JP2793397B2 - High frequency filter - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、各種の通信機器や電子
機器等に用いられる高周波フィルタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency filter used for various communication equipment and electronic equipment.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図３は従来の高周波フィルタの回路例を
示した図である。また、図４は従来の高周波フィルタの
構成図であり、Ａは分解平面図、Ｂは断面図である。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a diagram showing a circuit example of a conventional high frequency filter. FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional high-frequency filter, in which A is an exploded plan view and B is a cross-sectional view.
【０００３】図中、Ｒｘは受信部側端子、Ｔｘは送信部
側端子、ＡＮＴはアンテナ側端子、Ｃ1 〜Ｃ3 はコンデ
ンサ、Ｌ1 〜Ｌ3 はコイル、１−１〜１−４は誘電体
層、２〜７はコンデンサ電極パターン、８〜１３はコイ
ルパターン、１４〜１６はコンデンサ電極パターン、１
７はスルーホール電極、１８はＧＮＤパターンを示す。In the figure, Rx is a terminal on the receiving side, Tx is a terminal on the transmitting side, ANT is a terminal on the antenna side, C 1 to C 3 are capacitors, L 1 to L 3 are coils, 1-1 to 1-4 are coils. Dielectric layer, 2 to 7 are capacitor electrode patterns, 8 to 13 are coil patterns, 14 to 16 are capacitor electrode patterns, 1
Reference numeral 7 denotes a through-hole electrode, and reference numeral 18 denotes a GND pattern.
【０００４】従来、高周波フィルタ等をＳＭＤ（表面実
装部品）化する場合、実装するマザーボードに対して、
ボード側からの影響を、できるだけ受けないようにする
ため、部品（ＳＭＤ化した部品）のマウント面（底部）
に、ＧＮＤパターンを設定することがよく行われてい
た。Conventionally, when a high frequency filter or the like is formed into an SMD (Surface Mounted Component), a motherboard to be mounted is
In order to minimize the influence from the board side, the mounting surface (bottom part) of components (SMD components)
, A GND pattern is often set.
【０００５】しかしながら、前記ＧＮＤパターンを設定
できるのは、ＧＮＤ電位を有する回路についてであり、
ＧＮＤ電位を有さない回路については簡単に設定できな
い。そこで、ＧＮＤ電位を有しない回路について、前記
ＧＮＤパターンを設定し、ＳＭＤ化したとすると、次の
ようになる。以下具体例について説明する。However, the GND pattern can be set for a circuit having a GND potential.
A circuit having no GND potential cannot be easily set. Therefore, assuming that the above-mentioned GND pattern is set for a circuit having no GND potential and SMD conversion is performed, the following is obtained. Hereinafter, specific examples will be described.
【０００６】図３は、従来の高周波フィルタの回路例で
あり、ディプレクサとして用いた例である。このディプ
レクサは、１つのアンテナを、送信部と受信部で共用す
る際に用いられ、コイルＬ1 〜Ｌ3 と、コンデンサＣ1
〜Ｃ3 で構成されている。FIG. 3 shows a circuit example of a conventional high-frequency filter, which is used as a diplexer. The diplexer is one antenna, used when shared by the transmitter and receiver, a coil L 1 ~L 3, capacitor C 1
It is composed of -C 3.
【０００７】そして、コイルＬ1 とコンデンサＣ1 、及
びコイルＬ2 とコンデンサＣ3 は、それぞれ共振周波数
の異なる並列共振回路を構成している。しかし、この回
路はＧＮＤ電位のない回路構成である。The coil L 1 and the capacitor C 1 , and the coil L 2 and the capacitor C 3 form parallel resonance circuits having different resonance frequencies. However, this circuit has a circuit configuration without a GND potential.
