JP3462074B2 - Drawing data creation method - Google Patents

Drawing data creation method

Info

Publication number
JP3462074B2
JP3462074B2 JP6988198A JP6988198A JP3462074B2 JP 3462074 B2 JP3462074 B2 JP 3462074B2 JP 6988198 A JP6988198 A JP 6988198A JP 6988198 A JP6988198 A JP 6988198A JP 3462074 B2 JP3462074 B2 JP 3462074B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
deflection
pattern
sub
subfield
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP6988198A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH11274025A (en
Inventor
英司 村上
等 日暮
重博 原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP6988198A priority Critical patent/JP3462074B2/en
Publication of JPH11274025A publication Critical patent/JPH11274025A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3462074B2 publication Critical patent/JP3462074B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路な
どの回路設計パターンデータから電子ビーム描画等の描
画データを作成する技術に関し、データ量を圧縮した描
画データの作成に有効な描画データ作成方法に関する。 【0002】 【従来の技術】半導体集積回路の大規模化並びに素子の
微細化に伴い、描画装置を利用してウェハまたはマスク
上にパターンを描画する技術が採用されている。論理設
計、回路設計及びレイアウト設計によって作成されたL
SIの設計パターンデータを用いて、所定のパターンを
描画装置でウェハまたはマスク上に描画するには設計パ
ターンデータを描画装置のための描画データに変換しな
ければならない。設計パターンデータから描画データへ
の変換過程においては、多階層のセル階層構造のパター
ンデータを描画データ用の1階層のセル階層構造に変換
しなければならない。1階層にする際、図形の重なりに
よる多重露光によって描画精度が低下しないようにする
ための重なり除去、設計パターンデータの拡大・縮小を
行なう寸法補正、またその様に補正されたパターンを描
画装置にとって描画可能な図形に分割する処理などが行
われる。 【0003】ところがLSIの大規模化、微細化に伴っ
て描画装置が処理するデータ量は増加の一途を辿ってい
る。近年、描画データへの変換方法として描画データの
圧縮を可能にする技術が提案されている。従来例の1つ
として、特開平5−29202号公報がある。この方法
は設計パターンデータにおいて複数回配置されているよ
うなパターンを図1に示すように、電子ビーム描画にお
ける副偏向走査領域分割することにより得られる基本図
形の配置情報を求めてデータ量を圧縮しようととするも
のである。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では副偏向走査領域に分割後、基本図形によりデー
タ圧縮を行なうが、基本図形は副偏向走査領域サイズの
図形であり、基本図形以外のパターンに対しては圧縮処
理が施されず、基本図形という特定パターンしか圧縮さ
れないという問題点があった。本発明の目的は描画装置
に供給される描画データのデータ量を低減するための描
画データ作成方法を提供することにある。 【0005】 【課題を解決するための手段】本発明は、主偏向装置と
少なくとも一段以上の副偏向装置を有する多段偏向描画
装置を用いて試料上にパターンを形成するビーム露光方
法で使用されることを前提とする。 【0006】上記ビーム露光方法で使用される副偏向デ
ータ作成後に、描画パターンを含む同一最小副偏向走査
領域内で隣接する複数のパターンを融合し、新たな描画
パターンで表現し直す処理を行うに先立ち、前記最小副
偏向走査領域内の全ての前記隣接パターンの面積の和を
求め、前記最小副偏向走査領域のサイズと同一になった
場合には、最小副偏向領域全面が被覆されていることを
表すデータ構造を用いて前記最小副偏向走査領域のパタ
ーンを表現することを特徴とする。 【0007】本発明は前記した構成により、同一最小副
偏向走査領域内で隣接する複数の描画パターンを融合
し、新たな描画パターンで表現し直す処理を副偏向デー
タ作成後に行なうことによりデータ量を圧縮した描画デ
ータを作成することができる。 【0008】 【発明の実施の形態】図2は本発明の実施例に使用した
主副二段偏向方式の電子ビーム描画装置を示す概略構成
図である。図中10は試料室であり、この試料室10内
には半導体ウェハもしくはマスク等の試料11を載置し
たステージ12が収容されている。ステージ12は、ス
テージ駆動回路13によりX方向(紙面左右方向)およ
びY方向(紙面表裏方向)に駆動される。そして、ステ
ージ12の移動位置はレーザー側長計等を用いた位置回
路14により測定されるものとなっている。 【0009】資料11の上には電子ビーム光学系20が
配置されている。この光学系20は電子銃21、各種レ
ンズ22〜26、ブランキング用偏向器31、ビーム寸
法可変用偏向器32、ビーム走査用主偏向器33、ビー
ム走査用副偏向器34およびビーム成形アパーチャ3
5、36等から構成されている。そして、主偏向器33
により所定の副偏向走査領域(以降、サブフィールドと
呼ぶ)に位置決めし、副偏向器34によりサブフィール
ド内での図形描画単位の位置決めを行なうとともに、ビ
