JP2788531B2 - Organic complex light emitting device - Google Patents
Organic complex light emitting deviceInfo
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、電荷注入を行う電界発光素子（エレクトロ
ルミネッセンス（EL）素子）に関し、単色性に優れ変換
効率の高い発光素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescent device (electroluminescence (EL) device) that performs charge injection, and relates to a light emitting device having excellent monochromaticity and high conversion efficiency.
EL素子は、一般に真性型EL素子と注入型EL素子に分類
される。このなかで注入型EL素子の動作機構は、ダイオ
ードなどのｐ−ｎ接合に順方向バイアスを印加して、両
側の電極からそれぞれ電子と正孔を注入し、その再結合
により光を発生するものである。一般にこのEL素子は、
上記の発光機能を発現する層を、２つの電極間に配置し
た構造を有し、これら電極間に電圧を印加することによ
り，電気エネルギーを直接光に変換する発光素子であ
る。この素子の特徴として、直流から交流までの広い駆
動周波数範囲で動作し、しかも低電圧駆動が可能であ
り、また電気から光への変換効率がよいなどの可能性
や、従来の発光素子、例えば白熱電球や、蛍光灯などと
は異なり、薄膜パネル、ベルト状、円筒状等の種々の形
状の例えば、線、図、画像等の表示用部材や、あるいは
大面積のパネル等の面状の発光体を実現化できる可能性
を有することである。EL devices are generally classified into intrinsic EL devices and injection EL devices. Among these, the operation mechanism of the injection type EL element is to apply a forward bias to a pn junction such as a diode, inject electrons and holes from the electrodes on both sides, and generate light by recombination. It is. Generally, this EL element
The light emitting element has a structure in which a layer exhibiting the above light emitting function is arranged between two electrodes, and converts electric energy directly into light by applying a voltage between these electrodes. As a feature of this element, it operates in a wide driving frequency range from DC to AC, and can be driven at a low voltage, and has a good conversion efficiency from electricity to light. Unlike incandescent lamps, fluorescent lamps, etc., various shapes such as thin-film panels, belts, cylinders, etc., for example, display members for lines, figures, images, etc., or planar light emission from large-area panels, etc. It has the potential to realize the body.
この注入型EL素子に用いられる材料は、従来はGaP等
の無機半導体材料が主に使用されてきた。一方、また最
近になり正孔伝導性と電子伝導性の有機化合物薄膜を２
層重ねた注入型発光ダイオード素子が報告された（C.W.
Tang:Appl.Phys.Lett.,51(12)，（1987）193）。該有機
材料を用いた発光素子は、発光色を自由に変えることが
できること、また種々の薄膜形成方法が選択でき、また
精度よく大面積で薄膜の形成が可能である等の特徴を有
するため注目されている。Conventionally, inorganic materials such as GaP have been mainly used as the material used for the injection type EL element. On the other hand, recently, a thin film of an organic compound having both hole conductivity and electron conductivity has been developed.
Layered injection light emitting diode devices were reported (CW
Tang: Appl. Phys. Lett., 51 (12) , (1987) 193). A light-emitting element using the organic material has a feature that a light-emitting color can be freely changed, various thin-film formation methods can be selected, and a thin film can be formed with a large area with high accuracy. Have been.
しかしながら、例えば上記などの報告において緑の発
光を得る目的ではおもに８−ヒドロキシキノリン（A1
（Ox）3）が用いられているが、そのスペクトルの中心
波長は520nmであるが、そのスペクトル幅は480nmから62
0nmにわたるブロードなものである。色純度のよい単色
性の光を得るには、フィルター等を用いなければなら
ず、色純度のよい三原色を得てカラー表示用素子等を作
成する時に問題があった。この解決策として、これまで
しられている有機材料では、分子のブロードな発光遷移
をもちいていること、温度やマトリックスなどの環境の
影響を受けやすいことなど、スペクトル幅の狭い発光を
得ることは、原理的に不可能と考えられる。そこで、こ
の問題を解決するため，発光遷移確率が高く、環境の影
響をうけにくく、しかも発光スペクトル幅が狭い、など
の特徴を有する有機発光材料および素子が望まれてい
る。これに関して、本発明者らは特願平01−217407号で
有機錯体薄膜を用いた発光素子を開示した。However, for the purpose of obtaining green luminescence in the reports described above, for example, 8-hydroxyquinoline (A1
(Ox) 3 ) is used, but the center wavelength of the spectrum is 520 nm, but the spectrum width is from 480 nm to 62 nm.
