JP2782748B2 - Oscillation circuit - Google Patents

Oscillation circuit

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JP2782748B2 JP32203588A JP32203588A JP2782748B2 JP 2782748 B2 JP2782748 B2 JP 2782748B2 JP 32203588 A JP32203588 A JP 32203588A JP 32203588 A JP32203588 A JP 32203588A JP 2782748 B2 JP2782748 B2 JP 2782748B2
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博文 遠藤
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の要約 並列共振回路の一端に,エミッタ・フォロワのトラン
ジスタのベースとこのトランジスタの出力電流を正帰還
する電流ミラー回路とからなる正帰還回路が接続され,
他端には直流バイアス電流が与えられることによりバイ
アス電圧を発生する,ダイオード機能素子から構成され
るレベルシフト回路が接続される。これによりレベルシ
フト回路をバイポーラIC内に作製しても,寄生ダイオー
ドおよび寄生コンデンサによる発振振幅のクランプ,位
相遅れの悪影響を回避できる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION At one end of a parallel resonance circuit, a positive feedback circuit including a base of a transistor of an emitter follower and a current mirror circuit for positively feeding back an output current of the transistor is connected.
The other end is connected to a level shift circuit composed of a diode function element, which generates a bias voltage when a DC bias current is applied. As a result, even if the level shift circuit is manufactured in the bipolar IC, it is possible to prevent the oscillation amplitude from being clamped by the parasitic diode and the parasitic capacitor and the adverse effects of the phase delay.

発明の背景 技術分野 この発明は,発振回路に関し,たとえば物体の検出等
を行なう高周波発振型近接スイッチなどに設けられる高
周波発振回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an oscillation circuit, for example, to a high-frequency oscillation circuit provided in a high-frequency oscillation type proximity switch for detecting an object or the like.

従来技術とその問題点 この種の発振回路は,エミッタ・フォロワ接続された
トランジスタと,このトランジスタの出力電流を帰還す
るための電流ミラー回路と,この電流ミラー回路により
帰還電流が供給される検出コイルおよびコンデンサとか
らなる並列共振回路と,直流バイアス電流を発生する直
流バイアス印加回路と,このバイアス電流の印加により
バイアス電圧を得るためのレベルシフト回路とにより構
成されている。このような発振回路において,第3図に
示すように,上記レベルシフト回路をバイポーラICで構
成した場合を考える。
2. Description of the Related Art Oscillation circuits of this kind include an emitter-follower connected transistor, a current mirror circuit for feeding back the output current of the transistor, and a detection coil to which a feedback current is supplied by the current mirror circuit. And a capacitor, a parallel resonance circuit, a DC bias application circuit for generating a DC bias current, and a level shift circuit for obtaining a bias voltage by applying the bias current. In such an oscillating circuit, as shown in FIG. 3, a case is considered in which the level shift circuit is configured by a bipolar IC.

この図において,エミッタ・フォロワのトランジスタ
1のコレクタに,トランジスタ1の出力電流を並列共振
回路(タンク回路)8に帰還するための正帰還回路(第
3図において鎖線で示されている)を構成する電流ミラ
ー回路4が接続されている。この電流ミラー回路4はト
ランジスタ2およびベースとコレクタとが共通に接続さ
れたトランジスタ3から構成される。共振回路8はコン
デンサ6とコイル7とが並列に接続されてなる。正帰還
回路内には直流バイアス回路(電流源)10からの直流バ
イアス電流によってバイアス電圧を得てトランジスタ1
のベースにバイアス電圧を与えるためのレベルシフト回
路9が設けられている。このレベルシフト回路9は発振
回路のIC化のためにトランジスタで構成され,トランジ
スタのベースとコレクタとが共通に接続されている(ダ
イオード接続トランジスタ)。トランジスタ1のエミッ
タは出力抵抗5を介して接地されている。発振出力はこ
の抵抗5から得られる。
In this figure, a positive feedback circuit (indicated by a chain line in FIG. 3) for returning an output current of the transistor 1 to a parallel resonance circuit (tank circuit) 8 is formed at the collector of the transistor 1 of the emitter follower. Current mirror circuit 4 is connected. The current mirror circuit 4 includes a transistor 2 and a transistor 3 having a base and a collector connected in common. The resonance circuit 8 includes a capacitor 6 and a coil 7 connected in parallel. In the positive feedback circuit, a bias voltage is obtained by a DC bias current from a DC bias circuit (current source) 10 to obtain a transistor 1.
Is provided with a level shift circuit 9 for applying a bias voltage to the base. The level shift circuit 9 is composed of a transistor for making the oscillation circuit an IC, and the base and the collector of the transistor are commonly connected (diode-connected transistor). The emitter of the transistor 1 is grounded via the output resistor 5. An oscillation output is obtained from the resistor 5.

このような発振回路をモリノシックICで作製した場合
にはそのディバイス構造上,破線で示すように,レベル
シフト回路を構成するダイオード接続トランジスタ9に
寄生コンデンサCCSおよび寄生ダイオードDCSが生じる。
高周波発振状態において,レベルシフト回路にこのよう
な寄生ダイオードDCSおよび寄生コンデンサCCSが生じる
と,次の問題が生じる。
When such an oscillation circuit fabricated in Morinoshikku IC on the devices structures, as indicated by broken lines, the parasitic capacitor C CS and the parasitic diode D CS is generated in the diode-connected transistor 9 constituting the level shift circuit.
When such a parasitic diode DCS and a parasitic capacitor CCS occur in the level shift circuit in a high-frequency oscillation state, the following problem occurs.

第4図(A)に示すように発振振幅(VPP:ピークから
ピークまでの電圧)が2VBE(VBEはトランジスタ1のベ
ース/エミッタ間電圧)を越えていないときは,レベル
シフト回路の本来のレベルシフトの機能により第4図
(B)に示すように並列共振回路8のLC端子電圧がバイ
アス点Aにそのまま電圧VAだけレベルシフトされる。
As shown in FIG. 4 (A), when the oscillation amplitude (V PP : voltage from peak to peak) does not exceed 2V BE (V BE is the base-emitter voltage of transistor 1), the level shift circuit By the original level shift function, the LC terminal voltage of the parallel resonance circuit 8 is level-shifted to the bias point A by the voltage VA as shown in FIG.

一方,第5図(A)のように発振振幅が2VBEを越える
ようとすると,寄生ダイオードDCSの充電電圧VF(第5
図の場合はVF=VAとなる)により第5図(B)に斜線部
aで示すように負側のピーク部分がクランプされるの
で,結局発振振幅そのものが制限をうけることとなる。
On the other hand, if the oscillation amplitude as FIG. 5 (A) is to exceeding 2V BE, charging voltage V F of the parasitic diode D CS (Fifth
(In the case of FIG. 5, V F = V A ), the negative peak portion is clamped as shown by the hatched portion a in FIG. 5B, and the oscillation amplitude itself is eventually limited.

また第3図に示す回路では,直流バイアス回路10から
のバイアス電流IBIASによりレベルシフト回路9を動作
させている。つまり第7図に示すように定常状態におい
ては,バイアス電流IBIAS=I0によりVAなる電圧を得て
いる。ここで,寄生コンデンサCCSのない理想の状態に
おいては,この発振回路は並列回路8のコンダクタンス
に応じた振幅で発振し,並列共振回路8のLC端子の電圧
が電圧VAだけレベルシフトされてトランジスタ1のベー
スの点Aに現われる。
In the circuit shown in FIG. 3, the level shift circuit 9 is operated by the bias current I BIAS from the DC bias circuit 10. That is, in the steady state as shown in FIG. 7, it is obtained a V A becomes the voltage by the bias current I BIAS = I 0. Here, in an ideal state without the parasitic capacitor CCS , this oscillation circuit oscillates with an amplitude corresponding to the conductance of the parallel circuit 8, and the voltage of the LC terminal of the parallel resonance circuit 8 is level-shifted by the voltage VA. Appears at point A on the base of transistor 1.

ところが寄生コンデンサCCSの影響により,並列共振
回路8のLC端子電圧(第6図の波形WB)の上昇に対し,
点Aの電位が上昇しようとするとき,寄生コンデンサC
CSへの充電電流として直流バイアス電流IBIASが流れる
ので(この電流をICSとする),レベルシフト回路9に
流れる電流がI1=IBIAS−ICSとなり寄生コンデンサCCS
に充電される間は第7図から分るように並列共振回路8
のLC端子の電圧が定常の電圧VAよりも小さい電圧V1とな
る。
However, due to the effect of the parasitic capacitor C CS , the rise of the LC terminal voltage (waveform W B in FIG. 6) of the parallel resonance circuit 8
When the potential at point A is about to rise, the parasitic capacitor C
Since the charging current to the CS DC bias current I BIAS to flow (the current and I CS), the current flowing through the level shift circuit 9 is I 1 = I BIAS -I CS becomes parasitic capacitor C CS
As shown in FIG. 7, the parallel resonance circuit 8
Voltage of the LC terminal becomes smaller voltages V 1 than the voltage V A of the steady.

また並列共振回路8のLC端子電圧の下降に対しては上
記と逆に寄生コンデンサCCSからの放電電流ICSがレベル
シフト回路9に流れるので,レベルシフト回路に流れる
電流はI2=IBIAS+ICSとなり第7図に示すように定常の
VAより大きな電圧V2となる。このため第6図の斜線部b
およびcに示すように位相遅れが生じ,本来の発振振幅
WBと異なった波形WAとなる。
Conversely, when the LC terminal voltage of the parallel resonance circuit 8 decreases, the discharge current I CS from the parasitic capacitor C CS flows through the level shift circuit 9, so that the current flowing through the level shift circuit is I 2 = I BIAS + ICS as shown in FIG.
The voltage V 2 becomes larger than V A. Therefore, the shaded area b in FIG.
As shown in (c) and (c), the phase lag occurs and the original oscillation amplitude
The waveform W A is different from W B.

実際には寄生コンデンサCCSへの充電に伴なう影響が
特に大きいので,この影響を回避する目的で直流バイア
ス電流IBIASを充分大きな値にし,寄生コンデンサCCS
の充電を早くしているが,このやり方では,発振回路の
消費電流が増え,低消費電流型発振回路が実現できなか
った。発振回路の正帰還回路において,位相の遅れた帰
還がかかっていることになり,帰還効率の悪い発振回路
動作となっている。このため並列共振回路のコンダク
タンスのわずかな変化に対して,発振振幅の変化はほと
んど得られなくなり,発振回路を近接スイッチに適用し
ても検出感度の悪い近接スイッチしか提供できないこと
となる。とくに高周波信号で微小電流が流れるときには
問題となる。
Actually, the effect of charging the parasitic capacitor C CS is particularly large. To avoid this effect, the DC bias current I BIAS is set to a sufficiently large value to speed up the charging of the parasitic capacitor C CS . However, in this method, the current consumption of the oscillation circuit increases, and a low current consumption type oscillation circuit cannot be realized. In the positive feedback circuit of the oscillation circuit, feedback with a delayed phase is applied, and the oscillation circuit operates with poor feedback efficiency. Therefore, a change in the oscillation amplitude is hardly obtained with respect to a slight change in the conductance of the parallel resonance circuit 8 , and only the proximity switch having low detection sensitivity can be provided even if the oscillation circuit is applied to the proximity switch. This is a problem especially when a very small current flows with a high-frequency signal.

発明の概要 発明の目的 この発明は,IC化した場合に生じる寄生ダイオードお
よび寄生コンデンサによる振幅のクランプ,位相遅れを
生じされることのない発振回路を提供することを目的と
する。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an oscillation circuit that does not cause amplitude clamp and phase delay due to a parasitic diode and a parasitic capacitor that are generated when an IC is formed.

発明の構成および効果 この発明による発振回路は,エミッタ・フォロワ接続
された発振トランジスタ,直流バイアス電流を供給する
直流バイアス回路,上記直流バイアス回路から与えられ
る直流バイアス電流によりバイアス電圧を発生するダイ
オード機能素子から構成されるレベルシフト回路,コイ
ルとコンデンサとからなる並列共振回路,および上記発
振トランジスタの出力電流を上記並列共振回路に正帰還
する電流ミラー回路から構成され,上記並列共振回路の
一端に上記発振トランジスタのベースと上記電流ミラー
回路とからなる正帰還回路が接続され,上記並列共振回
路の他端に上記レベルシフト回路が接続されていること
を特徴とする。
Oscillation circuit according to the present invention includes an oscillation transistor connected in an emitter-follower connection, a DC bias circuit for supplying a DC bias current, and a diode function element for generating a bias voltage by the DC bias current supplied from the DC bias circuit. , A parallel resonance circuit including a coil and a capacitor, and a current mirror circuit for positively feeding back the output current of the oscillation transistor to the parallel resonance circuit. One end of the parallel resonance circuit includes the oscillation circuit. A positive feedback circuit including a base of a transistor and the current mirror circuit is connected, and the level shift circuit is connected to the other end of the parallel resonance circuit.

この発明によるとレベルシフト回路を正帰還回路外に
設けたので発振振幅は電源電圧のみによって制限され,
寄生ダイオードによる発振振幅のクランプが生じことが
ない。また,寄生コンデンサの充放電遅れの影響を受け
ないので帰還の位相遅れが無くなる。
According to the present invention, since the level shift circuit is provided outside the positive feedback circuit, the oscillation amplitude is limited only by the power supply voltage.
The oscillation amplitude is not clamped by the parasitic diode. Also, since there is no influence of the charge and discharge delay of the parasitic capacitor, the phase delay of feedback is eliminated.

また共振回路の発振振幅を電源電圧の範囲まで広くと
ることができ,共振回路の感度がそのまま発振回路の振
幅変化となって現われるので,後段の処理回路の設計の
自由度が増すとともに,近接スイッチ等に応用した場合
には,高感度となる。さらに直流バイアス電流を小さく
することができるので,発振回路の消費電流を低くする
ことができる。
In addition, the oscillation amplitude of the resonance circuit can be widened to the range of the power supply voltage, and the sensitivity of the resonance circuit directly appears as a change in the amplitude of the oscillation circuit. When applied to such applications, the sensitivity is high. Furthermore, since the DC bias current can be reduced, the current consumption of the oscillation circuit can be reduced.

実施例の説明 第1図はこの発明による発振回路の実施例を示す回路
図である。この図において第3図に示すものと同一物に
は同一符号を付して説明を省略する。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of an oscillation circuit according to the present invention. In this figure, the same components as those shown in FIG.

第1図に示す発振回路は,エミッタ・フォロワ接続さ
れたトランジスタと,電流ミラー回路4とから構成さ
れる正帰還回路(鎖線で示す)に,並列共振回路8の一
端が接続されるとともに,その他端がレベルシフト回路
9としてのダイオード接続NPNトランジスタのベースお
よびコレクタに接続されこのトランジスタのエミッタは
アースに接続されている。この構成によってレベルシフ
ト回路9は正帰還回路の外側に接続されている。そし
て,このレベルシフト回路9をバイポーラICで構成した
ことにより生じる寄生ダイオードDCSおよび寄生コンデ
ンサCCSが正帰還回路の外側に接続されることになる。
In the oscillation circuit shown in FIG. 1, one end of a parallel resonance circuit 8 is connected to a positive feedback circuit (shown by a chain line) composed of a transistor 1 connected in an emitter-follower manner and a current mirror circuit 4, and The other end is connected to the base and collector of a diode-connected NPN transistor as the level shift circuit 9, and the emitter of this transistor is connected to ground. With this configuration, the level shift circuit 9 is connected outside the positive feedback circuit. Then, so that the parasitic diode D CS and the parasitic capacitor C CS caused by constructing the level shift circuit 9 in bipolar IC is connected to the outside of the positive feedback circuit.

このためこの発振回路の発振振幅は,寄生ダイオード
DCSによる制限を受けないので電源電圧の範囲内で,発
振振幅を得ることができる。さらに従来のような寄生コ
ンデンサCCSによるレベルシフトの位相遅れの影響に無
関係になる。
Therefore, the oscillation amplitude of this oscillation circuit is
Since not limited by D CS within the power supply voltage, it is possible to obtain the oscillation amplitude. It becomes independent of the further influence of the phase delay of the conventional kind of parasitic capacitor C CS by the level shift.

第2図は他の実施例を示す回路である。第1図に示す
回路と同一物には同一符号を付して説明を省略する。第
2図に示す回路は第1図に示す回路と比較して,レベル
シフト回路がダイオード接続NPNトランジスタ9とこれ
に並列に接続されたコンデンサ11とから構成されてい
る。コンデンサはレベルシフト量を一定に保つためのも
のである。
FIG. 2 is a circuit showing another embodiment. The same parts as those in the circuit shown in FIG. The circuit shown in FIG. 2 is different from the circuit shown in FIG. 1 in that the level shift circuit is composed of a diode-connected NPN transistor 9 and a capacitor 11 connected in parallel thereto. The capacitor is for keeping the level shift amount constant.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図はこの発明の実施例を示す回路図,第2図は他の
実施例を示す回路図である。 第3図は従来の発振回路の例を示すものである。 第4図は(A),(B)および第5図(A),(B)は
並列共振回路の振幅,発振回路の出力波形を示すもので
第4図(A),(B)はVPP≦2VBEのときを示し,
(A)は並列共振回路の出力振幅を,(B)は発振回路
の出力波形をそれぞれ示し,第5図(A),(B)はV
PP>2VBEのときを示し,(A)は並列共振回路の出力振
幅を,(B)は発振回路の出力波形をそれぞれ示してい
る。 第6図は並列共振回路の振幅と発振回路の出力振幅を示
しており,寄生コンデンサにより出力振幅に位相遅れが
生じた様子を示す波形図である。第7図はレベルシフト
回路に与えられる電流とレベルシフト回路から得られる
電圧の特性を示すグラフである。 1……発振トランジスタ, 4……電流ミラー回路, 8……並列共振回路, 9……レベルシフト回路, 10……直流バイアス回路, CCS……寄生コンデンサ, DCS……寄生ダイオード。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment. FIG. 3 shows an example of a conventional oscillation circuit. FIGS. 4 (A) and (B) and FIGS. 5 (A) and (B) show the amplitude of the parallel resonance circuit and the output waveform of the oscillation circuit. FIGS. 4 (A) and (B) show V Shows when PP ≤ 2V BE ,
5A shows the output amplitude of the parallel resonance circuit, FIG. 5B shows the output waveform of the oscillation circuit, and FIGS.
Indicates when the PP> 2V BE, shows (A) is the output amplitude of the parallel resonant circuit, (B) is the output waveform of the oscillator circuit, respectively. FIG. 6 is a waveform diagram showing the amplitude of the parallel resonance circuit and the output amplitude of the oscillation circuit, and showing a state in which a phase delay has occurred in the output amplitude due to a parasitic capacitor. FIG. 7 is a graph showing characteristics of a current supplied to the level shift circuit and a voltage obtained from the level shift circuit. 1 oscillation transistor, 4 current mirror circuit, 8 parallel resonance circuit, 9 level shift circuit, 10 DC bias circuit, C CS parasitic capacitor, D CS parasitic diode.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 博文 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 立石電機株式会社内 (72)発明者 味岡 勉 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 立石電機株式会社内 (72)発明者 元氏 知史 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 立石電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−226217(JP,A) 特開 昭60−121819(JP,A) 特開 昭57−131128(JP,A) 特開 昭55−39109(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Hirofumi Endo 10th Hanazono Todocho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto Prefecture Inside Tateishi Electric Co., Ltd. Co., Ltd. (72) Inventor Satoshi Motoshi Tateishi Electric Co., Ltd., 10-10 Hanazono Todocho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto Prefecture (56) References JP-A-1-226217 (JP, A) JP, A) JP-A-57-131128 (JP, A) JP-A-55-39109 (JP, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】エミッタ・フォロワ接続された発振トラン
ジスタ, 直流バイアス電流を供給する直流バイアス回路, 上記直流バイアス回路から与えられる直流バイアス電流
によりバイアス電圧を発生するダイオード機能素子から
構成されるレベルシフト回路, コイルとコンデンサとからなる並列共振回路, および 上記発振トランジスタの出力電流を上記並列共振回路に
正帰還する電流ミラー回路から構成され, 上記並列共振回路の一端に上記発振トランジスタのベー
スと上記電流ミラー回路とからなる正帰還回路が接続さ
れ,上記並列共振回路の他端に上記レベルシフト回路が
接続されている, 発振回路。
1. A level shift circuit comprising: an emitter-follower connected oscillation transistor; a DC bias circuit for supplying a DC bias current; and a diode function element for generating a bias voltage by the DC bias current supplied from the DC bias circuit. , A parallel resonance circuit comprising a coil and a capacitor, and a current mirror circuit for positively feeding back the output current of the oscillation transistor to the parallel resonance circuit. One end of the parallel resonance circuit has a base of the oscillation transistor and the current mirror. An oscillation circuit, wherein a positive feedback circuit comprising a circuit and the level shift circuit is connected to the other end of the parallel resonance circuit.
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