage, which is connected to an input / output terminal that is not used in a test that needs to be measured at high temperatures. A first step of connecting a test external power supply to the diode in a forward bias direction, and a power supply voltage from the test external power supply such that a junction temperature of the semiconductor circuit becomes an ambient temperature required for the test. Supplying a value to said diode.
【0018】すなわち、本発明の高温不良選別方法では
回路の動作及び電気的特性を補償するための試験の中で
高温にて測定する必要のある試験において、入出力端子
と電源端子または接地端子との間に逆バイアス方向に接
続された静電破壊保護用のダイオードのうち、高温にて
測定する必要のある試験中に使用されない入出力端子に
接続されたダイオードに対して電源を順バイアス方向に
接続し、その電源に対して電源電圧値を、半導体回路の
接合温度がそのダイオードの消費電力とパッケージの熱
抵抗との積による温度上昇によって試験に必要な温度上
昇値に一致するように設定している。That is, in the high-temperature defect selection method of the present invention, in a test for compensating for the operation and electrical characteristics of a circuit which needs to be measured at a high temperature, an input / output terminal and a power supply terminal or a ground terminal are connected. Of the diodes for ESD protection connected in the reverse bias direction during the test, the diode connected to the input / output terminal that is not used during the test that needs to be measured at high temperature. The power supply voltage value is set for the power supply so that the junction temperature of the semiconductor circuit matches the temperature rise value required for the test by the temperature rise due to the product of the power consumption of the diode and the thermal resistance of the package. ing.
【0019】これによって、その温度上昇値が高温測定
時の接合温度と一致するようにすることで、周囲温度を
高温にした時と同様の状態とし、高温にて測定する必要
のある試験を実施することができる。したがって、装置
の導入や測定時間の増大によって製品の製造コストを大
きくすることなく、高温で実施するのと同様な試験を実
施することができ、高温での不良の選別を可能として不
良率の改善及び品質向上を図ることが可能となる。In this way, by making the temperature rise value coincide with the junction temperature at the time of measuring the high temperature, the same condition as when the ambient temperature is increased is performed, and a test that needs to be measured at the high temperature is performed. can do. Therefore, it is possible to perform the same tests as those performed at high temperature without increasing the manufacturing cost of products due to the introduction of equipment and increased measurement time, and it is possible to sort out defects at high temperature and improve the defect rate. And quality can be improved.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。図1は本発明の一実施例を示す
構成図である。図において、1は半導体回路、2は電源
端子、3は接地端子、4はテスト用外部電源、5は入出
力端子、6はスイッチである。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a semiconductor circuit, 2 is a power supply terminal, 3 is a ground terminal, 4 is an external test power supply, 5 is an input / output terminal, and 6 is a switch.
【0021】半導体回路1内には静電破壊保護用にダイ
オード11,12が配設されており。これらダイオード
11,12は入出力端子5と電源端子2または接地端子
3との間に逆バイアス方向に接続されている。In the semiconductor circuit 1, diodes 11 and 12 are provided for protection against electrostatic breakdown. These diodes 11 and 12 are connected in the reverse bias direction between the input / output terminal 5 and the power supply terminal 2 or the ground terminal 3.
【0022】ここで、入出力端子5は高温にて実施が必
要な試験において使用されない入出力端子である。入出
力端子5にはテスト用外部電源4がスイッチ6を介して
接続され、テスト用外部電源4がダイオード12に対し
て順バイアス方向に接続される。よって、スイッチ6を
オンとすることで、ダイオード12にはテスト用外部電
源4からの電源電圧値が供給される。Here, the input / output terminal 5 is an input / output terminal that is not used in a test that needs to be performed at a high temperature. An external test power supply 4 is connected to the input / output terminal 5 via a switch 6, and the test external power supply 4 is connected to the diode 12 in a forward bias direction. Therefore, when the switch 6 is turned on, the power supply voltage value from the test external power supply 4 is supplied to the diode 12.
【0023】したがって、本発明の一実施例による高温
不良選別方法では、静電破壊保護用のダイオード11,
12のうち高温にて測定する必要のある試験において使
用されない入出力端子5に接続されたダイオード12に
対してテスト用外部電源4を順バイアス方向に接続した
後、半導体回路1の接合温度が高温にて測定する必要の
ある試験で必要な周囲温度となるようなテスト用外部電
源4からの電源電圧値をダイオード12に供給すること
で実施される。Therefore, in the method for selecting a high-temperature defect according to one embodiment of the present invention, the diodes 11 and
After the test external power supply 4 is connected in the forward bias direction to the diode 12 connected to the input / output terminal 5 which is not used in the test which needs to be measured at a high temperature, the junction temperature of the semiconductor circuit 1 becomes high. This is performed by supplying a power supply voltage value from the external power supply for test 4 to the diode 12 so that the ambient temperature required for the test that needs to be measured in the step (1) is obtained.