ーム寸法可変用偏向器32およびビーム成形アパーチャ
35、36にビーム形状を制御し、ステージ12を一方
向に連続移動しながら、LSIチップを主偏向ビーム偏
向幅に応じて短冊状に分割したフレーム領域を描画処理
する。さらに、ステージ12を連続移動方向と直交する
方向にステップ移動し、上記処理を繰り返して各フレー
ム領域を順次描画するものとなっている。 【0010】一方、制御計算機40には磁気ディスクを
始めとする記憶媒体41が接続されており、この磁気デ
ィスク41にLSIの描画データが格納されている。磁
気ディスク41から読み出された描画データは前記フレ
ーム領域毎にパターンメモリ(データバッファ部)42
に一時的に格納される。データバッファ部42に格納さ
れたフレーム領域毎のパターンデータ、つまり描画位置
および図形データ等で構成されるフレーム情報は、デー
タ解析部であるパターンデータデコーダ43および描画
データデコーダ44により解析され、ブランキング回路
45、ビーム成形器ドライバ46、主偏向器ドライバ4
7および副偏向器ドライバ48に送られる。 【0011】即ち、パターンデータデコーダ43では、
上記データを入力し、必要に応じてフレーム領域に包含
される図形データに反転処理を施し、反転パターンデー
タを生成する。そして、次にフレームデータとして定義
されている図形データを前記成形アパーチャ35、36
の組み合わせにより形成可能な単位描画図形群に図形分
割して、このデータに基づいてブランキングデータが作
成され、ブランキング回路45に送られる。そして、更
に希望するビーム寸法データが作成され、このビーム寸
法データがビーム成形器ドライバ46に送られる。次に
ビーム成形器ドライバ46から前記光学系20のビーム
寸法可変用偏向器32に所定の偏向信号が送られ、これ
により電子ビームの寸法が制御されるものとなってい
る。 【0012】また、描画データデコーダ44では上記フ
レームデータに基づいてサブフィールドの位置決めのデ
ータが作成され、このデータが主偏向器ドライバ47に
送られる。そして、主偏向器ドライバ47から前記光学
系の主偏向器33に所定の信号が送られ、これにより電
子ビームは指定のサブフィールド位置に偏向走査され
る。さらに、描画データデコーダ44では副偏向器走査
のコントロール信号が発生され、この信号が副偏向器ド
ライバ48に送られる。そして、副偏向器ドライバ48
から副偏向器34に所定の副偏向信号が送られ、これに
よりサブフィールド毎の描画が行われるものとなってい
る。 【0013】上述の如く構成された装置を用いてLSI
パターンの描画処理を行うためのデータ作成工程を示し
たのが図3である。LSIパターンはCADシステムに
より作成され、そこから出力されるLSI設計パターン
データがデータ変換用計算機で描画データに変換され、
その描画データを読みだして電子ビームによる前記描画
処理が行われることになる。図4はLSI設計パターン
データがデータ変換処理によりパターン重複除去、台形
分割などの処理を経て電子ビーム描画装置で許容し得る
データに変換され、更に描画装置のパターンデータデコ
ーダ43により描画装置で露光可能な矩形または三角形
に分割される様子を示している。但し、ここでは矩形パ
ターンにのみ分割される。 【0014】上述の描画装置に最適となる本発明の実施
例による描画データ作成方法について、次に詳述する。
図5は本実施例に従ってLSIの設計パターンデータか
ら描画装置に受容可能なデータ変換する処理の流れを示
すフローチャート図である。このフローチャートに従い
処理の内容を説明する。 【0015】まず、多階層のセル階層構造からなる設計
パターンデータを入力とし、セル重複除去やリサイズを
行なうための前処理(ドーナツ処理等)からなる階層最
適化処理を行ない、電子ビーム描画装置に適した階層的
図形演算処理が行なえるように設計データの階層構造を
変更する。次に階層最適化を施した設計パターンデータ
に対し、階層的図形演算処理を行なう。この図形演算に
は、例えば、白黒反転処理、ミラ−反転処理、リサイズ
処理等が含まれる。また、描画装置に入力可能なパター
ンとして台形のみが許されている場合にはパターンの台
形分割もこの段階で行なう。次にサブフィールドサイズ
より大きいセルに対して、サブフィールド分割を行な
う。サブフィールド分割後、本発明の実施例の特徴部分
であるサブフィールド内で隣接した複数のパターンを融
合し、新たなパターンで表現できるか判定し、表現可能
なら新たなパターンに置き換えるという圧縮処理を行な
う。最後にセルを各フレームに仕分けし描画データの作
成を終了する。 【0016】以上、説明した本発明の実施例による圧縮
処理の詳細について以下説明する。図6(a)、図7
(a)はサブフィールド分割後の図形群である。図6
(a)、図7(a)に定義されている図形は全て隣り合
う図形と接している。 【0017】図8のフローの各ステップに沿って、サブ
フィールド内の図形は、図6(a)、図6(b)、図7
(a)は図7(b)のように表現される。以下に順を追
って説明する。 ステップ1: サブフィールドの分割後の1サブフィー
ルド(sf)を抽出する。 ステップ2: 抽出したサブフィールド内の全図形の図
形面積を求める。 ステップ3: 上記ステップで求めた全図形の面積の和
(SA)とサブフィールド領域(SZ=sfx×sf
y)を比較する (1)SA=SZならば、ステップ4へ。 【0018】(2)SA≠SZならば、ステップ5へ ステップ4: サブフィールド領域と同一サイズの図形
(sf図形)に置き換える(図6(b)参照)。 【0019】または、最小副偏向領域全面が被覆されて
いることを示すデータ構造(特殊描画パターン)で置き
換える。ステップ10へ。 ステップ5: 隣接する図形の組み合わせを全て抽出す
る。 ステップ6: 隣接する図形を融合した場合、描画パタ
ーンで表現できるか判定する。 ステップ7: 隣接する図形を融合する。 ステップ8: 隣接する全ての図形の組み合わせについ
てステップ6の判定を行ったか。 【0020】(1)全組み合わせ判定済みならば、ステ
ップ9へ (2)全組み合わせ未判定ならば、ステップ6へ ステップ9: サブフィールド内の全図形に対して融合
判定を行ったか。 【0021】(1)全図形判定済みならば、ステップ1
