JP2800453B2 - 酸素濃度検出センサのヒータ制御装置 - Google Patents
酸素濃度検出センサのヒータ制御装置Info
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- JP2800453B2 JP2800453B2 JP3092298A JP9229891A JP2800453B2 JP 2800453 B2 JP2800453 B2 JP 2800453B2 JP 3092298 A JP3092298 A JP 3092298A JP 9229891 A JP9229891 A JP 9229891A JP 2800453 B2 JP2800453 B2 JP 2800453B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は酸素濃度検出センサのヒ
ータ制御装置に係り、特に内燃機関の排気通路に設置さ
れたヒータ付酸素濃度検出センサのヒータの抵抗値を目
標抵抗値となるようにヒータ供給電力を可変制御するヒ
ータ制御装置に関する。
ータ制御装置に係り、特に内燃機関の排気通路に設置さ
れたヒータ付酸素濃度検出センサのヒータの抵抗値を目
標抵抗値となるようにヒータ供給電力を可変制御するヒ
ータ制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】内燃機関の排気ガス中の酸素濃度を検出
する酸素濃度検出センサは、排気ガス中の温度が比較的
低い場合でも有効に作動できるよう、また素子温度を安
定に保つよう、酸素濃度検出センサを構成する固体電解
質や電極を加熱するためのヒータを備えたものがある。
このようなヒータ付酸素濃度検出センサにおいては、一
般に金属の電気抵抗がその金属の温度によって変化する
ため、電気抵抗を一定に制御することがその金属の温度
を一定にすることと等価であることに鑑み、ヒータ抵抗
値を目標抵抗値とするようにヒータ供給電力を制御し、
ヒータ温度を目標温度とするヒータ制御装置を備えたも
のが従来より知られている(例えば、特開昭57−19
7459号公報)。
する酸素濃度検出センサは、排気ガス中の温度が比較的
低い場合でも有効に作動できるよう、また素子温度を安
定に保つよう、酸素濃度検出センサを構成する固体電解
質や電極を加熱するためのヒータを備えたものがある。
このようなヒータ付酸素濃度検出センサにおいては、一
般に金属の電気抵抗がその金属の温度によって変化する
ため、電気抵抗を一定に制御することがその金属の温度
を一定にすることと等価であることに鑑み、ヒータ抵抗
値を目標抵抗値とするようにヒータ供給電力を制御し、
ヒータ温度を目標温度とするヒータ制御装置を備えたも
のが従来より知られている(例えば、特開昭57−19
7459号公報)。
【0003】ところで、このようなヒータ付酸素濃度検
出センサで検出した排気ガス中の酸素濃度に基づいて基
本燃料噴射時間を補正することにより、機関シリンダ内
に供給される混合気が予め定められた目標空燃比、例え
ば理論空燃比となるようにフィードバック制御する内燃
機関では、ヒータ付酸素濃度検出センサのヒータ抵抗を
学習し、ヒータの製品ばらつきを判別し、補正する必要
がある。
出センサで検出した排気ガス中の酸素濃度に基づいて基
本燃料噴射時間を補正することにより、機関シリンダ内
に供給される混合気が予め定められた目標空燃比、例え
ば理論空燃比となるようにフィードバック制御する内燃
機関では、ヒータ付酸素濃度検出センサのヒータ抵抗を
学習し、ヒータの製品ばらつきを判別し、補正する必要
がある。
【0004】そのため、従来より吸気温と機関冷却水温
とが等しいとき内燃機関が冷えていると判断し、ヒータ
が冷却水と熱平衡にあることから、その時の機関冷却水
温をヒータ温とみなして絶対零度のときのヒータ抵抗値
を算出し、ヒータの製品ばらつきを補償するヒータ制御
装置が知られている(特開昭60−164240号公
報)。
とが等しいとき内燃機関が冷えていると判断し、ヒータ
が冷却水と熱平衡にあることから、その時の機関冷却水
温をヒータ温とみなして絶対零度のときのヒータ抵抗値
を算出し、ヒータの製品ばらつきを補償するヒータ制御
装置が知られている(特開昭60−164240号公
報)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記の従来
のヒータ制御装置では、ヒータ温あるいはセンサ温度と
ヒータ抵抗値との特性が平行的にばらつくということを
前提としているが、実際には図15(B)にI,IIで示
す如く上記特性のばらつきは平行的ではない。従って同
図(A)に示す制御空燃比(A/F)がストイキのとき
における特性IIのヒータ付酸素濃度検出センサと、特性
Iのものとのヒータ抵抗値の差(RH2 −RH1 )と、
ストイキ以外の空燃比のときの両者のヒータ抵抗値の差
とは同じではない。
のヒータ制御装置では、ヒータ温あるいはセンサ温度と
ヒータ抵抗値との特性が平行的にばらつくということを
前提としているが、実際には図15(B)にI,IIで示
す如く上記特性のばらつきは平行的ではない。従って同
図(A)に示す制御空燃比(A/F)がストイキのとき
における特性IIのヒータ付酸素濃度検出センサと、特性
Iのものとのヒータ抵抗値の差(RH2 −RH1 )と、
ストイキ以外の空燃比のときの両者のヒータ抵抗値の差
とは同じではない。
【0006】このため、上記の従来のヒータ制御装置で
はヒータ付酸素濃度検出センサの製品ばらつきの補償が
十分でなく、このため誤学習を行ない、ヒータ温度が目
標温度よりずれ、その結果空燃比が目標空燃比よりずれ
てしまい、エミッションの悪化を引き起こす。
はヒータ付酸素濃度検出センサの製品ばらつきの補償が
十分でなく、このため誤学習を行ない、ヒータ温度が目
標温度よりずれ、その結果空燃比が目標空燃比よりずれ
てしまい、エミッションの悪化を引き起こす。
【0007】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
機関始動時にヒータに電力を供給し、その時のヒータ抵
抗値の上昇度合いに基づいて目標抵抗値を更新すること
により、上記の課題を解決した酸素濃度検出センサのヒ
ータ制御装置を提供することを目的とする。
機関始動時にヒータに電力を供給し、その時のヒータ抵
抗値の上昇度合いに基づいて目標抵抗値を更新すること
により、上記の課題を解決した酸素濃度検出センサのヒ
ータ制御装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的達成の
ために、図1に示す如く、内燃機関11の排気ガス中の
酸素濃度を検出する酸素濃度検出センサ12を加熱する
ためのヒータ13の抵抗値をヒータ抵抗値検出手段14
により検出し、そのヒータ抵抗値が目標抵抗値となるよ
うに電力制御手段15によりヒータ13への供給電力を
制御する酸素濃度検出センサのヒータ制御装置におい
て、目標抵抗値設定手段16を具備するようにしたもの
である。
ために、図1に示す如く、内燃機関11の排気ガス中の
酸素濃度を検出する酸素濃度検出センサ12を加熱する
ためのヒータ13の抵抗値をヒータ抵抗値検出手段14
により検出し、そのヒータ抵抗値が目標抵抗値となるよ
うに電力制御手段15によりヒータ13への供給電力を
制御する酸素濃度検出センサのヒータ制御装置におい
て、目標抵抗値設定手段16を具備するようにしたもの
である。
【0009】ここで、目標抵抗値設定手段16は機関始
動時に前記ヒータに所定の電力を供給させ、このとき前
記ヒータ抵抗値検出手段14により検出されたヒータ抵
抗値の変化割合を算出し、その変化割合に基づいて目標
抵抗値を設定する。
動時に前記ヒータに所定の電力を供給させ、このとき前
記ヒータ抵抗値検出手段14により検出されたヒータ抵
抗値の変化割合を算出し、その変化割合に基づいて目標
抵抗値を設定する。
【0010】
【作用】目標抵抗値設定手段16はヒータ13に電力制
御手段15より電力を供給させ、その時のヒータ抵抗値
の変化割合を算出するタイミングを機関始動時としてい
るため、排気ガス温度の影響が殆どないから酸素濃度検
出センサ12付近の温度のばらつきを小さくできる。ま
た機関始動時はヒータ抵抗変化に関係するエネルギに占
めるヒータ13への供給電力の比率が大きいため、酸素
