JP2819859B2 - 放熱ヴィアとその形成方法 - Google Patents
放熱ヴィアとその形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁基板の表面に形成
した多層配線を貫通するヴィアとその形成方法、特に、
大電力素子を搭載したとき該絶縁基板と搭載素子との間
の熱伝達を捕捉する放熱ヴィアに関する。
した多層配線を貫通するヴィアとその形成方法、特に、
大電力素子を搭載したとき該絶縁基板と搭載素子との間
の熱伝達を捕捉する放熱ヴィアに関する。
【０００２】多層回路基板、特にポリイミドを絶縁層と
した薄膜多層配線を絶縁基板に形成した回路基板は、高
密度実装を可能にするため高速デジタル回路等に使用さ
れ、搭載素子の放熱手段として多層配線を貫通する放熱
ヴィアが形成される。
した薄膜多層配線を絶縁基板に形成した回路基板は、高
密度実装を可能にするため高速デジタル回路等に使用さ
れ、搭載素子の放熱手段として多層配線を貫通する放熱
ヴィアが形成される。
【０００３】
【従来の技術】図５は従来の多層回路基板における放熱
ヴィアの説明図、図６(イ) 〜(ホ) は図５に示す多層配線
と放熱ヴィアの製造工程の説明図である。
ヴィアの説明図、図６(イ) 〜(ホ) は図５に示す多層配線
と放熱ヴィアの製造工程の説明図である。
【０００４】図５において、回路素子２を搭載する回路
基板１は、絶縁基板３の表面に多層配線４を形成する。
多層配線４は多層構成 (図は４層構成）の絶縁層５に放
熱ヴィア６と層間導体パターン７を形成し、多層配線４
の表面に形成した導体パターン８と搭載素子２とは、例
えばワイヤ９によって電気的に接続する。搭載素子２よ
り発生した熱エネルギの一部は、搭載素子２の下面に接
する放熱ヴィア６を媒体として放出されるようになる。
基板１は、絶縁基板３の表面に多層配線４を形成する。
多層配線４は多層構成 (図は４層構成）の絶縁層５に放
熱ヴィア６と層間導体パターン７を形成し、多層配線４
の表面に形成した導体パターン８と搭載素子２とは、例
えばワイヤ９によって電気的に接続する。搭載素子２よ
り発生した熱エネルギの一部は、搭載素子２の下面に接
する放熱ヴィア６を媒体として放出されるようになる。
【０００５】図６(イ) において、絶縁基板３の表面に第
１の層間導体パターン７a を形成し、その上に第１の絶
縁層10a を被着したのち、図６(ロ) に示す如く絶縁層10
a に放熱ヴィア用の透孔11a を形成し、次いで図６(ハ)
に示す如く、透孔11a に導体12a を充填 (めっき) す
る。
１の層間導体パターン７a を形成し、その上に第１の絶
縁層10a を被着したのち、図６(ロ) に示す如く絶縁層10
a に放熱ヴィア用の透孔11a を形成し、次いで図６(ハ)
に示す如く、透孔11a に導体12a を充填 (めっき) す
る。
【０００６】さらに、図６(ニ) に示す如く絶縁層10a の
上に第２の層間導体パターン７b を形成したのち、図６
(ホ) に示す如く第２の絶縁層10b,放熱ヴィア用透孔11b,
充填導体12b,第３の層間導体パターン７c,第３の絶縁層
10c,放熱ヴィア用透孔11c,充填導体12c,第４の層間導体
パターン７d,第４の絶縁層10d,放熱ヴィア用透孔11d,充
填導体12d を形成したのち、第４の絶縁層10d の表面に
導体パターン８を形成し、多層配線の形成された回路基
板１が完成する。
上に第２の層間導体パターン７b を形成したのち、図６
(ホ) に示す如く第２の絶縁層10b,放熱ヴィア用透孔11b,
充填導体12b,第３の層間導体パターン７c,第３の絶縁層
10c,放熱ヴィア用透孔11c,充填導体12c,第４の層間導体
パターン７d,第４の絶縁層10d,放熱ヴィア用透孔11d,充
填導体12d を形成したのち、第４の絶縁層10d の表面に
導体パターン８を形成し、多層配線の形成された回路基
板１が完成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように従
来の放熱ヴィアは、絶縁層10a 〜10d の形成ごとに、め
っきにて充填導体12a 〜12d を形成する必要があり、例
えば感光性ポリイミドを使用した各絶縁層10a 〜10d の