【０００８】このような高周波フィルタ（ディプレク
サ）をＳＭＤ化し、マウント面（底面）にＧＮＤパター
ンを設定した場合、図４に示した構造となる。図示のよ
うに、多層基板を４層とし、各層の誘電体層１−１〜１
−４上には、それぞれ厚膜パターンによりコイルパター
ン８〜１３、コンデンサ電極パターン２〜７、１４〜１
６、スルーホール電極１７等を形成し、各層のパターン
間を、ブラインドスルーホール（内部が導体で満たされ
たスルーホール）によって接続し、図３の回路構成とす
る。When such a high-frequency filter (diplexer) is formed into an SMD and a GND pattern is set on a mounting surface (bottom surface), a structure shown in FIG. 4 is obtained. As shown in the figure, the multilayer substrate has four layers, and the dielectric layers 1-1 to 1-1 of each layer.
-4, coil patterns 8 to 13 and capacitor electrode patterns 2 to 7 and 14 to 1
6, the through-hole electrode 17 and the like are formed, and the patterns of the respective layers are connected by blind through-holes (through-holes filled with a conductor) to obtain the circuit configuration of FIG.
【０００９】また、最下層である第４層の誘電体層１−
４上には、ＧＮＤパターン１８を形成し、マザーボード
側からの影響を受けないようにする。このような各誘電
体層から成る積層体の側面に側面電極（端子）を設け
て、ＳＭＤとする。The fourth dielectric layer 1-which is the lowermost layer-
On the substrate 4, a GND pattern 18 is formed so as not to be affected by the motherboard. Side electrodes (terminals) are provided on the side surfaces of the stacked body composed of the respective dielectric layers to form an SMD.
【００１０】ところが、図４のような構造にすると、コ
ンデンサ電極パターンとＧＮＤパターンとの間に浮遊容
量が発生し、更にコイルのインダクタンス値が低下す
る。このため、共振、反共振の周波数が大きくずれ、所
望の特性が得られなくなる。従って、前記のようなＧＮ
Ｄパターンの設定は簡単にできない。However, with the structure as shown in FIG. 4, a stray capacitance is generated between the capacitor electrode pattern and the GND pattern, and the inductance value of the coil is further reduced. For this reason, the resonance and antiresonance frequencies are greatly shifted, and desired characteristics cannot be obtained. Therefore, the GN as described above
Setting the D pattern is not easy.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。 (1) 高周波フィルタ等をＳＭＤ化する場合、ボード側か
らの影響を受けないようにするため、部品のマウント面
側にＧＮＤパターンを設定することがよく行われてい
た。The above-mentioned conventional apparatus has the following problems. (1) When a high-frequency filter or the like is formed into an SMD, a GND pattern is often set on the mounting surface side of the component in order to prevent the influence from the board side.
【００１２】しかし、ＧＮＤ電位を有しない高周波フィ
ルタの場合、前記のＧＮＤパターンは簡単に設定できな
い。 (2) 例えば図４に示した例では、コンデンサＣ1 〜Ｃ3
の各コンデンサ電極パターンが、ＧＮＤパターン１８に
対して浮遊容量を発生させ、更に、コイルＬ1 〜Ｌ3 の
インダクタ値が低下する。However, in the case of a high-frequency filter having no GND potential, the above-mentioned GND pattern cannot be easily set. (2) For example, in the example shown in FIG. 4, the capacitors C 1 to C 3
Each capacitor electrode pattern is to generate a stray capacitance with respect to GND pattern 18, further, the inductor value of the coil L 1 ~L 3 is reduced.
【００１３】そのため、共振及び反共振の周波数が大き
くずれる。更にその周波数ズレを補正したとしても、ア
ンテナ側端子ＡＮＴ−受信部側端子Ｒｘ 間、アンテナ側
端子ＡＮＴ−送信部側端子Ｔｘ 間の各端子間の通過帯域
（共振点）の不整合は取りきれないため、高周波信号の
通過損失を小さくすることはできない。As a result, the resonance and anti-resonance frequencies are greatly shifted. Furthermore, even if correcting the frequency deviation, A
Between antenna-side terminals ANT- receiver side terminal R x, antenna side
Since the terminal ANT- the mismatch passband (resonance point) between the terminals between the transmission side terminal T x can not be taken, the high-frequency signal
The passage loss cannot be reduced.
