JP2791991B2 - 光スイッチ - Google Patents

光スイッチ

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  • Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、光伝送媒体を有
する光伝送路と、この光伝送路の入力端に配置され伝送
路に入射される一次光電信号を送出するための発光源
と、伝送路の出力端に配置され一次光電信号を受けてこ
れを反射して伝送路に送り返す反射装置とを備えた光ス
イッチに関する。
【0002】
【従来の技術】このような光スイッチとしては、2本の
光導波管で作動する、即ち光電信号を往復するためのそ
れぞれファイバを備えたものが公知である。スイッチン
グ動作の際にはこの場合通常適切に形成された反射器の
位置が変更されて、一方のファイバからの光信号をそれ
ぞれ他方のファイバに入射するか、既に存在している光
信号の入射を遮断するようにしている。
【0003】今日、データやエネルギーをも光子により
線路を介して或いは大気中を伝送するための技術は極め
て一般的であり、多数使用されている。簡単な赤外線遠
隔制御から、ガラスファイバを介するセンサの光エネル
ギーの供給や光通信にまでその適用は達している。デー
タの方向伝送及び読取機器とデータ搬送体との間の同
時的な伝送はずっと以前から公知であり、原理上は技術
的に可能ではあるが、今までこの技術の広範囲の適用は
行われていなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この発明の課題は、こ
の技術を従来よりも、特にIDシステム或いはICカー
ドの光接続の分野において、より広範囲な使用を可能に
する、モノリシックデバイスの形の光スイッチを提供す
ることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】この課題は、この発明に
よれば、請求項1に記載の光スイッチによって解決され
る。
【0006】即ち、この発明による光スイッチは、伝送
路の出力端に配置される反射装置が、伝送路に送り込ま
れた一次光電信号が変調された二次光電信号に変換さ
れ、この二次光電信号が反射されて伝送路に送り返さ
れ、伝送路の入力端に配置された受光器に伝送され、変
調された二次光電信号に応答して電子的スイッチング動
作を行わせるように形成されている。
【0007】この発明の特別な利点として、スイッチン
グ動作がただ1本のファイバにより実現されることが可
能になる。
【0008】この発明の特別な構成においては、伝送路
の入力端に配置された受光器に、発光源の一次光電信号
及び反射装置からの変調された二次光電信号にそれぞれ
異なって応答する光電分離装置が付設されている。この
場合特に受光器には、実質的に二次変調光電信号に対し
てのみ透過性のある光電フィルタが前置される。
【0009】この発明の特別な構成においては、伝送路
の入力端に配置された受光器に、受光器により捕捉され
た二次変調光電信号に対する応答として電子的スイッチ
ング動作を行わせる制御信号を導出するスイッチング回
路が付設される。
【0010】この発明の特に好ましい構成においては、
反射装置によって反射された二次光電信号は一次光電信
号に対してパルス変調させることができる。
【0011】この発明による光スイッチの反射装置の機
械的構成においては、反射装置は少なくとも1つの機械
的に可動な特に振動可能な反射鏡を備え、この場合二次
変調光電信号の変調周波数が反射鏡の振動周波数に一致
する。伝送路の出力端には例えばスイッチング動作の際
に励起されるただ1つの振動可能な反射鏡が設けられ、
その際光信号のただ1本のファイバへの反射が固有周波
数に或いは外部から励起される反射鏡の周波数に応じて
周期的に変調される。このようにして例えばフォトダイ
オード及びフォトトランジスタからなる送信側におい
て、適当な電気回路により一定(固定)光信号の反射
された光信号が振動する反射鏡の反射された二次光信号
から分離される。反射された光信号の変調成分によって
例えば1つのフォトトランジスタに生ずる交番電気信号
が引続きスイッチング動作を起こさせるのに利用され
る。
【0012】反射鏡の固有周波数はその配置及び材料に
よりそれ自体は公知のように設定可能であるから、それ
