JP2786671B2 - Charged beam drawing method - Google Patents

Charged beam drawing method

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JP2786671B2
JP2786671B2 JP1122312A JP12231289A JP2786671B2 JP 2786671 B2 JP2786671 B2 JP 2786671B2 JP 1122312 A JP1122312 A JP 1122312A JP 12231289 A JP12231289 A JP 12231289A JP 2786671 B2 JP2786671 B2 JP 2786671B2
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  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、LSI等の半導体集積回路のパターンをマス
クやウェーハ等の試料に高速・高精度に描画するための
荷電ビーム描画方法に係わり、特にテーブル移動速度の
最適化により描画スループットの向上を図った荷電ビー
ム描画方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Purpose of the Invention] (Industrial application field) The present invention relates to a charged beam for drawing a pattern of a semiconductor integrated circuit such as an LSI on a sample such as a mask or a wafer with high speed and high accuracy. The present invention relates to a drawing method, and more particularly to a charged beam drawing method for improving a drawing throughput by optimizing a table moving speed.

(従来の技術) 近年、LSIのパターンは益々微細かつ複雑になってお
り、このようなパターンを形成する装置として電子ビー
ム描画装置が用いられている。この装置を用いて所望の
パターンを描画する場合、CADを始めとするLSIのパター
ン設計ツールを用いて作成される設計パターンデータ
を、そのままの形式で上記描画装置の描画パターンデー
タとして供給することはできない。その理由は、次のよ
うな点に集約される。
(Prior Art) In recent years, LSI patterns have become increasingly finer and more complex, and electron beam lithography systems have been used as devices for forming such patterns. When drawing a desired pattern using this apparatus, it is not possible to supply design pattern data created using an LSI pattern design tool such as CAD as drawing pattern data of the above-described drawing apparatus in the same format. Can not. The reasons are summarized as follows.

設計パターンデータは一般に多角形で表現されている
のに対し、電子ビーム描画装置に供給されるデータは台
形や矩形といった基本図形に限定される。
The design pattern data is generally represented by a polygon, whereas the data supplied to the electron beam drawing apparatus is limited to basic figures such as trapezoids and rectangles.

図形相互に重なりがあると多重露光となってしまい描
画精度が悪化してしまう。
If the figures overlap each other, multiple exposure is performed, and the drawing accuracy deteriorates.

電子ビーム描画に供給されるデータは、描画方式に準
拠して単位描画領域に分割されていなければならない。
The data supplied to the electron beam lithography must be divided into unit lithography areas according to the lithography method.

従って、上記設計データを例えば輪郭化処理を施して
多重露光部の除去を行い、その後ビームの偏向領域によ
り決定する固有の単位描画領域(フレーム領域)毎に矩
形・台形等の基本図形に分割することにより電子ビーム
描画装置にとって受容可能な図形データとする。このよ
うな工程によって集積回路に係わる描画パターンデータ
を生成し、このデータを磁気ディスク等の記憶媒体に格
納している。
Therefore, the design data is subjected to, for example, contouring processing to remove multiple exposure portions, and then divided into basic figures such as rectangles and trapezoids for each unique unit drawing area (frame area) determined by the beam deflection area. In this way, the graphic data is made acceptable to the electron beam drawing apparatus. Through these steps, drawing pattern data relating to the integrated circuit is generated, and this data is stored in a storage medium such as a magnetic disk.

そして、描画処理工程では上記描画パターンデータを
フレーム領域毎に読み出して一時的にパターンデータバ
ッファに蓄積し、このデータを解読すると共に、基本図
形をビーム成形手段により形成可能な描画単位図形の集
まりに分割する。そして、その結果を基にビーム位置及
びビームの形状を制御する一方で、試料を載置したテー
ブルをX方向若しくは及びY方向に連続的に移動してフ
レーム領域内に所望のパターンを描画する。次いで、テ
ーブルを連続移動方向と直交する方向にフレーム領域の
幅だけステップ移動し、上記処理を繰り返すことにより
所望領域全体の描画処理が行われる。
In the drawing process, the drawing pattern data is read out for each frame area and temporarily stored in a pattern data buffer. This data is decoded, and a basic figure is formed into a group of drawing unit figures that can be formed by the beam forming means. To divide. Then, while controlling the beam position and the beam shape based on the result, the table on which the sample is placed is continuously moved in the X direction or the Y direction to draw a desired pattern in the frame area. Next, the table is moved stepwise in the direction orthogonal to the continuous movement direction by the width of the frame area, and the above processing is repeated to perform the drawing processing of the entire desired area.

なお、主偏向手段により副偏向位置を決定し副偏向手
段により描画を行っていく2段偏向方式では、単位描画
領域(サブフィールド)の集合体でフレーム領域を構成
し、フレーム領域の幅は主偏向手段のビーム偏向幅で規
定している。この描画方式でも上記と同様にフレーム領
域毎に描画パターンデータを読み出し、テーブルを連続
移動しながら描画処理が行われる。
In the two-stage deflection system in which the main deflection unit determines the sub-deflection position and performs the drawing by the sub-deflection unit, a frame region is formed by an aggregate of unit drawing regions (sub-fields), and the width of the frame region is mainly determined. It is defined by the beam deflection width of the deflection means. Also in this drawing method, drawing pattern data is read out for each frame area in the same manner as described above, and drawing processing is performed while continuously moving the table.

上述の如く描画処理の中で、フレーム領域を描画する
時のテーブル移動速度は、フレーム領域中の全描画単位
図形のパターニング時間(ビームの位置及び形状を制御
して所望パターンを描画する時間)が、2段偏向方式の
場合はこれに加えて全単位描画領域の位置決め時間が、
上記テーブル移動速度に十分追従しえる値でなければ描
画不能となってしまう。この条件を満足するテーブル移
動速度の決定方法として、以下のような2つの方法が用
いられていた。
As described above, in the drawing process, the table moving speed when drawing the frame area is determined by the patterning time of all the drawing unit figures in the frame area (the time for drawing the desired pattern by controlling the position and shape of the beam). In the case of the two-stage deflection method, in addition to this, the positioning time of all the unit drawing areas is
If the value does not sufficiently follow the table moving speed, drawing becomes impossible. The following two methods have been used to determine the table moving speed that satisfies this condition.

描画ストライプ領域の描画に際して、テーブル移動速
度にパターニングが十分追従し得るよう極めて低いテー
ブル移動速度を設定し、全フレーム領域に亘り該移動速
度により描画処理する。
At the time of drawing in the drawing stripe region, an extremely low table moving speed is set so that patterning can sufficiently follow the table moving speed, and drawing processing is performed at the moving speed over the entire frame region.