濃度検出センサ12の周辺温度の影響を受けにくくでき
る。
御手段15より電力を供給させ、その時のヒータ抵抗値
の変化割合を算出するタイミングを機関始動時としてい
るため、排気ガス温度の影響が殆どないから酸素濃度検
出センサ12付近の温度のばらつきを小さくできる。ま
た機関始動時はヒータ抵抗変化に関係するエネルギに占
めるヒータ13への供給電力の比率が大きいため、酸素
濃度検出センサ12の周辺温度の影響を受けにくくでき
る。
【0011】また、目標抵抗値設定手段16は所定時間
のヒータ抵抗値の変化割合を算出して目標抵抗値を設定
するようにしているため、前記したヒータ抵抗とヒータ
温又はセンサ温度との特性のばらつきが平行的に起こら
なくてもそのばらつきを正確に判別できる。
のヒータ抵抗値の変化割合を算出して目標抵抗値を設定
するようにしているため、前記したヒータ抵抗とヒータ
温又はセンサ温度との特性のばらつきが平行的に起こら
なくてもそのばらつきを正確に判別できる。
【0012】
【実施例】図2は本発明の一実施例を適用した内燃機関
の概略構成図を示す。本実施例は内燃機関11として自
動車用エンジンに適用した例で、マイクロコンピュータ
21により各部の動作が制御される。また、図1に示し
たヒータ抵抗値検出手段14と電力制御手段15は後述
する如くヒータ制御回路22とマイクロコンピュータ2
1のソフトウエア動作により、また目標抵抗値設定手段
16は後述のマイクロコンピュータ21のソフトウエア
動作によって実現される。
の概略構成図を示す。本実施例は内燃機関11として自
動車用エンジンに適用した例で、マイクロコンピュータ
21により各部の動作が制御される。また、図1に示し
たヒータ抵抗値検出手段14と電力制御手段15は後述
する如くヒータ制御回路22とマイクロコンピュータ2
1のソフトウエア動作により、また目標抵抗値設定手段
16は後述のマイクロコンピュータ21のソフトウエア
動作によって実現される。
【0013】図2において、エアフローメータ23の下
流側にはスロットルバルブ24を介してサージタンク2
5が設けられている。スロットルポジションセンサ26
はスロットルボデーに取付けられ、スロットルバルブ2
4の動きを各種接点により検出する構造となっており、
スロットルバルブ24が全閉状態(アイドル位置)のと
きにそのIDL接点がオンとなる。また、スロットルバ
ルブ24を迂回し、エアフローメータ23の下流側とサ
ージタンク25とを連通するバイパス路27が設けられ
ている。更にバイパス路27にはこのバイパス路27を
流れる空気量を増減させるアイドル・スピード・コント
ロール・バルブ(ISCV)28が設けられている。
流側にはスロットルバルブ24を介してサージタンク2
5が設けられている。スロットルポジションセンサ26
はスロットルボデーに取付けられ、スロットルバルブ2
4の動きを各種接点により検出する構造となっており、
スロットルバルブ24が全閉状態(アイドル位置)のと
きにそのIDL接点がオンとなる。また、スロットルバ
ルブ24を迂回し、エアフローメータ23の下流側とサ
ージタンク25とを連通するバイパス路27が設けられ
ている。更にバイパス路27にはこのバイパス路27を
流れる空気量を増減させるアイドル・スピード・コント
ロール・バルブ(ISCV)28が設けられている。
【0014】サージタンク25はインテークマニホルド
29を介してエンジンの燃焼室30に連通されている。
また、燃焼室30には吸気弁31,排気弁32が設けら
れ、また燃焼室30はエキゾーストマニホルド33に連
通している。34は燃料噴射弁で、インテークマニホル
ド29を通る空気流中に燃料を噴射する。35は点火プ
ラグで、一部が燃焼室30内に突出するように設けられ
ている。36はピストンで、図中、上下方向に往復運動
する。
29を介してエンジンの燃焼室30に連通されている。
また、燃焼室30には吸気弁31,排気弁32が設けら
れ、また燃焼室30はエキゾーストマニホルド33に連
通している。34は燃料噴射弁で、インテークマニホル
ド29を通る空気流中に燃料を噴射する。35は点火プ
ラグで、一部が燃焼室30内に突出するように設けられ
ている。36はピストンで、図中、上下方向に往復運動
する。
【0015】また、37はイグナイタで、高電圧を発生
する。38はディストリビュータで、イグナイタ37で
発生した高電圧を各気筒の点火プラグ35に分配供給す
る。かかる概略構成のエンジンには気筒判別センサ3
9,回転角センサ40,水温センサ41,吸気温センサ
42,ヒータ付酸素濃度検出センサ43,スタータ44
その他種々のセンサが設けられ、それらの出力検出信号
はマイクロコンピュータ21に夫々供給される。
する。38はディストリビュータで、イグナイタ37で
発生した高電圧を各気筒の点火プラグ35に分配供給す
る。かかる概略構成のエンジンには気筒判別センサ3
9,回転角センサ40,水温センサ41,吸気温センサ
42,ヒータ付酸素濃度検出センサ43,スタータ44
その他種々のセンサが設けられ、それらの出力検出信号
はマイクロコンピュータ21に夫々供給される。
【0016】気筒判別センサ39はディストリビュータ
38のシャフトの回転に同期して所定個数のパルスを気
筒判別信号として発生し、回転角センサ40はディスト
リビュータ38のシャフトの回転を検出してエンジン回
転数を検出する。また、水温センサ41はエンジンブロ
ック45を貫通して一部がウォータジャケット内に突出
するように設けられており、エンジン冷却水の水温を検
出する。
38のシャフトの回転に同期して所定個数のパルスを気
筒判別信号として発生し、回転角センサ40はディスト
リビュータ38のシャフトの回転を検出してエンジン回
転数を検出する。また、水温センサ41はエンジンブロ
ック45を貫通して一部がウォータジャケット内に突出
するように設けられており、エンジン冷却水の水温を検
出する。
【0017】吸気温センサ42はエアフローメータ23
の上流側の吸入空気温を測定する。スタータ44は機関
始動中(クランキング中)であることを検出し、その検
出信号を出力する。更に、ヒータ付酸素濃度検出センサ
(O2 センサ)43はその一部がエキゾーストマニホル
ド33を貫通突出するように配置され、三元触媒装置4
6に入る前の排気ガス中の酸素濃度を検出する。三元触
媒装置46には触媒温度を検出する排気温センサ47が
設けられている。
の上流側の吸入空気温を測定する。スタータ44は機関
始動中(クランキング中)であることを検出し、その検
出信号を出力する。更に、ヒータ付酸素濃度検出センサ
(O2 センサ)43はその一部がエキゾーストマニホル
ド33を貫通突出するように配置され、三元触媒装置4
6に入る前の排気ガス中の酸素濃度を検出する。三元触
媒装置46には触媒温度を検出する排気温センサ47が
設けられている。
【0018】上記のヒータ付酸素濃度検出センサ43
は、例えばアルミナを材質とする絶縁基板の表面に膜状
に形成されたチタニア(酸化チタン;TiO2)からな
る酸化物半導体(図1の酸素濃度検出センサ12に相
当)と、チタニアを加熱するヒータ(図1のヒータ13
に相当)とからなる。チタニアの電気抵抗値はチタニア
に接触する排気ガス中の酸素濃度に応じて変化するの
で、このチタニアの電気抵抗値の変化を利用して酸素濃
度を検出することができる。
は、例えばアルミナを材質とする絶縁基板の表面に膜状
に形成されたチタニア(酸化チタン;TiO2)からな
る酸化物半導体(図1の酸素濃度検出センサ12に相
当)と、チタニアを加熱するヒータ(図1のヒータ13
に相当)とからなる。チタニアの電気抵抗値はチタニア
に接触する排気ガス中の酸素濃度に応じて変化するの
で、このチタニアの電気抵抗値の変化を利用して酸素濃
度を検出することができる。
【0019】図3は上記のチタニアO2 センサの等価回
路図を示す。同図中、RT は上記チタニアの抵抗値で、
酸素濃度に応じて抵抗値が変化する。上記のチタニアの
抵抗値RT は定抵抗R0 を直列に介して電源電圧VB が
印加される構成とされている。
路図を示す。同図中、RT は上記チタニアの抵抗値で、
酸素濃度に応じて抵抗値が変化する。上記のチタニアの
抵抗値RT は定抵抗R0 を直列に介して電源電圧VB が
印加される構成とされている。
【0020】ここで、チタニアの抵抗値RT は図4に示
すように、酸素濃度が低い時即ち空燃比がリッチの時に