ぞれ異なる固有周波数を持ち、従ってそれぞれ異なる二
次変調光信号を発生し、複数のスイッチング状態を表出
することを可能とする複数の反射鏡を備えた構成も実現
可能である。この二次信号は例えば入力側に適当な分離
フィルタを設けることにより或いは適当な回路手段によ
り電子的な方法で互いに分離される。反射装置の調整の
ための例えば各スイッチング位置に固有周波数の異なる
反射鏡を備えたロータリスイッチの形のスイッチング装
置により、特定して選択された反射鏡を光伝送路の光通
路中に或いはその外に位置決めすることができる。
【0013】少なくとも1つの反射鏡の振動の励起は機
械的に、しかしまた電気的或いは磁気的にも行うことが
できる。例えば、磁気的に感応する反射鏡を外部の交番
磁界によって強制される周期振動、即ち固有周波数とは
異なる振動を起こさせるように光伝送媒体の通路に置く
ことも可能である。
【0014】この発明による光スイッチの他の構成とし
て反射装置が反射鏡の代わりに少なくとも1つの光半導
体素子、特に直接遷移型半導体、例えばGaAs、In
P或いは他の二元、三元或いは四元直接遷移型半導体か
らなるフォトダイオードを備えることもできる。バンド
ギャップ波長より短い或いはこれと同じ波長を持つ光で
照射すると半導体素子の内部に電子及び正孔の対が生ず
る。電流回路が開かれていると電荷キャリアが波長λ=
1.24/Eg (μm)の光子を放出しながら再結合す
る。なおここでEg は半導体のエネルギーギャップであ
る。例えば発光源として放射波長が850nmの半導体
レーザが、反射装置としてGaAsフォトダイオードが
使用される場合、このフォトダイオードはピーク波長が
約900nmの光信号を放射する。この両波長は適当な
フィルタにより光伝送路の入力端で分別可能であり、そ
の結果一次レーザ光は二次フォトダイオード光から分離
される。
【0015】この場合光伝送路の出力端にあるフォトダ
イオードが一次光信号の通路に置かれると、このフォト
ダイオードにフォトダイオードの波長を持つ光放射が得
られ、光導波管に入射され、伝送路の入力端に配置され
た分離鏡で反射され、受波フォトダイオードにより検出
される。伝送路の出力端にあるフォトダイオードが一次
光信号の通路外にあると、受波側のフォトダイオードに
よって信号が出されない。出力側のフォトダイオードを
一次光信号の通路内に或いはその外に動かすことによっ
てスイッチング動作が受光側のフォトダイオードによっ
て行われる。
【0016】この発明による装置は、特に光導波管に断
路が存在するかどうかを監視するために利用可能であ
り、その結果例えばこの装置に付設される回路設備が、
受光側のフォトダイオードにおいて信号が到達しないと
きは何時でも自動的に切り離される。このような装置は
特にリミットスイッチにおいて良好に使用される。
【0017】光伝送路の入力端における発光源として例
として使用されたレーザダイオード或いはフォトダイオ
ードは連続的に(c−w−運転)或いはパルス状に運転
される。比較的遅いスイッチング動作の場合にはパルス
運転(例えば長い休止期間をもつ)が有利である。この
場合送光デバイスの負荷が低下し、これによりその寿命
が長くなり、電子回路を擾乱に鈍感に形成することがで
きるからである。
【0018】
【実施例】本発明の実施例を以下図面を参照して説明す
る。
【0019】図面に示された実施例において光スイッチ
1は、光導波管としてただ1つのファイバを有する光伝
送媒体3を備えた光伝送路2を持つ。光伝送路2の入力
端4には一次光信号6を送出する発光源5、好ましくは
半導体レーザ或いは半導体フォトダイオードが付設され
ている。一次光信号6は伝送路2に入射され伝送路2の
出力端7に配置された反射装置8に導かれる。反射装置
8により一次光電信号6は変調された二次光電信号9に
変換され、この信号は光伝送路2に送り戻され、伝送路
2の入力端4に配置された一次信号6に対して透過性の
ある分離鏡11を介して受光器10に伝送される。受光
器10は例えば図1による実施例の場合のようにフォト
トランジスタ12を、或いは図2の実施例の場合のよう
にフォトダイオード13を備える。いずれの場合にも受
光器10は受け取った二次信号9に応答し、図示されて
いない電子回路によりスイッチング動作を行って、例え
ば他の図示されていない電気回路を制御する。