【0024】図2は本発明の一実施例による試験動作を
示すフローチャートである。これら図1及び図2を参照
して本発明の一実施例による試験方法について説明す
る。FIG. 2 is a flowchart showing a test operation according to one embodiment of the present invention. A test method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
【0025】まず、最初の段階では、スイッチ6はオフ
となっており、テスト用外部電源4がダイオード12に
接続されていない状態で(図2ステップS1)、常温に
て行われる試験が実施される(図2ステップS2)。First, at the first stage, the switch 6 is turned off, and a test performed at room temperature is performed with the test external power supply 4 not connected to the diode 12 (step S1 in FIG. 2). (Step S2 in FIG. 2).
【0026】次の段階で、高温にて実施する試験を行う
場合には、テスト用外部電源4の電圧値を設定した後
(図2ステップS3)、スイッチ6をオンとして試験中
に使用されない入出力端子5と接地端子3との間でテス
ト用外部電源4を静電破壊保護用のダイオード12に対
して順バイアス方向に接続する(図2ステップS4)。
これによって、半導体回路1は試験に必要な温度となる
ので、高温にて行われる試験が実施される(図2ステッ
プS5)。At the next stage, when performing a test performed at a high temperature, after setting the voltage value of the test external power supply 4 (step S3 in FIG. 2), the switch 6 is turned on to turn on the input not used during the test. The test external power supply 4 is connected between the output terminal 5 and the ground terminal 3 in the forward bias direction with respect to the ESD protection diode 12 (step S4 in FIG. 2).
As a result, the temperature of the semiconductor circuit 1 becomes necessary for the test, so that the test performed at a high temperature is performed (Step S5 in FIG. 2).
【0027】このとき、テスト用外部電源4の電圧値は
ダイオード12での消費電力をPdとし、半導体回路1
自体の消費電力をPicとし、半導体回路1のパッケー
ジ(図示せず)の熱抵抗をRj−aとし、周囲温度をT
aとし、接合温度をTjとすると、接合温度Tjは、 Tj=Ta+(Pd+Pic)*(Rj−a) という式から求められる。At this time, the voltage value of the test external power supply 4 is Pd where the power consumption of the diode 12 is Pd.
The power consumption of itself is Pic, the thermal resistance of a package (not shown) of the semiconductor circuit 1 is Rj-a, and the ambient temperature is Tj.
Assuming that a is a and the junction temperature is Tj, the junction temperature Tj is obtained from the equation: Tj = Ta + (Pd + Pic) * (Rj-a).
【0028】ところで、周囲温度を常温(25℃)から
Tupだけ上昇させたい場合には、周囲温度を高温にし
たときの接合温度をTj2とすると、 Tj2=Ta+Tup+Pic*(Rj−a) となる。When it is desired to raise the ambient temperature from room temperature (25 ° C.) by Tup, assuming that the junction temperature when the ambient temperature is increased is Tj2, Tj2 = Ta + Tup + Pic * (Rj-a).
【0029】周囲温度は常温の試験時と周囲温度高温の
時の接合温度とを一致させるには、Tj2とTjとが等
しければ良いから、 Tj2−Tj=Tup−Pd*(Rj−a)=0 となり、この式を基に、 Pd=Tup/(Rj−a) が得られる。つまり、必要な温度上昇分とパッケージの
熱抵抗とから、ダイオード12の消費電力を設定すれば
よい。In order to make the junction temperature at the time of the normal temperature test coincide with the junction temperature at the time of the high ambient temperature, it is only necessary that Tj2 and Tj are equal. Tj2−Tj = Tup−Pd * (Rj−a) = 0, and Pd = Tup / (Rj-a) is obtained based on this equation. That is, the power consumption of the diode 12 may be set based on the required temperature rise and the thermal resistance of the package.
【0030】例えば、50℃の温度上昇で、パッケージ
の熱抵抗が100℃/Wとすると、ダイオード12の消
費電力は200mWとすればよい。このダイオード12
の順方向バイアス電圧VF が0.8Vの時に250mA
流れるとすれば、テスト用外部電源の電圧値を0.8V
として予め設定しておけばよい。For example, if the package has a thermal resistance of 100 ° C./W at a temperature rise of 50 ° C., the power consumption of the diode 12 may be 200 mW. This diode 12
250 mA when the forward bias voltage VF is 0.8 V
If it flows, the voltage value of the test external power supply is 0.8 V
May be set in advance.