はIII のような低抵抗特性を示し、逆に、空燃比がリー
ンの時にはIVのような高抵抗特性を示す。そして、その
抵抗値の変化の検出方法の一例としては、図3の等価回
路図に示すように、チタニアの抵抗値RT の変化を直接
検出するのではなく、定抵抗R0 の分圧変化として検出
し、空燃比がリッチのときはリーンのときに比べて大レ
ベルの検出電圧VOXを取り出す。
すように、酸素濃度が低い時即ち空燃比がリッチの時に
はIII のような低抵抗特性を示し、逆に、空燃比がリー
ンの時にはIVのような高抵抗特性を示す。そして、その
抵抗値の変化の検出方法の一例としては、図3の等価回
路図に示すように、チタニアの抵抗値RT の変化を直接
検出するのではなく、定抵抗R0 の分圧変化として検出
し、空燃比がリッチのときはリーンのときに比べて大レ
ベルの検出電圧VOXを取り出す。
【0021】この場合、センサ出力電圧VOXは次式で表
わされる。
わされる。
【0022】 VOX=VB ・R0 /(R0 +RT ) (1) 従って、空燃比がリッチのときはRT ≪R0 であるため、 VOX=VB (Hレベル)となり、 逆に空燃比がリーンのときはRT ≫R0 であるため V0X=0(V) (Lレベルとなる)。
【0023】ここで、チタニアの抵抗値RT は酸素濃度
のみだけでなく、図4から分かるように、それ自体の温
度(センサ温度)によっても変化するという特性を持っ
ているため、センサ温度を適温に正確に制御する必要が
ある。従って、通常O2 センサ内部にチタニアを加熱す
るためのヒータを設けると共に、そのヒータの抵抗値が
センサ温度と一対の関係にあることを利用して、ヒータ
抵抗値が所定の目標抵抗値となるようヒータへの供給電
力を制御することにより、センサ温度を所望の温度に制
御するのである。
のみだけでなく、図4から分かるように、それ自体の温
度(センサ温度)によっても変化するという特性を持っ
ているため、センサ温度を適温に正確に制御する必要が
ある。従って、通常O2 センサ内部にチタニアを加熱す
るためのヒータを設けると共に、そのヒータの抵抗値が
センサ温度と一対の関係にあることを利用して、ヒータ
抵抗値が所定の目標抵抗値となるようヒータへの供給電
力を制御することにより、センサ温度を所望の温度に制
御するのである。
【0024】このヒータ付酸素濃度検出センサ(チタニ
アO2 センサ)43のヒータの供給電力はヒータ制御回
路22からのパルス信号により制御される。図5はヒー
タ制御回路22の一実施例の回路図を示す。同図中、5
0はバッテリで、その出力電圧VB をヒータ付酸素濃度
検出センサ43のヒータ43aの一端に印加すると共
に、A/D変換器51を介してマイクロコンピュータ2
1に動作電源電圧として印加する。
アO2 センサ)43のヒータの供給電力はヒータ制御回
路22からのパルス信号により制御される。図5はヒー
タ制御回路22の一実施例の回路図を示す。同図中、5
0はバッテリで、その出力電圧VB をヒータ付酸素濃度
検出センサ43のヒータ43aの一端に印加すると共
に、A/D変換器51を介してマイクロコンピュータ2
1に動作電源電圧として印加する。
【0025】また、ヒータ43aはその抵抗値RHがヒ
ータ温度に対応して変化する。ヒータ43aの他端はス
イッチングトランジスタ52のコレクタ、エミッタを介
して抵抗53の一端に接続されている。抵抗53は他端
が接地されており、またその抵抗値は所定の抵抗値RC
に設定されている。54は増幅器で、抵抗53に生じた
電圧VC を増幅し、A/D変換器51へ供給する。
ータ温度に対応して変化する。ヒータ43aの他端はス
イッチングトランジスタ52のコレクタ、エミッタを介
して抵抗53の一端に接続されている。抵抗53は他端
が接地されており、またその抵抗値は所定の抵抗値RC
に設定されている。54は増幅器で、抵抗53に生じた
電圧VC を増幅し、A/D変換器51へ供給する。
【0026】かかる構成のヒータ制御回路22におい
て、スイッチングトランジスタ52のベースにマイクロ
コンピュータ21からパルス信号が供給され、スイッチ
ングトランジスタ52がスイッチング制御され、これに
よりヒータ43aの供給電力が制御される。
て、スイッチングトランジスタ52のベースにマイクロ
コンピュータ21からパルス信号が供給され、スイッチ
ングトランジスタ52がスイッチング制御され、これに
よりヒータ43aの供給電力が制御される。
【0027】次にマイクロコンピュータ21のハードウ
エア構成について図6と共に説明する。同図中、図2及
び図5と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を
省略する。図6において、マイクロコンピュータ21は
中央処理装置(CPU)61,処理プログラムを格納し
たリード・オンリ・メモリ(ROM)62,作業領域と
して使用されるランダム・アクセス・メモリ(RAM)
63,エンジン停止後もデータを保持するバックアップ
RAM64,CPU61へそのマスタークロックを供給
するクロック発生器65を有し、これらを双方向のバス
ライン66を介して接続している。
エア構成について図6と共に説明する。同図中、図2及
び図5と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を
省略する。図6において、マイクロコンピュータ21は
中央処理装置(CPU)61,処理プログラムを格納し
たリード・オンリ・メモリ(ROM)62,作業領域と
して使用されるランダム・アクセス・メモリ(RAM)
63,エンジン停止後もデータを保持するバックアップ
RAM64,CPU61へそのマスタークロックを供給
するクロック発生器65を有し、これらを双方向のバス
ライン66を介して接続している。
【0028】また、水温センサ41及びエアフローメー
タ23からの各検出信号がマルチプレクサ67,A/D
変換器68及び入出力ポート69を介してバスライン6
6へ供給されると共に、スタータ44,排気温センサ4
7からの検出信号及びA/D変換器51からのディジタ
ル信号が入出力ポート69を介してバスライン66に供
給される。
タ23からの各検出信号がマルチプレクサ67,A/D
変換器68及び入出力ポート69を介してバスライン6
6へ供給されると共に、スタータ44,排気温センサ4
7からの検出信号及びA/D変換器51からのディジタ
ル信号が入出力ポート69を介してバスライン66に供
給される。
【0029】また、気筒判別センサ39からの気筒判別
信号及び回転角センサ40からのエンジン回転数検出信
号は波形整形回路70及び入出力ポート71を介してバ
スライン66へ供給される。また、バッファ71及びコ
ンパレータ73を経たヒータ付酸素濃度検出センサ(チ
タニアO2 センサ)43からの検出信号が、スロットル
ポジションセンサ26からの信号と共に入出力ポート7
1を介してバスライン66へ供給される構成とされてい
る。
信号及び回転角センサ40からのエンジン回転数検出信
号は波形整形回路70及び入出力ポート71を介してバ
スライン66へ供給される。また、バッファ71及びコ
ンパレータ73を経たヒータ付酸素濃度検出センサ(チ
タニアO2 センサ)43からの検出信号が、スロットル
ポジションセンサ26からの信号と共に入出力ポート7
1を介してバスライン66へ供給される構成とされてい
る。
【0030】更に、マイクロコンピュータ21はCPU
61からの制御信号をバスライン66を介して出力ポー
ト74,75及び76に入力する。出力ポート74から
取り出された制御信号は駆動回路77,78を並列に介
して前記ISCV28及びイグナイタ37へ供給され
る。出力ポート75から取り出された制御信号は駆動回
路79を介して燃料噴射弁34へ供給される。更に出力
ポート76から取り出された制御信号は駆動回路80を
介して図5に示したスイッチングトランジスタ52へ供
給される。
61からの制御信号をバスライン66を介して出力ポー
ト74,75及び76に入力する。出力ポート74から
取り出された制御信号は駆動回路77,78を並列に介
して前記ISCV28及びイグナイタ37へ供給され
る。出力ポート75から取り出された制御信号は駆動回
路79を介して燃料噴射弁34へ供給される。更に出力
ポート76から取り出された制御信号は駆動回路80を
介して図5に示したスイッチングトランジスタ52へ供