0へ (2)全図形未判定ならば、ステップ5へ ステップ10:サブフィールド内の図形構成を変更し、
最適化する(図7(b)参照)。ステップ11:全サブ
フィールドを抽出したら終了。 【0022】全サブフィールド未抽出ならステップ1
へ。 この実施例ではサブフィールド全面がパターンで覆われ
ている場合を高速に検出するためにステップ2、3、4
を導入してある。 【0023】また、サブフィールドの一部または全面が
ストライプ状のパターンで被覆されている場合に、そこ
を高速に融合するためにステップ5の前段にストライプ
状に連なったパターンを検索し、1パターンにまとめる
処理を行ってもよい。 【0024】従来の処理では、副偏向走査領域(サブフ
ィールド)に分類してから基本図形に対して、配置情報
を得て圧縮処理していたが、これではサブフィールド単
位の基本図形しか生成されず、基本図形以外のパターン
に対しては圧縮効果はされない。しかし、本実施例で
は、サブフィールド内の図形に対して、隣接する図形を
融合し、新たな図形で表現することにより従来技術では
圧縮できなかった図形を圧縮することができる。 【0025】以上、本発明を実施例に基づいて説明した
が、本発明はそれに限定されるものでなく、その主旨を
逸脱しない範囲において種々変更可能である。例えば、
電子ビーム描画装置の構成は図2に限定されるものでは
なく適宜変更可能である。また、本実施例では主副二段
方式の電子ビーム描画装置を例に取り説明したが、多段
偏向方式でも良く、電子ビーム以外の荷電ビームに対し
適用可能である。 【0026】 【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、描画デー
タ作成において、同一最小副偏向走査領域内で隣接する
複数のパターンを融合し、新たなパターンで表現し直す
処理を副偏向データ作成後に行なうことによりデータ量
を圧縮した描画データを作成することができる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a technique for creating drawing data such as electron beam drawing from circuit design pattern data of a semiconductor integrated circuit or the like. The present invention relates to a drawing data creation method effective for creating data. 2. Description of the Related Art As a semiconductor integrated circuit becomes larger in scale and a device becomes finer, a technique of drawing a pattern on a wafer or a mask using a drawing apparatus has been adopted. L created by logic design, circuit design and layout design
In order to draw a predetermined pattern on a wafer or a mask using a drawing apparatus by using the SI design pattern data, the design pattern data must be converted into drawing data for the drawing apparatus. In the process of converting the design pattern data into the drawing data, it is necessary to convert the pattern data having a multi-layer cell hierarchical structure into a one-layer cell hierarchical structure for drawing data. When forming one layer, the overlap is removed so that the drawing accuracy is not degraded by the multiple exposure due to the overlap of the figures, the dimension is corrected by enlarging / reducing the design pattern data, and the pattern corrected in this manner is used by the drawing apparatus. Processing such as division into a drawable figure is performed. However, as the size and scale of LSIs increase, the amount of data processed by the drawing apparatus is steadily increasing. In recent years, as a method of converting into drawing data, a technique which enables compression of drawing data has been proposed. As one of the conventional examples, there is JP-A-5-29202. In this method, as shown in FIG. 1, a pattern which is arranged a plurality of times in design pattern data is divided into sub-deflection scanning areas in electron beam writing to obtain arrangement