マスクやウェーハ等の実際の描画処理に先立って、描
画領域を構成するそれぞれの描画ストライプ領域につい
てパターニングエラー(パターニング処理がテーブル移
動速度に追従できなくなって発生するエラー)を生じな
いテーブル移動速度をトライアンドエラー方式で見出し
て設定し、該テーブル移動速度により描画処理を実行す
る。
Prior to the actual drawing process of a mask or a wafer, a table moving speed that does not cause a patterning error (an error that occurs when the patterning process cannot follow the table moving speed) is tried for each drawing stripe region constituting the drawing region. It is found and set by the AND error method, and the drawing process is executed at the table moving speed.

しかしながら、この種の方法にあっては次のような問
題があった。即ち、前記フレーム領域を描画する際のテ
ーブル移動速度を決定するに際して、上記の方法によ
りテーブル移動速度を決定する方法にあっては、LSIチ
ップを構成するフレーム領域の集合である描画ストライ
プ領域の最もパターン密度の高い描画ストライプ領域を
エラーなく描画可能なテーブル移動速度以下の値を設定
しなければならず、該描画ストライプ領域以外のフレー
ム領域では必要以上に低いテーブル移動速度で描画する
こととなり、描画領域全体の描画時間の中で極めて多大
なる時間の無駄が生じてしまう。
However, this type of method has the following problems. That is, when determining the table moving speed when drawing the frame area, in the method of determining the table moving speed by the above-described method, most of the drawing stripe area which is a set of frame areas constituting the LSI chip is used. It is necessary to set a value equal to or less than the table moving speed at which the drawing stripe region having a high pattern density can be drawn without error. In a frame region other than the drawing stripe region, drawing is performed at an unnecessarily low table moving speed. An extremely large amount of time is wasted in drawing the entire area.

一方、の方法にあっては、描画領域を構成するそれ
ぞれの描画ストライプ領域毎に無駄の少ない描画処理を
可能とするが、そのテーブル速度を決定するのに描画対
象となるマクスやウェーハを前記テーブルに載置する前
処理として、該描画ストライプ領域毎に試行錯誤を繰り
返して描画時間の無駄を極力抑制し得るテーブル移動速
度を決定する工程が必要である。描画処理工程全体の中
で上記工程に費らす時間はとても無視し得るものではな
く、場合によっては実際の描画処理に要する時間以上に
上記テーブル移動速度の決定に要する時間が長くなる状
況となる場合もあり得る。
On the other hand, in the method (1), it is possible to perform a less wasteful drawing process for each of the drawing stripe regions constituting the drawing region. However, in order to determine the table speed, a mask or a wafer to be drawn is set on the table. As a pre-process for mounting on the drawing stripe, it is necessary to determine the table moving speed that can minimize waste of drawing time by repeating trial and error for each drawing stripe region. The time spent in the above steps in the entire drawing process is not negligible, and in some cases, the time required for determining the table moving speed is longer than the time required for the actual drawing process. It is possible.

このような状況から現在の描画工程では、各描画スト
ライプ領域のテーブル移動速度の決定方法に起因して描
画時間の増大、即ち描画スループットの低下を招いてい
た。そして、上述の如く問題点は、電子ビーム描画装置
の急速な進歩でパターンの微細化・集積度の向上により
上記電子ビーム描画装置で描画されたLSIパターンに対
する信頼性及び装置の稼働率向上に大きな支障となるも
のである。
Under such circumstances, in the current writing process, the writing time is increased, that is, the writing throughput is reduced due to the method of determining the table moving speed of each writing stripe region. As described above, the problem is that the rapid progress of the electron beam lithography system has a large effect on the improvement of the reliability and the operation rate of the LSI pattern drawn by the electron beam lithography system due to the miniaturization and improvement of the integration degree of the pattern. It is a hindrance.

(発明が解決しようとする課題) このように従来、描画エラーとなって描画不良となる
ことのない十分に低速なテーブル移動速度で描画する
と、描画時間のロスが大きく描画スループットを著しく
低下させる。一方、描画処理のロスを最小限に抑制する
テーブル移動速度を見出して描画する描画工程にあって
は、上記テーブル移動速度を決定する前処理工程に時間
が費やされて描画工程全体の時間が長期化することとな
り、やはり描画スループットが低下するという問題があ
った。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, conventionally, when drawing is performed at a sufficiently low table moving speed that does not cause a drawing error and a drawing defect, a drawing time loss is large and a drawing throughput is significantly reduced. On the other hand, in the drawing step of finding and drawing the table moving speed that minimizes the loss of the drawing processing, time is spent in the pre-processing step of determining the table moving speed, and the time of the entire drawing step is reduced. This results in a longer time, and there is a problem that the drawing throughput also decreases.

また、上述した問題は電子ビーム描画方法に限るもの
ではなく、イオンビーム等の荷電ビームを用いて試料上
に所望パターンを形成する荷電ビーム描画方法全般につ
いて言えることである。
Further, the above problem is not limited to the electron beam writing method, but can be applied to a general charged beam writing method for forming a desired pattern on a sample using a charged beam such as an ion beam.

本発明は、上述した事情を考慮してなされたものであ
り、その目的とするところは、実際の描画処理に要する
時間を低下させることなしにパターンの粗密を考慮した
略最適なテーブル移動速度を各描画ストライプ領域毎に
決定することができ、且つ実際のテーブル移動をするこ
となしに略最適なテーブル移動速度を簡易に決定するこ
とができ、描画スループットの向上を図り得る荷電ビー
ム描画方法を提供することにある。
The present invention has been made in consideration of the above-described circumstances, and has as its object to achieve a substantially optimum table moving speed in consideration of pattern density without reducing the time required for actual drawing processing. Provided is a charged beam writing method which can be determined for each writing stripe region, can easily determine a substantially optimum table moving speed without actually moving the table, and can improve the writing throughput. Is to do.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明の骨子は、実際の描画処理とは独立に描画対象
となる描画ストライプ領域に係わる描画パターンデータ
を解読して得られるビームの位置決め制御信号と、ビー
ムの成形制御信号及びテーブル移動速度の設定値に応じ
て発生する疑似的なテーブル位置のモニタ信号とによ
り、テーブルを実際に駆動することなしに描画エラーな
く描画可能なテーブル移動速度を決定することにある。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The gist of the present invention is a beam positioning control obtained by decoding drawing pattern data related to a writing stripe region to be written independently of an actual writing process. The signal, the beam shaping control signal, and the monitor signal of the pseudo table position generated according to the set value of the table moving speed make it possible to determine the table moving speed at which drawing can be performed without drawing errors without actually driving the table. Is to decide.

即ち本発明は、試料上に配置されたLSIチップの集合
である描画領域を、ビーム偏向手段のビーム偏向幅によ
り決定される描画ストライプ領域に分割して、この描画
ストライプ領域毎に描画する図形の位置及び図形形状が
定義された描画パターンデータを記憶媒体から読み出
し、上記描画パターンデータを解読しながらビーム成形
手段により形成可能な描画単位図形群にすると共に、上
記試料を載置したテーブルをX方向若しくはY方向に連
続移動しながら上記ビーム偏向手段を制御してビームの
位置決め及び形状の制御を行って所望パターンを描画す
る荷電ビーム描画方法において、実際の描画処理に先立
って上記テーブルを駆動することなく上記描画パターン
データを解読して描画単位図形とし、該描画単位図形の
位置決め信号及びビームの形状を制御するビーム成形信
号を上記ビーム偏向手段及びビーム成形手段を駆動する
ための偏向制御部に送出してビーム位置決めとビーム成
形を仮想的に行うと共に、上記テーブルを駆動した場合
に得られるテーブル移動速度に応じて変化するテーブル
のモニタ信号を疑似的に入力して、所定のテーブル移動
速度により前記描画ストライプ領域が描画可能であるか
否かを判定するという処理を繰り返して実際に描画処理
するテーブル移動速度を決定するようにした方法である
(請求項1)。
That is, the present invention divides a drawing area, which is a set of LSI chips arranged on a sample, into a drawing stripe area determined by a beam deflection width of a beam deflecting device, and The drawing pattern data in which the position and the figure shape are defined are read from the storage medium, and while the drawing pattern data is being decoded, the drawing unit figures are formed into a drawing unit figure group that can be formed by the beam forming means, and the table on which the sample is placed is placed in the X direction. Alternatively, in the charged beam drawing method of drawing a desired pattern by controlling the beam deflecting means while continuously moving in the Y direction to control the position and shape of the beam, driving the table prior to actual drawing processing. The drawing pattern data is decoded to make a drawing unit figure, and a positioning signal and a beam of the drawing unit figure are read. A beam shaping signal for controlling the shape is sent to the beam deflecting means and a deflection control unit for driving the beam shaping means to virtually perform beam positioning and beam shaping, and a table obtained when the table is driven. A monitor signal of a table that changes according to the moving speed is simulated, and a process of determining whether or not the drawing stripe region can be drawn at a predetermined table moving speed is repeated to actually perform the drawing process. This is a method for determining the table moving speed (claim 1).

また本発明は、前記描画パターンデータを解読して描
画単位図形群とする解読手段として、実際の描画処理等
に用いるものと描画処理に先立って上記テーブル移動速
度を決定するためのものとの少なくとも2式具備し、実
際の描画処理と上記テーブル移動速度の決定とがそれぞ
れ独立に処理できるようにした方法である(請求項
2)。
Further, the present invention provides at least one of decoding means for decoding the drawing pattern data to be a group of drawing unit figures used for actual drawing processing and the like and for determining the table moving speed prior to the drawing processing. In this method, two types are provided so that the actual drawing process and the determination of the table moving speed can be performed independently of each other (claim 2).

(作用) 本発明の請求項1記載の方法によれば、試料を載置し
たテーブルを駆動することなしに、ビームの制御信号
(ビームの位置決め信号及び成形信号)とテーブル速度
の設定値に応じて得られるテーブル位置の疑似的なモニ
タ信号により、該テーブル設定速度で描画可能か否かの
判定及びビームの位置決め信号と上記モニタ信号のタイ
ミングを解析して略最適なテーブル移動速度を決定する
ことができる。
(Operation) According to the method of the first aspect of the present invention, according to the beam control signal (the beam positioning signal and the shaping signal) and the set value of the table speed without driving the table on which the sample is placed. Determining whether or not drawing is possible at the table setting speed based on a pseudo monitor signal of the table position obtained by analyzing the timing of the beam positioning signal and the monitor signal to determine a substantially optimum table moving speed. Can be.

その結果として、荷電ビーム描画装置の稼働率を高め
ると共に、LSIの生産性を向上させることが可能とな
る。また、上記の描画方法は今後のLSIの急速な進歩に
伴うパターンの微細化及び集積度の向上に対してより有
効な効果を発揮すると期待される。
As a result, it is possible to increase the operation rate of the charged beam writing apparatus and to improve the productivity of the LSI. In addition, the above-described drawing method is expected to exhibit more effective effects on miniaturization of patterns and improvement of integration with the rapid progress of LSI in the future.

また、本発明の請求項2記載の方法によれば、実際の
描画処理と上述のテーブル速度決定処理とがそれぞれ独
立に処理可能であり、実際の描画処理時間を全く低下さ
せることなく描画処理することが可能であり、荷電ビー
ム描画装置の稼働率及びLSIの生産性をより高めること
が可能である。
According to the method of the second aspect of the present invention, the actual drawing processing and the above-described table speed determination processing can be performed independently, and the drawing processing is performed without any reduction in the actual drawing processing time. It is possible to further increase the operation rate of the charged beam writing apparatus and the productivity of the LSI.

(実施例) 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明す
る。
(Examples) Hereinafter, details of the present invention will be described with reference to the illustrated examples.

第1図は、本発明の一実施例方法に使用した電子ビー
ム描画装置を示す概略構成図である。図中10は試料室で
あり、この試料室10内には半導体ウェーハ若しくはガラ
スマスク等の試料11を載置したテーブル12が収容されて
いる。テーブル12は、テーブル駆動回路13によりX方向
(紙面左右方向)及びY方向(紙面表裏方向)に駆動さ
れる。そして、テーブル12の移動位置はレーザー測長計
等を用いた位置回路14により測定されるものとなってい
る。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an electron beam writing apparatus used in a method according to one embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 10 denotes a sample chamber, in which a table 12 on which a sample 11 such as a semiconductor wafer or a glass mask is placed is accommodated. The table 12 is driven by a table driving circuit 13 in the X direction (left and right directions on the paper) and the Y direction (front and back directions on the paper). The moving position of the table 12 is measured by a position circuit 14 using a laser length meter or the like.

試料室10の上方には、電子ビーム光学系20が配置され
ている。この光学系20は、電子銃21,各種レンズ22〜26,
ブランキング用偏向器31,ビーム寸法可変用偏向器32,ビ
ーム走査用の主偏向器33,ビーム走査用の副偏向器34及
びビーム成形アパーチャ35,36等から構成されている。
そして、主偏向器33により所定の単位描画領域(サブフ
ィールド)に位置決めし、副偏向器34によりサブフィー
ルド内での図形描画位置の位置決めを行うと共に、ビー
ム寸法可変用偏向器32及び成形アパーチャ35,36により
ビーム形状を制御し、テーブル12を一方向に連続移動し
ながらLSIチップをビーム偏向幅に応じて短冊状に分割
したフレーム領域を集めた描画ストライプ領域を描画処
理する。さらに、テーブル12を連続方向と直交する方向
にステップ移動し、上記処理を繰り返して各描画ストラ
イプ領域を順次描画するものとなっている。
Above the sample chamber 10, an electron beam optical system 20 is arranged. The optical system 20 includes an electron gun 21, various lenses 22 to 26,
It comprises a blanking deflector 31, a beam size varying deflector 32, a beam scanning main deflector 33, a beam scanning sub deflector 34, and beam shaping apertures 35 and 36.
The main deflector 33 is used to position a predetermined unit drawing area (sub-field), the sub-deflector 34 is used to position the figure drawing position in the sub-field, and the beam size changing deflector 32 and the shaping aperture 35 are used. , 36, the table 12 is continuously moved in one direction, and a drawing stripe area is formed by collecting frame areas obtained by dividing the LSI chip into strips according to the beam deflection width. Further, the table 12 is step-moved in a direction orthogonal to the continuous direction, and the above processing is repeated to sequentially draw each drawing stripe region.

一方、制御計算機40には磁気ディスク(記憶媒体)41
が接続されており、このディスク41にLSIのチップデー
タ(LSIチップの描画パターンデータ及び該チップの試
料への配置位置が記述されている配置データ)が格納さ
れている。磁気ディスク41から読み出されたチップデー
タは、前記描画ストライプ領域毎の描画パターンデータ
としてパターンメモリ(データバッファ部)42に一時的
に格納される。データバッファ部42に格納された描画ス
トライプ毎の描画パターンデータ、つまり描画位置及び
基本図形データ等で構成される描画ストライプ情報は、
データ解読部であるパターンデータデコーダ43及び描画
データデコーダ44により解読され、ブランキング回路4
5、ビーム成形器ドライバ46、主偏向器ドライバ47及び
副偏向器ドライバ48に送られる。
On the other hand, the control computer 40 has a magnetic disk (storage medium) 41.
The disk 41 stores LSI chip data (drawing pattern data of the LSI chip and layout data describing the layout position of the chip on the sample). The chip data read from the magnetic disk 41 is temporarily stored in a pattern memory (data buffer unit) 42 as drawing pattern data for each drawing stripe area. The drawing pattern data for each drawing stripe stored in the data buffer unit 42, that is, drawing stripe information including a drawing position and basic graphic data,
The data is decoded by a pattern data decoder 43 and a drawing data decoder 44 which are data decoding units, and a blanking circuit 4
5, sent to the beam shaper driver 46, main deflector driver 47 and sub deflector driver 48.

即ち、パターンデータデコーダ43では上記データを入
力し、必要に応じて描画ストライプ領域に包含される図
形データに反転処理を施し反転パターンデータを生成す
る。そして、次に描画ストライプデータとして定義され
ている基本図形データを前記成形アパーチャ35,36の組
み合わせにより形成可能な描画単位図形群に図形分割し
て、このデータに基づいてビーム制御データが作成され
ブランキング回路45に送られる。そして、さらに希望す
るビーム寸法データが作成され、このビーム成形制御デ
ータがビーム成形器ドライバ46に送られる。次に、ビー
ム成形器ドライバ46から前記光学系20のビーム寸法可変
用偏向器32に所定の偏向信号が印加され、これにより電
子ビームの寸法が制御されるものとなっている。
That is, the pattern data decoder 43 receives the above data, and performs inversion processing on the graphic data included in the drawing stripe area as necessary to generate inverted pattern data. Then, the basic figure data defined as the drawing stripe data is divided into drawing unit figure groups that can be formed by the combination of the shaping apertures 35 and 36, and beam control data is created based on this data. It is sent to the ranking circuit 45. Then, desired beam size data is created, and the beam forming control data is sent to the beam shaper driver 46. Next, a predetermined deflection signal is applied from the beam shaper driver 46 to the beam size changing deflector 32 of the optical system 20, whereby the size of the electron beam is controlled.

また、描画データデコーダ44では、上記描画ストライ
プデータに基づいてサブフィールドの位置決めデータが
作成され、このデータが主偏向器ドライバ47から前記光
学系の主偏向器33に所定の信号が印加され、これにより
電子ビームは指定のサブフィールド位置に偏向走査され
る。さらに、描画データデコーダ44では副偏向器走査の
コントロール信号が発生され、この信号が副偏向器ドラ
イバ48に送られる。そして、副偏向器ドライバ48から副
偏向器34に所定の副偏向信号が印加され、これによりサ
ブフィールド毎の描画が行われるものとなっている。
In the drawing data decoder 44, positioning data of a subfield is created based on the drawing stripe data, and a predetermined signal is applied to the data from the main deflector driver 47 to the main deflector 33 of the optical system. As a result, the electron beam is deflected and scanned to a designated subfield position. Further, the drawing data decoder 44 generates a sub-deflector scanning control signal, and this signal is sent to the sub-deflector driver 48. Then, a predetermined sub-deflection signal is applied from the sub-deflector driver 48 to the sub-deflector 34, whereby drawing for each sub-field is performed.

次に、上記構成された装置を用いた電子ビーム描画方
法について説明する。描画処理を行うためのデータの生
成工程を示したのが第2図である。LSIのパターンは、
通常LSIのチップ領域単位にCADシステムにより設計・作
成されて、その設計パターンデータがホスト計算機によ
り描画パターンデータに変換される。そして、この描画
パターンデータを読み出して電子ビーム描画が行われる
こととなる。
Next, an electron beam writing method using the above-configured apparatus will be described. FIG. 2 shows a process of generating data for performing a drawing process. The LSI pattern is
Normally, a CAD system is designed and created for each LSI chip area, and the design pattern data is converted into drawing pattern data by the host computer. Then, the drawing pattern data is read out to perform the electron beam drawing.

ここで、CADシステムにより作成されるデータは通
常、パターンが多角形の図形群により構成され、パター
ン相互に重なりが許容されている図形データ体系となっ
ている。このような形式のLSIパターンデータを電子ビ
ーム描画装置で受容可能な図形データ体系とするため、
ホスト計算機で図形の輪郭化処理を施してビームの多重
露光領域の除去を行い、続いて第3図(a)に示すよう
にLSIチップの領域を、前記ビームで偏向せられる単位
描画領域であるフレーム領域53a〜53dとサブフィールド
領域54への領域分割を行う。第3図(b)はビーム多重
露光領域の除去により多角形51,52とされたサブフィー
ルド領域54内の描画図形を示す。次に、この描画図形を
第3図(c)に示すような矩形及び台形図形で構成され
る基本図形群56への図形分割処理を行う。
Here, the data created by the CAD system usually has a figure data system in which the pattern is constituted by a group of polygonal figures and the patterns are allowed to overlap each other. In order to make LSI pattern data of such a format a graphic data system that can be accepted by an electron beam lithography system,
The host computer performs a contouring process on the figure to remove the multiple exposure area of the beam, and then, as shown in FIG. 3A, the area of the LSI chip is a unit drawing area which is deflected by the beam. The area is divided into frame areas 53a to 53d and a subfield area 54. FIG. 3B shows a drawing figure in a subfield area 54 which is made into polygons 51 and 52 by removing the beam multiple exposure area. Next, this drawing figure is subjected to figure division processing into a basic figure group 56 composed of rectangular and trapezoidal figures as shown in FIG. 3 (c).

このようなデータ生成工程により得た図形データを
図形形状フラグ、図形位置、図形サイズで表現し、
サブフィールド領域ならびにフレーム領域単位の図形デ
ータ群として定義して前記磁気ディスク41に格納する。
The graphic data obtained by such a data generation process is represented by a graphic shape flag, a graphic position, and a graphic size,
The data is defined as a group of graphic data in units of a subfield area and a frame area and stored in the magnetic disk 41.

そして、このようなデータ生成工程を経て作成された
描画パターンデータを、第4図に示すように描画領域に
包含されるLSIチップ群からテーブルのステップ移動方
向の位置が等しいチップ群を選択的に取り出す。さら
に、そのチップ群の中からテーブルのステップ移動方向
の位置が等しいフレーム領域だけを集めて構成した描画
ストライプ領域(斜線部)毎に、1回のテーブル移動で
描画し得る単位領域として磁気ディスク41から読み出し
て描画することとなる。しかし、この描画ストライプ領
域に包含される図形のパターン密度は、LSIチップの種
類及びチップ内の領域によっても著しくばらついたもの
となっている。従って、描画領域内の各描画ストライプ
領域毎にパターニングに要する時間が異なり、それに伴
って各描画ストライプ領域毎に設定するパターニング時
のテーブル移動速度も描画スループット向上の観点から
最適化することが望まれる。
Then, as shown in FIG. 4, the drawing pattern data created through such a data generation process is selectively transferred from the LSI chips included in the drawing area to the chips having the same position in the step moving direction of the table. Take out. Further, the magnetic disk 41 is used as a unit area which can be drawn by one table movement for each drawing stripe area (shaded area) formed by collecting only frame areas having the same position in the step moving direction of the table from the chip group. To be drawn. However, the pattern density of the graphics included in the drawing stripe region varies significantly depending on the type of the LSI chip and the region within the chip. Accordingly, the time required for patterning differs for each drawing stripe region in the drawing region, and accordingly, it is desired to optimize the table moving speed at the time of patterning set for each drawing stripe region from the viewpoint of improving the drawing throughput. .

そこで、上述の如くフレーム領域及びサブフィールド
領域に分割された第3図(c)に示す如き基本図形デー
タを描画ストライプ領域毎に読み出して、実際の描画処
理を行う際に用いるパターンメモリ42とは別に用意し
た、第5図に示すようなパターンメモリ42′に磁気ディ
スク41から読み出した描画ストライプ領域の描画パター
ンデータを一時的に格納する。そして、該データをパタ
ーンデータデコーダ43′により実際の描画処理を行う場
合と同様に、第6図に示す如く成形アパーチャ57,58の
組合わせにより形成可能な描画単位図形59の集合体と
し、この単位描画図形毎にその描画位置S1をテーブル速
度判定回路70に送出する。一方、描画データデコーダ4
4′についても実際の描画処理時同様に、上記パターン
メモリ42′に格納された描画パターンデータを読み出し
てサブフィールドの描画位置S2をテーブル速度判定回路
70に送出する。そして、テーブル速度判定回路70では、
上記S1とS2及び制御計算機40から出力されるテーブル移
動速度設定値S3を基にテーブル速度の最適値を決定す
る。
Therefore, the pattern memory 42 used when reading the basic graphic data divided into the frame area and the subfield area as shown in FIG. The drawing pattern data of the drawing stripe area read from the magnetic disk 41 is temporarily stored in a separately prepared pattern memory 42 'as shown in FIG. Then, as in the case where the actual drawing processing is performed by the pattern data decoder 43 ', the data is used as an aggregate of drawing unit figures 59 which can be formed by combining the forming apertures 57 and 58 as shown in FIG. The drawing position S1 is sent to the table speed determination circuit 70 for each unit drawing figure. On the other hand, the drawing data decoder 4
Similarly, at the time of actual drawing processing, the drawing pattern data stored in the pattern memory 42 'is read out for 4' and the drawing position S2 of the subfield is determined by the table speed determination circuit.
Send to 70. Then, in the table speed determination circuit 70,
The optimum value of the table speed is determined based on S1 and S2 and the table moving speed set value S3 output from the control computer 40.

ここで、テーブル速度判定回路70の具体的な構成及び
作用を詳しく説明する。テーブル速度判定回路70は、第
7図に示す如くテーブル移動速度設定値S3を速度レジス
タ71に格納し、その速度設定値に応じて制御計算機から
の動作開始指令により疑似的にテーブル位置を示すとこ
ろの位置カウンタ72のカウント値を一定の速度でカウン
トアップしていく。一方、パターンメモリ42′に格納さ
れた描画パターンデータを解読して、サブフィールド領
域毎にテーブル速度判定回路70に入力される該領域毎の
フレーム原点からの相対テーブル位置(連続移動方向の
位置)S2を、描画データデコーダ44′から同期回路77を
介して加算回路73に入力する。さらに、単位描画図形毎
のサブフィールド領域原点からの相対的な描画位置S1
を、パターンデータデコーダ43′から上記と同様に同期
回路77を介在して加算回路73に入力する。
Here, the specific configuration and operation of the table speed determination circuit 70 will be described in detail. The table speed determining circuit 70 stores the table moving speed set value S3 in the speed register 71 as shown in FIG. 7, and indicates the table position in a pseudo manner by an operation start command from the control computer according to the speed set value. The count value of the position counter 72 is counted up at a constant speed. On the other hand, the drawing pattern data stored in the pattern memory 42 'is decoded, and the relative table position (position in the continuous moving direction) from the frame origin for each subfield is input to the table speed determination circuit 70 for each subfield area. S2 is input from the drawing data decoder 44 'to the addition circuit 73 via the synchronization circuit 77. Furthermore, the relative drawing position S1 from the subfield area origin for each unit drawing figure
Is input from the pattern data decoder 43 'to the addition circuit 73 via the synchronization circuit 77 in the same manner as described above.

上記S1とS2を加算して得られるS1+S2は、描画単位図
形毎のフレーム原点からの相対的なテーブル位置(テー
ブル連続移動方向の位置)であり、この値をパターンデ
ータデコーダ43′からS1が入力される毎に加算回路73で
算出する。そして、加算回路73の加算値(S1+S2)を位
置カウンタ72のカウント値S4と共に減算回路74に入力
し、相対的なテーブル位置(S1+S2)と疑似的なテーブ
ル位置S4との差分S5(S5=S4−(S1+S2))を減算回路
74にて算出する。
S1 + S2 obtained by adding the above S1 and S2 is a relative table position (position in the table continuous movement direction) from the frame origin for each drawing unit figure, and this value is input to S1 from the pattern data decoder 43 '. Each time it is performed, it is calculated by the adding circuit 73. Then, the addition value (S1 + S2) of the addition circuit 73 is input to the subtraction circuit 74 together with the count value S4 of the position counter 72, and the difference S5 (S5 = S4) between the relative table position (S1 + S2) and the pseudo table position S4. − (S1 + S2)) subtraction circuit
Calculate at 74.

その結果得られた差分データS5を比較回路75に送出
し、比較回路75ではラッチ回路76に保持されている差分
データの現在までの最小値Smin(マイナスの場合は絶対
値が大なる値)と上記S5を比較し、S5がSminより小さい
場合に限り上記S5をSminとしてラッチ回路76のデータを
更新する。このような処理を描画ストライプ領域に包含
されている全単位描画図形に対して行って設定したテー
ブル速度にて、描画すべき位置とテーブル位置の差が最
小な値を得る。
The difference data S5 obtained as a result is sent to the comparison circuit 75, and the comparison circuit 75 calculates the minimum value Smin of the difference data held in the latch circuit 76 up to the present time (in the case of a negative value, the absolute value is increased). The above S5 is compared, and only when S5 is smaller than Smin, S5 is set as Smin and the data of the latch circuit 76 is updated. Such processing is performed on all the unit drawing figures included in the drawing stripe area, and a value at which the difference between the drawing position and the table position is the minimum is obtained at the table speed set.

さらに、比較回路75では上記S5が0より大きい場合、
描画すべき位置にテーブル位置が至っていないと解釈
し、S5の値に応じて同期回路77を制御して、次の単位描
画図形に対する処理を遅延させるものとする。また、S5
が0より大きくない場合上記処理において、同期回路77
はS1とS2を加算回路73に送出後、制御計算機40から設定
される値に応じて一定時間遅延後、次のS1とS2を加算回
路73に送出していく。
Further, in the comparison circuit 75, when the above S5 is larger than 0,
It is assumed that the table position is not reached to the position to be drawn, and the synchronization circuit 77 is controlled according to the value of S5 to delay the processing for the next unit drawing figure. Also, S5
Is not greater than 0, the synchronization circuit 77
Sends S1 and S2 to the addition circuit 73, and then sends the next S1 and S2 to the addition circuit 73 after a certain time delay according to the value set by the control computer 40.

この遅延時間は、前記描画データデコーダ44′からS2
が入力されてきた場合にはサブフィールド位置の位置決
め整定時間に相当するものであり、前記パターンデータ
デコーダ43′からS1が入力された場合には単位描画図形
の位置決め整定時間とビームの照射時間の加算値に相当
する時間であるが、パターンデータデコーダ43′及び描
画データデコーダ44′のデータ解読時間が上記遅延時間
よりも長い場合はこの遅延時間は実効的に不要であり、
上記解読時間が実質的な遅延時間となる。
This delay time is equal to S2 from the drawing data decoder 44 '.
Is input, this corresponds to the positioning settling time of the subfield position, and when S1 is input from the pattern data decoder 43 ', the positioning settling time of the unit drawing figure and the beam irradiation time are calculated. Although this is a time corresponding to the added value, if the data decoding time of the pattern data decoder 43 'and the drawing data decoder 44' is longer than the above-mentioned delay time, this delay time is not necessary effectively,
The decoding time becomes a substantial delay time.

このようにして得た1描画ストライプ領域でのSminの
値を制御計算機40に取り込んで、所定の偏向フィールド
に包含可能か否かを判断して前記設定したテーブル移動
速度にて描画エラーを生ずることなく描画可能か判定す
ると共に、該Sminの値から略最適なテーブル移動速度を
算出することができる。
The value of Smin in one drawing stripe region obtained in this way is taken into the control computer 40 to determine whether or not it can be included in a predetermined deflection field, and a drawing error occurs at the set table moving speed. It is possible to determine whether or not drawing is possible, and to calculate a substantially optimum table moving speed from the value of Smin.

つまり、Sminの値がマイナスの場合には上記暫定的に
設定したテーブル速度が高速過ぎることを意味し、Smin
の値がプラスである場合にはもっと高速にテーブル移動
可能なことを意味しているので、Sminの値に応じて暫定
的に設定したテーブル速度を補正して実際の描画処理に
用いるテーブル移動速度を各描画ストライプ毎に決定す
る。なお、上述の処理工程により得たテーブル移動速度
を上記テーブル移動速度の暫定値として設定し、再度上
記一連の処理を行うことにより“より最適な”テーブル
移動速度が得られることとなる。なお、この再処理は特
に暫定的に設定したテーブル移動速度が遅かった場合
(S>0)に有効である。
In other words, if the value of Smin is negative, it means that the provisionally set table speed is too high.
Is positive, it means that the table can be moved at a higher speed, so the table speed set temporarily is corrected according to the value of Smin, and the table movement speed used for the actual drawing process is corrected. Is determined for each drawing stripe. By setting the table moving speed obtained in the above-described processing steps as a provisional value of the table moving speed and performing the above-described series of processing again, a “more optimal” table moving speed can be obtained. This reprocessing is particularly effective when the provisionally set table moving speed is low (S> 0).

以上のような処理工程により、描画領域を構成してい
る各描画ストライプ毎のテーブル移動速度を決定し、そ
のテーブル移動速度により描画処理を行うことにより、
実際の描画処理時間に何等影響を与えることなく高速に
描画処理することができ、その結果として描画処理のス
ループット向上及びLSIの生産性を高めることができ
る。
By the processing steps as described above, the table moving speed for each drawing stripe constituting the drawing area is determined, and the drawing processing is performed based on the table moving speed.
The drawing process can be performed at high speed without affecting the actual drawing process time at all, and as a result, the throughput of the drawing process can be improved and the productivity of the LSI can be improved.

かくして本実施例方法によれば、1回のテーブル連続
移動により描画し得る単位領域である描画ストライプ領
域のテーブル速度の決定に際して、実際の描画処理に用
いるパターンメモリ、パターンデータデコーダ及び描画
データデコーダを2式用意して実際の描画処理との並列
処理により描画時間に何等影響することなく無駄時間の
ない最適なテーブル移動速度を決定することができる。
しかも、テーブル速度の決定処理に際しては実際のテー
ブル駆動を伴うことなく、さらにテーブル移動速度の設
定を変えながら何回も試行錯誤するものではなく暫定的
に設定したテーブル移動速度による1回の試行により最
適移動速度を決定することができる。従って、描画処理
における無駄時間を著しく抑制し描画速度の向上及び荷
電ビーム描画装置の稼働率を高めることができる。
Thus, according to the method of the present embodiment, when determining the table speed of the drawing stripe region, which is a unit region that can be drawn by one continuous table movement, the pattern memory, the pattern data decoder and the drawing data decoder used in the actual drawing process are used. By preparing two formulas and performing parallel processing with the actual drawing processing, it is possible to determine the optimum table moving speed without any waste time without any influence on the drawing time.
In addition, the table speed determination process does not involve actual table driving, and does not involve trial and error many times while further changing the table moving speed setting. An optimal moving speed can be determined. Therefore, it is possible to significantly reduce the dead time in the drawing process, improve the drawing speed, and increase the operation rate of the charged beam drawing apparatus.

なお、本発明は上述した実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記描画パターンデータを格納する手段
としては磁気ディスクに限るものではなく磁気テープや
半導体メモリ等その他の記憶媒体を用いることができ
る。また、描画ストライプ領域に係わる描画パターンデ
ータからテーブル移動速度を決定する前処理は制御計算
機でなく、データの変換処理を行うホスト計算機で処理
するようにしてもよく、その場合描画ストライプ領域の
テーブル速度ではなくLSIチップを構成する各フレーム
領域について上述の方法でテーブル移動速度を決定して
おき、描画する際描画ストライプ領域を構成するフレー
ム領域のテーブル移動速度の中から最も低速なテーブル
移動速度を選択して描画処理するようにしてもよい。さ
らに、テーブル移動速度を決定する際に用いるデータSm
inは単位描画図形毎に得たものではなく、サブフィール
ド領域毎に得るものとし算出されるテーブル速度に余裕
値を見込んでテーブル速度を決定するようにしてもよ
い。
The present invention is not limited to the embodiments described above. For example, the means for storing the drawing pattern data is not limited to a magnetic disk, but may be another storage medium such as a magnetic tape or a semiconductor memory. Further, the preprocessing for determining the table moving speed from the drawing pattern data related to the drawing stripe area may be performed not by the control computer but by the host computer that performs the data conversion processing. Instead, determine the table moving speed for each frame area that composes the LSI chip by the above method, and select the slowest table moving speed from the table moving speeds of the frame areas that compose the drawing stripe area when drawing. The drawing process may be performed. Furthermore, data Sm used for determining the table moving speed
In may not be obtained for each unit drawing figure, but may be obtained for each subfield area, and the table speed may be determined in consideration of a margin value for the calculated table speed.

また、電子ビーム描画装置の構成は第1図に何等限定
されるものではなく、適宜変更可能である。実施例では
電子ビームを例にとり説明したが、電子ビームに限定さ
れることなくイオンビームやレーザビーム等の荷電ビー
ムに対し適用可能であり、描画方式についても主・副偏
向を組み合わせた2段偏向方式の他、1段偏向方式や3
段以上の偏向方式でもよく可変成形ビームを用いたショ
ット方式の他、円型ビームを用いた装置方式のものにつ
いても適用可能である。
Further, the configuration of the electron beam lithography apparatus is not limited to what is shown in FIG. 1 and can be changed as appropriate. Although the embodiment has been described by taking an electron beam as an example, the invention is not limited to the electron beam but can be applied to a charged beam such as an ion beam or a laser beam. In addition to the one-stage deflection method,
A deflection method having more than two stages may be used, and a shot method using a variable shaped beam and an apparatus method using a circular beam can be applied.

さらに、記憶媒体に蓄積される描画パターンデータに
ついても基本図形の図形体系でなく、描画単位図形及び
多角形図形についても適用可能である。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することが
できる。
Further, the drawing pattern data stored in the storage medium is not limited to the figure system of the basic figure, but is applicable to a drawing unit figure and a polygon figure. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

[発明の効果] 以上詳述したように本発明によれば、実際の描画処理
とは独立に描画対象となる描画ストライプ領域に係わる
描画パターンデータを解読して得られるビームの位置決
め制御信号と、ビームの成形制御信号及びテーブル移動
速度の設定値に応じて発生する疑似的なテーブル位置の
モニタ信号とにより、テーブルを実際に駆動することな
しに描画エラーなく描画可能なテーブル移動速度を決定
しているので、実際の描画処理に要する時間を低下させ
ることなしにパターンの粗密を考慮した略最適なテーブ
ル移動速度を各描画ストライプ領域毎に決定することが
でき、しかも実際のテーブル移動をすることなしに略最
適なテーブル移動速度を簡易に決定することができ、描
画速度の高速化及び描画スループットの向上を図り得
る。
[Effects of the Invention] As described above in detail, according to the present invention, independently of actual writing processing, a beam positioning control signal obtained by decoding writing pattern data relating to a writing stripe region to be written, By using the beam shaping control signal and the monitor signal of the pseudo table position generated according to the set value of the table moving speed, the table moving speed at which drawing can be performed without drawing error without actually driving the table is determined. Therefore, it is possible to determine a substantially optimum table moving speed for each drawing stripe region in consideration of the pattern density without reducing the time required for the actual drawing process, and without actually moving the table. It is possible to easily determine a table moving speed that is almost optimal for the above, and it is possible to increase the drawing speed and improve the drawing throughput.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置を示す概略構成図、第2図は描画パターンデータ
の生成工程を示す模式図、第3図は描画パターンデータ
を生成するまでの図形分割及び領域分割を示す模式図、
第4図は描画ストライプ領域を説明するための模式図、
第5図は本発明の要部構成を示す構成図、第6図は描画
単位図形の図形体系を説明するための模式図、第7図は
テーブル速度判定回路の内部構成図である。 10……試料室、 11……試料、 12……テーブル、 20……電子光学系、 21……電子銃、 22〜26……レンズ、 31〜34……偏向器、 35,36……ビーム成形アパーチャ、 40……制御計算機、 41……磁気ディスク(記憶媒体)、 42,42′……パターンメモリ、 43,43′……パターンデータデコーダ、 44,44′……描画データデコーダ、 45……ブランキング回路、 46〜48……偏向器ドライバ、 51,52……設計パターン、 53a〜53d……フレーム領域、 54……サブフィールド領域、 56……基本図形、 70……テーブル速度判定回路、 71……速度レジスタ、 72……位置カウンタ、 73……加算回路、 74……減算回路、 75……比較回路、 76……ラッチ回路、 77……同期回路。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an electron beam lithography apparatus used in the method of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram showing a generation process of lithography pattern data, and FIG. Schematic diagram showing pattern division and region division of
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a drawing stripe region,
FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of a main part of the present invention, FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a graphic system of drawing unit graphics, and FIG. 7 is an internal configuration diagram of a table speed determination circuit. 10 ... Sample chamber, 11 ... Sample, 12 ... Table, 20 ... Electronic optics, 21 ... Electron gun, 22-26 ... Lens, 31-34 ... Deflector, 35,36 ... Beam Forming aperture, 40 ... Control computer, 41 ... Magnetic disk (storage medium), 42,42 '... Pattern memory, 43,43' ... Pattern data decoder, 44,44 '... Drawing data decoder, 45 ... ... Blanking circuit, 46-48 ... Deflector driver, 51,52 ... Design pattern, 53a-53d ... Frame area, 54 ... Subfield area, 56 ... Basic figure, 70 ... Table speed judgment circuit , 71: Speed register, 72: Position counter, 73: Addition circuit, 74: Subtraction circuit, 75: Comparison circuit, 76: Latch circuit, 77: Synchronization circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/027 G03F 7/20──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/027 G03F 7/20

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】試料上に配置されたLSIチップの集合であ
る描画領域を所定幅の描画ストライプ領域に分割し、こ
の描画ストライプ領域毎に描画パターンデータを記憶媒
体から読み出し、該描画パターンデータを解読してビー
ム成形手段により形成可能な描画単位図形群にすると共
に、該描画ストライプ領域毎に試料を載置したテーブル
を一方向に連続移動しながら、ビーム偏向手段及びビー
ム成形手段によりビームの位置決め及び形状の制御を行
って所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法におい
て、 実際の描画処理に先立って、前記描画ストライプ領域毎
に前記描画パターンデータを解読して描画単位図形群を
生成し、該描画単位図形毎の位置決め信号と前記テーブ
ルを駆動した場合に得られるテーブル位置の疑似的なモ
ニタ信号とに基づいて、描画単位図形毎の描画位置とテ
ーブル位置とのズレ量を算出し、該ズレ量と前記ビーム
偏向手段による偏向可能領域との関係から所定のテーブ
ル移動速度により前記描画ストライプ領域が描画可能で
あるか否かを判定し、該判定結果により描画ストライプ
領域毎の最適テーブル移動速度を決定することを特徴と
する荷電ビーム描画方法。
A drawing area, which is a set of LSI chips arranged on a sample, is divided into drawing stripe areas of a predetermined width, and writing pattern data is read from a storage medium for each of the writing stripe areas, and the writing pattern data is read out. The beam is deciphered into a drawing unit figure group that can be formed by the beam shaping unit, and the beam is positioned by the beam deflecting unit and the beam shaping unit while the table on which the sample is placed is continuously moved in one direction for each of the drawing stripe regions. In a charged beam drawing method for controlling a shape and drawing a desired pattern, prior to actual drawing processing, the drawing pattern data is decoded for each drawing stripe area to generate a drawing unit figure group, and the drawing is performed. Based on a positioning signal for each unit figure and a pseudo monitor signal of the table position obtained when the table is driven. Then, the deviation amount between the drawing position and the table position for each drawing unit figure is calculated, and the drawing stripe region can be drawn at a predetermined table moving speed from the relationship between the deviation amount and the deflectable area by the beam deflecting means. Or not, and determining an optimum table moving speed for each writing stripe region based on the result of the determination.
【請求項2】前記描画パターンデータを解読して描画単
位図形群とする解読手段は、実際の描画処理時に用いる
ものと描画処理に先立って上記テーブル移動速度を決定
するためのものと少なくとも2組を備え、実際の描画処
理と上記テーブル移動速度の決定をそれぞれ独立に処理
することを特徴とする請求項1記載の荷電ビーム描画方
法。
2. The decoding means for decoding the drawing pattern data to form a drawing unit figure group includes at least two sets of means for use in actual drawing processing and means for determining the table moving speed prior to the drawing processing. 2. The charged beam writing method according to claim 1, further comprising: independently performing an actual writing process and determining the table moving speed.
【請求項3】前記ズレ量に応じて暫定的に設定した所定
のテーブル移動速度を、1描画ストライプ領域における
前記ズレ量の最小値に基づいて補正処理することによ
り、実際の描画処理に用いるテーブル移動速度を決定す
ることを特徴とする請求項1記載の荷電ビーム描画方
法。
3. A table used for an actual drawing process by correcting a predetermined table moving speed provisionally set according to the shift amount based on a minimum value of the shift amount in one drawing stripe area. 2. The charged beam drawing method according to claim 1, wherein the moving speed is determined.
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