【００１４】(3) 図４の例で、ＧＮＤパターン１８の影
響を減らすために、コンデンサＣ1 〜Ｃ3 のコンデンサ
電極パターンと、ＧＮＤ電極パターン１８との間の厚み
を大きくすることも考えられる。[0014] (3) in the example of FIG. 4, in order to reduce the influence of the GND pattern 18, is also conceivable to increase the capacitor electrode pattern of the capacitor C 1 -C 3, a thickness between the GND electrode pattern 18 .
【００１５】しかし、この場合は、当然のことながら部
品が厚くなり、大型化する。そのため、製造時において
は、脱バインダーや焼成に時間がかかる。本発明は、こ
のような従来の課題を解決し、高周波フィルタのＳＭＤ
化を容易にして、実装の自由度を大きくすると共に、小
型で、製造の容易な高周波フィルタを実現することを目
的とする。However, in this case, the parts naturally become thicker and larger. Therefore, it takes time to remove the binder and bake during manufacturing. The present invention solves such a conventional problem and provides a high frequency filter SMD.
Another object of the present invention is to realize a high-frequency filter which is easy to manufacture, has a high degree of freedom in mounting, and is small in size and easy to manufacture.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するため、次のように構成した。 （１）積層体を構成する任意の層に、非接地コンデンサ
電極パターン及びコイルパターンを設定すると共に、当
該部品のマウント面側にＧＮＤパターンを設定した高周
波フィルタであって、前記ＧＮＤパターンに対し、積層
方向で、コイルパターンより遠い位置に、コンデンサ電
極パターンを偏在させて設定した。Means for Solving the Problems The present invention has the following construction to solve the above-mentioned problems. (1) An ungrounded capacitor electrode pattern and a coil pattern are set on any layer constituting the laminate, and
This is a high-frequency filter in which a GND pattern is set on the mount surface side of the component, and a capacitor electrode pattern is set so as to be unevenly located at a position farther from the coil pattern in the laminating direction with respect to the GND pattern.
【００１７】（２）前記構成（１）において、ＧＮＤパ
ターンを、前記部品のマウント面側に配置された最外層
の積層体に設定すると共に、積層方向に対し、該ＧＮＤ
パターンとコンデンサ電極パターンとの間に、コイルパ
ターンを設定した。(2) In the above configuration (1), the GND pattern is formed on the outermost layer disposed on the mounting surface side of the component.
And the GND in the stacking direction.
A coil pattern was set between the pattern and the capacitor electrode pattern.
【００１８】[0018]
【作用】上記構成に基づく本発明の作用を説明する。高
周波フィルタをＳＭＤ化する際、マザーボード等からの
影響をなくすために、マウント面側にＧＮＤパターンを
設定する。しかし、このＧＮＤパターンを設定したこと
により、コンデンサ電極パターンとＧＮＤパターンとの
間に浮遊容量が発生する。The operation of the present invention based on the above configuration will be described. When the high-frequency filter is converted to the SMD, a GND pattern is set on the mount surface side in order to eliminate the influence from the motherboard or the like. However, by setting the GND pattern, a stray capacitance is generated between the capacitor electrode pattern and the GND pattern.
【００１９】そして、前記浮遊容量が大きいと、共振周
波数のズレ等が発生する。しかし、本発明のように、コ
ンデンサ電極パターンを、できる限りＧＮＤパターンと
離して設定すれば、前記の浮遊容量を最小限に抑えるこ
とが可能になる。If the stray capacitance is large, the resonance frequency is shifted. However, if the capacitor electrode pattern is set as far as possible from the GND pattern as in the present invention, the stray capacitance can be minimized.
【００２０】従って、ＧＮＤ電位を有しない高周波フィ
ルタであっても、ＧＮＤパターンを設定してＳＭＤ化す
ることが可能となる。しかもこの場合、前記共振周波数
ズレ等も最小限に抑えることが可能であり、実装の自由
度も大きくなる。Therefore, even with a high-frequency filter having no GND potential, it is possible to set a GND pattern and convert it to SMD. Moreover, in this case, the resonance frequency
Deviation and the like can be minimized, and the degree of freedom in mounting is increased.