給される。
【0031】次にマイクロコンピュータ21によるヒー
タ制御の処理動作について説明する。図7は本発明の要
部の目標抵抗値設定手段16を実現する一実施例の動作
説明用フローチャートを示す。図7のRT学習ルーチン
は例えば数msec〜1sec程度毎に起動され、ま
ず、ステップ101で水温センサ41の検出信号に基づ
き機関冷却水温THWがA℃とB℃(例えば−15℃と
+50℃)の間にあるか否かを判別する。これはA℃以
下の極低温時及びB℃以上の高温時ではヒータ43aの
温度の影響が残るからである。すなわち、アイドル状態
時にヒータ供給電力による目標抵抗値の学習を行なう場
合は、アイドル前の運転条件(高負荷走行など)によ
り、O2 センサ付近の排気ガス温は150℃〜500℃
程度となる。これに対し、A<THW<Bの条件を満た
すコールドスタート時では、O2 センサ付近の排気ガス
温は始動前は−15℃とその時の雰囲気温の温度範囲
で、始動後は学習終了時点で50℃程度に上昇するのみ
である。
タ制御の処理動作について説明する。図7は本発明の要
部の目標抵抗値設定手段16を実現する一実施例の動作
説明用フローチャートを示す。図7のRT学習ルーチン
は例えば数msec〜1sec程度毎に起動され、ま
ず、ステップ101で水温センサ41の検出信号に基づ
き機関冷却水温THWがA℃とB℃(例えば−15℃と
+50℃)の間にあるか否かを判別する。これはA℃以
下の極低温時及びB℃以上の高温時ではヒータ43aの
温度の影響が残るからである。すなわち、アイドル状態
時にヒータ供給電力による目標抵抗値の学習を行なう場
合は、アイドル前の運転条件(高負荷走行など)によ
り、O2 センサ付近の排気ガス温は150℃〜500℃
程度となる。これに対し、A<THW<Bの条件を満た
すコールドスタート時では、O2 センサ付近の排気ガス
温は始動前は−15℃とその時の雰囲気温の温度範囲
で、始動後は学習終了時点で50℃程度に上昇するのみ
である。
【0032】学習許可条件のステップ101における上
限温度のB℃は一度内燃機関11が暖機された後停止
し、冷却されてゆく過程での温度であり、O2センサ4
3取付部周辺(特に素子部)は既に雰囲気温と同等にな
っている。このように、ステップ101でのA<THW
<Bの条件を満たすと、目標抵抗値の学習前条件のばら
つきが少なくて済む。定抵抗制御の学習はヒータ抵抗の
製造ばらつきを判別し、目標抵抗値に補正することが目
的であるので、学習領域でのO2 センサ周辺温度のばら
つきが少ない方が良い。
限温度のB℃は一度内燃機関11が暖機された後停止
し、冷却されてゆく過程での温度であり、O2センサ4
3取付部周辺(特に素子部)は既に雰囲気温と同等にな
っている。このように、ステップ101でのA<THW
<Bの条件を満たすと、目標抵抗値の学習前条件のばら
つきが少なくて済む。定抵抗制御の学習はヒータ抵抗の
製造ばらつきを判別し、目標抵抗値に補正することが目
的であるので、学習領域でのO2 センサ周辺温度のばら
つきが少ない方が良い。
【0033】また、上記のステップ101の条件は学習
期間中のヒータ抵抗変化に関係するエネルギに占めるヒ
ータ供給電力の影響の比率が高いため、O2センサ周辺
温度の影響を受けにくいという理由からも定められてい
る。具体的には学習期間中のO2 センサ43のセンサ温
度は、アイドル状態時にヒータ抵抗の目標抵抗値の学習
を行なう場合600℃〜850℃程度であるのに対して
ステップ101の条件下で学習を行なうと−10℃〜2
00℃程度であり、後者の方がヒータ抵抗変化に関係す
るエネルギに占めるヒータ供給電力の比率が前者よりは
るかに大きくなる。また、前記したようにヒータ付O2
センサ43の周辺温度のばらつきがコールドスタート時
は小さく(放熱、伝熱による損失が安定)ヒータ抵抗変
化が安定していることもある。
期間中のヒータ抵抗変化に関係するエネルギに占めるヒ
ータ供給電力の影響の比率が高いため、O2センサ周辺
温度の影響を受けにくいという理由からも定められてい
る。具体的には学習期間中のO2 センサ43のセンサ温
度は、アイドル状態時にヒータ抵抗の目標抵抗値の学習
を行なう場合600℃〜850℃程度であるのに対して
ステップ101の条件下で学習を行なうと−10℃〜2
00℃程度であり、後者の方がヒータ抵抗変化に関係す
るエネルギに占めるヒータ供給電力の比率が前者よりは
るかに大きくなる。また、前記したようにヒータ付O2
センサ43の周辺温度のばらつきがコールドスタート時
は小さく(放熱、伝熱による損失が安定)ヒータ抵抗変
化が安定していることもある。
【0034】次に、ステップ101の条件を満足した状
態(常温コールド状態)でスタータ44をオンとして内
燃機関11を始動した(コールドスタート)後スタータ
44をオフとすると、その時点からカウンタ値CSTA
OFFが所定時間単位で増加し始める。ステップ102
では上記のカウンタ値CSTAOFFが所定値Cより大
であるか否かの判別が行なわれる。これは、クランキン
グ中及びクランキング直後の所定値C未満の時間帯で
は、バッテリ電圧の低下が大きく、後述するヒータ供給
電力の平均値(以下、平均電力という)PNが低下する
ためである。
態(常温コールド状態)でスタータ44をオンとして内
燃機関11を始動した(コールドスタート)後スタータ
44をオフとすると、その時点からカウンタ値CSTA
OFFが所定時間単位で増加し始める。ステップ102
では上記のカウンタ値CSTAOFFが所定値Cより大
であるか否かの判別が行なわれる。これは、クランキン
グ中及びクランキング直後の所定値C未満の時間帯で
は、バッテリ電圧の低下が大きく、後述するヒータ供給
電力の平均値(以下、平均電力という)PNが低下する
ためである。
【0035】すなわち、ヒータ電源電圧(図5のVB )
が確実に把握できるならば、スタータ44のオンからオ
フ時への変化時点からできるだけ早く学習を開始した
い。なぜなら、よりヒータ付O2 センサ43の周辺温度
が低い時点の方が、よりヒータ抵抗変化が安定している
からである。しかし、実際のバッテリ電圧のAD変換器
(図5の51)による変換速度はヒータ制御ルーチンよ
りも遅く、スタータ44のオフ時の機関回転数によって
は、実際には大きく変化するヒータ電源電圧VB を代表
できなくなる。そして、この場合には、ヒータ供給電力
をP,ヒータ制御用に補正済のバッテリ電圧をBATC
OR,ヒータ電流をIHT,係数をKとすると、 P=BATCOR×IHT−IHT×IHT×K (2) なる式でヒータ供給電力Pが与えられるため、BATC
ORの不正確さによって、後述のステップ103で算出
される平均電力PNの算出精度が落ちる。このため、ス
テップ102で、機関回転数Neが安定し、ヒータ電源
電圧VB を正確に検出できる、できるだけ早い時間経過
するか否かの判別を行なっている。
が確実に把握できるならば、スタータ44のオンからオ
フ時への変化時点からできるだけ早く学習を開始した
い。なぜなら、よりヒータ付O2 センサ43の周辺温度
が低い時点の方が、よりヒータ抵抗変化が安定している
からである。しかし、実際のバッテリ電圧のAD変換器
(図5の51)による変換速度はヒータ制御ルーチンよ
りも遅く、スタータ44のオフ時の機関回転数によって
は、実際には大きく変化するヒータ電源電圧VB を代表
できなくなる。そして、この場合には、ヒータ供給電力
をP,ヒータ制御用に補正済のバッテリ電圧をBATC
OR,ヒータ電流をIHT,係数をKとすると、 P=BATCOR×IHT−IHT×IHT×K (2) なる式でヒータ供給電力Pが与えられるため、BATC
ORの不正確さによって、後述のステップ103で算出
される平均電力PNの算出精度が落ちる。このため、ス
テップ102で、機関回転数Neが安定し、ヒータ電源
電圧VB を正確に検出できる、できるだけ早い時間経過
するか否かの判別を行なっている。
【0036】図8(E)は上記カウンタ値CSTAOF
Fを示し、スタータ44がオフした後の時刻t1 でCS
TAOFFがCより大となり、またこのとき同図(H)
に示す如く機関回転数Neが安定状態に入っている。ま
た、この時刻t1 では図8(F)に示す如く機関冷却水
温THWはA℃とB℃の間の温度範囲にある。
Fを示し、スタータ44がオフした後の時刻t1 でCS
TAOFFがCより大となり、またこのとき同図(H)