【0031】しかしながら、これではダイオード12の
順方向バイアス電圧VF の温度特性とバラツキとが考慮
されていないので、もう少し精度良く温度を設定したけ
れば、常温での測定時に温度上昇しない程度の電流にて
ダイオード12の順方向バイアス電圧VF を測定してお
き、その値から電流増加分と温度特性とを加えてテスト
用外部電源4の電圧値を計算するような試験のプログラ
ムにすることも容易に可能である。However, in this case, since the temperature characteristics and the variation of the forward bias voltage VF of the diode 12 are not taken into consideration, if it is desired to set the temperature a little more precisely, the current is reduced to such a level that the temperature does not rise during measurement at room temperature. The forward bias voltage VF of the diode 12 is measured in advance, and a test program for calculating the voltage value of the test external power supply 4 by adding a current increase and a temperature characteristic from the value is easily obtained. It is possible.
【0032】また、パッケージの熱抵抗は基板の状態や
ソケット等の使用状況によって値が異なるが、これにつ
いても同様に、消費電力=0の時と、電源端子2に電圧
を加えた時に夫々温度上昇しない程度の電流にてダイオ
ード12の順方向バイアス電圧VF を測定することによ
って、ダイオード12の温度特性を利用して求めらるこ
とができるので、これを試験を実施する前に計算してお
けば、温度をさらに精度良く設定することが可能であ
る。The value of the thermal resistance of the package differs depending on the state of the board and the usage of the socket. However, similarly, when the power consumption is 0 and when the voltage is applied to the power supply terminal 2, the temperature of the package changes. By measuring the forward bias voltage VF of the diode 12 at a current that does not increase, it can be obtained by using the temperature characteristics of the diode 12, and this can be calculated before conducting the test. If this is the case, the temperature can be set with higher accuracy.
【0033】以上述べたように、本発明の一実施例の適
用によって、テスト用外部電源4の電圧値を設定するこ
とで、周囲温度を高温にした時と同様に試験を行うこと
ができる。As described above, by applying the embodiment of the present invention, by setting the voltage value of the test external power supply 4, a test can be performed in the same manner as when the ambient temperature is raised.
【0034】図3は本発明の他の実施例を示す構成図で
ある。図において、本発明の他の実施例では高温にて実
施が必要な試験において使用されない入出力端子5と電
源端子2との間にテスト用外部電源7がスイッチ8を介
して接続され、テスト用外部電源4がダイオード11に
対して順バイアス方向に接続される。よって、スイッチ
8をオンとすることで、ダイオード11にはテスト用外
部電源7からの電源電圧値が供給される。FIG. 3 is a block diagram showing another embodiment of the present invention. Referring to the figure, an external power supply 7 for testing is connected via a switch 8 between an input / output terminal 5 and a power supply terminal 2 which are not used in a test which needs to be performed at a high temperature in another embodiment of the present invention. An external power supply 4 is connected to the diode 11 in a forward bias direction. Therefore, when the switch 8 is turned on, the power supply voltage value from the test external power supply 7 is supplied to the diode 11.
【0035】したがって、本発明の他の実施例による高
温不良選別方法では、静電破壊保護用のダイオード1
1,12のうち高温にて測定する必要のある試験におい
て使用されない入出力端子5に接続されたダイオード1
1に対してテスト用外部電源7を順バイアス方向に接続
した後、半導体回路1の接合温度が高温にて測定する必
要のある試験で必要な周囲温度となるようなテスト用外
部電源7からの電源電圧値をダイオード11に供給する
ことで実施される。Therefore, in the method for selecting a high-temperature defect according to another embodiment of the present invention, the diode 1 for protecting against electrostatic breakdown is provided.
Diode 1 connected to input / output terminal 5 which is not used in a test which needs to be measured at high temperature among 1, 12
After the test external power supply 7 is connected to the semiconductor device 1 in the forward bias direction, the junction temperature of the semiconductor circuit 1 is changed from the test external power supply 7 to the ambient temperature necessary for the test that needs to be measured at a high temperature. This is performed by supplying the power supply voltage value to the diode 11.
【0036】この場合、本発明の一実施例ではテスト用
外部電源4が負電源となるが、本発明の他の実施例では
テスト用外部電源7が正電源となるので、負電源が使用
できない場合にも有効である。In this case, the test external power supply 4 is a negative power supply in one embodiment of the present invention, but the test external power supply 7 is a positive power supply in another embodiment of the present invention, so that the negative power supply cannot be used. It is also effective in cases.
【0037】図4は本発明の別の実施例を示す構成図で
ある。図において、本発明の別の実施例は本発明の一実
施例と他の実施例とを組合せたものであり、その作用は
本発明の一実施例及び他の実施例と同様である。本発明
の別の実施例では静電破壊保護用のダイオード11,1
2を2つとも発熱させることで、より大きな発熱量が必
要な場合にも対応することが可能である。FIG. 4 is a block diagram showing another embodiment of the present invention. In the drawing, another embodiment of the present invention is a combination of one embodiment of the present invention and another embodiment, and the operation is the same as that of one embodiment of the present invention and other embodiments. In another embodiment of the present invention, diodes 11 and 1 for electrostatic breakdown protection are provided.
By generating heat for both of them, it is possible to cope with a case where a larger heat generation amount is required.
【0038】このように、半導体回路1の接合温度が当
該試験で必要な周囲温度となるように電源電圧値を供給
するテスト用外部電源4,7を、試験を行う際にテスト
用外部電源4,7と高温にて測定する必要のある試験に
おいて使用されない入出力端子5に接続されたダイオー
ド11,12とを接続するためのスイッチ素子6,8で
ダイオード11,12に対して順バイアス方向に接続す
ることによって、高温試験を行うための装置の導入や測
定時間の増大によって製品の製造コストが大きくなるこ
となく、またテスト端子を増やす必要なく、高温で実施
するのと同様な試験を実施することができ、高温での不
良の選別を可能として不良率の改善及び品質向上を図る
ことができる。As described above, the test external power supplies 4 and 7 for supplying a power supply voltage value so that the junction temperature of the semiconductor circuit 1 becomes the ambient temperature required for the test are used. , 7 and the switching elements 6, 8 for connecting the diodes 11, 12 connected to the input / output terminal 5, which are not used in the test which needs to be measured at a high temperature, in the forward bias direction with respect to the diodes 11, 12. By performing the connection, the same tests as those performed at high temperatures are performed without increasing the manufacturing cost of products due to the introduction of equipment for performing high temperature tests and increasing the measurement time, and without increasing the number of test terminals. This makes it possible to sort out defects at high temperatures, thereby improving the defect rate and improving the quality.
【0039】したがって、特に実現上の問題もなく、常
温で選別しただけでは選別することができない不良品を
選別することが可能であり、不良品の流出を防ぎ、品質
を高めることができる。Therefore, it is possible to select a defective product which cannot be selected only by screening at normal temperature without any problem in realization, thereby preventing outflow of the defective product and improving the quality.
【0040】尚、請求項の記載に関連して本発明はさら
に次の態様をとりうる。The present invention can take the following aspects in connection with the description of the claims.
【0041】(1)入出力端子と電源端及び接地端子の
うちの一方との間に逆バイアス方向に接続された静電破
壊保護用のダイオードを含む半導体回路の高温不良選別
装置であって、半導体回路の動作及び電気的特性を補償
するための試験の中で高温にて測定する必要のある試験
において使用されない入出力端子に接続された前記ダイ
オードに対して順バイアス方向に接続されかつ前記半導
体回路の接合温度が前記試験で必要な周囲温度となるよ
うな電源電圧値を供給する試験用外部電源と、前記試験
を行う際に前記試験用外部電源と前記ダイオードとを接
続するスイッチ素子とを有することを特徴とする高温不
良選別装置。(1) An apparatus for selecting a high-temperature failure of a semiconductor circuit including a diode for protection against electrostatic damage connected in a reverse bias direction between an input / output terminal and one of a power supply terminal and a ground terminal, The semiconductor is connected in a forward bias direction to the diode connected to an input / output terminal which is not used in a test which needs to be measured at a high temperature in a test for compensating operation and electrical characteristics of a semiconductor circuit, and A test external power supply that supplies a power supply voltage value such that the junction temperature of the circuit becomes the ambient temperature required for the test, and a switch element that connects the test external power supply and the diode when performing the test. A high-temperature defect sorting device, comprising:
【0042】(2)前記試験用外部電源への電源電圧値
を、前記ダイオードの消費電力と前記半導体回路のパッ
ケージの熱抵抗との積が前記試験で必要な周囲温度と常
温にて測定する必要のある試験で必要な周囲温度との間
の温度上昇分となるようにしたことを特徴とする(1)
記載の高温不良選別装置。(2) The power supply voltage value to the test external power supply needs to be measured at the ambient temperature and the normal temperature required for the product of the power consumption of the diode and the thermal resistance of the package of the semiconductor circuit. (1) characterized in that the temperature rise between the ambient temperature required in the test with the temperature
The high-temperature defect sorting device as described.
【0043】(3)入出力端子と電源端及び接地端子の
うちの一方との間に逆バイアス方向に接続された静電破
壊保護用のダイオードを含む半導体回路の高温不良選別
方法であって、半導体回路の動作及び電気的特性を補償
するための試験の中で高温にて測定する必要のある試験
において使用されない入出力端子に接続された前記ダイ
オードに対して試験用外部電源を順バイアス方向に接続
する第1の工程と、前記半導体回路の接合温度が前記試
験で必要な周囲温度となるような前記試験用外部電源か
らの電源電圧値を前記ダイオードに供給する第2の工程
とを含むことを特徴とする高温不良選別方法。(3) A method for selecting a high-temperature failure of a semiconductor circuit including a diode for protection against electrostatic damage connected in a reverse bias direction between an input / output terminal and one of a power supply terminal and a ground terminal, In the test for compensating the operation and electrical characteristics of the semiconductor circuit, an external power supply for test is applied in a forward bias direction to the diode connected to the input / output terminal which is not used in the test which needs to be measured at a high temperature. A first step of connecting, and a second step of supplying a power supply voltage value from the test external power supply to the diode such that a junction temperature of the semiconductor circuit becomes an ambient temperature necessary for the test. High-temperature defect sorting method characterized by the following.
【0044】(4)前記試験用外部電源への電源電圧値
を、前記ダイオードの消費電力と前記半導体回路のパッ
ケージの熱抵抗との積が前記試験で必要な周囲温度と常
温にて測定する必要のある試験で必要な周囲温度との間
の温度上昇分となるようにしたことを特徴とする(3)
記載の高温不良選別方法。(4) The power supply voltage value to the test external power supply needs to be measured at the ambient temperature and the normal temperature required for the product of the power consumption of the diode and the thermal resistance of the package of the semiconductor circuit. (3) characterized in that the temperature rise between the required ambient temperature in a test with a certain temperature
High-temperature defect sorting method described.
【0045】[0045]
【発明の効果】以上説明したように本発明の高温不良選
別装置によれば、半導体回路の接合温度が高温にて測定
する必要のある試験で必要な周囲温度となるような電源
電圧値を供給する試験用外部電源を、当該試験を行う際
に試験用外部電源と試験において使用されない入出力端
子に接続されたダイオードとを接続するためのスイッチ
素子でそのダイオードに対して順バイアス方向に接続す
ることによって、装置の導入や測定時間の増大によって
製品の製造コストを大きくすることなく、高温で実施す
るのと同様な試験を実施することができ、高温での不良
の選別を可能として不良率の改善及び品質向上を図るこ
とができるという効果がある。As described above, according to the high-temperature defect sorting apparatus of the present invention, a power supply voltage value is supplied such that the junction temperature of a semiconductor circuit becomes an ambient temperature necessary for a test that needs to be measured at a high temperature. A switch element for connecting a test external power supply to be tested and a diode connected to an input / output terminal not used in the test when performing the test, and connecting the diode in a forward bias direction to the diode. As a result, the same tests as those performed at high temperatures can be performed without increasing the manufacturing costs of products due to the introduction of equipment and an increase in measurement time. There is an effect that improvement and quality improvement can be achieved.
【0046】また、本発明の高温不良選別方法によれ
ば、高温にて測定する必要のある試験において使用され
ない入出力端子に接続されたダイオードに対して試験用
外部電源を順バイアス方向に接続し、半導体回路の接合
温度が当該試験で必要な周囲温度となるような試験用外
部電源からの電源電圧値をダイオードに供給することに
よって、装置の導入や測定時間の増大によって製品の製
造コストを大きくすることなく、高温で実施するのと同
様な試験を実施することができ、高温での不良の選別を
可能として不良率の改善及び品質向上を図ることができ
るという効果がある。According to the high-temperature defect selection method of the present invention, a test external power supply is connected in a forward bias direction to a diode connected to an input / output terminal that is not used in a test that needs to be measured at a high temperature. Supplying a power supply voltage value from an external test power supply to the diode so that the junction temperature of the semiconductor circuit becomes the ambient temperature required for the test, the introduction of equipment and an increase in measurement time increase the production cost of the product. A test similar to that performed at a high temperature can be performed without performing the test, and there is an effect that it is possible to select a defect at a high temperature, thereby improving a defect rate and improving quality.
【図1】本発明の一実施例を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施例による試験動作を示すフロー
チャートである。FIG. 2 is a flowchart illustrating a test operation according to an embodiment of the present invention.
【図3】本発明の他の実施例を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing another embodiment of the present invention.
【図4】本発明の別の実施例を示す構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram showing another embodiment of the present invention.
【図5】従来例を示す構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram showing a conventional example.
【図6】従来例を示す構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram showing a conventional example.
1 半導体回路 2 電源端子 3 接地端子 4,7 テスト用外部電源 5 入出力端子 6,8 スイッチ 11,12 静電破壊防止用のダイオード REFERENCE SIGNS LIST 1 semiconductor circuit 2 power supply terminal 3 ground terminal 4, 7 external power supply for test 5 input / output terminal 6, 8 switch 11, 12 diode for preventing electrostatic breakdown
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/66 G01R 31/26 H01L 21/822 H01L 27/04──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/66 G01R 31/26 H01L 21/822 H01L 27/04
Claims (4)
体回路の高温不良選別装置であって、高温にて測定する
必要のある試験において使用されない入出力端子に接続
された前記ダイオードに対して順バイアス方向に接続さ
れかつ前記半導体回路の接合温度が前記試験で必要な周
囲温度となるように電源電圧値を供給する試験用外部電
源と、前記試験を行う際に前記試験用外部電源と前記ダ
イオードとを接続するスイッチ素子とを有することを特
徴とする高温不良選別装置。An apparatus for selecting high-temperature failure of a semiconductor circuit including a diode for protection against electrostatic breakdown, comprising: a diode connected to an input / output terminal that is not used in a test that needs to be measured at a high temperature; A test external power supply that is connected in a bias direction and supplies a power supply voltage value such that a junction temperature of the semiconductor circuit becomes an ambient temperature necessary for the test; and the test external power supply and the diode when performing the test. A high-temperature defect sorting device, comprising:
前記ダイオードの消費電力と前記半導体回路のパッケー
ジの熱抵抗との積が前記試験で必要な周囲温度と常温に
て測定する必要のある試験で必要な周囲温度との間の温
度上昇分となるようにしたことを特徴とする請求項1記
載の高温不良選別装置。2. A power supply voltage value to the test external power supply,
The product of the power consumption of the diode and the thermal resistance of the package of the semiconductor circuit is the temperature rise between the ambient temperature required for the test and the ambient temperature required for the test that needs to be measured at room temperature. 2. The high-temperature defect sorting apparatus according to claim 1, wherein:
体回路の高温不良選別方法であって、高温にて測定する
必要のある試験において使用されない入出力端子に接続
された前記ダイオードに対して試験用外部電源を順バイ
アス方向に接続する第1の工程と、前記半導体回路の接
合温度が前記試験で必要な周囲温度となるような前記試
験用外部電源からの電源電圧値を前記ダイオードに供給
する第2の工程とを含むことを特徴とする高温不良選別
方法。3. A method for selecting a high-temperature failure of a semiconductor circuit including a diode for protection against electrostatic damage, comprising testing a diode connected to an input / output terminal that is not used in a test that needs to be measured at a high temperature. A first step of connecting a test external power supply in a forward bias direction, and supplying a power supply voltage value from the test external power supply to the diode such that a junction temperature of the semiconductor circuit becomes an ambient temperature necessary for the test. And a second step.
前記ダイオードの消費電力と前記半導体回路のパッケー
ジの熱抵抗との積が前記試験で必要な周囲温度と常温に
て測定する必要のある試験で必要な周囲温度との間の温
度上昇分となるようにしたことを特徴とする請求項3記
載の高温不良選別方法。4. A power supply voltage value to the test external power supply,
The product of the power consumption of the diode and the thermal resistance of the package of the semiconductor circuit is the temperature rise between the ambient temperature required for the test and the ambient temperature required for the test that needs to be measured at room temperature. 4. The method for selecting high-temperature defects according to claim 3, wherein:
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---|---|---|---|
JP28718696A JP2822999B2 (en) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | High temperature defect sorting apparatus and high temperature defect sorting method |
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JPH10135286A JPH10135286A (en) | 1998-05-22 |
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