【0020】図1の第一の実施例においては伝送路2の
出力側の反射装置8は振動可能な反射鏡14を有し、こ
れはスイッチング動作の際励起されて、光信号のファイ
バへの反射が反射鏡14の固有周波数に応じて或いは外
部から強制される反射鏡14の周波数に応じて周期的に
変調される。このようにして送信側においては適当な図
示されていない電気回路により一次信号の反射された光
が振動する反射鏡14の反射された光から分離される。
反射された光の変調された成分によりフォトトランジス
タ12に惹起される交番電気信号はスイッチング動作を
起こさせるのに利用される。反射鏡14の固有周波数は
反射鏡の幾何学的配置及び物質によって設定可能であ
る。さらに例えば、各スイッチング位置がそれぞれ異な
る固有周波数の反射鏡を備えているロータリスイッチも
実現可能である。
【0021】反射鏡14の振動の励起は機械的に、しか
しまた電気的に或いは磁気的にも行うことができる。例
えば磁気的に感応する反射鏡を外部の交番磁界によって
強制される周期振動、即ち固有周波数とは異なる振動を
させることもできる。
【0022】図2に示されるこの発明の第二の実施例に
おいては、反射鏡の代わりに例えばGaAs、InPか
らなる直接遷移型半導体或いは他の二元、三元或いは四
元直接遷移型半導体からなるフォトダイオード16が設
けられている。
【0023】フォトダイオード16の機能につき図3の
A及びBを参照して説明する。
【0024】フォトダイオード16に光が照射されると
半導体内部には電子・正孔対が生ずる。図3Bのように
ダイオード16のアノード17及びカソード18が外部
電流回路19により短絡されていると、電子・正孔対2
0はpn接合21の内部場を通して分離され、外部電流
回路には電流Ipが流れる。図3Aのように電流回路が
開かれていると光子によって作られた電子・正孔対は再
結合する。その際に解放されたエネルギーはSiのよう
な間接遷移型半導体においては格子に放出される。半導
体は最終的に加熱される。例えばGaAsのような直接
遷移型半導体においては電子・正孔対の再結合の際にエ
ネルギーが光子22の形で放出される。外部回路19の
スイッチ23の開閉により、ダイオード16が一定の
照射を受けている場合そのスイッチング周波数に応じて
交番光信号を発信することができる。放射された光子2
2に対するエネルギーは一次光信号6の吸収された光子
だけから生ずる。ここではこれを光/光変換器として扱
う。GaAsはバンドギャップに応じてほぼ900nm
において放射ピークを持つ、即ち900nmに等しい或
いはそれより小さい光のみが電子・正孔対を生ずる。こ
こで光源5を、はっきり900nm以下(例えば800
nm)に選べば、両波長は問題なく、例えば限界値以下
の波長を持つ光を阻止する適当なフィルタ24を受波装
置10に前置することにより分離される。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明による光スイッチの第一の実施例を示
す図。
【図2】この発明による光スイッチの第二の実施例を示
す図。
【図3】図2による実施例のフォトダイオードの機能を
説明する図で、Aはスイッチが開いている状態、Bはス
イッチが閉じている状態を示す。
【符号の説明】
1 光スイッチ 2 光伝送路 3 光伝送媒体 4 入力端 5 発光源 6 一次信号 7 出力端 8 反射装置 9 二次信号 10 受光器 11 分離装置 12 フオトトランジスタ 13 フォトダイオード 14 反射鏡 16 フォトダイオード 17 アノード 18 カソード 19 外部電流回路 20 電子・正孔対 21 pn接合 22 放出エネルギー 23 スイッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01M 11/00 G01M 11/02 G01J 1/00 H04B 10/00

Claims (14)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光伝送媒体(3)を有する光伝送路
    (2)と、この光伝送路(2)の入力端(4)に配置さ
    れ伝送路(2)に入射される一次光電信号(6)を送出
    するための発光源(5)と、伝送路(2)の出力端
    (7)に配置され一次光電信号(6)を受けてこれを反
    射して伝送路(2)に送り返す反射装置(8)とを備
    え、反射装置(8)が一次光電信号(6)を二次変調光
    電信号(9)に変換し、この二次変調光電信号(9)を
    反射して光伝送路(2)に送り返し、伝送路(2)の入
    力端(4)に配置され二次変調光電信号(9)に応答し
    て電子的スイッチングング動作を行わせる受光器(1
    0)に伝送することを特徴とする光スイッチ。
  2. 【請求項2】 伝送路(2)の光伝送媒体(3)がた
    だ一本のファイバを備えた光導波管であることを特徴と
    する請求項1記載の光スイッチ。
  3. 【請求項3】 伝送路(2)の入力端(4)に配置さ
    れた受光器(10)に、発光源(5)の一次光電信号
    (6)及び反射装置(8)からの二次変調光電信号
    (9)に異なって応答する光分離装置(11、24)が
    付設されていることを特徴とする請求項1又は2記載の
    光スイッチ。
  4. 【請求項4】 光分離装置(11、24)が実質的に二
    次変調光電信号(9)に対してのみ透過性であるフィル
    タ(24)を備えることを特徴とする請求項3記載の光
    スイッチ。
  5. 【請求項5】 伝送路(2)の入力端(4)に配置さ
    れた受光器(10)に、この受光器(10)により捕捉
    れた二次変調光電信号(9)に対する応答として制御
    信号を導出して電子的スイッチングを行わせるスイッチ
    ング回路が付設されていることを特徴とする請求項1な
    いし4のいずれか1つに記載の光スイッチ。
  6. 【請求項6】 反射装置(8)によって反射される二次
    変調光電信号(9)が一次光電信号(6)に対してパル
    ス変調されていることを特徴とする請求項1ないし5の
    いずれか1つに記載の光スイッチ。
  7. 【請求項7】 反射装置(8)が少なくとも1つの機械
    的に可動な特に振動可能な反射鏡(14)を備え、二次
    変調光電信号(9)の変調周波数が反射鏡(14)の振
    動周波数に一致していることを特徴とする請求項1ない
    し6のいずれか1つに記載の光スイッチ。
  8. 【請求項8】 反射鏡(14)の振動周波数が実質的に
    反射鏡の共振周波数であることを特徴とする請求項7記
    載の光スイッチ。
  9. 【請求項9】 反射鏡(14)の振動周波数が反射鏡の
    共振周波数と異なる外部から強制された周波数であるこ
    とを特徴とする請求項7記載の光スイッチ。
  10. 【請求項10】 反射鏡の運動もしくは振動を励起する
    ための駆動もしくは制御が機械的、電気的又は磁気的に
    行われることを特徴とする請求項7ないし9のいずれか
    1つに記載の光スイッチ。
  11. 【請求項11】 反射装置(8)が共振周波数の異なる
    複数の反射鏡を備え、その都度選択された反射鏡が反射
    装置(8)の調整に用いられるスイッチング装置により
    光伝送路(2)の光通路中に又は光通路外に位置決め
    能であることを特徴とする請求項7ないし10のいずれ
    1つに記載の光スイッチ。
  12. 【請求項12】 反射装置(8)が、一次光電信号
    (6)を受けたとき電子正孔対の生成及び再結合によ
    り特に一次光電信号(6)とは異なる放射波長を持つ二
    次変調光電信号(9)を発する少なくとも1つの光半導
    体素子(16)を有することを特徴とする請求項1ない
    し11のいずれか1つに記載の光スイッチ。
  13. 【請求項13】 少なくとも1つの光半導体素子(1
    6)がスイッチング装置により光伝送路(2)の光通路
    又は光通路外に置かれ得ることを特徴とする請求項1
    2記載の光スイッチ。
  14. 【請求項14】 反射装置(8)が複数の光半導体素子
    を備え、これらの光半導体素子は一次光電信号(6)を
    受けたとき電子・正孔対の生成及び再結合により互いに
    異なる放射波長を持つ二次変調光電信号を発することを
    特徴とする請求項1ないし13のいずれか1つに記載の
    光スイッチ。
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