に示す如く機関回転数Neが安定状態に入っている。ま
た、この時刻t1 では図8(F)に示す如く機関冷却水
温THWはA℃とB℃の間の温度範囲にある。
【0037】C<CSTAOFFの条件を満足すると次
に図7のステップ103へ進み、ヒータ付O2 センサ4
3のヒータ抵抗値RHの積算値RHNを RHN←RHN+RH (3) なる式で算出し、またヒータ供給電力Pの積算値(平均
電力)PNを PN←PN+P (4) なる式で算出し、更に積算カウンタ値CRTを“1”イ
ンクリメントする。図8(B)は上記ヒータ抵抗値の積
算値RHNの変化を示し、同図(C)は上記平均電力P
Nの変化を示し、また同図(G)はヒータ抵抗値RHの
変化を示す。
に図7のステップ103へ進み、ヒータ付O2 センサ4
3のヒータ抵抗値RHの積算値RHNを RHN←RHN+RH (3) なる式で算出し、またヒータ供給電力Pの積算値(平均
電力)PNを PN←PN+P (4) なる式で算出し、更に積算カウンタ値CRTを“1”イ
ンクリメントする。図8(B)は上記ヒータ抵抗値の積
算値RHNの変化を示し、同図(C)は上記平均電力P
Nの変化を示し、また同図(G)はヒータ抵抗値RHの
変化を示す。
【0038】上記の演算が終了すると、次に図7のステ
ップ104へ進み、ステップ103で算出した積算カウ
ンタ値CRTが所定値D(例えば5〜100の範囲内の
値)より大であるか否かの判定が行なわれる。CRT≦
DのときはこのRT学習ルーチンを終了し、所定時間後
再びこのRT学習ルーチンが起動される。以下、上記の
ステップ101〜104の動作が繰り返され、図8
(D)に示す如く時刻t2 で積算カウンタ値CRTが所
定値Dより大となると、図7のステップ105へ進み所
定時間のヒータ抵抗値RHの積算値RHNと平均電力P
Nとの比(RHN/PN)から目標抵抗値RTの学習値
を図9に示すマップから算出する。図8(A)はこの目
標抵抗値RTの学習値を示す。
ップ104へ進み、ステップ103で算出した積算カウ
ンタ値CRTが所定値D(例えば5〜100の範囲内の
値)より大であるか否かの判定が行なわれる。CRT≦
DのときはこのRT学習ルーチンを終了し、所定時間後
再びこのRT学習ルーチンが起動される。以下、上記の
ステップ101〜104の動作が繰り返され、図8
(D)に示す如く時刻t2 で積算カウンタ値CRTが所
定値Dより大となると、図7のステップ105へ進み所
定時間のヒータ抵抗値RHの積算値RHNと平均電力P
Nとの比(RHN/PN)から目標抵抗値RTの学習値
を図9に示すマップから算出する。図8(A)はこの目
標抵抗値RTの学習値を示す。
【0039】目標抵抗値RTの学習値がステップ105
で更新され終った場合は、ステップ101で機関冷却
水温THWがA℃以下又はB℃以上であると判定された
場合、ステップ102でカウンタ値CSTAOFFが
所定値C以下と判定された場合、ステップ104で積
算カウンタ値CRTが所定値D以下と判定されたときと
同様にこのRT学習ルーチンを終了する(ステップ10
6)。
で更新され終った場合は、ステップ101で機関冷却
水温THWがA℃以下又はB℃以上であると判定された
場合、ステップ102でカウンタ値CSTAOFFが
所定値C以下と判定された場合、ステップ104で積
算カウンタ値CRTが所定値D以下と判定されたときと
同様にこのRT学習ルーチンを終了する(ステップ10
6)。
【0040】このように、ヒータ付O2 センサ43の周
辺温度の影響が小さい状態(換言すると、ヒータの影響
が支配的な状態)では、ヒータ供給電力Pと測定ヒータ
抵抗値RHとは相関があるため、本実施例によりこの状
態で測定ヒータ抵抗値の積算値RHNとヒータ供給電力
の積算値PNとの比(RHN/PN)に基づいて目標抵
抗値RTを算出することにより、ヒータ抵抗のばらつき
を判別することができる。
辺温度の影響が小さい状態(換言すると、ヒータの影響
が支配的な状態)では、ヒータ供給電力Pと測定ヒータ
抵抗値RHとは相関があるため、本実施例によりこの状
態で測定ヒータ抵抗値の積算値RHNとヒータ供給電力
の積算値PNとの比(RHN/PN)に基づいて目標抵
抗値RTを算出することにより、ヒータ抵抗のばらつき
を判別することができる。
【0041】すなわち、ヒータ抵抗対ヒータ温度特性が
異なる2つのヒータ付O2 センサのヒータ抵抗が図10
に破線V,実線VIで示す如く夫々コールドスタート後に
変化したものとすると、各々同図に右下りの斜線の部
分、左下りの斜線で示す部分の面積に対応した電力がヒ
ータに通電されるから、ヒータ抵抗のばらつきがそれら
の面積の差により判別することができる。
異なる2つのヒータ付O2 センサのヒータ抵抗が図10
に破線V,実線VIで示す如く夫々コールドスタート後に
変化したものとすると、各々同図に右下りの斜線の部
分、左下りの斜線で示す部分の面積に対応した電力がヒ
ータに通電されるから、ヒータ抵抗のばらつきがそれら
の面積の差により判別することができる。
【0042】つまり、ある電力を与えたときの、抵抗値
の変化度合いの違いによって上記面積が変わるので、結
局RHN/PNは、ある電力を与えたときの抵抗値変化
度合いを見ているといえるため、ばらつきが平行的に起
こらなくても、そのばらつきを正確に検知できる。
の変化度合いの違いによって上記面積が変わるので、結
局RHN/PNは、ある電力を与えたときの抵抗値変化
度合いを見ているといえるため、ばらつきが平行的に起
こらなくても、そのばらつきを正確に検知できる。
【0043】その見知から見れば、別の実施例として所
定の電力を与えた状態で所定の周期でサンプリングした
2つのヒータ抵抗値の差(変化度合い)から目標抵抗値
RTの学習値を得てもよい。
定の電力を与えた状態で所定の周期でサンプリングした
2つのヒータ抵抗値の差(変化度合い)から目標抵抗値
RTの学習値を得てもよい。
【0044】しかし、機関始動直後はバッテリ電圧の変
化が大きいためRH等の検出値のばらつきが大きくな
る。そのことを考慮するとRH等の検出値のばらつきを
吸収できる本実施例の方が優れているといえる。
化が大きいためRH等の検出値のばらつきが大きくな
る。そのことを考慮するとRH等の検出値のばらつきを
吸収できる本実施例の方が優れているといえる。
【0045】次に上記の如くにして設定された目標抵抗
値RTにヒータ抵抗値RHを制御する制御動作について
説明する。図11は前記電力制御手段15を実現するヒ
ータ制御ルーチンの一例を示すフローチャートで、マイ
クロコンピュータ21によって、例えば65ms毎に実
行される。
値RTにヒータ抵抗値RHを制御する制御動作について
説明する。図11は前記電力制御手段15を実現するヒ
ータ制御ルーチンの一例を示すフローチャートで、マイ
クロコンピュータ21によって、例えば65ms毎に実
行される。
【0046】まず、ステップ201でヒータ抵抗値RH
を測定した後目標抵抗値RTと測定ヒータ抵抗値RHと
を大小比較する。ヒータ抵抗値RHの測定は、上記65
msのうち例えば最初の数msの期間、図5に示したス
イッチングトランジスタ52のベースにハイレベルの信
号を印加してオンとし、これによりヒータ43a,スイ
ッチングトランジスタ52のコレクタ、エミッタ及び抵
抗53を介して電流を流すことで行なう。これにより、
バッテリ電圧VB ,抵抗値(既知)RC の抵抗53の両
端に生じた電圧VC とから、次式、 RH=RC ・{(VB /VC )−1} (5) に従ってヒータ抵抗値RHが算出される。以上により、
前記ヒータ抵抗値検出手段14が実現される。
を測定した後目標抵抗値RTと測定ヒータ抵抗値RHと
を大小比較する。ヒータ抵抗値RHの測定は、上記65
msのうち例えば最初の数msの期間、図5に示したス
イッチングトランジスタ52のベースにハイレベルの信
号を印加してオンとし、これによりヒータ43a,スイ
ッチングトランジスタ52のコレクタ、エミッタ及び抵
抗53を介して電流を流すことで行なう。これにより、
バッテリ電圧VB ,抵抗値(既知)RC の抵抗53の両
端に生じた電圧VC とから、次式、 RH=RC ・{(VB /VC )−1} (5) に従ってヒータ抵抗値RHが算出される。以上により、
前記ヒータ抵抗値検出手段14が実現される。
【0047】このヒータ抵抗値RHが前記目標抵抗値R
T以下のときは、図11のステップ202へ進みヒータ
をオンとし、このルーチンを終了する。従って、RT≧
RHのときは前記63msのうち最初の数msのRH測
定期間に続く残りの期間も前記スイッチングトランジス
タ52はオンし続けられ、ヒータ43aに電流が流れ続
け、ヒータ43aを更に高温へ加熱する。
T以下のときは、図11のステップ202へ進みヒータ
をオンとし、このルーチンを終了する。従って、RT≧
RHのときは前記63msのうち最初の数msのRH測
定期間に続く残りの期間も前記スイッチングトランジス
タ52はオンし続けられ、ヒータ43aに電流が流れ続
け、ヒータ43aを更に高温へ加熱する。
【0048】一方、ヒータ抵抗値RHが目標抵抗値RT
より大なるときは、図11のステップ203へ進みヒー
タをオフとし、このルーチンを終了する。従って、RT
<RHのときは前記63msのうち最初の数msのRH
測定期間に続く残りの期間は前記スイッチングトランジ
スタ52がオフに制御され、ヒータ43aに電流を流さ
ず、ヒータ43aの温度を低下させる。
より大なるときは、図11のステップ203へ進みヒー
タをオフとし、このルーチンを終了する。従って、RT
<RHのときは前記63msのうち最初の数msのRH
測定期間に続く残りの期間は前記スイッチングトランジ
スタ52がオフに制御され、ヒータ43aに電流を流さ
ず、ヒータ43aの温度を低下させる。
【0049】このようにして、ヒータ43aへの供給電
力が可変制御され、ヒータ43aの抵抗RHは目標抵抗
値RTに一致するように制御され、その結果ヒータ43
aの温度が一定とされる。
力が可変制御され、ヒータ43aの抵抗RHは目標抵抗
値RTに一致するように制御され、その結果ヒータ43
aの温度が一定とされる。
【0050】次に本実施例のヒータ抵抗制御装置を用い
た応用例について説明する。図12は空燃比(A/F)
判定スレッシュレベル制御ルーチンを示し、前記したマ
イクロコンピュータ21によって実現される。前記した
ように、ヒータ付O2 センサ43としてチタニアO2 セ
ンサを使用した場合、チタニアO2 センサは図4に示し
たようにセンサ自体の素子抵抗(センサ抵抗)が温度依
存性が強く、高温になると低下する。
た応用例について説明する。図12は空燃比(A/F)
判定スレッシュレベル制御ルーチンを示し、前記したマ
イクロコンピュータ21によって実現される。前記した
ように、ヒータ付O2 センサ43としてチタニアO2 セ
ンサを使用した場合、チタニアO2 センサは図4に示し
たようにセンサ自体の素子抵抗(センサ抵抗)が温度依
存性が強く、高温になると低下する。
【0051】従って、チタニアO2 センサの出力検出電
圧V0Xは、前記(1)式中のチタニアの抵抗値(センサ
抵抗値)RT がセンサ温度の上昇に伴って低下するため
にセンサ温度の上昇に伴ってリーン時のレベル(ローレ
ベル)が高くなる。例えば、図13に示すように、上記
の検出電圧VOXはセンサ温度が750℃の目標センサ温
度のときは、aで示す如くリーン時のローレベルが0
(V)でリッチ時のハイレベルが1(V)であるが、セ
ンサ温度が800℃,850℃と高くなるに従って同図
にb,cで示す如く特にリーン時のローレベルが上昇
し、センサ温度が900℃に達すると同図にdで示す如
くA/F判定スレッシュレベルVL をリーン時の検出電
圧が越えてしまう。このため、センサ温度が900℃と
なるような高温時には空燃比フィードバックシステムは
チタニアO2 センサの出力検出電圧に基づいて常にリッ
チと判定し、実質的に検出電圧に関係なく空燃比をリー
ンに制御し続けるオープンループ制御を行なってしま
い、その結果、ドライバビリティが悪化する。
圧V0Xは、前記(1)式中のチタニアの抵抗値(センサ
抵抗値)RT がセンサ温度の上昇に伴って低下するため
にセンサ温度の上昇に伴ってリーン時のレベル(ローレ
ベル)が高くなる。例えば、図13に示すように、上記
の検出電圧VOXはセンサ温度が750℃の目標センサ温
度のときは、aで示す如くリーン時のローレベルが0
(V)でリッチ時のハイレベルが1(V)であるが、セ
ンサ温度が800℃,850℃と高くなるに従って同図
にb,cで示す如く特にリーン時のローレベルが上昇
し、センサ温度が900℃に達すると同図にdで示す如
くA/F判定スレッシュレベルVL をリーン時の検出電
圧が越えてしまう。このため、センサ温度が900℃と
なるような高温時には空燃比フィードバックシステムは
チタニアO2 センサの出力検出電圧に基づいて常にリッ
チと判定し、実質的に検出電圧に関係なく空燃比をリー
ンに制御し続けるオープンループ制御を行なってしま
い、その結果、ドライバビリティが悪化する。
【0052】そこで、前記したヒータ制御をチタニアO
2 センサに対して行なってセンサ温度を目標温度(例え
ば750℃)になるようにしているわけであるが、上記
のヒータ制御を行なっていても、長時間登板などの車両
運転条件下では排気ガス温度が高い状態が長時間続き、
ヒータへの電力供給を停止してもセンサ温度が900℃
にまで達する可能性がある。
2 センサに対して行なってセンサ温度を目標温度(例え
ば750℃)になるようにしているわけであるが、上記
のヒータ制御を行なっていても、長時間登板などの車両
運転条件下では排気ガス温度が高い状態が長時間続き、
ヒータへの電力供給を停止してもセンサ温度が900℃
にまで達する可能性がある。
【0053】図12に示すA/F判定スレッシュレベル
制御ルーチンは上記の不具合を解決するルーチンで、ま
ず前記(5)式に従って算出したヒータ抵抗値RHを図
6のCPU61がRAM63から読み込む(ステップ3
01)。続いて前記図7に示したRT学習ルーチンによ
り目標抵抗値RTが学習済か否か判定され(ステップ3
02)、学習が終っていないときはA/F判定スレッシ
ュレベルVL をそのままの値として(ステップ30
3)、このルーチンを終了する(ステップ307)。
制御ルーチンは上記の不具合を解決するルーチンで、ま
ず前記(5)式に従って算出したヒータ抵抗値RHを図
6のCPU61がRAM63から読み込む(ステップ3
01)。続いて前記図7に示したRT学習ルーチンによ
り目標抵抗値RTが学習済か否か判定され(ステップ3
02)、学習が終っていないときはA/F判定スレッシ
ュレベルVL をそのままの値として(ステップ30
3)、このルーチンを終了する(ステップ307)。
【0054】一方、ステップ302で機関始動時に所定
のヒータ供給電力を供給し、このときのヒータ抵抗RH
の変化割合に基づいて目標抵抗値RTが算出され終わっ
ていると判定された時は、その目標抵抗値RTに係数a
1 を乗じて判定値Eを計算する(ステップ304)。こ
こで、上記の係数a1 は目標抵抗値RTで制御されてい
る目標センサ温度(例えば750℃)からヒータ付O2
センサ43の検出電圧VOXのリーン時のレベルがA/F
判定スレッシュレベルVL (例えば0.45V)を越
え、空燃比をリーンにするオープンループ制御(以下、
これを「F/Bリーンオープン」と略す)を行なってし
まうおそれがあるセンサ温度を予測できる値に設定され
ている。例えば、センサ温度900℃以上でF/Bリー
ンオープンとなる場合、上記のF/Bリーンオープンの
予測センサ温度を850℃とする。一方、ヒータ抵抗値
RHは、 RH=R0 (1+αT) (6) で表わされる。ただし、上式中R0 は0℃のときの抵抗
値、αは係数(例えばヒータ43aに用いられる白金の
場合0.0033)、Tは温度(単位℃)である。
のヒータ供給電力を供給し、このときのヒータ抵抗RH
の変化割合に基づいて目標抵抗値RTが算出され終わっ
ていると判定された時は、その目標抵抗値RTに係数a
1 を乗じて判定値Eを計算する(ステップ304)。こ
こで、上記の係数a1 は目標抵抗値RTで制御されてい
る目標センサ温度(例えば750℃)からヒータ付O2
センサ43の検出電圧VOXのリーン時のレベルがA/F
判定スレッシュレベルVL (例えば0.45V)を越
え、空燃比をリーンにするオープンループ制御(以下、
これを「F/Bリーンオープン」と略す)を行なってし
まうおそれがあるセンサ温度を予測できる値に設定され
ている。例えば、センサ温度900℃以上でF/Bリー
ンオープンとなる場合、上記のF/Bリーンオープンの
予測センサ温度を850℃とする。一方、ヒータ抵抗値
RHは、 RH=R0 (1+αT) (6) で表わされる。ただし、上式中R0 は0℃のときの抵抗
値、αは係数(例えばヒータ43aに用いられる白金の
場合0.0033)、Tは温度(単位℃)である。
【0055】従って、センサ温度850℃になるときの
ヒータ抵抗RH850 は、センサ温度を750℃とする目
標抵抗値RH750 (=RT)に対し、
ヒータ抵抗RH850 は、センサ温度を750℃とする目
標抵抗値RH750 (=RT)に対し、
【0056】
【数1】
【0057】で表わされるから、前記係数a1 は1.0
95である。
95である。
【0058】次にヒータ抵抗値RHが前記判定値Eより
大であるか否か判定される(ステップ305)。RH>
EのときはA/F判定スレッシュレベルVLの値に定数
C1 (例えば0.25V)を加算して、A/F判定スレ
ッシュレベルVL をF/Bリーンオープンが生じないレ
ベルまで高くする(ステップ306)。一方、RH≦E
のときはA/F判定スレッシュレベルVL の値を変更す
ることなく(ステップ303)、このルーチンを終了す
る(ステップ307)。
大であるか否か判定される(ステップ305)。RH>
EのときはA/F判定スレッシュレベルVLの値に定数
C1 (例えば0.25V)を加算して、A/F判定スレ
ッシュレベルVL をF/Bリーンオープンが生じないレ
ベルまで高くする(ステップ306)。一方、RH≦E
のときはA/F判定スレッシュレベルVL の値を変更す
ることなく(ステップ303)、このルーチンを終了す
る(ステップ307)。
【0059】これにより、ヒータ抵抗値RHからチタニ
アO2 センサのセンサ温度を確実に検出できるので、チ
タニアO2 センサのセンサ温度が900℃以上となった
時のF/Bリーンオープンの発生を確実に防止でき、ド
ライバビリティの悪化を未然に防止することができる。
アO2 センサのセンサ温度を確実に検出できるので、チ
タニアO2 センサのセンサ温度が900℃以上となった
時のF/Bリーンオープンの発生を確実に防止でき、ド
ライバビリティの悪化を未然に防止することができる。
【0060】次に前記したヒータ制御の実施例をOTP
増量の実行の判定に用いる例について説明する。OTP
増量は図2に示した電子制御式燃料噴射装置を備えた内
燃機関の排気系部品が熱損傷するおそれの高い高負荷、
高回転時に、空燃比をリッチとして燃料の気化に奪われ
る熱量を多くして排気温度を下げる燃料噴射制御方法で
ある。このOTP増量の実行条件は、長時間定常状態で
排気系部品が過熱する条件を調べ、機関回転数と吸入空
気量のマップやスロットル開度のマップなどで定められ
る。
増量の実行の判定に用いる例について説明する。OTP
増量は図2に示した電子制御式燃料噴射装置を備えた内
燃機関の排気系部品が熱損傷するおそれの高い高負荷、
高回転時に、空燃比をリッチとして燃料の気化に奪われ
る熱量を多くして排気温度を下げる燃料噴射制御方法で
ある。このOTP増量の実行条件は、長時間定常状態で
排気系部品が過熱する条件を調べ、機関回転数と吸入空
気量のマップやスロットル開度のマップなどで定められ
る。
【0061】そのため、過渡運転時や環境条件(高地、
低温など)によっては、排気系部品が実際には過熱して
いなくても、OTP増量を実行している場合があり、こ
の場合には燃費や排気エミッションの悪化を引き起こし
ている。また、OTP実行条件を定めたときのエンジン
条件が経年変化や性能バラツキによって変化したとき
は、適切なOTP増量が行なわれない場合が生じ、排気
系部品の過熱を引き起こす可能性がある。
低温など)によっては、排気系部品が実際には過熱して
いなくても、OTP増量を実行している場合があり、こ
の場合には燃費や排気エミッションの悪化を引き起こし
ている。また、OTP実行条件を定めたときのエンジン
条件が経年変化や性能バラツキによって変化したとき
は、適切なOTP増量が行なわれない場合が生じ、排気
系部品の過熱を引き起こす可能性がある。
【0062】図14は上記の不具合を解決するOTP増
量制御ルーチンを示す。まず、図6のCPU61は前記
(5)式で算出したヒータ抵抗値RHと(2)式で算出
したヒータ供給電力PとをRAM63から取り込む(ス
テップ401)。続いて、取り込んだヒータ抵抗値RH
が所定の設定値Fより大きく(ステップ402)、か
つ、取り込んだヒータ供給電力Pが所定値Gより小さい
か否か判定される(ステップ403)。
量制御ルーチンを示す。まず、図6のCPU61は前記
(5)式で算出したヒータ抵抗値RHと(2)式で算出
したヒータ供給電力PとをRAM63から取り込む(ス
テップ401)。続いて、取り込んだヒータ抵抗値RH
が所定の設定値Fより大きく(ステップ402)、か
つ、取り込んだヒータ供給電力Pが所定値Gより小さい
か否か判定される(ステップ403)。
【0063】上記の設定値Fは前記図7に示したRT学
習ルーチンにより学習された目標抵抗値RTに、所定値
βを加算した値である。また、上記の所定値Gは零に極
めて近い値である。従って、ステップ402でRH>F
と判定され、かつ、ステップ403でP<Gと判定され
たときは、ヒータ供給電力Pが殆ど零である状態の時の
ヒータ抵抗値RHが目標抵抗値RTよりβ以上大なると
きであり、このとき排気系部品の温度がクライテリアを
越えたと判断する。
習ルーチンにより学習された目標抵抗値RTに、所定値
βを加算した値である。また、上記の所定値Gは零に極
めて近い値である。従って、ステップ402でRH>F
と判定され、かつ、ステップ403でP<Gと判定され
たときは、ヒータ供給電力Pが殆ど零である状態の時の
ヒータ抵抗値RHが目標抵抗値RTよりβ以上大なると
きであり、このとき排気系部品の温度がクライテリアを
越えたと判断する。
【0064】すなわち、ヒータ供給電力Pが殆ど零とい
うことは、ヒータ付O2 センサ43(ここではチタニア
O2 センサ)は排気ガスの熱エネルギだけで加熱され、
そのときのセンサ温度は排気ガス温を代表していると見
做すことができる。また、センサ温度とヒータ抵抗値R
Hとは比例関係にあり、ヒータ抵抗値RHを検知するこ
とはセンサ温度を検知していることと等価である。
うことは、ヒータ付O2 センサ43(ここではチタニア
O2 センサ)は排気ガスの熱エネルギだけで加熱され、
そのときのセンサ温度は排気ガス温を代表していると見
做すことができる。また、センサ温度とヒータ抵抗値R
Hとは比例関係にあり、ヒータ抵抗値RHを検知するこ
とはセンサ温度を検知していることと等価である。
【0065】更に、ヒータ付O2 センサ43は排気ガス
中にさらされているので、排気系部品の中で最も高温と
なる部品であると考えることができ、排気系部品の代表
温度を示しているといえる。従って、以上よりヒータ供
給電力Pが殆ど零のときのヒータ付O2 センサ43のヒ
ータ抵抗値RHから排気系部品の代表温度を検知するこ
とができ、RH>Fのとき排気系部品の温度がクライテ
リアをオーバしていると判断できる。
中にさらされているので、排気系部品の中で最も高温と
なる部品であると考えることができ、排気系部品の代表
温度を示しているといえる。従って、以上よりヒータ供
給電力Pが殆ど零のときのヒータ付O2 センサ43のヒ
ータ抵抗値RHから排気系部品の代表温度を検知するこ
とができ、RH>Fのとき排気系部品の温度がクライテ
リアをオーバしていると判断できる。
【0066】RH>F,P<Gのときはステップ404
へ進み、他のOTP条件が成立しているか否か判定され
る。この他のOTP条件は従来のOTP実行条件と同様
であり、機関回転数と吸入空気量との二次元マップやス
ロットル開度のマップで定められている。ステップ40
4で他のOTP条件が成立していると判定されたとき
は、OTP増量を実行し(ステップ405)、このルー
チンを終了する(ステップ407)他方、ステップ40
2及び403のクライテリアオーバ条件を満足していな
いとき(すなわちRH≦FとP≧Gの少なくとも一方が
成立するとき)、あるいはステップ404の他のOTP
条件が成立していないときにはOTP増量の実行を中止
し(ステップ406)、このルーチンを終了する(ステ
ップ407)。
へ進み、他のOTP条件が成立しているか否か判定され
る。この他のOTP条件は従来のOTP実行条件と同様
であり、機関回転数と吸入空気量との二次元マップやス
ロットル開度のマップで定められている。ステップ40
4で他のOTP条件が成立していると判定されたとき
は、OTP増量を実行し(ステップ405)、このルー
チンを終了する(ステップ407)他方、ステップ40
2及び403のクライテリアオーバ条件を満足していな
いとき(すなわちRH≦FとP≧Gの少なくとも一方が
成立するとき)、あるいはステップ404の他のOTP
条件が成立していないときにはOTP増量の実行を中止
し(ステップ406)、このルーチンを終了する(ステ
ップ407)。
【0067】このように図14に示した制御ルーチンに
よれば、過渡運転時や環境条件(高地、低温など)によ
り排気系部品が過熱していない場合には、クライテリア
オーバ条件を満足しないから、無駄なOTP増量を実行
することがない。従って、従来に比べて燃費を向上でき
ると共に、排気ガス中の炭化水素や一酸化炭素の低減が
可能となる。また、排気温センサ等の特別なセンサ類を
使用することなく、ヒータ制御装置を排気系部品の温度
を実質的に検知するためのセンサとしても利用できるた
め、低コストで確実なOTP増量が可能となる。
よれば、過渡運転時や環境条件(高地、低温など)によ
り排気系部品が過熱していない場合には、クライテリア
オーバ条件を満足しないから、無駄なOTP増量を実行
することがない。従って、従来に比べて燃費を向上でき
ると共に、排気ガス中の炭化水素や一酸化炭素の低減が
可能となる。また、排気温センサ等の特別なセンサ類を
使用することなく、ヒータ制御装置を排気系部品の温度
を実質的に検知するためのセンサとしても利用できるた
め、低コストで確実なOTP増量が可能となる。
【0068】なお、本発明は上記の実施例に限定される
ものではなく、例えばヒータ制御はスイッチングトラン
ジスタ52のオン/オフ期間の比を可変することで行な
う所謂デューティ比制御でもよい。
ものではなく、例えばヒータ制御はスイッチングトラン
ジスタ52のオン/オフ期間の比を可変することで行な
う所謂デューティ比制御でもよい。
【0069】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、運転状態
の違いによる影響の少ない機関始動時に目標抵抗値を更
新するようにしたため、目標抵抗値の学習精度を向上す
ることができる。よって本発明では空燃比を目標空燃比
に精度良く制御させることができるため、エミッション
悪化を防止できる。また或るヒータ供給電力を与えたと
きのヒータ抵抗値の変化割合からヒータ抵抗のばらつき
を判断しているため、ヒータ抵抗のばらつきが平行的に
起こらなくてもそのばらつきを正確に判断できる等の特
長を有するものである。
の違いによる影響の少ない機関始動時に目標抵抗値を更
新するようにしたため、目標抵抗値の学習精度を向上す
ることができる。よって本発明では空燃比を目標空燃比
に精度良く制御させることができるため、エミッション
悪化を防止できる。また或るヒータ供給電力を与えたと
きのヒータ抵抗値の変化割合からヒータ抵抗のばらつき
を判断しているため、ヒータ抵抗のばらつきが平行的に
起こらなくてもそのばらつきを正確に判断できる等の特
長を有するものである。
【図1】本発明の原理構成図である。
【図2】本発明の一実施例を適用した内燃機関の概略構
成図である。
成図である。
【図3】チタニアO2 センサの等価回路図である。
【図4】チタニアO2 センサのセンサ抵抗対センサ温度
特性図である。
特性図である。
【図5】図2中のヒータ制御回路の一例の回路図であ
る。
る。
【図6】図2中のマイクロコンピュータのハードウェア
構成図である。
構成図である。
【図7】本発明の要部の一実施例の説明用フローチャー
トである。
トである。
【図8】図7のフローチャート中の各値の変化を示すタ
イムチャートである。
イムチャートである。
【図9】図7のRT学習処理に用いるマップを示す図で
ある。
ある。
【図10】本発明の一実施例のヒータ抵抗とヒータ通電
との関係を説明する図である。
との関係を説明する図である。
【図11】ヒータ制御ルーチンの一例を示す図である。
【図12】空燃比(A/F)判定スレッシュレベル制御
ルーチンを示すフローチャートである。
ルーチンを示すフローチャートである。
【図13】チタニアO2 センサの出力電圧波形とセンサ
温度との関係を示す図である。
温度との関係を示す図である。
【図14】OTP増量制御ルーチンを示すフローチャー
トである。
トである。
【図15】ヒータ抵抗のばらつきと制御空燃比とを示す
図である。
図である。
11 内燃機関 12 酸素濃度検出センサ 13,43a ヒータ 14 ヒータ抵抗値検出手段 15 電力制御手段 16 目標抵抗値設定手段 21 マイクロコンピュータ 22 ヒータ制御回路 43 ヒータ付酸素濃度検出センサ(チタニアO2 セン
サ) 44 スタータ
サ) 44 スタータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−78942(JP,A) 特開 昭60−169755(JP,A) 特開 昭60−164240(JP,A) 特開 昭60−164241(JP,A) 特開 平3−165246(JP,A) 実開 平3−199957(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01N 27/12 G01N 27/409
Claims (1)
- 【請求項1】 内燃機関の排気ガス中の酸素濃度を検出
する酸素濃度検出センサを加熱するためのヒータの抵抗
値をヒータ抵抗値検出手段により検出し、検出した該ヒ
ータ抵抗値が目標抵抗値となるように電力制御手段によ
り該ヒータへの供給電力を制御する酸素濃度検出センサ
のヒータ制御装置において、機関始動時に前記ヒータに
所定の電力を供給させ、このとき前記ヒータ抵抗値検出
手段により検出されたヒータ抵抗値の変化割合を算出
し、該変化割合に基づいて前記目標抵抗値を設定する目
標抵抗値設定手段を具備したことを特徴とする酸素濃度
検出センサのヒータ制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3092298A JP2800453B2 (ja) | 1990-06-11 | 1991-04-23 | 酸素濃度検出センサのヒータ制御装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15182290 | 1990-06-11 | ||
JP2-151822 | 1990-06-11 | ||
JP3092298A JP2800453B2 (ja) | 1990-06-11 | 1991-04-23 | 酸素濃度検出センサのヒータ制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04218759A JPH04218759A (ja) | 1992-08-10 |
JP2800453B2 true JP2800453B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=26433745
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3092298A Expired - Fee Related JP2800453B2 (ja) | 1990-06-11 | 1991-04-23 | 酸素濃度検出センサのヒータ制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2800453B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116457654A (zh) * | 2020-11-30 | 2023-07-18 | 松下知识产权经营株式会社 | 空气质量判断系统、空气质量判断方法和传感器模块 |
-
1991
- 1991-04-23 JP JP3092298A patent/JP2800453B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04218759A (ja) | 1992-08-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |