JP2802207B2 - 化合物半導体の合成方法及び太陽電池素子の製造方法 - Google Patents
化合物半導体の合成方法及び太陽電池素子の製造方法Info
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体の合成方
法、特にIB族元素(Ag,Cu) 、IIIB族元素(Al,In) 及びVI
Ｂ族元素(S,Se,Te) を積層してそれらの化合物半導体を
得る合成方法及び太陽電池素子の製造方法に関するもの
である。
法、特にIB族元素(Ag,Cu) 、IIIB族元素(Al,In) 及びVI
Ｂ族元素(S,Se,Te) を積層してそれらの化合物半導体を
得る合成方法及び太陽電池素子の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ＣｕＩｎＳｅ2 に代表されるI-III-VI2
族系の化合物半導体は光吸収係数が大きく、禁止帯幅を
広い範囲で制御できることから、新しい高効率薄膜太陽
電池材料として有力視されている。この種の化合物半導
体の製造方法としては種々のものが提案されているが、
このうちでIB族元素(Ag,Cu) 、IIIB族元素(Al,In) 及び
VIＢ族元素(S,Se,Te) を積層してそれらの化合物半導体
を得る方法としては電気メッキ法及び真空蒸着法があ
る。
族系の化合物半導体は光吸収係数が大きく、禁止帯幅を
広い範囲で制御できることから、新しい高効率薄膜太陽
電池材料として有力視されている。この種の化合物半導
体の製造方法としては種々のものが提案されているが、
このうちでIB族元素(Ag,Cu) 、IIIB族元素(Al,In) 及び
VIＢ族元素(S,Se,Te) を積層してそれらの化合物半導体
を得る方法としては電気メッキ法及び真空蒸着法があ
る。
【０００３】電気メッキ法は、例えばＣｕ源には可溶性
電解質であるＣｕＳＯ4 、Ｉｎ源には同じくＩｎＣｌ3
を用い、これらの水溶液を電気分解して、Ｔｉカソード
基板上に、段階的にＣｕとＩｎの２層、あるいは、Ｃｕ
−Ｉｎ合金層の被膜を電気メッキし、これらをカルコゲ
ン（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）または、カルコゲン化水素（Ｈ2
Ｓ，Ｈ2 Ｓｅ）雰囲気中で熱処理するか、Ｃｕ−Ｉｎ層
の上に、さらに、ＳやＳｅの層を電着した後、熱処理し
てＣｕＩｎＸ2 （Ｘ＝Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）被膜を形成させ
るものである。
電解質であるＣｕＳＯ4 、Ｉｎ源には同じくＩｎＣｌ3
を用い、これらの水溶液を電気分解して、Ｔｉカソード
基板上に、段階的にＣｕとＩｎの２層、あるいは、Ｃｕ
−Ｉｎ合金層の被膜を電気メッキし、これらをカルコゲ
ン（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）または、カルコゲン化水素（Ｈ2
Ｓ，Ｈ2 Ｓｅ）雰囲気中で熱処理するか、Ｃｕ−Ｉｎ層
の上に、さらに、ＳやＳｅの層を電着した後、熱処理し
てＣｕＩｎＸ2 （Ｘ＝Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）被膜を形成させ
るものである。
【０００４】真空蒸着法は、例えばＣｕ及びＩｎの塊状
の金属と、Ｓｅのタブレットをそれぞれ蒸発源に用い、
電子ビーム加熱または抵抗加熱により、適当な基板（Ｔ
ｉ，Ｍｏなど）の上にそれぞれの薄膜（１〜２μｍ）を
蒸着させた後、基板に接していないＳｅ面を空気を遮断
するためと蒸発を抑えるためにカーボンブロック等で覆
って熱処理し、ＣｕＩｎＳｅ2 の薄膜を形成させるもの
である。
の金属と、Ｓｅのタブレットをそれぞれ蒸発源に用い、
電子ビーム加熱または抵抗加熱により、適当な基板（Ｔ
ｉ，Ｍｏなど）の上にそれぞれの薄膜（１〜２μｍ）を
蒸着させた後、基板に接していないＳｅ面を空気を遮断
するためと蒸発を抑えるためにカーボンブロック等で覆
って熱処理し、ＣｕＩｎＳｅ2 の薄膜を形成させるもの
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、電気メッキ法
では、被膜の膜厚と組成が電流効率とFaraday の法則に
よって制御されることになり、アノードに不溶性の白金
板を用いるため、メッキの進行と共に、溶液中の金属イ
オン濃度が減少し、均一な品質の被膜を連続的に得るこ
とが困難である。
では、被膜の膜厚と組成が電流効率とFaraday の法則に
よって制御されることになり、アノードに不溶性の白金
板を用いるため、メッキの進行と共に、溶液中の金属イ
オン濃度が減少し、均一な品質の被膜を連続的に得るこ
とが困難である。
【０００６】また、電気メッキ法では、メッキ層を加熱
反応させて３元化合物を合成する際にシアン化水素より
はるかに毒性の強いセレン化水素を雰囲気ガスとして使
用しなければならないので、環境管理の面で極めて問題
がある。
反応させて３元化合物を合成する際にシアン化水素より
はるかに毒性の強いセレン化水素を雰囲気ガスとして使
用しなければならないので、環境管理の面で極めて問題
がある。
【０００７】また、真空蒸着法では、膜厚を厳密に制御
して化学量論比を保つために、高価で精密な装置を要す
るし、イオンプレーティング以外の真空蒸着法を用いた
場合は、出発原料の一部だけが目的基板上に達し、残り
は真空装置の器壁に付着することになるので、原料を有
効に使うことができず、製造コストが高くなる。
して化学量論比を保つために、高価で精密な装置を要す
るし、イオンプレーティング以外の真空蒸着法を用いた
場合は、出発原料の一部だけが目的基板上に達し、残り
は真空装置の器壁に付着することになるので、原料を有
効に使うことができず、製造コストが高くなる。
【０００８】また、上記いずれの方法も特定の基板又は
カソードを必要とし、この上に形成した数ミクロン程度
のＣｕ薄膜及びＩｎ薄膜を原料としているので生成物を
大量生産することが困難である。
カソードを必要とし、この上に形成した数ミクロン程度
のＣｕ薄膜及びＩｎ薄膜を原料としているので生成物を
大量生産することが困難である。
【０００９】更に、上記いずれの方法も原料の比率を制
御することが難しいので、生成物の化学量論比を一定に
維持することが難しく、従って、生成物の伝導型（ｐ
型、ｎ型）をあらかじめ決めて合成することが難しい。
御することが難しいので、生成物の化学量論比を一定に
維持することが難しく、従って、生成物の伝導型（ｐ
型、ｎ型）をあらかじめ決めて合成することが難しい。
【００１０】本発明では、これらの問題を解決するため
になされたもので、大気圧下で安全、迅速簡便かつ、経
済的に操作でき、原料のほとんど全部を目的とする化合
物に変換でき、生成物の化学量論比を自由に調節してｐ
型、ｎ型のいずれの伝導型も容易に得ることができ、大
量生産を展望できる化合物半導体の合成方法及び太陽電
池素子の製造方法を提供することを目的とする。
になされたもので、大気圧下で安全、迅速簡便かつ、経
済的に操作でき、原料のほとんど全部を目的とする化合
物に変換でき、生成物の化学量論比を自由に調節してｐ
型、ｎ型のいずれの伝導型も容易に得ることができ、大
量生産を展望できる化合物半導体の合成方法及び太陽電
池素子の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するために手段】本発明は、IB族元素の金
属板とIIIB族元素の金属板との間に VIB族元素の粉末を
はさみ、これらを不活性な耐熱板で押圧挟持させ、一方
の金属板の融点より低い温度で加熱し、原子の相互拡散
に基づく反応により化合物半導体を合成するものであ
る。
属板とIIIB族元素の金属板との間に VIB族元素の粉末を
はさみ、これらを不活性な耐熱板で押圧挟持させ、一方
の金属板の融点より低い温度で加熱し、原子の相互拡散
に基づく反応により化合物半導体を合成するものであ
る。
【００１２】ここで、IB族元素としてはＣｕ，Ａｇを、
IIIB族元素としてはＩｎ，Ａｌを、VIB 族元素としては
Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅを挙げることができる。なお、ＩＢ族元
素の代わりにIIＢ族元素（Ｚｎ，Ｃｄ）を使用し、IIIB
族元素の代わりにIIIA族元素を使用してもこの種の化合
物半導体を合成することは可能と思われる。
IIIB族元素としてはＩｎ，Ａｌを、VIB 族元素としては
Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅを挙げることができる。なお、ＩＢ族元
素の代わりにIIＢ族元素（Ｚｎ，Ｃｄ）を使用し、IIIB
族元素の代わりにIIIA族元素を使用してもこの種の化合
物半導体を合成することは可能と思われる。
【００１３】IB族元素の金属板とIIIB族元素の金属板の
厚さは０．１〜０．５ｍｍ程度が好ましい。ここで、IB
族元素の金属板とIIIB族元素の金属板の厚さの下限を
０．１ｍｍとしたのは、手での取り扱い易さの限界を考
慮したためである。また、IB族元素の金属板とIIIB族元
素の金属板の厚さの上限を０．５ｍｍとしたが、０．５
ｍｍを越える場合を除外するものではない。
厚さは０．１〜０．５ｍｍ程度が好ましい。ここで、IB
族元素の金属板とIIIB族元素の金属板の厚さの下限を
０．１ｍｍとしたのは、手での取り扱い易さの限界を考
慮したためである。また、IB族元素の金属板とIIIB族元
素の金属板の厚さの上限を０．５ｍｍとしたが、０．５
ｍｍを越える場合を除外するものではない。
【００１４】加熱温度は、５００〜１０００℃の範囲が
好ましい。ここで、加熱温度の下限を５００℃としたの
は、５００℃からＣｕＩｎＳｅ2 が形成され始めるから
である。また、この場合の加熱は酸化防止のため、窒素
ガスや不活性ガス等の非酸化性雰囲気中において行なう
のが好ましい。
好ましい。ここで、加熱温度の下限を５００℃としたの
は、５００℃からＣｕＩｎＳｅ2 が形成され始めるから
である。また、この場合の加熱は酸化防止のため、窒素
ガスや不活性ガス等の非酸化性雰囲気中において行なう
のが好ましい。
【００１５】IB族元素／IIIB族元素の原子比は０．８〜
１．２の範囲が好ましい。
１．２の範囲が好ましい。
【００１６】形成されたＣｕＩｎＳｅ2 膜は、反応過程
における原子移動で１０〜２０％の収縮とこれに伴う変
形を生じる。しかし、融点の高い金属、例えば、Ｃｕ板
を厚いものにし、その上を化学量論比のＳｅとＩｎで覆
い、更に、不活性な耐熱板で覆って空気との接触を避け
て熱処理をすれば、ＣｕＩｎＳｅ2 ／Ｃｕのｐ型層が寸
法が安定した状態で得られる。
における原子移動で１０〜２０％の収縮とこれに伴う変
形を生じる。しかし、融点の高い金属、例えば、Ｃｕ板
を厚いものにし、その上を化学量論比のＳｅとＩｎで覆
い、更に、不活性な耐熱板で覆って空気との接触を避け
て熱処理をすれば、ＣｕＩｎＳｅ2 ／Ｃｕのｐ型層が寸
法が安定した状態で得られる。
【００１７】更に、このものの上にｎ型のＣｄＳ層をつ
けることで、ｎ−ＣｄＳ／ｐ−ＣｕＩｎＳｅ2 ／Ｃｕと
なり、基板のＣｕは集電体となるので固体太陽電池を好
都合に構成できる。
けることで、ｎ−ＣｄＳ／ｐ−ＣｕＩｎＳｅ2 ／Ｃｕと
なり、基板のＣｕは集電体となるので固体太陽電池を好
都合に構成できる。
【００１８】
【作用】次に、IB族元素の金属板（Ｃｕ板）とIIIB族元
素の金属板（Ｉｎ板）との間にVIB 族元素の粉末をはさ
み、これらを不活性な耐熱板で押圧挟持させ、一方の金
属板の融点より低い温度で加熱した場合の化学反応を、
IB族金属がＣｕ、IIIB族金属がＩｎ、VIB 族元素がＳｅ
である場合について説明する。
素の金属板（Ｉｎ板）との間にVIB 族元素の粉末をはさ
み、これらを不活性な耐熱板で押圧挟持させ、一方の金
属板の融点より低い温度で加熱した場合の化学反応を、
IB族金属がＣｕ、IIIB族金属がＩｎ、VIB 族元素がＳｅ
である場合について説明する。
【００１９】まず、２３０℃以下の加熱では 2Ｉｎ＋Ｓｅ→Ｉｎ2 Ｓｅ の反応が爆発的に起こる。次に、３５０℃付近までに、 3Ｉｎ2 Ｓｅ＋ 2Ｓｅ2 →Ｉｎ6 Ｓｅ7 と Ｃｕ＋ 2/3Ｓｅ2 → 1/3Ｃｕ3 Ｓｅ2 の反応が進行し、５００℃までに 1/3Ｃｕ3 Ｓｅ2 → 1/7Ｃｕ7 Ｓｅ4 ＋ 2/21Ｓｅ の反応が進行し、５００℃を越えると、 1/7Ｃｕ7 Ｓｅ4 ＋ 1/2Ｉｎ2 Ｓｅ＋ 13/14Ｓｅ→ＣｕＩｎＳｅ2 の反応が進行し、６００℃以上で 1/7Ｃｕ7 Ｓｅ4 ＋ 1/6Ｉｎ6 Ｓｅ7 ＋ 11/42Ｓｅ→ＣｕＩｎＳｅ2 の反応が進行して化合物半導体が合成される。
【００２０】
【実施例】実施例１ 図１に示すように、８mm×１７mm×０．２mmのＣｕ板１
０と８mm×１７mm×０．４５mmのＩｎ板１２との間に
０．１４ｇのＳｅ微粉末１４をほぼ均一な厚さにして挟
み（Ｃｕ：Ｉｎ：Ｓｅ＝１：１．０２：２．０４）、こ
れを厚さ３mm、直径３０mmの２枚の高純度グラファイト
円板１６，１６の間に挟み、グラファイト円板の周囲に
あけた複数の孔にボルト１８を各々通し、グラファイト
円板の周囲をこれらのボルトで均一に締め付けた。
０と８mm×１７mm×０．４５mmのＩｎ板１２との間に
０．１４ｇのＳｅ微粉末１４をほぼ均一な厚さにして挟
み（Ｃｕ：Ｉｎ：Ｓｅ＝１：１．０２：２．０４）、こ
れを厚さ３mm、直径３０mmの２枚の高純度グラファイト
円板１６，１６の間に挟み、グラファイト円板の周囲に
あけた複数の孔にボルト１８を各々通し、グラファイト
円板の周囲をこれらのボルトで均一に締め付けた。
【００２１】次に、これらを管状電気炉中の磁製管内に
入れ、窒素ガスを通しながら、８００℃で５時間加熱し
た。
入れ、窒素ガスを通しながら、８００℃で５時間加熱し
た。
【００２２】冷却後、グラファイト円板の周囲のボルト
を外し、このグラファイト円板をアセトンに浸し、グラ
ファイト円板の内側に密着形成されている生成物の膜を
分離し、その結晶構造をＸ線回折装置で調べた。結果は
図２に示すＸ線回折図の通りとなった。このＸ線回折図
から、上記のような方法でＣｕ，Ｉｎ及びＳｅを反応さ
せるとＣｕＩｎＳｅ2 が形成されることがわかる。
を外し、このグラファイト円板をアセトンに浸し、グラ
ファイト円板の内側に密着形成されている生成物の膜を
分離し、その結晶構造をＸ線回折装置で調べた。結果は
図２に示すＸ線回折図の通りとなった。このＸ線回折図
から、上記のような方法でＣｕ，Ｉｎ及びＳｅを反応さ
せるとＣｕＩｎＳｅ2 が形成されることがわかる。
【００２３】実施例２ 加熱温度を５００，６００，７００，８００℃と変化さ
せた以外は実施例１と同様の実験をし、生成物の結晶構
造をＸ線回折装置で調べたところ、図３のＸ線回折図に
示す通りとなった。このＸ線回折図から、ＣｕＩｎＳｅ
2 の形成が５００℃より認められ、８００℃では殆どCh
alcopyrite型のＣｕＩｎＳｅ2 となっていることがわか
る。
せた以外は実施例１と同様の実験をし、生成物の結晶構
造をＸ線回折装置で調べたところ、図３のＸ線回折図に
示す通りとなった。このＸ線回折図から、ＣｕＩｎＳｅ
2 の形成が５００℃より認められ、８００℃では殆どCh
alcopyrite型のＣｕＩｎＳｅ2 となっていることがわか
る。
【００２４】実施例３ 加熱温度を８００℃とし、Ｃｕ／Ｉｎの比を０．８〜
１．２まで変化させた以外は実施例１と同様の実験を
し、生成物の結晶構造をＸ線回折装置で調べるととも
に、その伝導型を熱起電力法で調べた。結果は図４に示
す通りとなった。すなわち、Ｃｕ／Ｉｎが０．８〜０．
９ではｎ型、１〜１．２ではｐ型となっており、Ｉｎ過
剰の組成では明らかにＩｎＳｅ相が含まれていた。
１．２まで変化させた以外は実施例１と同様の実験を
し、生成物の結晶構造をＸ線回折装置で調べるととも
に、その伝導型を熱起電力法で調べた。結果は図４に示
す通りとなった。すなわち、Ｃｕ／Ｉｎが０．８〜０．
９ではｎ型、１〜１．２ではｐ型となっており、Ｉｎ過
剰の組成では明らかにＩｎＳｅ相が含まれていた。
【００２５】実施例４ Ｃｕ／Ｉｎが１．２の試料を８００℃で５時間熱処理し
た以外は実施例１と同様の実験をし、生成物の結晶構造
をＸ線回折装置で調べたところ、図５のＸ線回折図に示
す通りとなった。この生成物の回折ピークは鋭くなって
おり、結晶成長の進行が見られた。このものの反射スペ
クトルの示差曲線から推定した禁止帯幅は０．９８ｅＶ
で文献の値と一致した。
た以外は実施例１と同様の実験をし、生成物の結晶構造
をＸ線回折装置で調べたところ、図５のＸ線回折図に示
す通りとなった。この生成物の回折ピークは鋭くなって
おり、結晶成長の進行が見られた。このものの反射スペ
クトルの示差曲線から推定した禁止帯幅は０．９８ｅＶ
で文献の値と一致した。
【００２６】実施例５ Ｉｎの代わりにＡｌを用いた以外は実施例１と同様の実
験をし、生成物の結晶構造をＸ線回折装置で調べたとこ
ろ、図６のＸ線回折図に示す通りとなった。この結果か
ら、Ｉｎの代わりにＡｌを用いるとＣｕＡｌＳｅ2 が形
成されることがわかる。
験をし、生成物の結晶構造をＸ線回折装置で調べたとこ
ろ、図６のＸ線回折図に示す通りとなった。この結果か
ら、Ｉｎの代わりにＡｌを用いるとＣｕＡｌＳｅ2 が形
成されることがわかる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、原料物質の化学量論比
を、IB族元素の金属板の厚さと、IIIB族元素の金属板の
厚さと、VIB 族元素の粉末の添加量で調節できるので、
所望の伝導型（ｐ型、ｎ型）の化合物半導体を容易に製
造することができる。
を、IB族元素の金属板の厚さと、IIIB族元素の金属板の
厚さと、VIB 族元素の粉末の添加量で調節できるので、
所望の伝導型（ｐ型、ｎ型）の化合物半導体を容易に製
造することができる。
【００２８】本発明によれば、原料物質の殆ど全てが最
終生成物に変換されるので収率が極めて良く、化合物半
導体を低コストで製造することができる。
終生成物に変換されるので収率が極めて良く、化合物半
導体を低コストで製造することができる。
【００２９】本発明によれば、メッキ層よりもはるかに
厚い板及び粉末を原料物質として使用することができる
ので、化合物半導体を大量に製造することができる。
厚い板及び粉末を原料物質として使用することができる
ので、化合物半導体を大量に製造することができる。
【００３０】本発明によれば、メッキや真空蒸着といっ
た手間がかからないので、化合物半導体を簡単に、低コ
ストで製造することができる。
た手間がかからないので、化合物半導体を簡単に、低コ
ストで製造することができる。
【００３１】本発明によれば、有害、あるいは腐食性の
副生成物や未反応種を装置内に残さないので、装置の保
守が容易で、安全かつ簡便、経済的に反応を進めること
ができる。
副生成物や未反応種を装置内に残さないので、装置の保
守が容易で、安全かつ簡便、経済的に反応を進めること
ができる。
【００３２】本発明によれば、真空蒸着装置のような高
価な設備を必要としないので、化合物半導体を低コスト
で製造することができる。
価な設備を必要としないので、化合物半導体を低コスト
で製造することができる。
【図１】実施例１における出発原料（Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓ
ｅ）の積層状態を示す説明図である。
ｅ）の積層状態を示す説明図である。
【図２】実施例１によって得られた生成物のＸ線回折図
である。
である。
【図３】実施例２によって得られた生成物のＸ線回折図
である。
である。
【図４】実施例３によって得られた生成物のＸ線回折図
である。
である。
【図５】実施例４によって得られた生成物のＸ線回折図
である。
である。
【図６】実施例５によって得られた生成物のＸ線回折図
である。
である。
１０ Ｃｕ板 １２ Ｉｎ板 １４ Ｓｅ微粉末 １６ グラファイト円板 １８ ボルト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−20381（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−31423（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−160061（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−231313（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−180715（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−324647（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/04
Claims (5)
- 【請求項１】 IB族元素の金属板とIIIB族元素の金属板
との間に、 VIB族元素の粉末を挟み、これらを化学的に
不活性な耐熱板で押圧挟持させて加熱し、前記３元素を
反応させることを特徴とする化合物半導体の合成方法。 - 【請求項２】 IB族金属板とIIIB族金属板の厚さが０．
１〜０．５ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の
化合物半導体の合成方法。 - 【請求項３】 加熱温度が、５００〜１０００℃である
ことを特徴とする請求項１または２記載の化合物半導体
の合成方法。 - 【請求項４】 IB族元素／IIIB族元素の原子比が０．８
〜１．２であることを特徴とする請求項１〜３記載の化
合物半導体の合成方法。 - 【請求項５】 IB族元素の金属板とIIIB族元素の金属板
のいずれか一方の金属板を厚くし、これらの金属板の間
に VIB族元素の粉末を挟み、これらを化学的に不活性な
耐熱板で押圧挟持させて加熱し、前記３元素を反応させ
て厚い金属板の上に半導体層を形成させ、更にこの半導
体層の上に伝導型の異なる別の半導体層を同様の方法で
形成させることを特徴とする太陽電池素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4312968A JP2802207B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 化合物半導体の合成方法及び太陽電池素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4312968A JP2802207B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 化合物半導体の合成方法及び太陽電池素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140655A JPH06140655A (ja) | 1994-05-20 |
| JP2802207B2 true JP2802207B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=18035655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4312968A Expired - Lifetime JP2802207B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 化合物半導体の合成方法及び太陽電池素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2802207B2 (ja) |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP4312968A patent/JP2802207B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06140655A (ja) | 1994-05-20 |
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