information of a basic figure and compress the data amount. That is what we are trying to do. However, in the above-described conventional example, data is compressed using the basic figure after dividing into the sub-deflection scanning area. The basic figure is a figure of the size of the sub-deflection scanning area. There is a problem that compression processing is not performed on patterns other than the above, and only a specific pattern called a basic figure is compressed. An object of the present invention is to provide a drawing data creation method for reducing the amount of drawing data supplied to a drawing apparatus. The present invention is used in a beam exposure method for forming a pattern on a sample using a multi-stage deflection drawing apparatus having a main deflection device and at least one or more sub-deflection devices. It is assumed that After the sub-deflection data used in the above-described beam exposure method is created, a plurality of adjacent patterns in the same minimum sub-deflection scanning area including the drawing pattern are merged, and a process of re-expressing with a new drawing pattern is performed. First, the sum of the areas of all the adjacent patterns in the minimum sub-deflection scanning area is obtained, and when the size becomes the same as the size of the minimum sub-deflection scanning area, the entire area of the minimum sub-deflection scanning area is covered. The pattern of the minimum sub-deflection scanning area is expressed using a data structure expressing According to the present invention, a plurality of adjacent drawing patterns within the same minimum sub-deflection scanning area are merged, and the process of re-expressing them with a new drawing pattern is performed after the sub-deflection data is created. Compressed drawing data can be created. FIG. 2 is a schematic diagram showing a main-sub two-stage deflection type electron beam writing apparatus used in an embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 10 denotes a sample chamber, in which a stage 12 on which a sample 11 such as a semiconductor wafer or a mask is mounted is accommodated. The stage 12 is driven by a stage drive circuit 13 in the X direction (left-right direction on the page) and the Y direction (front-back direction on the page). The moving position of the stage 12 is measured by a position circuit 14 using a laser length meter or the like. An electron beam optical system 20 is arranged on the document 11. The optical system 20 includes an electron gun 21, various lenses 22 to 26, a deflector 31 for blanking, a deflector 32 for varying the beam size, a main deflector 33 for beam scanning, a sub deflector 34 for beam scanning, and a beam shaping aperture 3.