It is broad over 0nm. In order to obtain monochromatic light with good color purity, a filter or the like must be used, and there has been a problem when obtaining three primary colors with good color purity to produce a color display element or the like. As a solution to this, organic materials that have been used so far can not emit light with a narrow spectral width, such as using broad emission transition of molecules and being susceptible to environment such as temperature and matrix. It is considered impossible in principle. Therefore, in order to solve this problem, an organic light emitting material and an element having characteristics such as a high emission transition probability, a low influence of the environment, and a narrow emission spectrum width are desired. In this regard, the present inventors have disclosed a light emitting device using an organic complex thin film in Japanese Patent Application No. 01-217407.
本発明者らは、さらに検討を加え、発光スペクトル幅
が狭く単色性に優れ、しかも変換効率のよい発光素子を
見出したのでここに提案する。The present inventors have further studied and found a light-emitting element having a narrow emission spectrum width, excellent monochromaticity, and high conversion efficiency, and propose here.
すなわち、本発明は、基板上に第一電極層，発光層，
電子伝導層，第二電極層の順に形成せられた発光素子で
あり、該発光層は正孔伝導性の有機化合物と希土類金属
の有機錯体が混合された薄膜よりなることを特徴とする
発光素子である。That is, the present invention provides a first electrode layer, a light emitting layer,
A light emitting element formed in the order of an electron conductive layer and a second electrode layer, wherein the light emitting layer comprises a thin film in which a hole conductive organic compound and an organic complex of a rare earth metal are mixed. It is.
第１図はその一つの実施の形態を示すものである。基
板、好ましくは樹脂、ガラス等の透明な基板1,透明導電
性薄膜層からなる第一電極層2,金属電極薄膜層からなる
第二電極層５を備えており、これら２つの電極2,5層間
に、発光層3,電子伝導層５を設けた発光素子である。FIG. 1 shows one embodiment. A substrate, preferably a transparent substrate such as resin or glass, a first electrode layer 2 made of a transparent conductive thin film layer, and a second electrode layer 5 made of a metal electrode thin film layer are provided. This is a light emitting device having a light emitting layer 3 and an electron conductive layer 5 between layers.
本発明における発光層は、EL性能つまり単色性および
発光効率の改善を特徴ずけるものであり、この層は、発
光層は正孔伝導性の有機化合物と希土類金属の有機錯体
が混合された薄膜よりなることが重要な点である。The light emitting layer in the present invention is characterized by the improvement of EL performance, that is, monochromaticity and improvement of luminous efficiency. The light emitting layer is a thin film in which a hole conductive organic compound and an organic complex of a rare earth metal are mixed. It is important to become more.
以下に希土類金属の有機錯体を説明する。 The rare earth metal organic complex is described below.
希土類金属としては，イットリウム（Ｙ），ランタン
（La），セリウム（Ce），プラセオジム（Pr），ネオジ
ム（Nd），プロメチウム（Pm），サマリウム（Sm），ユ
ーロピウム（Eu），ガドリニウム（Gd），テルビウム
（Tb），ジスプロシウム（Dy），ホルミウム（Ho），エ
ルビウム（Er），ツリウム（Tm），イッテルビウム（Y
b），ルテチウム（Lu）があるが、なかでもセリウム（C
e），プラセオジム（Pr），ネオジム（Nd），プロメチ
ウム（Pm），サマリウム（Sm），ユーロピウム（Eu），
テルビウム（Tb），ジスプロシウム（Dy），ホルミウム
（Ho），エルビウム（Er），ツリウム（Tm），イッテル
ビウム（Yb）が好ましい。これら金属の２価、３価ある
いは４価イオンが用いられる。Rare earth metals include yttrium (Y), lanthanum (La), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), promethium (Pm), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), Terbium (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm), ytterbium (Y
b), lutetium (Lu), but cerium (C
e), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), promethium (Pm), samarium (Sm), europium (Eu),
Terbium (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm), and ytterbium (Yb) are preferred. Divalent, trivalent or tetravalent ions of these metals are used.
また、有機物の配位子としては、アセチルアセトン，
ジベンゾイルメタン、２−テノイルトリフロロアセトン
のようなβ−ジケトン基を有するもの;o−ベンゾイル安
息香酸，サリチル酸、ｏ−フタル酸のようなカルボン酸
基を有するもの；サリチルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシ
アセトフェノン、ｏ−ヒドロキシベンゾフェノンのヒド
ロキシル基に隣接したケトン基あるいはアルデヒド基を
有するもの;8−ヒドロキシキノリンや5,7−ジブロムオ
キシンのようなオキシン類,2.2′−ビピリジン,2,2′,
2″−トリピリジン,1,10−フェナントロリンのようなピ
リジン類，クラウンエーテル類などがあり，これらの配
位子は単独あるいは混合して用いられる。In addition, acetylacetone,
Those having a β-diketone group such as dibenzoylmethane and 2-thenoyltrifluoroacetone; those having a carboxylic acid group such as o-benzoylbenzoic acid, salicylic acid and o-phthalic acid; salicylaldehyde and o-hydroxyacetophenone Having a ketone group or an aldehyde group adjacent to the hydroxyl group of o-hydroxybenzophenone; oxines such as 8-hydroxyquinoline and 5,7-dibromooxine, 2.2′-bipyridine, 2,2 ′,
There are pyridines such as 2 ″ -tripyridine, 1,10-phenanthroline, and crown ethers, and these ligands are used alone or as a mixture.
一方、有機伝導性（正孔導電性）の有機化合物として
は、アミン系の有機化合物や、ポリビニルカルバゾー
ル、ポリピロールやポリチオフェンなどの導電性高分子
化合物が用いられる。On the other hand, as the organic compound having organic conductivity (hole conductivity), an amine-based organic compound or a conductive polymer compound such as polyvinyl carbazole, polypyrrole, or polythiophene is used.
本発明における発光層は、上記正孔導電性の有機化合
物と、希土類金属の有機錯体が混合された薄膜として用
いられる。発光層中の有機錯体の濃度は特に規定するも
のではないが、通常0.01〜20mol％もしくは0.01〜10wt
％程度である。The light emitting layer in the present invention is used as a thin film in which the organic compound having a hole conductivity is mixed with an organic complex of a rare earth metal. The concentration of the organic complex in the light emitting layer is not particularly limited, but is usually 0.01 to 20 mol% or 0.01 to 10 wt%.
%.
上記有機金属錯体を含む薄膜は非晶質、微結晶、微結
晶を含む非晶質、多結晶、単結晶薄膜の形態で用いられ
る。なお、薄膜の厚みは特に限定するものではないが、
通常50〜5000Å程度が採用される。勿論、この外の範囲
も使用することは可能である。The thin film containing the organometallic complex is used in the form of an amorphous, microcrystalline, amorphous including microcrystal, polycrystalline, or single crystal thin film. Although the thickness of the thin film is not particularly limited,
Usually, about 50 to 5000 mm is adopted. Of course, other ranges can be used.
当該の薄膜は、真空蒸着法などの各種の物理的または
化学的な薄膜形成法などで形成されるほか、昇華法や、
塗布法なども有効に用いられる。The thin film is formed by various physical or chemical thin film forming methods such as a vacuum evaporation method, a sublimation method,
A coating method and the like are also effectively used.
本発明において電子伝導層としては、無機半導体薄膜
やオキサジアゾール系の有機化合物薄膜や、アルミニュ
ームオキシンなどの金属錯体の薄膜などを用いることが
でいる。無機半導体薄膜としては、１種類の無機半導体
薄膜、または２種類以上の無機半導体薄膜の積層膜より
なる。これらは、非晶質薄膜、微結晶薄膜、多結晶薄
膜、単結晶薄膜、または非晶質と微結晶が交じり合った
薄膜、またこれらの積層薄膜や人工格子薄膜等が用いら
れる。これらの薄膜形成に有用な無機半導体材料は、C,
Ge,Si,Snなどの一元系の半導体、SiCなどの二元系IV−I
V族半導体,AlSb,BN,BP,GaN,GaSb,GaAs,GaP,InSb,InAs,I
nPなどのIII−Ｖ族半導体、CdS,CdSe,CdTe,ZnO,ZnS,ZnS
eなどのII−VI族半導体材料など、さらに多元系の化合
物半導体材料などである。好ましい材料であるSi（シリ
コン）について具体的に例をあげると、非晶質シリコン
（ａ−Si）、水素化非晶質シリコン（ａ−Si:H）、微結
晶シリコン（μｃ−Si）、多結晶シリコン、単結晶シリ
コン、水素化非晶質炭化珪素（Si1-xCx:H）、微結晶炭
化珪素（μｃ−SiC）、単結晶炭化珪素、非晶質窒化珪
素、水素化非晶質窒化珪素、微結晶窒化珪素等が好適に
用いられる。ここで、上記の無機半導体薄膜は、その薄
膜自体が正孔伝導性をもつように、ドーピングなどを行
い、ｎ型にして用いられる。なお、厚みは特に限定され
ないが、通常、10〜3000Å程度が使用される。勿論、こ
れ以外のものも使用可能である。上記の無機半導体薄膜
の製造方法としては、光CVD法、プラズマCVD法、熱CVD
法，モレキュラービームエピタキシー（MBE）法，有機
金属分解法（MOCVD），蒸着法、スパッタ法、などの各
種の物理的または化学的な薄膜形成法などが用いられ
る。In the present invention, as the electron conductive layer, an inorganic semiconductor thin film, an oxadiazole-based organic compound thin film, a thin film of a metal complex such as aluminum oxine, or the like can be used. The inorganic semiconductor thin film is composed of one kind of inorganic semiconductor thin film or a laminated film of two or more kinds of inorganic semiconductor thin films. As these, an amorphous thin film, a microcrystalline thin film, a polycrystalline thin film, a single crystal thin film, a thin film in which amorphous and microcrystals are mixed, a laminated thin film thereof, an artificial lattice thin film, and the like are used. Inorganic semiconductor materials useful for forming these thin films include C,
Mono-system semiconductors such as Ge, Si, Sn, and binary systems IV-I such as SiC
V group semiconductor, AlSb, BN, BP, GaN, GaSb, GaAs, GaP, InSb, InAs, I
III-V group semiconductors such as nP, CdS, CdSe, CdTe, ZnO, ZnS, ZnS
Group II-VI semiconductor materials such as e, and multi-component compound semiconductor materials. Specific examples of preferred material Si (silicon) include amorphous silicon (a-Si), hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H), microcrystalline silicon (μc-Si), Polycrystalline silicon, single crystal silicon, hydrogenated amorphous silicon carbide (Si 1 -xCx: H), microcrystalline silicon carbide (μc-SiC), single crystal silicon carbide, amorphous silicon nitride, hydrogenated amorphous Silicon nitride, microcrystalline silicon nitride, or the like is preferably used. Here, the above-mentioned inorganic semiconductor thin film is used as an n-type by performing doping or the like so that the thin film itself has hole conductivity. In addition, the thickness is not particularly limited, but usually about 10 to 3000 mm is used. Of course, other things can also be used. The method for producing the above-mentioned inorganic semiconductor thin film includes optical CVD, plasma CVD, and thermal CVD.
Various physical or chemical thin film forming methods such as a molecular beam epitaxy (MBE) method, an organic metal decomposition method (MOCVD), a vapor deposition method, and a sputtering method are used.
本発明における二つの電極層としては、金属，合金，
金属酸化物，金属シリサイドなど、またはそれらの１種
類または２種類以上の積層薄膜が用いられる。より好ま
しくは、接触している薄膜への電子または正孔の注入効
率のよい材料が選択される。例えば、第一電極層，ポリ
ビニルカルバゾール中に希土類の金属錯体が含まれる有
機薄膜からなる発光層、オキサジアゾール系の薄膜から
なる電子伝導層、第二電極層の順序で形成された素子に
関し具体的に例示して説明する。The two electrode layers in the present invention include metals, alloys,
A metal oxide, a metal silicide, etc., or one or two or more kinds of laminated thin films thereof are used. More preferably, a material having a high efficiency of injecting electrons or holes into the contacting thin film is selected. For example, the present invention relates to an element formed in the following order: a first electrode layer, a light emitting layer composed of an organic thin film containing a rare earth metal complex in polyvinyl carbazole, an electron conductive layer composed of an oxadiazole thin film, and a second electrode layer. This will be described by way of example.
第一電極層は、ポリビニルカルバゾール中に希土類の
金属錯体が含まれる有機薄膜からなる発光層へ正孔注入
効率のよい電極材料をもちいるとよい。この電極材料と
して、より具体的に説明すると、一般的に電子の仕事関
数の大きな金属、合金、金属酸化物などの金属化合物薄
膜や導電性高分子材料、それらの積層された薄膜などが
用いられる。また、この第一電極から発生する光を取り
出すこともできる。このためには、第一電極が透明また
は半透明の物質で形成されることが好ましい。具体的に
示すと、スズ酸化物（SnO2）、インジウム酸化物、イン
ジウム−スズ酸化物（ITO）等の金属酸化物の薄膜、ま
たはそれらの積層膜や、Pt,Au,Se,Pd,Ni,W,Ta,Te等の金
属や合金薄膜、またそれらの積層膜、CuIなどの金属塩
薄膜、またそれらの積層膜などが好適なものとして挙げ
られる。The first electrode layer is preferably made of an electrode material having a high hole injection efficiency to a light emitting layer composed of an organic thin film in which a rare earth metal complex is contained in polyvinyl carbazole. More specifically, as this electrode material, a metal compound thin film such as a metal, an alloy, or a metal oxide having a large electron work function, a conductive polymer material, a stacked thin film thereof, or the like is used. . Further, light generated from the first electrode can be extracted. For this, it is preferable that the first electrode is formed of a transparent or translucent material. Specifically, a thin film of a metal oxide such as tin oxide (SnO 2 ), indium oxide, indium-tin oxide (ITO), a laminated film thereof, Pt, Au, Se, Pd, Ni Suitable examples include thin films of metals and alloys such as W, Ta, Te, etc., and their laminated films, metal salt thin films such as CuI, and their laminated films.
第二の電極層は、オキサジアゾール系の薄膜に電子を
注入するため、一般的に電子の仕事関数の小さな金属や
合金薄膜、それらの積層薄膜などが用いられる。さらに
より具体的にはMg,Li,Na,K,Ca,Rb,Sr,Ceなどのアルカリ
金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Mg−Ag等の合
金、Cs−Ｏ−Ag、Cs3Sb、Na2KSb、（Cs）Na2KSb、等の
薄膜、またそれらの積層薄膜などが好適である。In order to inject electrons into the oxadiazole-based thin film, the second electrode layer generally uses a metal or alloy thin film having a small work function of electrons, or a stacked thin film thereof. Even more specifically, Mg, Li, Na, K, Ca, Rb, Sr, alkali metals such as Ce, alkaline earth metals, rare earth elements, alloys such as Mg-Ag, Cs-O- Ag, Cs 3 Sb , Na 2 KSb, (Cs) Na 2 KSb, etc., and a laminated thin film thereof are suitable.
なお、電極層の厚さは特に限定するものではないが、
通常、1000〜10000Å程度である。The thickness of the electrode layer is not particularly limited,
Usually, it is about 1000 to 10000Å.
本発明の素子は、青、緑、赤の三原色の発光素子をセ
グメント状に平面的に並べてカラー表示用の部材として
好適に用いることができる。The element of the present invention can be suitably used as a member for color display by arranging light emitting elements of three primary colors of blue, green, and red in a planar manner in a segment.
ガラス基板上にITO膜を膜厚5000Å形成し、第一の電
極層とした。スピンコート法を用いて、希土類金属の有
機錯体たるテルビウムアセチルアセトナート（Tb（aca
c）3）が1mol％含まれたポリビニルカルバゾールの有機
薄膜を膜厚1000Åほど形成し発光層とした。さらに、こ
の層の上に、抵抗加熱法により，（２−４−（Bipheny
l）−５−（４−tert−butyl phenyl）−１−３−４−o
xadiazolの有機薄膜を400Å形成し電子伝導層とした。
さらにAl金属薄膜を堆積して、第二電極層とし、第１図
に示すところの本発明の発光素子を得た。なおAl金属の
蒸着膜の面積は1cm角である。この発光素子に、直流電
圧を印加したところ、10v以上の室内蛍光灯下で確認で
きる明るい緑色の発光が観測された。このときの主な発
光波長は545nmで，この波長でのスペクトル幅は約10nm
で非常に単色性にすぐれた特性を示した。発光スペクト
ルの測定結果を第２図に示す。また、発光の電子から光
子への量子変換効率は2.2％ほどであった。An ITO film was formed on a glass substrate to a thickness of 5000 と し た to form a first electrode layer. Using spin coating, terbium acetylacetonate (Tb (aca
c) An organic thin film of polyvinyl carbazole containing 1 mol% of 3 ) was formed to a thickness of about 1000 mm to form a light emitting layer. Further, on this layer, (2-4- (Bipheny
l) -5- (4-tert-butyl phenyl) -1--3--4-o
An xadiazol organic thin film was formed to a thickness of 400 と し た to form an electron conducting layer.
Further, an Al metal thin film was deposited to form a second electrode layer, thereby obtaining a light emitting device of the present invention as shown in FIG. The area of the deposited film of Al metal is 1 cm square. When a DC voltage was applied to the light emitting device, bright green light emission that could be confirmed under a room fluorescent lamp of 10 V or more was observed. The main emission wavelength at this time is 545 nm, and the spectrum width at this wavelength is about 10 nm.
Showed very excellent monochromatic characteristics. FIG. 2 shows the measurement results of the emission spectrum. The quantum conversion efficiency from light-emitting electrons to photons was about 2.2%.
本発明は、一つの電極から電子を、もう一方の電極か
ら正孔を注入して動作する注入型EL素子において、発光
層に正孔伝導性の有機化合物に希土類金属の有機錯体が
含まれた薄膜を用いることにより、発光の単色性にすぐ
れた、しかも十分な発光輝度と安定性を有するEL素子と
成しえたものである。実施例からも明らかな如く、本発
明のかかる注入型発光素子は、従来技術においては到底
到達できなかった高性能な発光素子であり、カラー用の
表示用部材等として工業的にきわめて有用なものであ
る。The present invention provides an injection-type EL element that operates by injecting electrons from one electrode and holes from the other electrode, wherein the light-emitting layer contains a rare-earth metal organic complex in a hole-conductive organic compound. By using a thin film, an EL device having excellent monochromaticity of light emission and having sufficient light emission luminance and stability can be achieved. As is clear from the examples, the injection type light-emitting device of the present invention is a high-performance light-emitting device that could not be reached in the prior art, and is industrially extremely useful as a color display member or the like. It is.
第１図は本発明の発光素子の実施の一例を示す説明図で
ある。 図において、 １……ガラス板等の基板、２……透明導電膜等よりなる
第一電極層、３……正孔伝導性有機化合物中に希土類金
属の有機錯体が含まれた薄膜からなる発光層、４……電
子伝導性有機薄膜からなる電子伝導層,5……A1金属薄膜
等よりなる第二電極層である。 第２図は、本発明の素子の発光スペクトル例を示す説明
図である。 図において、縦軸は相対的な発光強度，横軸は波長を示
す。FIG. 1 is an explanatory view showing one embodiment of the light emitting device of the present invention. In the figure, 1 ... a substrate such as a glass plate, 2 ... a first electrode layer made of a transparent conductive film or the like, 3 ... a light emission composed of a thin film containing a rare earth metal organic complex in a hole conductive organic compound. Layers, 4... An electron conductive layer made of an electron conductive organic thin film, and 5... A second electrode layer made of an A1 metal thin film. FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of an emission spectrum of the device of the present invention. In the figure, the vertical axis indicates relative light emission intensity, and the horizontal axis indicates wavelength.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−8287（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−8288（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−8289（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−207488（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−250292（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−274693（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−176993（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−54289（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−196475（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/14 H05B 33/22──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-2-8287 (JP, A) JP-A-2-8288 (JP, A) JP-A-2-8289 (JP, A) JP-A-2-8 207488 (JP, A) JP-A-2-250292 (JP, A) JP-A-3-274693 (JP, A) JP-A-3-176993 (JP, A) JP-A-3-54289 (JP, A) JP-A-2-196475 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H05B 33/14 H05B 33/22
Claims (1)
層、第二電極層の順に形成せられた発光素子であり、該
発光層は正孔伝導性の有機化合物と希土類金属の有機錯
体が混合された薄膜よりなることを特徴とする発光素
子。1. A light emitting device having a first electrode layer, a light emitting layer, an electron conductive layer, and a second electrode layer formed in this order on a substrate, wherein the light emitting layer is made of a hole conductive organic compound and a rare earth metal. A light-emitting element comprising a thin film in which an organic complex is mixed.
Priority Applications (1)
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