厚さが20〜30μm 程度になると、充填導体12a 〜12d の
形成に要する時間が多大となり、回路基板１を量産しよ
うとすると、生産性が著しく損なわれるという問題点が
あった。
来の放熱ヴィアは、絶縁層10a 〜10d の形成ごとに、め
っきにて充填導体12a 〜12d を形成する必要があり、例
えば感光性ポリイミドを使用した各絶縁層10a 〜10d の
厚さが20〜30μm 程度になると、充填導体12a 〜12d の
形成に要する時間が多大となり、回路基板１を量産しよ
うとすると、生産性が著しく損なわれるという問題点が
あった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】多層配線に設ける放熱ヴ
ィアの生産性を改善せしめる本発明の放熱ヴィアは、図
１によれば、絶縁基板３の表面に形成した多層配線16を
その厚さ方向に貫通するすり鉢形状の透孔22の内壁に、
多層配線16の層間導体パターンおよび該多層配線の表面
の導体パターンと共に形成された導体層23,27 が被着さ
れ、導体層23,27 の内側に、金属25,29,32,39,42が充填
される、または、透孔22より上端部が突出する金属バン
プ36が被着されてなることを特徴とする。
ィアの生産性を改善せしめる本発明の放熱ヴィアは、図
１によれば、絶縁基板３の表面に形成した多層配線16を
その厚さ方向に貫通するすり鉢形状の透孔22の内壁に、
多層配線16の層間導体パターンおよび該多層配線の表面
の導体パターンと共に形成された導体層23,27 が被着さ
れ、導体層23,27 の内側に、金属25,29,32,39,42が充填
される、または、透孔22より上端部が突出する金属バン
プ36が被着されてなることを特徴とする。
【０００９】本発明による前記放熱ヴィアの形成は、絶
縁基板３の表面に第１の絶縁層15aを被着し、第１の絶
縁層15a には絶縁基板３の表面の一部を表呈せしめる第
１の透孔を形成し、該第１の透孔の内壁に被着する導体
層を第１の絶縁層15a の表面に形成される層間導体パタ
ーンと共に形成し、第１の絶縁層15a および該第１の透
孔を覆う第２の絶縁層15b を被着し、第２の絶縁層15b
には該第１の透孔より大径かつ該第１の透孔に重なる第
２の透孔を形成し、該第２の透孔の内壁に被着する導体
層を第２の絶縁層15b の表面に形成される層間導体パタ
ーンと共に形成し、第２の絶縁層15b,第２の透孔22b,第
２の透孔の内壁に被着する導体層と同じような形成工程
の繰り返しによって、内壁に導体層23,27 が被着するす
り鉢形状の透孔22があいた多層配線16を絶縁基板３の表
面に形成し、導体層23,27 の内側に金属25,29,32,39,42
を充填させるまたは、金属バンプ35を被着させる。
縁基板３の表面に第１の絶縁層15aを被着し、第１の絶
縁層15a には絶縁基板３の表面の一部を表呈せしめる第
１の透孔を形成し、該第１の透孔の内壁に被着する導体
層を第１の絶縁層15a の表面に形成される層間導体パタ
ーンと共に形成し、第１の絶縁層15a および該第１の透
孔を覆う第２の絶縁層15b を被着し、第２の絶縁層15b
には該第１の透孔より大径かつ該第１の透孔に重なる第
２の透孔を形成し、該第２の透孔の内壁に被着する導体
層を第２の絶縁層15b の表面に形成される層間導体パタ
ーンと共に形成し、第２の絶縁層15b,第２の透孔22b,第
２の透孔の内壁に被着する導体層と同じような形成工程
の繰り返しによって、内壁に導体層23,27 が被着するす
り鉢形状の透孔22があいた多層配線16を絶縁基板３の表
面に形成し、導体層23,27 の内側に金属25,29,32,39,42
を充填させるまたは、金属バンプ35を被着させる。
【００１０】金属（半田）25,29,32の充填には、半田ボ
ール24または半田バンプ30を加熱溶融せしめ流し込む方
法を提案し、金属39,42 の充填 (堆積) は気相成長法ま
たはめっき法とし、さらにめっき法で金属42を堆積した
ときには堆積半田を加熱溶融し充填させる。
ール24または半田バンプ30を加熱溶融せしめ流し込む方
法を提案し、金属39,42 の充填 (堆積) は気相成長法ま
たはめっき法とし、さらにめっき法で金属42を堆積した
ときには堆積半田を加熱溶融し充填させる。
【００１１】
【作用】上記手段によれば本発明の放熱ヴィアは、多層
配線の絶縁層を順次積層形成せしめるに際し、すり鉢形
状となるように放熱ヴィア用の透孔を設け、該透孔の内
壁には層間導体パターンの形成と一緒に導体層を被着
し、全絶縁層の積層と透孔内壁の導体層の形成が完了し
たのち、該導体層に金属を充填または、金属バンプを被
着あるいは、金属を堆積せしめる。
配線の絶縁層を順次積層形成せしめるに際し、すり鉢形
状となるように放熱ヴィア用の透孔を設け、該透孔の内
壁には層間導体パターンの形成と一緒に導体層を被着
し、全絶縁層の積層と透孔内壁の導体層の形成が完了し
たのち、該導体層に金属を充填または、金属バンプを被
着あるいは、金属を堆積せしめる。
【００１２】従来の放熱ヴィアはほぼ均一径の柱形状で
あり、充填（めっき）金属を多層配線の複数の絶縁層形
成工程に分割形成するのに対し、最後に金属を充填また
は金属バンプを被着あるいは金属を堆積せしめる本発明
の放熱ヴィアの透孔は、すり鉢形状としたことによっ
て、金属の充填または金属バンプの被着あるいは金属の
堆積を容易とし、該充填，被着，堆積は各層におけるめ
っきの繰り返しより効率的であるため、放熱ヴィアの生
産性が向上する。
あり、充填（めっき）金属を多層配線の複数の絶縁層形
成工程に分割形成するのに対し、最後に金属を充填また
は金属バンプを被着あるいは金属を堆積せしめる本発明
の放熱ヴィアの透孔は、すり鉢形状としたことによっ
て、金属の充填または金属バンプの被着あるいは金属の
堆積を容易とし、該充填，被着，堆積は各層におけるめ
っきの繰り返しより効率的であるため、放熱ヴィアの生
産性が向上する。
【００１３】
【実施例】図１は本発明による放熱ヴィアの基本構成の
説明図、図２は本発明の実施例による放熱ヴィア用透孔
の基本工程の説明図、図３は本発明の他の実施例による
放熱ヴィア用透孔の基本構成の説明図、図４は本発明の
さらに他の実施例による放熱ヴィア用透孔の基本構成の
説明図である。
説明図、図２は本発明の実施例による放熱ヴィア用透孔
の基本工程の説明図、図３は本発明の他の実施例による
放熱ヴィア用透孔の基本構成の説明図、図４は本発明の
さらに他の実施例による放熱ヴィア用透孔の基本構成の
説明図である。
【００１４】図１(イ) において、絶縁基板３の表面に
は、複数層（図は４層）の例えば感光性ポリイミドの絶
縁層15a 〜15d からなる多層配線16を形成し、多層配線
16を貫通する放熱ヴィア21は、順次被着した絶縁層15a
〜15d の不要部をその被着順に除去してすり鉢形状の透
孔22を形成し、透孔22の内壁に導体層23を被着形成し、
半田フラックスを塗付した導体層23に半田ボール24を挿
入し、半田ボール24をを加熱溶融せしめた半田25が導体
層23の内側に充填される。
は、複数層（図は４層）の例えば感光性ポリイミドの絶
縁層15a 〜15d からなる多層配線16を形成し、多層配線
16を貫通する放熱ヴィア21は、順次被着した絶縁層15a
〜15d の不要部をその被着順に除去してすり鉢形状の透
孔22を形成し、透孔22の内壁に導体層23を被着形成し、
半田フラックスを塗付した導体層23に半田ボール24を挿
入し、半田ボール24をを加熱溶融せしめた半田25が導体
層23の内側に充填される。
【００１５】図１(ロ) において、絶縁基板３の表面には
絶縁層15a 〜15d からなる多層配線16を形成し、多層配
線16を貫通する放熱ヴィア26は、順次被着した絶縁層15
a 〜15d の不要部をその被着順に除去してすり鉢形状の
透孔22を形成し、透孔22の内壁に被着形成した導体層27
の一部は、多層配線16の表面に延在してパッド28を形成
する。半田ワイヤを使用したワイヤ・ボール・ボンディ
ングによって、半田パッド28に被着させた半田バンプ30
を加熱溶融し、半田フラックスを塗付した導体層27の内
側に充填させる。
絶縁層15a 〜15d からなる多層配線16を形成し、多層配
線16を貫通する放熱ヴィア26は、順次被着した絶縁層15
a 〜15d の不要部をその被着順に除去してすり鉢形状の
透孔22を形成し、透孔22の内壁に被着形成した導体層27
の一部は、多層配線16の表面に延在してパッド28を形成
する。半田ワイヤを使用したワイヤ・ボール・ボンディ
ングによって、半田パッド28に被着させた半田バンプ30
を加熱溶融し、半田フラックスを塗付した導体層27の内
側に充填させる。
【００１６】図１(ハ) において、絶縁基板３の表面には
絶縁層15a 〜15d からなる多層配線16を形成し、多層配
線16を貫通する放熱ヴィア31は、順次被着した絶縁層15
a 〜15d の不要部をその被着順に除去してすり鉢形状の
透孔22を形成し、透孔22の内壁に導体層23を被着形成
し、導体層23の内側に半田32を充填してなる。かかる半
田32は、一点鎖線で示す金薄膜層33を導体層23の上に被
着し、導体層23より大きく多層配線16の表面に延在する
金薄膜層33のパッド34には半田バンプ30を被着し、半田
バンプ30を加熱溶融して導体層23の内側に充填させる。
金薄膜層33および金薄膜のパッド34は、溶融させた半田
バンプ30に溶け込んで消滅する。
絶縁層15a 〜15d からなる多層配線16を形成し、多層配
線16を貫通する放熱ヴィア31は、順次被着した絶縁層15
a 〜15d の不要部をその被着順に除去してすり鉢形状の
透孔22を形成し、透孔22の内壁に導体層23を被着形成
し、導体層23の内側に半田32を充填してなる。かかる半
田32は、一点鎖線で示す金薄膜層33を導体層23の上に被
着し、導体層23より大きく多層配線16の表面に延在する
金薄膜層33のパッド34には半田バンプ30を被着し、半田
バンプ30を加熱溶融して導体層23の内側に充填させる。
金薄膜層33および金薄膜のパッド34は、溶融させた半田
バンプ30に溶け込んで消滅する。
【００１７】図１(ニ) において、絶縁基板３の表面には
絶縁層15a 〜15d からなる多層配線16を形成し、多層配
線16を貫通する放熱ヴィア35は、順次被着した絶縁層15
a 〜15d の不要部をその被着順に除去してすり鉢形状の
透孔22を形成し、透孔22の内壁に導体層23を被着形成
し、ワイヤボールボンディングにより例えば半田バンプ
36を導体層23に被着して完成する。かかるバンプ36は、
多層配線16に搭載する素子の下面を押し付けることによ
って該下面と面接触せしめる、または、適当な押圧子で
多層配線16とほぼ同一面に整形し該下面と面接触せしめ
る、或いは、加熱溶融し導体層23に充填せしめ該下面と
面接触するようになる。
絶縁層15a 〜15d からなる多層配線16を形成し、多層配
線16を貫通する放熱ヴィア35は、順次被着した絶縁層15
a 〜15d の不要部をその被着順に除去してすり鉢形状の
透孔22を形成し、透孔22の内壁に導体層23を被着形成
し、ワイヤボールボンディングにより例えば半田バンプ
36を導体層23に被着して完成する。かかるバンプ36は、
多層配線16に搭載する素子の下面を押し付けることによ
って該下面と面接触せしめる、または、適当な押圧子で
多層配線16とほぼ同一面に整形し該下面と面接触せしめ
る、或いは、加熱溶融し導体層23に充填せしめ該下面と
面接触するようになる。
【００１８】図１(ホ) において、絶縁基板３の表面には
絶縁層15a 〜15d からなる多層配線16を形成し、多層配
線16を貫通する放熱ヴィア37は、順次被着した絶縁層15
a 〜15d の不要部をその被着順に除去してすり鉢形状の
透孔22を形成し、透孔22の内壁に導体層23を被着形成し
たのち、多層配線16にマスク38を重ね、気相成長法によ
って半田（または金やニッケル等）の金属39を導体層23
に堆積形成させて完成する。
絶縁層15a 〜15d からなる多層配線16を形成し、多層配
線16を貫通する放熱ヴィア37は、順次被着した絶縁層15
a 〜15d の不要部をその被着順に除去してすり鉢形状の
透孔22を形成し、透孔22の内壁に導体層23を被着形成し
たのち、多層配線16にマスク38を重ね、気相成長法によ
って半田（または金やニッケル等）の金属39を導体層23
に堆積形成させて完成する。
【００１９】図１(ヘ) において、絶縁基板３の表面には
絶縁層15a 〜15d からなる多層配線16を形成し、多層配
線16を貫通する放熱ヴィア40は、順次被着した絶縁層15
a 〜15d の不要部をその被着順に除去してすり鉢形状の
透孔22を形成し、透孔22の内壁に導体層23を形成したの
ち、多層配線16の上にレジストマスク41を形成し、気相
成長法またはめっき法によって半田（または金やニッケ
ル等）の金属42を導体層23に堆積形成させてたのち、レ
ジストマスク40を除去して完成する。
絶縁層15a 〜15d からなる多層配線16を形成し、多層配
線16を貫通する放熱ヴィア40は、順次被着した絶縁層15
a 〜15d の不要部をその被着順に除去してすり鉢形状の
透孔22を形成し、透孔22の内壁に導体層23を形成したの
ち、多層配線16の上にレジストマスク41を形成し、気相
成長法またはめっき法によって半田（または金やニッケ
ル等）の金属42を導体層23に堆積形成させてたのち、レ
ジストマスク40を除去して完成する。
【００２０】さらに、レジストマスク41を利用し堆積さ
せた金属42が半田であるときには、その半田を加熱溶融
することによって、発熱搭載素子に対する接触面積が広
くなり、放熱効率が向上する。
せた金属42が半田であるときには、その半田を加熱溶融
することによって、発熱搭載素子に対する接触面積が広
くなり、放熱効率が向上する。
【００２１】図２(イ) において、絶縁基板３の表面に被
着した導体膜より第１の層間導体パターン45a を形成し
たのち、それらの上に図２(ロ) に示す如く第１の絶縁層
15aを被着させる。導体パターン45a は従来の導体パタ
ーン７a に相当し、図示しない他の導体パターンと共
に、同一導体膜より形成する。
着した導体膜より第１の層間導体パターン45a を形成し
たのち、それらの上に図２(ロ) に示す如く第１の絶縁層
15aを被着させる。導体パターン45a は従来の導体パタ
ーン７a に相当し、図示しない他の導体パターンと共
に、同一導体膜より形成する。
【００２２】次いで、図２(ハ) に示す如く、絶縁層15a
に被着したレジストマスク46を利用して、絶縁層15a に
透孔22a を形成する。透孔22a の側壁面は、一般に図示
する如く、浅いすり鉢形状になる。
に被着したレジストマスク46を利用して、絶縁層15a に
透孔22a を形成する。透孔22a の側壁面は、一般に図示
する如く、浅いすり鉢形状になる。
【００２３】次いで、図２(ニ) に示す如く第１の導体膜
47a を被着したのち、図２(ホ) に示す如く、導体膜47a
の不要部を除去して第２の層間導体パターン45b を形成
し、その上に第２の絶縁層15b を被着させる。導体パタ
ーン45b は従来の導体パターン７b に相当し、絶縁層15
b の上に形成される他の導体パターン (図示せず) と共
に、導体膜47a より形成する。
47a を被着したのち、図２(ホ) に示す如く、導体膜47a
の不要部を除去して第２の層間導体パターン45b を形成
し、その上に第２の絶縁層15b を被着させる。導体パタ
ーン45b は従来の導体パターン７b に相当し、絶縁層15
b の上に形成される他の導体パターン (図示せず) と共
に、導体膜47a より形成する。
【００２４】次いで、図２(ヘ) に示す如く、絶縁層15b
に被着したレジストマスク48を利用して、透孔22a より
少し大径の透孔22b を絶縁層15b に形成し、その上に図
２(ト) に示す如く第２の導体膜47b を被着させたのち、
導体膜47b の不要部を除去して図２(チ) に示す如く、第
３の層間導体パターン45cを形成する。導体パターン45c
従来の導体パターン７c に相当し、絶縁層15b の上に
形成される他の導体パターン (図示せず) と共に、導体
膜47b より形成する。
に被着したレジストマスク48を利用して、透孔22a より
少し大径の透孔22b を絶縁層15b に形成し、その上に図
２(ト) に示す如く第２の導体膜47b を被着させたのち、
導体膜47b の不要部を除去して図２(チ) に示す如く、第
３の層間導体パターン45cを形成する。導体パターン45c
従来の導体パターン７c に相当し、絶縁層15b の上に
形成される他の導体パターン (図示せず) と共に、導体
膜47b より形成する。
【００２５】図２(リ) において、第３の絶縁層15c,第４
の絶縁層15d,第４の層間導体パターン45d,表面の導体パ
