JP2798042B2 - 光加工装置 - Google Patents
光加工装置Info
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- JP2798042B2 JP2798042B2 JP8036103A JP3610396A JP2798042B2 JP 2798042 B2 JP2798042 B2 JP 2798042B2 JP 8036103 A JP8036103 A JP 8036103A JP 3610396 A JP3610396 A JP 3610396A JP 2798042 B2 JP2798042 B2 JP 2798042B2
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- light source
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して光を
照射することにより基板の表面を加工する光加工装置に
関する。
照射することにより基板の表面を加工する光加工装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、基板に対して紫外光を照射す
ることにより基板の表面を加工する光加工装置において
は、紫外光が基板上に照射されても照射位置を観察する
ことができないため、紫外光等を発する加工用光源の他
に、所望の加工位置にスポットを合わせるための照準用
光源が設けられている。
ることにより基板の表面を加工する光加工装置において
は、紫外光が基板上に照射されても照射位置を観察する
ことができないため、紫外光等を発する加工用光源の他
に、所望の加工位置にスポットを合わせるための照準用
光源が設けられている。
【０００３】従来の光加工装置においては、上述した照
準用光源としてＨｅＮｅレーザやハロゲンランプ等が用
いられ、紫外光の光軸に合わせて照準用の光が基板上に
照射されて基板上における加工位置が観察されるととも
に加工位置における基板の加工が行われる。
準用光源としてＨｅＮｅレーザやハロゲンランプ等が用
いられ、紫外光の光軸に合わせて照準用の光が基板上に
照射されて基板上における加工位置が観察されるととも
に加工位置における基板の加工が行われる。
【０００４】なお、加工位置の観察においては、照準用
の光の波長と加工用の光の波長とに基づいて色収差補正
が施されたレンズが設けられ、そのレンズを用いて行わ
れている。
の光の波長と加工用の光の波長とに基づいて色収差補正
が施されたレンズが設けられ、そのレンズを用いて行わ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の光加工装置においては、加工用光源とは
別に照準用光源が必要であるため、外形が大型化すると
ともに構造が複雑化してしまうという問題点がある。
たような従来の光加工装置においては、加工用光源とは
別に照準用光源が必要であるため、外形が大型化すると
ともに構造が複雑化してしまうという問題点がある。
【０００６】本発明は、上述したような従来の技術が有
する問題点に鑑みてなされたものであって、外形を小型
化するとともに構造を単純化することができる光加工装
置を提供することを目的とする。
する問題点に鑑みてなされたものであって、外形を小型
化するとともに構造を単純化することができる光加工装
置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、光源から射出される光を被加工基板上に照
射することにより前記被加工基板の加工を行う光加工装
置において、前記光源と前記被加工基板との間に設けら
れ、前記光源から射出される光を可視光に変換する部分
と前記光源から射出される光をそのまま透過させる部分
とを具備する発光基板を有し、前記発光基板は、前記光
源と前記被加工基板とを結ぶ光路上に前記光源から射出
される光を可視光に変換する部分と前記光源から射出さ
れる光をそのまま透過する部分とが選択可能に配置され
るように移動自在に設けられていることを特徴とする。
に本発明は、光源から射出される光を被加工基板上に照
射することにより前記被加工基板の加工を行う光加工装
置において、前記光源と前記被加工基板との間に設けら
れ、前記光源から射出される光を可視光に変換する部分
と前記光源から射出される光をそのまま透過させる部分
とを具備する発光基板を有し、前記発光基板は、前記光
源と前記被加工基板とを結ぶ光路上に前記光源から射出
される光を可視光に変換する部分と前記光源から射出さ
れる光をそのまま透過する部分とが選択可能に配置され
るように移動自在に設けられていることを特徴とする。
【０００８】また、前記発光基板の前記光源から射出さ
れる光を可視光に変換する部分は、紫外光が入射した場
合に蛍光を発する発光物質が塗布されていることを特徴
とする。
れる光を可視光に変換する部分は、紫外光が入射した場
合に蛍光を発する発光物質が塗布されていることを特徴
とする。
【０００９】また、前記発光物質は、ソディウムサリチ
レートであることを特徴とする。
レートであることを特徴とする。
【００１０】また、前記発光物質は、サリチル酸カリウ
ムであることを特徴とする。
ムであることを特徴とする。
【００１１】
【００１２】
【００１３】（作用）上記のように構成された本発明に
おいては、被加工基板と被加工基板の加工を行うための
光を射出する光源との間に、光源から射出される光を可
視光に変換する部分と光源から射出される光をそのまま
透過させる部分とを具備する発光基板が設けられてお
り、発光基板は、光源と被加工基板とを結ぶ光路上に光
源から射出される光を可視光に変換する部分と光源から
射出される光をそのまま透過する部分とが選択可能に配
置されるように移動自在であるので、光源から射出され
る光に対する被加工基板の加工位置の調整を行う際は、
光源と被加工基板とを結ぶ光路上に光源から射出される
光を可視光に変換する部分が設置され、光源から射出さ
れる光が可視光に変換されることにより照射位置が観察
されて調整が行われ、被加工基板の加工を行う際は、光
源と被加工基板とを結ぶ光路上に光源から射出される光
をそのまま透過する部分が設置され、光源から射出され
る光がそのまま被加工基板上に照射されて被加工基板の
加工が行われる。
おいては、被加工基板と被加工基板の加工を行うための
光を射出する光源との間に、光源から射出される光を可
視光に変換する部分と光源から射出される光をそのまま
透過させる部分とを具備する発光基板が設けられてお
り、発光基板は、光源と被加工基板とを結ぶ光路上に光
源から射出される光を可視光に変換する部分と光源から
射出される光をそのまま透過する部分とが選択可能に配
置されるように移動自在であるので、光源から射出され
る光に対する被加工基板の加工位置の調整を行う際は、
光源と被加工基板とを結ぶ光路上に光源から射出される
光を可視光に変換する部分が設置され、光源から射出さ
れる光が可視光に変換されることにより照射位置が観察
されて調整が行われ、被加工基板の加工を行う際は、光
源と被加工基板とを結ぶ光路上に光源から射出される光
をそのまま透過する部分が設置され、光源から射出され
る光がそのまま被加工基板上に照射されて被加工基板の
加工が行われる。
【００１４】また、被加工基板と可視光を射出する光源
との間に、光源から射出される可視光を加工用の光に変
換する波長変換ユニットが設けられており、波長変換ユ
ニットは、光源と被加工基板とを結ぶ光路上に選択的に
設置可能であるので、光源から射出される光に対する被
加工基板の加工位置の調整を行う際は、光源と被加工基
板とを結ぶ光路上から波長変換ユニットが外され、光源
から射出される光がそのまま被加工基板上に照射される
ことにより照射位置が観察されて調整が行われ、被加工
基板の加工を行う際は、光源と被加工基板とを結ぶ光路
上に波長変換ユニットが挿入され、光源から射出される
光が加工用の光に変換されて被加工基板の加工が行われ
る。
との間に、光源から射出される可視光を加工用の光に変
換する波長変換ユニットが設けられており、波長変換ユ
ニットは、光源と被加工基板とを結ぶ光路上に選択的に
設置可能であるので、光源から射出される光に対する被
加工基板の加工位置の調整を行う際は、光源と被加工基
板とを結ぶ光路上から波長変換ユニットが外され、光源
から射出される光がそのまま被加工基板上に照射される
ことにより照射位置が観察されて調整が行われ、被加工
基板の加工を行う際は、光源と被加工基板とを結ぶ光路
上に波長変換ユニットが挿入され、光源から射出される
光が加工用の光に変換されて被加工基板の加工が行われ
る。
【００１５】このようにして、１つの光源のみによって
光源から射出される光に対する被加工基板の加工位置の
調整及び基板加工が行われるので、装置の外形が小型化
されるとともに構造が単純化する。
光源から射出される光に対する被加工基板の加工位置の
調整及び基板加工が行われるので、装置の外形が小型化
されるとともに構造が単純化する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【００１７】（第１の実施の形態）図１は、本発明の光
加工装置の第１の実施の形態を示す図である。
加工装置の第１の実施の形態を示す図である。
【００１８】本形態は図１に示すように、被加工基板で
ある試料５を加工するための光を射出する加工光源１
と、加工光源１と試料５との間に設けられ、加工光源１
から射出された光を可視光に変換する発光基板２と、発
光基板２と試料５との間に設けられ、発光基板２を透過
した光を試料上に集光させる対物レンズ４と、試料５上
に照射された光の照射位置を観察するためのイメージセ
ンサ６と、試料５における反射光をイメージセンサ６に
結像させるビームスプリッタ３とから構成されており、
発光基板２は、ＸＹステージ７により平面内において移
動可能な構成となっている。
ある試料５を加工するための光を射出する加工光源１
と、加工光源１と試料５との間に設けられ、加工光源１
から射出された光を可視光に変換する発光基板２と、発
光基板２と試料５との間に設けられ、発光基板２を透過
した光を試料上に集光させる対物レンズ４と、試料５上
に照射された光の照射位置を観察するためのイメージセ
ンサ６と、試料５における反射光をイメージセンサ６に
結像させるビームスプリッタ３とから構成されており、
発光基板２は、ＸＹステージ７により平面内において移
動可能な構成となっている。
【００１９】本形態においては、加工光源１として２４
８ｎｍの波長を有するＫｒＦレーザを用い、セラミック
上にポリイミド薄膜が形成された試料５にアブレーショ
ンパターンを形成する加工を行った。また、対物レンズ
４は、２４８ｎｍと４５０ｎｍの波長で色補正が施され
たものを用いた。
８ｎｍの波長を有するＫｒＦレーザを用い、セラミック
上にポリイミド薄膜が形成された試料５にアブレーショ
ンパターンを形成する加工を行った。また、対物レンズ
４は、２４８ｎｍと４５０ｎｍの波長で色補正が施され
たものを用いた。
【００２０】図２は、図１に示した発光基板２の詳細な
構造を示す図であり、（ａ）は発光物質を基板表面に塗
布した例を示す図、（ｂ）は発光物質を透明基板で挟ん
だ例を示す図、（ｃ）は基板をレンズ状に加工した例を
示す図である。
構造を示す図であり、（ａ）は発光物質を基板表面に塗
布した例を示す図、（ｂ）は発光物質を透明基板で挟ん
だ例を示す図、（ｃ）は基板をレンズ状に加工した例を
示す図である。
【００２１】本形態における発光基板２は図２に示すよ
うに、３３０ｎｍより短波長の紫外光線を受けた場合に
４５０ｎｍ付近を中心波長として蛍光を発する発光物質
２１であるソディウムサリチレートを水溶液にし、これ
を透明基板２２に塗布、乾燥させて作製される。なお、
ソディウムサリチレートによって、加工光源１から射出
された光は青色光線に変換される。
うに、３３０ｎｍより短波長の紫外光線を受けた場合に
４５０ｎｍ付近を中心波長として蛍光を発する発光物質
２１であるソディウムサリチレートを水溶液にし、これ
を透明基板２２に塗布、乾燥させて作製される。なお、
ソディウムサリチレートによって、加工光源１から射出
された光は青色光線に変換される。
【００２２】ここで、試料５の加工時においては加工光
源１から射出された光が可視光に変換されずに試料５に
照射される必要があるため、発光基板２上には発光物質
２１が塗布されない加工光線用ホール２４が設けられて
いる。
源１から射出された光が可視光に変換されずに試料５に
照射される必要があるため、発光基板２上には発光物質
２１が塗布されない加工光線用ホール２４が設けられて
いる。
【００２３】また、ソディウムサリチレートは、乾燥状
態ではパウダー状の微粉末であるため、微粉末が周辺に
飛び散ってしまう虞れがある。そのため、この微粉末の
影響を考慮する必要がある場合は、図２（ｂ）に示すよ
うに透明基板２３によって発光物質２６を挟み込む形状
にすれば問題はない。
態ではパウダー状の微粉末であるため、微粉末が周辺に
飛び散ってしまう虞れがある。そのため、この微粉末の
影響を考慮する必要がある場合は、図２（ｂ）に示すよ
うに透明基板２３によって発光物質２６を挟み込む形状
にすれば問題はない。
【００２４】また、図２（ｃ）に示すようなレンズ加工
基板２５を用いれば、加工光源１において射出される光
が散乱した場合でも、散乱した光を集光させて対物レン
ズ４に入射させることができる。
基板２５を用いれば、加工光源１において射出される光
が散乱した場合でも、散乱した光を集光させて対物レン
ズ４に入射させることができる。
【００２５】なお、発光物質としてはソディウムサリチ
レートに限らずサリチル酸カリウムでも構わない。
レートに限らずサリチル酸カリウムでも構わない。
【００２６】以下に、上記のように構成された光加工装
置の動作について説明する。
置の動作について説明する。
【００２７】まず、加工光源１から射出された光が発光
基板２において可視光に変換され、対物レンズ４に入射
する。
基板２において可視光に変換され、対物レンズ４に入射
する。
【００２８】すると、対物レンズ４において可視光が集
光されて試料５上に照射される。
光されて試料５上に照射される。
【００２９】その後、試料５上において可視光が反射す
ると、反射した可視光がビームスプリッタ３を介してイ
メージセンサ６に結像され、照射位置が観察される。
ると、反射した可視光がビームスプリッタ３を介してイ
メージセンサ６に結像され、照射位置が観察される。
【００３０】そして、イメージセンサ６に結像された反
射光に基づいて加工光源１から射出される光に対する試
料５の加工位置の調整が行われる。
射光に基づいて加工光源１から射出される光に対する試
料５の加工位置の調整が行われる。
【００３１】次に、発光基板２をずらして、試料５の加
工位置に加工光源１から射出される光を加工光線用ホー
ル２４を介してそのまま照射する。
工位置に加工光源１から射出される光を加工光線用ホー
ル２４を介してそのまま照射する。
【００３２】それにより、試料５の所望の位置における
加工が行われる。
加工が行われる。
【００３３】（第２の実施の形態）図３は、本発明の光
加工装置の第２の実施の形態を示す図である。
加工装置の第２の実施の形態を示す図である。
【００３４】本形態は図３に示すように、Ti:Sapphire
レーザを射出する光源３２と、光源３２におけるTi:Sap
phireレーザを励起させるＹＡＧ第２高調波を出力する
励起源３１と、光源３２と被加工基板である試料４１と
の間に設けられ、光源３２から射出されたレーザ光を加
工用の光に変換する波長変換ユニット４４と、光源３２
と波長変換ユニット４４との間に設けられ、光源３２か
ら射出されたレーザ光を減光させる減光フィルタ３３
と、波長変換ユニット４４と試料４１との間に設けら
れ、波長変換ユニット４４を透過した光を試料上に集光
させる対物レンズ４０と、試料４１上に照射された光の
照射位置を観察するためのイメージセンサ３９と、試料
４１における反射光をイメージセンサ３９に結像させる
ビームスプリッタ４３とから構成されており、波長変換
ユニット４４内には、波長変換を行うＬＢＯ結晶３５及
びＢＢＯ結晶３６，３７と、変換効率を上げるためのレ
ンズ３４，３８が設けられている。なお、試料４１は、
ジシランガスが導入されたＣＶＤチャンバ４２内に設け
られており、また、波長変換ユニット４４は、ＸＹステ
ージ４５により光源３２と試料４１とを結ぶ光路から出
し入れ可能な構成となっている。
レーザを射出する光源３２と、光源３２におけるTi:Sap
phireレーザを励起させるＹＡＧ第２高調波を出力する
励起源３１と、光源３２と被加工基板である試料４１と
の間に設けられ、光源３２から射出されたレーザ光を加
工用の光に変換する波長変換ユニット４４と、光源３２
と波長変換ユニット４４との間に設けられ、光源３２か
ら射出されたレーザ光を減光させる減光フィルタ３３
と、波長変換ユニット４４と試料４１との間に設けら
れ、波長変換ユニット４４を透過した光を試料上に集光
させる対物レンズ４０と、試料４１上に照射された光の
照射位置を観察するためのイメージセンサ３９と、試料
４１における反射光をイメージセンサ３９に結像させる
ビームスプリッタ４３とから構成されており、波長変換
ユニット４４内には、波長変換を行うＬＢＯ結晶３５及
びＢＢＯ結晶３６，３７と、変換効率を上げるためのレ
ンズ３４，３８が設けられている。なお、試料４１は、
ジシランガスが導入されたＣＶＤチャンバ４２内に設け
られており、また、波長変換ユニット４４は、ＸＹステ
ージ４５により光源３２と試料４１とを結ぶ光路から出
し入れ可能な構成となっている。
【００３５】以下に、上記のように構成された光加工装
置の動作について説明する。
置の動作について説明する。
【００３６】まず、波長変換ユニット４４を光路から外
し、光源３２から射出される光に対する試料４１の加工
位置の調整を行う。
し、光源３２から射出される光に対する試料４１の加工
位置の調整を行う。
【００３７】励起源３１から出力されるＹＡＧレーザ第
２高調波によって、光源３２からTi:Sapphireレーザが
励起され、７７２ｎｍの波長を有するレーザ光が出力さ
れる。
２高調波によって、光源３２からTi:Sapphireレーザが
励起され、７７２ｎｍの波長を有するレーザ光が出力さ
れる。
【００３８】そして、光源３２から射出されたレーザ光
が直接対物レンズ４０を介して試料４１上に照射され
る。
が直接対物レンズ４０を介して試料４１上に照射され
る。
【００３９】その後、試料４１において可視光が反射す
ると、反射した可視光がビームスプリッタ４３を介して
イメージセンサ３９に結像され、照射位置が観察され
る。
ると、反射した可視光がビームスプリッタ４３を介して
イメージセンサ３９に結像され、照射位置が観察され
る。
【００４０】そして、イメージセンサ３９に結像された
反射光に基づいて光源３２から射出される光に対する試
料４１の加工位置の調整が行われる。
反射光に基づいて光源３２から射出される光に対する試
料４１の加工位置の調整が行われる。
【００４１】次に、波長変換ユニット４４を光路に挿入
する。
する。
【００４２】すると、光源３２から射出された７７２ｎ
ｍの波長を有するレーザ光は、ＬＢＯ結晶３５及びＢＢ
Ｏ結晶３６，３７を順番に通過することにより、１９３
ｎｍの波長を有する光に変換される。
ｍの波長を有するレーザ光は、ＬＢＯ結晶３５及びＢＢ
Ｏ結晶３６，３７を順番に通過することにより、１９３
ｎｍの波長を有する光に変換される。
【００４３】そして、１９３ｎｍの波長を有する光が試
料４１上の光軸調整において決められた部分にのみ照射
され、この部分に局所的にシリコン薄膜が形成される。
料４１上の光軸調整において決められた部分にのみ照射
され、この部分に局所的にシリコン薄膜が形成される。
【００４４】なお、シリコン薄膜の形成においては、試
料４１が設けられたＣＶＤチャンバ４２内にジシランガ
スが導入されており、１９３ｎｍの波長を有する光によ
ってジシランガスが光化学分解されることによりレーザ
光照射部にのみ選択的にシリコン薄膜が形成される。
料４１が設けられたＣＶＤチャンバ４２内にジシランガ
スが導入されており、１９３ｎｍの波長を有する光によ
ってジシランガスが光化学分解されることによりレーザ
光照射部にのみ選択的にシリコン薄膜が形成される。
【００４５】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載するような効果を奏する。
ているので、以下に記載するような効果を奏する。
【００４６】請求項１から請求項４に記載のものにおい
ては、被加工基板と被加工基板の加工を行うための光を
射出する光源との間に、光源から射出される光を可視光
に変換する部分と光源から射出される光をそのまま透過
させる部分とを具備する発光基板を設け、発光基板が、
光源と被加工基板とを結ぶ光路上に光源から射出される
光を可視光に変換する部分と光源から射出される光をそ
のまま透過する部分とが選択可能に配置されるように移
動自在な構成としたため、１つの光源のみによって光源
から射出される光に対する被加工基板の加工位置の調整
及び基板加工を行うことができ、装置の外形の小型化及
び構造の単純化を図ることができる。
ては、被加工基板と被加工基板の加工を行うための光を
射出する光源との間に、光源から射出される光を可視光
に変換する部分と光源から射出される光をそのまま透過
させる部分とを具備する発光基板を設け、発光基板が、
光源と被加工基板とを結ぶ光路上に光源から射出される
光を可視光に変換する部分と光源から射出される光をそ
のまま透過する部分とが選択可能に配置されるように移
動自在な構成としたため、１つの光源のみによって光源
から射出される光に対する被加工基板の加工位置の調整
及び基板加工を行うことができ、装置の外形の小型化及
び構造の単純化を図ることができる。
【００４７】請求項５及び請求項６に記載のものにおい
ては、被加工基板と可視光を射出する光源との間に、光
源から射出される可視光を加工用の光に変換する波長変
換ユニットを設け、波長変換ユニットが、光源と被加工
基板とを結ぶ光路上に選択的に設置可能な構成としたた
め、請求項１から請求項４に記載のものと同様の効果を
奏する。
ては、被加工基板と可視光を射出する光源との間に、光
源から射出される可視光を加工用の光に変換する波長変
換ユニットを設け、波長変換ユニットが、光源と被加工
基板とを結ぶ光路上に選択的に設置可能な構成としたた
め、請求項１から請求項４に記載のものと同様の効果を
奏する。
【図１】本発明の光加工装置の第１の実施の形態を示す
図である。
図である。
【図２】図１に示した発光基板の詳細な構造を示す図で
あり、（ａ）は発光物質を基板表面に塗布した例を示す
図、（ｂ）は発光物質を透明基板で挟んだ例を示す図、
（ｃ）は基板をレンズ状に加工した例を示す図である。
あり、（ａ）は発光物質を基板表面に塗布した例を示す
図、（ｂ）は発光物質を透明基板で挟んだ例を示す図、
（ｃ）は基板をレンズ状に加工した例を示す図である。
【図３】本発明の光加工装置の第２の実施の形態を示す
図である。
図である。
１ 加工光源 ２ 発光基板 ３，４３ ビームスプリッタ ４，４０ 対物レンズ ５，４１ 試料 ６，３９ イメージセンサ ７，４５ ＸＹステージ ２１，２６ 発光物質 ２２，２３ 透明基板 ２４ 加工光線用ホール ２５ レンズ加工基板 ３１ 励起源 ３２ 光源 ３３ 減光フィルタ ３４，３８ レンズ ３５ ＬＢＯ結晶 ３６，３７ ＢＢＯ結晶 ４２ ＣＶＤチャンバ ４４ 波長変換ユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B23K 26/06 G03F 7/20 H01L 21/205
Claims (3)
- 【請求項１】 光源から射出される光を被加工基板上に
照射することにより前記被加工基板の加工を行う光加工
装置において、 前記光源と前記被加工基板との間に設けられ、前記光源
から射出される光を可視光に変換する部分と前記光源か
ら射出される光をそのまま透過させる部分とを具備する
発光基板を有し、 前記発光基板は、前記光源と前記被加工基板とを結ぶ光
路上に前記光源から射出される光を可視光に変換する部
分と前記光源から射出される光をそのまま透過する部分
とが選択可能に配置されるように移動自在に設けられて
おり、該発光基板の前記光源から射出される光を可視光
に変換する部分は、紫外光が入射した場合に蛍光を発す
る発光物質が塗布されていることを特徴とする光加工装
置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光加工装置において、 前記発光物質は、ソディウムサリチレートであることを
特徴とする光加工装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の光加工装置において、 前記発光物質は、サリチル酸カリウムであることを特徴
とする光加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8036103A JP2798042B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 光加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8036103A JP2798042B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 光加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09225671A JPH09225671A (ja) | 1997-09-02 |
| JP2798042B2 true JP2798042B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=12460442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8036103A Expired - Lifetime JP2798042B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 光加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2798042B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764049A (en) * | 1980-10-02 | 1982-04-17 | Olympus Optical Co | Lasre work device |
-
1996
- 1996-02-23 JP JP8036103A patent/JP2798042B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09225671A (ja) | 1997-09-02 |
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