【００２１】また、積層体を厚くすることもなく、ＧＮ
Ｄパターンを設定して、ＳＭＤ化することが可能であ
り、製造時の脱バインダーや焼成の時間を短縮化でき
る。なお、コンデンサ電極パターンやＧＮＤパターン
は、面積の広いパターンであるため、これらのパターン
が接近して対向配置されていると、大きな浮遊容量が発
生する。In addition, without increasing the thickness of the laminate, GN
By setting the D pattern, it is possible to make SMD, and it is possible to shorten the time for debinding and firing during production. Since the capacitor electrode pattern and the GND pattern are patterns having a large area, a large stray capacitance is generated when these patterns are closely arranged to face each other.
【００２２】しかし、コイルパターンは、その面積が極
めて少ないため、仮に、ＧＮＤパターンと接近して対向
配置されていても、極めて小さな浮遊容量しか発生せ
ず、問題にならない。However, since the coil pattern has a very small area, even if the coil pattern is arranged close to the GND pattern, only a very small stray capacitance is generated, which is not a problem.
【００２３】このため、コンデンサ電極パターンとＧＮ
Ｄパターン間で発生する浮遊容量を少なくすれば、ほぼ
良好な特性が得られることになる。Therefore, the capacitor electrode pattern and GN
If the stray capacitance generated between the D patterns is reduced, almost excellent characteristics can be obtained.
【００２４】[0024]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は実施例における高周波フィルタの分解斜視
図である。また、図２は実施例における高周波フィルタ
の斜視図、及び断面図であり、Ａは高周波フィルタの斜
視図、Ｂは図１のＸ−Ｙ線方向断面図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an exploded perspective view of a high-frequency filter according to an embodiment.
FIG. FIG. 2 shows a high-frequency filter according to the embodiment.
3A and 3B are a perspective view and a cross-sectional view, respectively, where A is a diagonal of a high-frequency filter
FIG . 2B is a sectional view taken along line XY in FIG. 1 .
【００２５】図中、３０−１〜３０−６は第１層〜第６
層の誘電体層、３１〜３５はコンデンサ電極パターン、
３６〜４１はコイルパターン、４２はＧＮＤパターン、
ＧＮＤはＧＮＤ側端子、Ｒｘは受信部側端子、Ｔｘは送
信部側端子、ＡＮＴはアンテナ側端子を示す。In the figure, reference numerals 30-1 to 30-6 denote first to sixth layers.
The dielectric layers of the layers, 31 to 35 are capacitor electrode patterns,
36 to 41 are coil patterns, 42 is a GND pattern,
GND is a GND side terminal, Rx is a receiving unit side terminal, Tx is a transmitting unit side terminal, and ANT is an antenna side terminal.
【００２６】本実施例では、図３に示した回路構成の高
周波フィルタを、多層基板に実装してＳＭＤ化したもの
である（回路図は図３を援用）。この例では、図１、図
２に示したように、６層の誘電体層を積層したものであ
り、コンデンサ部を積層体の上部側に設定し、その下側
にコイル部を設定し、更にその下側にＧＮＤパターンを
設定した。In this embodiment, the high-frequency filter having the circuit configuration shown in FIG. 3 is mounted on a multilayer substrate to form an SMD (a circuit diagram is shown in FIG. 3). In this example, as shown in FIGS. 1 and 2, six dielectric layers are laminated, and a capacitor part is set on the upper side of the laminated body, and a coil part is set on the lower side thereof. Further, a GND pattern was set below the same.
【００２７】図示のように、多層基板の第１層の誘電体
層３０−１は、保護用の層であり、第２層の誘電体層３
０−２上には、コンデンサ電極パターン３１、３２を形
成し、第３層の誘電体層３０−３上にはコンデンサ電極
パターン３３、３４、３５を形成する。As shown in the figure, the first dielectric layer 30-1 of the multilayer substrate is a protective layer, and the second dielectric layer 3-1 is a protective layer.
The capacitor electrode patterns 31 and 32 are formed on O-2, and the capacitor electrode patterns 33, 34 and 35 are formed on the third dielectric layer 30-3.
【００２８】また、第４層の誘電体層３０−４上には、
コイルパターン３６、３７、３８を形成し、第５層の誘
電体層３０−５上にはコイルパターン３９、４０、４１
を形成する。更に、第６層の誘電体層３０−６（最外
層）上には、ＧＮＤパターン（ベタパターン）４２を形
成する。Further, on the fourth dielectric layer 30-4,
The coil patterns 36, 37, and 38 are formed, and the coil patterns 39, 40, and 41 are formed on the fifth dielectric layer 30-5.
To form Further, a GND pattern (solid pattern) 42 is formed on the sixth dielectric layer 30-6 (outermost layer).
【００２９】なお、前記の各コンデンサ電極パターン、
コイルパターン及びＧＮＤパターンは、それぞれ導体の
印刷により厚膜パターンとして形成する。前記のよう
に、各層に厚膜パターンを形成するが、この場合、コイ
ルパターン３６と３９の間、コイルパターン３８と４１
の間、コイルパターン３７と４０の間、コイルパターン
３７とコンデンサ電極パターン３５の間、コイルパター
ン３６とコンデンサ電極パターン３３、３４の接続部と
の間（いずれも図示点線部分）を、ブラインドスルーホ
ール（内部が導体で満たされたスルーホール）によって
接続する。The above-mentioned capacitor electrode patterns,
The coil pattern and the GND pattern are each formed as a thick film pattern by printing a conductor. As described above, a thick film pattern is formed on each layer. In this case, between the coil patterns 36 and 39, the coil patterns 38 and 41 are formed.
, Between the coil patterns 37 and 40, between the coil pattern 37 and the capacitor electrode pattern 35, and between the coil pattern 36 and the connection between the capacitor electrode patterns 33 and 34 (indicated by dotted lines). (Through holes filled with conductors).
【００３０】このようにすると、コンデンサ電極パター
ン３１と３３の間にコンデンサＣ2 が形成され、コンデ
ンサ電極パターン３２と３４の間にコンデンサＣ1 が形
成され、コンデンサ電極パターン３２と３５との間にコ
ンデンサＣ3 が形成される。[0030] Thus, the capacitor C 2 is formed between the capacitor electrode patterns 31 and 33, capacitor C 1 is formed between the capacitor electrode patterns 32 and 34, between the capacitor electrode patterns 32 and 35 capacitor C 3 is formed.
【００３１】また、コイルパターン３６と３９でコイル
Ｌ1 を形成し、コイルパターン３７と４０でコイルＬ2
を形成し、コイルパターン３８と４１でコイルＬ3 を形
成する。これにより、図３と同じ回路構成となる。Further, to form a coil L 1 by the coil pattern 36 and 39, the coil L 2 by the coil pattern 37 and 40
It is formed and to form a coil L 3 by the coil pattern 38 and 41. This results in the same circuit configuration as in FIG.
【００３２】前記の積層体の側面には、図２のＡに示し
たように、側面電極を形成して内部のパターンと接続
し、ＳＭＤ化した高周波フィルタとする。この場合、例
えば図示のように、受信部側端子Ｒｘ、送信部側端子Ｔ
ｘ、アンテナ側端子ＡＮＴ、ＧＮＤ側端子ＧＮＤの各側
面電極を形成する。As shown in FIG. 2A, a side surface electrode is formed on the side surface of the above-mentioned laminated body and connected to an internal pattern to form an SMD-converted high frequency filter. In this case, for example, as shown, the receiving unit side terminal Rx and the transmitting unit side terminal T
x, side electrodes of the antenna side terminal ANT and the GND side terminal GND are formed.
【００３３】前記の各側面電極と内部の各パターン間の
接続を行うため、コンデンサ電極パターン３１、３２、
コイルパターン４１及び３９と、４０の接続部、ＧＮＤ
パターン４２には、それぞれパターンの延長部分が形成
されており、これらの部分で内部のパターンと側面電極
との接続を行っている。In order to make connections between the side electrodes and the internal patterns, the capacitor electrode patterns 31, 32,
Connection between coil patterns 41 and 39 and 40, GND
The pattern 42 has extended portions of the pattern, and these portions connect the internal pattern to the side electrodes.
【００３４】このような構造のＳＭＤ化した高周波フィ
ルタを、マザーボード上に実装する際は、ＧＮＤパター
ン４２の設定側をマザーボード側とする。なお、コンデ
ンサ電極パターンは、ＧＮＤパターンに対し、厚み方向
で、できる限り離れた場所に偏在させて設定することが
望ましい。When mounting the SMD high-frequency filter having such a structure on a motherboard, the setting side of the GND pattern 42 is set to the motherboard side. It is desirable that the capacitor electrode pattern is set so as to be unevenly distributed as far as possible in the thickness direction with respect to the GND pattern.
【００３５】上記のように、コンデンサ部とＧＮＤパタ
ーンとの間に、コイル部を設定したので、コンデンサ部
とＧＮＤパターンとの間の距離を大きくできる。このた
め、コンデンサ電極パターンとＧＮＤパターンとの間に
発生する浮遊容量を低下できる（従来例と比べて）。As described above, since the coil portion is set between the capacitor portion and the GND pattern, the distance between the capacitor portion and the GND pattern can be increased. Therefore, the stray capacitance generated between the capacitor electrode pattern and the GND pattern can be reduced (compared with the conventional example).
【００３６】従って、共振時の周波数ズレを少なくし、
各端子間の通過帯域（共振点）の不整合を最小限に抑え
ることができる。尚、コイル部については、ＧＮＤパタ
ーンを設定したことにより、個々のコイルのインダクタ
ンス値を低下させるため、そのままでは周波数ズレが生
じる。従ってこの場合は、作り込みにより、そのズレ分
を補正してパターニングすれば問題はない。Accordingly, the frequency deviation at the time of resonance is reduced,
Mismatch of the pass band (resonance point) between the terminals can be minimized. In the coil section, since the inductance value of each coil is reduced by setting the GND pattern, a frequency shift occurs as it is. Therefore, in this case, there is no problem if patterning is performed by compensating for the misalignment.
【００３７】このようにして、ＧＮＤ電位を有しない高
周波フィルタであっても、外部からの影響を防ぐための
ＧＮＤパターンを設定して、ＳＭＤ化することが可能に
なる。As described above, even with a high-frequency filter having no GND potential, it is possible to set a GND pattern for preventing the influence from the outside and convert it to SMD.
【００３８】（他の実施例）以上実施例について説明し
たが、本発明は次のようにしても実施可能である。 (1) 図３に示した回路構成の高周波フィルタに限らず、
各種の高周波フィルタに適用可能である。(Other Embodiments) Although the embodiments have been described above, the present invention can be implemented as follows. (1) Not only the high frequency filter having the circuit configuration shown in FIG.
It is applicable to various high frequency filters.
【００３９】(2) 図１の例で、ＧＮＤパターン４２は、
誘電体層３０−５の裏面に設けてもよい。 (3) ＧＮＤパターンとコイル部の間、あるいは、コイル
部とコンデンサ部の間に、他の層（例えば、ダミー層
等）を介在させてもよい。(2) In the example of FIG. 1, the GND pattern 42
It may be provided on the back surface of the dielectric layer 30-5. (3) Another layer (for example, a dummy layer) may be interposed between the GND pattern and the coil section or between the coil section and the capacitor section.
【００４０】(4) 積層体（多層基板）の層数は、任意に
設定可能である。(4) The number of layers of the laminate (multilayer substrate) can be set arbitrarily.
【００４１】[0041]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 (1) ＧＮＤ電位を有しない高周波フィルタでも、ＧＮＤ
パターンを設定してＳＭＤ化するのが容易になる。従っ
て、実装の自由度が大きくなる。As described above, the present invention has the following effects. (1) Even with a high-frequency filter having no GND potential,
It becomes easy to set a pattern and convert to SMD. Therefore, the degree of freedom in mounting is increased.
【００４２】(2) 前記（1)の理由により、高周波フィル
タ（ＳＭＤ）の小型化が可能になる。 (3) 高周波フィルタ（ＳＭＤ）を薄くしても、ＧＮＤパ
ターンを設定したことによる影響を最小限に抑えること
ができる。従って、脱バインダーや焼成時間が短くて済
み、製造コストも安くなる。(2) Due to the reason (1), the high-frequency filter (SMD) can be downsized. (3) Even if the high-frequency filter (SMD) is made thin, the effect of setting the GND pattern can be minimized. Therefore, the time required for debinding and firing is short, and the manufacturing cost is reduced.
【図１】本発明の実施例における高周波フィルタの分解
斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of a high-frequency filter according to an embodiment of the present invention.
【図２】実施例における高周波フィルタの斜視図及び断
面図であり、Ａは高周波フィルタの斜視図、Ｂは図１の
Ｘ−Ｙ線方向断面図である。FIG. 2 is a perspective view and a cutaway of a high-frequency filter according to the embodiment.
2A is a perspective view of a high-frequency filter, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line XY in FIG.
【図３】従来の高周波フィルタの回路例である。FIG. 3 is a circuit example of a conventional high-frequency filter.
【図４】従来の高周波フィルタの構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional high-frequency filter.
３０−１〜３０−６ 誘電体層（第１層〜第６層） ３１〜３５ コンデンサ電極パターン ３６〜４１ コイルパターン ４２ ＧＮＤパターン Ｔｘ 送信部側端子 Ｒｘ 受信部側端子 ＡＮＴ アンテナ側端子 ＧＮＤ ＧＮＤ側端子 Ｃ1 〜Ｃ3 コンデンサ Ｌ1 〜Ｌ3 コイル30-1 to 30-6 Dielectric layer (first to sixth layers) 31 to 35 Capacitor electrode pattern 36 to 41 Coil pattern 42 GND pattern Tx Transmitter side terminal Rx Receiver side terminal ANT Antenna side terminal GND GND side terminal C 1 -C 3 capacitor L 1 ~L 3 coils
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H03H 7/01 - 7/13 H01F 15/00 - 15/18 H01F 17/00 - 17/08 H01G 4/40──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H03H 7/01-7/13 H01F 15/00-15/18 H01F 17/00-17/08 H01G 4 / 40
Claims (2)
０−６）に、非接地コンデンサ電極パターン（３１〜３
５）及びコイルパターン（３６〜４１）を設定すると共
に、 当該部品のマウント面側にＧＮＤパターン（４２）を設
定 した高周波フィルタであって、 前記ＧＮＤパターン（４２）に対し、積層方向で、コイ
ルパターン（３６〜４１）より遠い位置に、コンデンサ
電極パターン（３１〜３５）を偏在させて設定したこと
を特徴とする高周波フィルタ。An arbitrary layer (30-2 to 3-3) constituting a laminate.
0-6), the ungrounded capacitor electrode patterns (31 to 3)
5 ) When setting the coil pattern (36 to 41)
Then, a GND pattern (42) is set on the mounting surface side of the component.
A capacitor electrode pattern (31-35) which is set at a position farther than the coil pattern (36-41) in the stacking direction with respect to the GND pattern (42). And a high-frequency filter.
のマウント面側に配置された最外層の積層体に設定する
と共に、 積層方向に対し、該ＧＮＤパターン（４２）とコンデン
サ電極パターン（３１〜３５）との間に、コイルパター
ン（３６〜４１）を設定したことを特徴とする請求項１
記載の高周波フィルタ。2. The method according to claim 1, wherein the GND pattern is a component.
And the coil patterns (36-41) between the GND pattern (42) and the capacitor electrode patterns (31-35) in the stacking direction. 2. The method according to claim 1, wherein
The high frequency filter as described .
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| JP3327496A JP2793397B2 (en) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | High frequency filter |
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1991
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