ターン49を、絶縁層15b および導体パターン45c と同様
に形成し、多層配線16をその厚さ方向に貫通するすり鉢
形状の放熱ヴィア用凹所50が完成する。かかる凹所50
は、図１に示す放熱ヴィア21,31,35,37,40に適用するも
のであり、導体パターン45a,45b,45c,45d,49はそれぞれ
の中央部が密着するようになる。
の絶縁層15d,第４の層間導体パターン45d,表面の導体パ
ターン49を、絶縁層15b および導体パターン45c と同様
に形成し、多層配線16をその厚さ方向に貫通するすり鉢
形状の放熱ヴィア用凹所50が完成する。かかる凹所50
は、図１に示す放熱ヴィア21,31,35,37,40に適用するも
のであり、導体パターン45a,45b,45c,45d,49はそれぞれ
の中央部が密着するようになる。
【００２６】図３において、図１に示す放熱ヴィア26の
ための凹所51は、絶縁基板３の表面に導体パターン45a,
45b,45c,45d 並びに絶縁層15a,15b,15c,15d を凹所50の
それらと同一方法で形成したのち、中央部が導体パター
ン45d に密着する導体パターン52を、絶縁層15d の表面
に形成する。そして、導体パターン52の一部は他の部分
より大きく絶縁層15d の表面に張り出し、半田バンプの
接合可能なパッド53となり、パッド53は図１に示すパッ
ド28に相当する。
ための凹所51は、絶縁基板３の表面に導体パターン45a,
45b,45c,45d 並びに絶縁層15a,15b,15c,15d を凹所50の
それらと同一方法で形成したのち、中央部が導体パター
ン45d に密着する導体パターン52を、絶縁層15d の表面
に形成する。そして、導体パターン52の一部は他の部分
より大きく絶縁層15d の表面に張り出し、半田バンプの
接合可能なパッド53となり、パッド53は図１に示すパッ
ド28に相当する。
【００２７】図４において、図１に示す放熱ヴィア31の
ための凹所54は、絶縁基板３の表面に導体パターン45a,
45b,45c,45d,49並びに絶縁層15a,15b,15c,15d を凹所50
のそれらと同一方法で形成したのち、導体パターン49を
覆う金の薄膜パターン55を形成する。金の薄膜パターン
55の一部は、導体パターン49より大きく絶縁層15d の表
面に張り出して、図１のパッド34に相当するパッド56を
形成する。
ための凹所54は、絶縁基板３の表面に導体パターン45a,
45b,45c,45d,49並びに絶縁層15a,15b,15c,15d を凹所50
のそれらと同一方法で形成したのち、導体パターン49を
覆う金の薄膜パターン55を形成する。金の薄膜パターン
55の一部は、導体パターン49より大きく絶縁層15d の表
面に張り出して、図１のパッド34に相当するパッド56を
形成する。
【００２８】上記実施例において、絶縁層15a,15b,15c,
15d には、従来の薄膜多層配線に多く利用される感光性
ポリイミドを、厚さ20〜30μm にスピンコートして使用
した。また、導体パターン45a,45b,45c,45d の形成例と
して、厚さ0.１μm 程度のクロム, 厚さ５μm 程度の
銅, 厚さ0.２μm程度のニッケルを積層した導電膜を利
用したが、導体層23および27の表面は、溶融半田または
堆積金属とのぬれ性 (接着力) をよくするため、例えば
金を被着することが望ましい。さらに、半田ボール24,
半田バンプ30, 半田導体層39および42には、Pb/Sn 半
田,Pb/In半田,In/Sn半田,Au/Sn半田を利用したが、これ
らの半田は何れも良い結果が得られた。
15d には、従来の薄膜多層配線に多く利用される感光性
ポリイミドを、厚さ20〜30μm にスピンコートして使用
した。また、導体パターン45a,45b,45c,45d の形成例と
して、厚さ0.１μm 程度のクロム, 厚さ５μm 程度の
銅, 厚さ0.２μm程度のニッケルを積層した導電膜を利
用したが、導体層23および27の表面は、溶融半田または
堆積金属とのぬれ性 (接着力) をよくするため、例えば
金を被着することが望ましい。さらに、半田ボール24,
半田バンプ30, 半田導体層39および42には、Pb/Sn 半
田,Pb/In半田,In/Sn半田,Au/Sn半田を利用したが、これ
らの半田は何れも良い結果が得られた。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、放
熱ヴィアの形成が容易化し、生産性を向上せしめた効果
がある。
熱ヴィアの形成が容易化し、生産性を向上せしめた効果
がある。
【図１】 本発明による放熱ヴィアの基本構成の説明図
である。
である。
【図２】 本発明の実施例による放熱ヴィア用透孔の基
本工程の説明図である。
本工程の説明図である。
【図３】 本発明の他の実施例による放熱ヴィア用透孔
の基本構成の説明図である。
の基本構成の説明図である。
【図４】 本発明のさらに他の実施例による放熱ヴィア
用透孔の基本構成の説明図である。
用透孔の基本構成の説明図である。
【図５】 従来の多層回路基板に形成した放熱ヴィアの
説明図である。
説明図である。
【図６】 図５に示す多層配線と放熱ヴィアの製造工程
の説明図である。
の説明図である。
３は絶縁基板 15a 〜15d は多層配線の絶縁層 16は多層配線 21,26,31,35,37,40 は放熱ヴィア 22は多層配線に形成したすり鉢形状の透孔 22a,22b は多層配線のすり鉢形状透孔の一部分となる透
孔 23,27 はすり鉢形状の透孔の内壁に被着する導体層 25,29,32は充填金属 30は半田バンプ 36は金属バンプ 39,42 は堆積金属
孔 23,27 はすり鉢形状の透孔の内壁に被着する導体層 25,29,32は充填金属 30は半田バンプ 36は金属バンプ 39,42 は堆積金属
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 3/46 H05K 1/02
Claims (10)
- 【請求項１】 絶縁基板(3) の表面に形成した多層配線
(16)をその厚さ方向に貫通するすり鉢形状の透孔(22)の
内壁に、該多層配線(16)の層間導体パターンおよび該多
層配線の表面の導体パターンと共に形成された導体層(2
3,27) が被着され、該導体層(23,27) の内側に金属(25,
29,32,39,42)が充填されてなることを特徴とする放熱ヴ
ィア。 - 【請求項２】 絶縁基板(3) の表面に形成した多層配線
(16)をその厚さ方向に貫通するすり鉢形状の透孔(22)の
内壁に、該多層配線(16)の層間導体パターンおよび該多
層配線の表面の導体パターンと共に形成された導体層(2
3)が被着され、該導体層(23)に該透孔(22)より上端部が
突出する金属バンプ(36)が被着されてなることを特徴と
する放熱ヴィア。 - 【請求項３】 絶縁基板(3) の表面に第１の絶縁層(15
a) を被着し、該第１の絶縁層(15a) には該絶縁基板(3)
表面の一部を表呈せしめる第１の透孔(22a)を形成し、
該第１の透孔(22a) の内壁に被着する導体層(45b) を該
第１の絶縁層(15a) の表面に形成される層間導体パター
ンと共に形成し、該第１の絶縁層(15a) および該第１の
透孔(22a) を覆う第２の絶縁層(15b) を被着し、該第２
の絶縁層(15b) には該第１の透孔(22a) より大径かつ該
第１の透孔(22a) に重なる第２の透孔(22b) を形成し、
該第２の透孔(22b) の内壁に被着する導体層(45c) を該
第２の絶縁層(15b) の表面に形成される層間導体パター
ンと共に形成し、該第２の絶縁層(15b),第２の透孔(22
b),第２の透孔の内壁に被着する導体層(45c) と同じ形
成工程の繰り返しによって内壁に導体層(23,27) が被着
するすり鉢形状の透孔(22)があいた多層配線(16)を該絶
縁基板(3) の表面に形成し、該導体層(23,27) の内側に
金属(25,29,32,29,42)を充填させることを特徴とする放
熱ヴィアの形成方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の多層配線(16)に形成した
透孔(22)の内壁に被着する導体層(27)の一部(28)が該多
層配線(16)の表面に延在し、該多層配線(16)の表面に延
在する導体層(27)の一部(28)に半田バンプ(30)を搭載
し、該半田バンプ(30)を加熱溶融せしめて該透孔(22)内
の導体層(27)に半田充填させることを特徴とする放熱ヴ
ィアの形成方法。 - 【請求項５】 請求項３記載の多層配線(16)に形成した
透孔(22)の内壁に被着する導体層(23)に重なり、一部分
(34)が該多層配線(16)の表面に延在する金の薄膜パター
ン(33)を形成し、該延在部分(34)に半田バンプ(30)を搭
載し、該半田バンプ(30)を加熱溶融せしめ、該金薄膜パ
ターン(33)が溶け込んだ半田(32)を該透孔(22)内の導体
層(23)に充填させることを特徴とする放熱ヴィアの形成
方法。 - 【請求項６】 請求項３記載の多層配線(16)に形成した
透孔(22)の内壁に被着する導体層(23)に、金属バンプ(2
3)を被着させることを特徴とする放熱ヴィアの形成方
法。 - 【請求項７】 請求項６記載の金属バンプ(23)に半田を
使用することを特徴とする放熱ヴィアの形成方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の半田バンプ(23)を加熱溶
融せしめ、前記透孔(22)の内壁に被着する導体層(23)内
に半田充填させることを特徴とする放熱ヴィアの形成方
法。 - 【請求項９】 請求項３記載の多層配線(16)に形成した
透孔(22)の内壁に被着する導体層(23)に、気相成長法ま
たはめっき法によって金属(39,42) を堆積させることを
特徴とする放熱ヴィアの形成方法。 - 【請求項10】 請求項３記載の多層配線(16)に形成した
透孔(22)の内壁に被着する導体層(23)に、めっき法によ
って半田を堆積させたのち、該堆積半田を加熱溶融し充
填させることを特徴とする放熱ヴィアの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124145A JP2819859B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 放熱ヴィアとその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124145A JP2819859B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 放熱ヴィアとその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04350993A JPH04350993A (ja) | 1992-12-04 |
| JP2819859B2 true JP2819859B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=14878050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3124145A Expired - Lifetime JP2819859B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 放熱ヴィアとその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819859B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5401913A (en) * | 1993-06-08 | 1995-03-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Electrical interconnections between adjacent circuit board layers of a multi-layer circuit board |
-
1991
- 1991-05-29 JP JP3124145A patent/JP2819859B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04350993A (ja) | 1992-12-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980728 |