5, 36 and the like. And the main deflector 33
, A sub-deflection scanning area (hereinafter, referred to as a sub-field), a sub-deflector 34 positions a figure drawing unit in the sub-field, and a beam size changing deflector 32 and a beam shaping aperture 35. , 36, and draws a frame area obtained by dividing the LSI chip into strips according to the main deflection beam deflection width while continuously moving the stage 12 in one direction. Further, the stage 12 is step-moved in a direction orthogonal to the continuous movement direction, and the above processing is repeated to sequentially draw each frame area. On the other hand, a storage medium 41 such as a magnetic disk is connected to the control computer 40, and the magnetic disk 41 stores LSI drawing data. The drawing data read from the magnetic disk 41 is stored in a pattern memory (data buffer unit) 42 for each frame area.
Is stored temporarily. Pattern data for each frame area stored in the data buffer unit 42, that is, frame information including a drawing position and graphic data, is analyzed by a pattern data decoder 43 and a drawing data decoder 44, which are data analysis units, and blanking is performed. Circuit 45, beam shaper driver 46, main deflector driver 4
7 and the sub-deflector driver 48. That is, in the pattern data decoder 43,
The above data is input, and if necessary, the graphic data included in the frame area is subjected to inversion processing to generate inverted pattern data. Then, the graphic data defined as the frame data is formed by the shaping apertures 35 and 36.
Are divided into a group of unit drawing figures that can be formed by the combination of the above, blanking data is created based on this data, and sent to the blanking circuit 45. Further, desired beam size data is created, and the beam size data is sent to the beam shaper driver 46. Next, a predetermined deflection signal is sent from the beam shaper driver 46 to the beam size changing deflector 32 of the optical system 20, whereby the size of the electron beam is controlled. The drawing data decoder 44 creates sub-field positioning data based on the frame data, and sends this data to the main deflector driver 47. Then, a predetermined signal is sent from the main deflector driver 47 to the main deflector 33 of the optical system, whereby the electron beam is deflected and scanned to a designated subfield position. Further, the drawing data decoder 44 generates a sub deflector scanning control signal, and this signal is sent to the sub deflector driver 48. Then, the sub deflector driver 48
Sends a predetermined sub-deflection signal to the sub-deflector 34, whereby drawing is performed for each sub-field. An LSI using the apparatus configured as described above
FIG. 3 shows a data creation process for performing a pattern drawing process. An LSI pattern is created by a CAD system, and the LSI design pattern data output from the system is converted into drawing data by a data conversion computer.
The drawing data is read out, and the drawing processing by the electron beam is performed. FIG. 4 shows that the LSI design pattern data is converted into data acceptable by the electron beam lithography apparatus through data conversion processing through pattern duplication elimination, trapezoidal division, and the like, and can be further exposed by the lithography apparatus by the pattern data decoder 43 of the lithography apparatus. It shows how the image is divided into various rectangles or triangles. However, here, it is divided only into a rectangular pattern. Next, a drawing data generating method according to an embodiment of the present invention which is optimal for the above-described drawing apparatus will be described in detail.
FIG. 5 is a flowchart showing the flow of a process for converting data from LSI design pattern data acceptable to the drawing apparatus according to the present embodiment. The contents of the processing will be described according to this flowchart. First, design pattern data having a multi-layer cell hierarchical structure is input, and hierarchical optimization processing including pre-processing (such as donut processing) for removing cell duplication and resizing is performed. The hierarchical structure of the design data is changed so that a suitable hierarchical graphic operation process can be performed. Next, a hierarchical graphic operation process is performed on the design pattern data subjected to the hierarchical optimization. The graphic operation includes, for example, a black-and-white inversion process, a mirror inversion process, a resize process, and the like. If only a trapezoid is allowed as a pattern that can be input to the drawing apparatus, trapezoid division of the pattern is also performed at this stage. Next, subfield division is performed on cells larger than the subfield size. After the subfield division, a plurality of adjacent patterns in the subfield, which is a characteristic part of the embodiment of the present invention, are merged, it is determined whether or not the pattern can be represented by a new pattern. Do. Finally, the cells are sorted into the respective frames, and the creation of the drawing data is completed. The details of the compression processing according to the above-described embodiment of the present invention will be described below. FIGS. 6A and 7
(A) is a figure group after subfield division. FIG.
7 (a) and all the figures defined in FIG. 7 (a) are in contact with adjacent figures. According to each step of the flow shown in FIG. 8, the figures in the subfield are shown in FIGS. 6 (a), 6 (b) and 7
(A) is represented as shown in FIG. 7 (b). The description will be given in order below. Step 1: One subfield (sf) after subfield division is extracted. Step 2: The figure area of all figures in the extracted subfield is obtained. Step 3: The sum (SA) of the areas of all figures obtained in the above steps and the subfield area (SZ = sfx × sf)
y) is compared (1) If SA = SZ, go to step 4. (2) If SA ≠ SZ, go to Step 5 Step 4: Replace with a figure (sf figure) having the same size as the subfield area (see FIG. 6B). Alternatively, the data is replaced with a data structure (special drawing pattern) indicating that the entire surface of the minimum sub-deflection area is covered. Go to step 10. Step 5: Extract all combinations of adjacent figures. Step 6: When adjacent graphics are merged, it is determined whether or not they can be represented by a drawing pattern. Step 7: Fuse adjacent figures. Step 8: Have the judgments of step 6 been made for all combinations of adjacent figures? (1) If all combinations have been determined, go to step 9. (2) If all combinations have not been determined, go to step 6. Step 9: Has fusion determination been performed for all figures in the subfield? (1) If all figures have been determined, step 1
0 (2) If all figures are not determined, go to Step 5 Step 10: Change the figure configuration in the subfield,
Optimization (see FIG. 7B). Step 11: end when all subfields have been extracted. If all subfields have not been extracted, step 1
What. In this embodiment, steps 2, 3, and 4 are performed in order to quickly detect the case where the entire subfield is covered with a pattern.
Has been introduced. When a part or the whole of the subfield is covered with a stripe pattern, a pattern connected in a stripe pattern is searched before the step 5 in order to fuse the subfield at a high speed. May be performed. In the conventional processing, the basic graphic is classified into sub-deflection scanning areas (sub-fields), and then the arrangement information is obtained and compressed for the basic graphic. In this case, only the basic graphic in sub-field units is generated. No compression effect is applied to patterns other than the basic graphic. However, in this embodiment, a figure which cannot be compressed by the related art can be compressed by merging an adjacent figure with a figure in a subfield and expressing the figure with a new figure. Although the present invention has been described based on the embodiments, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example,
The configuration of the electron beam writing apparatus is not limited to that shown in FIG. 2 and can be changed as appropriate. Further, in the present embodiment, the description has been given by taking the example of the electron beam drawing apparatus of the main-sub two-stage system, but the multi-stage deflection system may be used, and the invention can be applied to a charged beam other than the electron beam. According to the present invention described in detail above, a process of fusing a plurality of adjacent patterns within the same minimum sub-deflection scanning area and re-expressing them with a new pattern is performed in writing data creation. By performing this after the deflection data is created, it is possible to create drawing data with a reduced data amount.

【図面の簡単な説明】 【図1】従来例の処理を示す説明図 【図2】本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画 【図3】描画装置周辺のデータの流れを示す模式図 【図4】描画データの生成工程を示す図 【図5】データ変換での主な処理フローを示すフローチ
ャート図 【図6】サブフィールド内図形の構成を示す説明図 【図7】別のサブフィールド内図形の構成を示す説明図 【図8】本発明の実施例の処理フローを示す図
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an explanatory diagram showing processing in a conventional example. FIG. 2 is an electron beam drawing used in a method of an embodiment of the present invention. FIG. 4 shows a drawing data generation process. FIG. 5 is a flowchart showing a main processing flow in data conversion. FIG. 6 is an explanatory diagram showing a configuration of a figure in a subfield. FIG. FIG. 8 is an explanatory diagram showing a configuration of a graphic in a field.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−283423(JP,A) 特開 平7−321004(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-3-283423 (JP, A) JP-A-7-321004 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/027

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】主偏向装置と少なくとも一段以上の副偏向
装置を有する多段偏向描画装置を用いて試料上にパター
ンを形成するビーム露光方法で使用される描画データ作
成方法であって、 副偏向データ作成後に、 描画パターンを含む同一最小副
偏向走査領域内で隣接する複数のパターンを融合し、新
たな描画パターンで表現し直す処理を行うに先立ち、前
記最小副偏向走査領域内の全ての前記隣接パターンの面
積の和を求め、前記最小副偏向走査領域のサイズと同一
になった場合には、最小副偏向領域全面が被覆されてい
ることを表すデータ構造を用いて前記最小副偏向走査領
域のパターンを表現することを特徴とする描画データ作
成方法。
(57) Claims 1. Drawing data used in a beam exposure method for forming a pattern on a sample using a multi-stage deflection drawing apparatus having a main deflection apparatus and at least one sub-deflection apparatus. Work
A forming method, after creating sub-deflection data, combines the plurality of patterns adjacent the same minimum sub deflection scanning region including a drawing pattern, prior to performing the process of re-expressed in a new drawing pattern, before
Surfaces of all the adjacent patterns in the minimum sub-deflection scanning area
The sum of the products is obtained and is equal to the size of the minimum sub-deflection scanning area.
Is reached, the entire surface of the minimum sub-deflection area is covered.
The minimum sub-deflection scanning area using a data structure
A drawing data creation method characterized by expressing a pattern of a region .
JP6988198A 1998-03-19 1998-03-19 Drawing data creation method Expired - Fee Related JP3462074B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6988198A JP3462074B2 (en) 1998-03-19 1998-03-19 Drawing data creation method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6988198A JP3462074B2 (en) 1998-03-19 1998-03-19 Drawing data creation method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11274025A JPH11274025A (en) 1999-10-08
JP3462074B2 true JP3462074B2 (en) 2003-11-05

Family

ID=13415557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6988198A Expired - Fee Related JP3462074B2 (en) 1998-03-19 1998-03-19 Drawing data creation method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3462074B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4178263B2 (en) 2003-06-10 2008-11-12 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 Data storage method and data storage device
JP5386544B2 (en) * 2011-06-07 2014-01-15 株式会社アドバンテスト Electron beam exposure apparatus and electron beam exposure method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11274025A (en) 1999-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3612166B2 (en) Charged beam drawing data creation method and apparatus
JPS63199421A (en) Charged-beam lithography method
JPH11274036A (en) Charged beam drawing apparatus
JP4054445B2 (en) Charged beam drawing method
US20050285054A1 (en) Charged particle beam drawing apparatus
US4989156A (en) Method of drawing a pattern on wafer with charged beam
US6200710B1 (en) Methods for producing segmented reticles
JP5063320B2 (en) Drawing apparatus and drawing data conversion method
JP3462074B2 (en) Drawing data creation method
JP4828460B2 (en) Drawing data creation method and storage medium storing drawing data file
JPH0574693A (en) Charged-beam plotting method
JP5068515B2 (en) Drawing data creation method, drawing data conversion method, and charged particle beam drawing method
JP3454974B2 (en) Charged beam drawing method
JP4312205B2 (en) Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method
JP3910647B2 (en) Charged beam drawing method and drawing apparatus
JPH0314218A (en) Charged beam lithography
JP3274149B2 (en) Charged beam drawing method
JP5314937B2 (en) Drawing apparatus and drawing data processing method
JP3004034B2 (en) Charged beam drawing method
JPH03283423A (en) Charged beam drawing method
JP2839587B2 (en) Charged beam drawing method
JP2664732B2 (en) Charged beam drawing method
JP3191710B2 (en) Figure collective electron beam drawing mask, figure collective electron beam drawing mask creation method, and figure collective electron beam drawing apparatus
JP3393968B2 (en) How to create charged beam drawing data
JP3422948B2 (en) Charged beam drawing method

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070815

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees