JPH0513044Y2 - - Google Patents
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は水晶振動子等の機械電気振動子を用い
る、相補型MOSトランジスターによる集積化さ
れた発振回路に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Field of Application] The present invention relates to an integrated oscillation circuit using complementary MOS transistors using a mechanical-electrical resonator such as a crystal resonator.
従来の発振回路について図面に基づき説明す
る。
A conventional oscillation circuit will be explained based on the drawings.
第1図は従来の一般的な相補型MOSトランジ
スターによる集積化された発振回路であつて、相
補型MOSトランジスターによる発振インバータ
1の入力端子と出力端子を帰還抵抗2により接続
して自己バイアスし、更に該インバータ1の出力
端に出力安定化抵抗3を接続したものである。外
部出力端子4と外部入力端子5には図中破線で示
す如く、水晶振動子等の機械電気振動子(以下単
に振動子とする)Qと発振容量Cin、Coutが接続
される。該発振容量Cin、Coutは集積回路に集積
化される場合もあるが、前記振動子Qは集積回路
の外部に設けられる。なお前記振動子Q及び前記
発振容量Cin、Coutは以下の第2図、第3図、第
4図に於いては図示を省略する。 FIG. 1 shows a conventional general integrated oscillation circuit using complementary MOS transistors, in which the input terminal and output terminal of an oscillation inverter 1 using complementary MOS transistors are connected by a feedback resistor 2 for self-biasing. Furthermore, an output stabilizing resistor 3 is connected to the output end of the inverter 1. As shown by broken lines in the figure, the external output terminal 4 and the external input terminal 5 are connected to a mechanical and electrical resonator (hereinafter simply referred to as a resonator) Q such as a crystal resonator, and oscillation capacitors Cin and Cout. The oscillation capacitors Cin and Cout may be integrated into an integrated circuit, but the vibrator Q is provided outside the integrated circuit. Note that the vibrator Q and the oscillation capacitances Cin and Cout are omitted from illustration in the following FIGS. 2, 3, and 4.
このような発振器を腕時計等の極低電力機器に
利用するためには、発振に消費する電力も極めて
小さな値にする必要があるが、発振消費電力を低
減させると、前記振動子Qに供給されるエネルギ
ーも微少となり、前記振動子Qの駆動が十分でな
くなる結果、発振しにくくなる。前記バイアスの
ための帰還抵抗2は負帰還作用があるため、この
値を小さくするとますます発振を妨げることとな
るので、低消費電力で正常な発振を維持するため
には、該帰還抵抗2の値は極めて大きな値(数10
メグオーム以上)が設定される。この結果、前記
インバータ1の入力端のバイアス電位は外部の影
響を受け易くなり、外部の汚れ、湿度等のリーク
で前記外部入力端子5が特定な電位に引かれる
と、前記インバータ1のバイアス電位が変動し、
場合によつて発振が停止してしまうことになる。 In order to use such an oscillator in ultra-low power devices such as wristwatches, the power consumed for oscillation must also be kept to an extremely small value. The energy generated by the oscillator Q also becomes very small, and the vibrator Q is not driven sufficiently, making it difficult to oscillate. The feedback resistor 2 for bias has a negative feedback effect, so reducing its value will further hinder oscillation. Therefore, in order to maintain normal oscillation with low power consumption, the feedback resistor 2 must be The value is extremely large (number 10
(megohm or higher) is set. As a result, the bias potential at the input terminal of the inverter 1 becomes susceptible to external influences, and when the external input terminal 5 is drawn to a specific potential due to leakage of external dirt, humidity, etc., the bias potential of the inverter 1 becomes fluctuates,
In some cases, oscillation may stop.
この問題を解決するために従来、第2図に示し
た構成が提案されていた。第2図に於いて前記外
部入力端子5と前記インバータ1のバイアスされ
た入力端との間には直流カツト容量2が挿入され
る。このようにすれば前記外部入力端子5が汚れ
等によつて特定な電位に引かれても、前記インバ
ータ1のバイアス電位は変動せず、従つて発振が
停止するなどの問題は発生しないと考えられる。 In order to solve this problem, the configuration shown in FIG. 2 has been proposed. In FIG. 2, a DC cut capacitor 2 is inserted between the external input terminal 5 and the biased input terminal of the inverter 1. In this way, even if the external input terminal 5 is drawn to a specific potential due to dirt or the like, the bias potential of the inverter 1 will not change, and therefore problems such as stopping oscillation will not occur. It will be done.
実際に第2図の構成を実施してみると確かに発
振持続性については大きな効果が得られ、上記改
良は一応の成果を得たのである。 When the configuration shown in FIG. 2 was actually implemented, a great effect was certainly obtained in terms of oscillation sustainability, and the above-mentioned improvements were somewhat successful.
ところが、更に詳細な調査を行う過程に於い
て、発振周波数が微妙に変動する現象が発見され
た。原因追求の結果、この現象は相補型MOS集
積回路には必須の保護ダイオードの存在によるも
のと判明した。即ち第1図、第2図には記載して
いないが、相補型MOS集積回路に於いてはMOS
構造の静電破壊を防ぐため、実際には第3図(第
2図に対応する)に示す如く、保護ダイオード
7,8の挿入が慣用技術として用いられている。
However, during a more detailed investigation, a phenomenon in which the oscillation frequency slightly fluctuated was discovered. After searching for the cause, it was determined that this phenomenon was caused by the presence of protection diodes, which are essential for complementary MOS integrated circuits. In other words, although not shown in Figures 1 and 2, in complementary MOS integrated circuits, MOS
In order to prevent electrostatic damage to the structure, the insertion of protective diodes 7 and 8 is actually used as a conventional technique, as shown in FIG. 3 (corresponding to FIG. 2).
第3図に於いて前記外部入力端子5に印可され
る入力電圧の波形は理想的には正弦波である。今
その振幅が、電源電圧範囲|Vdd−Vss+1.2|
(前記保護ダイオードの順方向電圧を0.6Vとす
る。)よりも小さいものとする。外部が汚れ等の
ない理想的な状態とすれば前記外部入力端子5の
電位は不定であり、従つて前記入力電圧の中心電
位は何処にあるか不明である。前記入力電圧の最
上部(以下Hとする)がVdd+0.6よりも低く、
かつ前記入力電圧の最下部(以下Lとする)が
Vss−0.6よりも高い場合については何等の説明も
要しない。 In FIG. 3, the waveform of the input voltage applied to the external input terminal 5 is ideally a sine wave. Now, the amplitude is the power supply voltage range |Vdd−Vss+1.2|
(The forward voltage of the protection diode is 0.6V.) If the outside is in an ideal state with no dirt or the like, the potential of the external input terminal 5 is undefined, and therefore it is unknown where the center potential of the input voltage is. The top of the input voltage (hereinafter referred to as H) is lower than Vdd + 0.6,
and the lowest point (hereinafter referred to as L) of the input voltage is
No explanation is required for cases where the voltage is higher than Vss−0.6.
今前記HがVdd+0.6を超えた場合を想定する
と、第3図のダイオード7がオン状態となり、前
記入力電圧の波形はクランプされて歪みを生ずる
とともに、該ダイオード7を介して前記外部入力
端子5からVddに向かつて電流が流れる。 Assuming that the H exceeds Vdd + 0.6, the diode 7 in FIG. Current flows from 5 to Vdd.
この電流は前記外部入力端子5に接続された前
記振動子Qの等価容量を放電し、前記外部入力端
子5の直流的な電位の変化をもたらすが、その方
向は該外部入力端子5の直流電位を下げる方向と
なる。 This current discharges the equivalent capacitance of the vibrator Q connected to the external input terminal 5 and brings about a change in the DC potential of the external input terminal 5, but the direction is the DC potential of the external input terminal 5. The direction is to lower the value.
この作用は前記ダイオード7がオフ状態となる
まで続くから、結局最終的には前記外部入力端子
5の直流電位は、前記ダイオード7に電流が流れ
ない状態、即ち前記入力電圧に歪みが生じない状
態に自動的に調整される事になる。 Since this effect continues until the diode 7 is turned off, the DC potential of the external input terminal 5 will eventually reach a state where no current flows through the diode 7, that is, a state where no distortion occurs in the input voltage. will be automatically adjusted.
同様に前記LがVss−0.6を下回るとVssからダ
イオード8を介して前記振動子Qに電流が流れ込
み、該振動子Qの等価容量を充電し、前記外部入
力端子5の直流電位を上昇させる。 Similarly, when L falls below Vss-0.6, a current flows from Vss to the vibrator Q through the diode 8, charging the equivalent capacitance of the vibrator Q and raising the DC potential of the external input terminal 5.
この様にして前記外部入力端子5の直流電位は
自動的に調整されて、前記入力電圧の波形は歪み
を生じない理想状態で発振を接続し、安定な発振
周波数を得る事が出来る。 In this way, the DC potential of the external input terminal 5 is automatically adjusted, and the waveform of the input voltage is oscillated in an ideal state without distortion, making it possible to obtain a stable oscillation frequency.
しかるに外部の汚れ等で前記外部入力端子5が
VddあるいはVssに引かれると上記作用が完全に
は行われず、前記入力電圧に歪みが生じ、発振周
波数が変動してしまう。例えば前記外部入力端子
5がVddとリークを生じた場合を想定すると、前
記外部入力端子5の直流電位はVddに向かつて上
昇し、前記HがVdd+0.6を上回ると上記した作
用が働き前記外部入力端子5の直流電位を下げよ
うとする。最終的には前記外部入力端子5の直流
電位は、リークによる上昇力と前記ダイオード7
に流れる電流による下降力とが釣り有つた状態に
安定する事になる。 However, due to external dirt etc., the external input terminal 5
If it is pulled to Vdd or Vss, the above-mentioned effect will not be performed completely, and the input voltage will be distorted, causing the oscillation frequency to fluctuate. For example, assuming that the external input terminal 5 leaks from Vdd, the DC potential of the external input terminal 5 increases toward Vdd, and when the H exceeds Vdd + 0.6, the above-mentioned effect is activated and the external An attempt is made to lower the DC potential of input terminal 5. Ultimately, the DC potential of the external input terminal 5 is determined by the rising force due to leakage and the diode 7.
This results in a stable state in which the downward force due to the current flowing in is balanced.
この状態では前記Hで前記ダイオード7に電流
が流れるのであるから当然前記入力電圧の波形は
該ダイオード7にクランプされて歪みを生じた状
態で発振が接続される事になる。もし前記リーク
量が一定であるならば、このような状態で発振が
接続しても発振周波数は変化しない(勿論発振器
固有の湿度特性等は別である)であろう。 In this state, since current flows through the diode 7 at the H level, the waveform of the input voltage is naturally clamped by the diode 7 and oscillation is connected in a distorted state. If the amount of leakage is constant, the oscillation frequency will not change even if oscillation is connected in such a state (with the exception of humidity characteristics unique to the oscillator, etc.).
しかし外部の汚れ等によるリークは決して一定
ではなく、温度や湿度によつて変化するものであ
るから、この変化によつて前記外部入力端子5の
直流電位の上昇力も変化し、これに釣り合うべき
前記下降力も変化し、従つて前記ダイオード7に
流れる電流も変化し、前記入力電圧波形の歪み量
も変化して、結局は発振周波数が温度、湿度等の
変化にともなつて変化してしまう事になるのであ
る。 However, leakage due to external dirt, etc. is not constant and changes depending on temperature and humidity, so this change also changes the rising power of the DC potential of the external input terminal 5, which should be balanced by the The descending force also changes, so the current flowing through the diode 7 also changes, and the amount of distortion of the input voltage waveform also changes, resulting in the oscillation frequency changing with changes in temperature, humidity, etc. It will become.
上記説明は前記入力電圧の振幅が|Vdd−Vss
+1.2|よりも小さい場合について行つたが、該
振幅が|Vdd−Vss+1.2|よりも大きい場合に
は、前記H,Lが共に歪みを生じた状態で発振を
接続する事になる。この場合も変動リークが無け
れば周波数が変動(保護ダイオード7の順方向電
圧の温度変化の影響は除く)する事はないが、変
動リークが有れば、発振周波数が温度、湿度等の
変化にともなつて変化してしまう事になるのであ
る。 In the above explanation, the amplitude of the input voltage is |Vdd−Vss
+1.2|, but if the amplitude is larger than |Vdd-Vss+1.2|, the oscillation is connected in a state where both the H and L are distorted. In this case as well, if there is no fluctuation leak, the frequency will not fluctuate (excluding the effect of temperature change on the forward voltage of the protection diode 7), but if there is fluctuation leak, the oscillation frequency will change due to changes in temperature, humidity, etc. It will change over time.
本考案は上記の解析結果に基づいてなされたも
のであつて、外部の汚れ等によるリークによる前
記外部入力端子5の直流電位の変動を低減し、発
振周波数の安定化を図る目的でなされたものであ
る。 This invention was made based on the above analysis results, and was made for the purpose of reducing fluctuations in the DC potential of the external input terminal 5 due to leakage due to external dirt, etc., and stabilizing the oscillation frequency. It is.
上記課題を解決するために本考案が用いる手段
は、相補型MOSトランジスターにより構成され
た発振インバータ1、該インバータの入力端をバ
イアスするバイアス手段2、該バイアス手段2に
よりバイアスされた前記発振インバータ1の前記
入力端と、外部入力端子5を接続する直流カツト
容量6、及び前記外部入力端子5に接続された保
護ダイオード7,8の全てが一体に内蔵された集
積化発振回路に於いて、前記外部入力端子5をバ
イアスする手段を設ける事である。
The means used by the present invention to solve the above problems include an oscillating inverter 1 constituted by complementary MOS transistors, a biasing means 2 for biasing the input terminal of the inverter, and the oscillating inverter 1 biased by the biasing means 2. In the integrated oscillation circuit in which all of the DC cut capacitance 6 connecting the input end of the input terminal and the external input terminal 5, and the protection diodes 7 and 8 connected to the external input terminal 5 are integrated, A means for biasing the external input terminal 5 is provided.
以下本考案の実施例を図面に基づいて説明する
と、第4図は本考案の一実施例を示す発振回路の
要部回路図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 4 is a circuit diagram of a main part of an oscillation circuit showing an embodiment of the present invention.
第4図に於いて相補型MOSトランジスターに
より構成された発振インバータ1の入力端と出力
端がバイアス手段2により接続され、該バイアス
手段2によりバイアスされた前記発振インバータ
1の前記入力端と外部入力端子5が直流カツト容
量6により接続され、前記外部入力端子5と電源
との間に保護ダイオード7,8が接続され、前記
インバータ1の出力端と外部出力端子4の間に出
力安定化抵抗3が接続されている点は第3図の従
来例と同じである。本考案は上記回路に更に前記
外部入力端子にバイアス電位を印可するバイアス
手段9を設ける事に特徴を有している。 In FIG. 4, the input end and the output end of the oscillation inverter 1 constituted by complementary MOS transistors are connected by a bias means 2, and the input end of the oscillation inverter 1 biased by the bias means 2 and the external input The terminal 5 is connected by a DC cut capacitor 6, protection diodes 7 and 8 are connected between the external input terminal 5 and the power supply, and an output stabilizing resistor 3 is connected between the output terminal of the inverter 1 and the external output terminal 4. The connection is the same as in the conventional example shown in FIG. The present invention is characterized in that the above circuit is further provided with bias means 9 for applying a bias potential to the external input terminal.
即ち第4図の実施例に於いては前記バイアス手
段9は1本の抵抗体9であり、該抵抗体9の一端
が前記外部入力端子5に接続され、他の一端が前
記インバータ1の出力端あるいは前記外部出力端
子4に接続される。 That is, in the embodiment shown in FIG. 4, the bias means 9 is a single resistor 9, one end of which is connected to the external input terminal 5, and the other end connected to the output of the inverter 1. It is connected to the terminal or the external output terminal 4.
このように構成すれば、前記外部端子5の直流
電位は不定とはならず、該外部端子5に多少リー
クが生じても該外部端子5の直流電位の変動を低
減する事が出来るため、前述の周波数変動を軽減
する事が出来る。 With this configuration, the DC potential of the external terminal 5 will not become unstable, and even if some leakage occurs in the external terminal 5, fluctuations in the DC potential of the external terminal 5 can be reduced. frequency fluctuation can be reduced.
なお上記説明中、リークの発生原因を汚れや湿
度等としたが、本考案は例えば光によるリーケー
ジや半導体自身のもつ不都合な特性に対しても有
効である。更に前記バイアス手段2,9の材質半
導体抵抗、ポリシリコン抵抗等材質を限定するも
のでない。例えば前記バイアス手段2の接続点の
一端を前記インバータ1の出力端に変えて前記外
部出力端子4とする場合もあるし、また前記外部
入力端子5の直流電位は前記保護ダイオード7,
8が接続される電源の中央が望ましい事は上記説
明に於いて明かであるから、例えば時計用集積回
路の如く発振回路の電源(前記インバータ1の電
源)のレベルが前記保護ダイオード7,8が接続
される電源のレベルと異なる時は、前記バイアス
手段9はむしろ一般の固定バイアス法を用いた法
が良い場合がある。 In the above description, the causes of leakage are assumed to be dirt, humidity, etc., but the present invention is also effective against leakage caused by light and disadvantageous characteristics of the semiconductor itself. Further, the materials of the bias means 2 and 9 are not limited to semiconductor resistors, polysilicon resistors, etc. For example, one end of the connection point of the bias means 2 may be changed to the output end of the inverter 1 and used as the external output terminal 4, and the DC potential of the external input terminal 5 is connected to the protection diode 7,
It is clear from the above explanation that it is desirable to connect diodes 7 and 8 to the center of the power supply. When the level is different from the level of the connected power supply, it may be better to use a general fixed bias method as the bias means 9.
また前述の如く相補型MOSトランジスターに
より構成された発振インバータ1、バイアス手段
2、直流カツト容量6、及び保護ダイオード7,
8は全て一体に集積化して内蔵されている必要が
あるが、前記バイアス手段9は必ずしも集積回路
内に無くても良い。 Further, as described above, the oscillation inverter 1 constituted by complementary MOS transistors, the bias means 2, the DC cut capacitor 6, and the protection diode 7,
8 must be integrated and built-in, but the bias means 9 does not necessarily need to be included in the integrated circuit.
以上述べた如く、本考案によれば発振停止がな
く、かつ発振周波数の外部リーク等による変動が
少ない、耐環境性に極めて優れた相補型MOS発
振回路を提供する事ができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a complementary MOS oscillation circuit that does not stop oscillation, has little variation in oscillation frequency due to external leakage, etc., and has extremely excellent environmental resistance.
勿論、以上の説明から明かな如く、前記保護ダ
イオードが存在しなければ、前記外部入力端子5
にリークが発生したとしても、該外部入力端子5
の直流電位が、たかだかVddあるいはVssとなる
だけであつて、前記入力電圧波形がクランプされ
て歪みを生ずる現象は生じないのであるから、保
護ダイオードを必要としないバイポーラ型の発振
回路等では本願考案の実施は全く無用であり、本
願考案は保護ダイオードを必要とする集積回路の
場合にのみ、特別な効果を与えるものであるが、
時計用集積回路のように低電力を要求する分野で
はほとんどが相補型MOSを使用するものとなつ
ており、本考案の実施による効果は多大である。 Of course, as is clear from the above explanation, if the protection diode does not exist, the external input terminal 5
Even if a leak occurs in the external input terminal 5,
The DC potential of the input voltage is only Vdd or Vss at most, and the input voltage waveform is not clamped and distortion does not occur. Therefore, in bipolar oscillation circuits that do not require protection diodes, the present invention is effective. is completely unnecessary, and the present invention has a special effect only in the case of integrated circuits that require protection diodes.
In most fields that require low power, such as integrated circuits for watches, complementary MOS is used, and the implementation of the present invention will have a significant effect.
第1図乃至第3図は従来の発振回路の構成を示
す回路図、第4図は本考案の一実施例を示す、発
振回路の要部回路図である。
1……相補型MOSインバータ、2……バイア
ス手段(帰還抵抗)、3……出力安定化抵抗、4
……外部出力端子、5……外部入力端子、6……
直流カツト容量、9……バイアス手段、Q……振
動子。
1 to 3 are circuit diagrams showing the configuration of a conventional oscillation circuit, and FIG. 4 is a circuit diagram of a main part of an oscillation circuit showing an embodiment of the present invention. 1... Complementary MOS inverter, 2... Bias means (feedback resistor), 3... Output stabilizing resistor, 4
...External output terminal, 5...External input terminal, 6...
DC cut capacity, 9...bias means, Q...vibrator.
Claims (1)
発振インバータ1、該インバータの入力端をバイ
アスするバイアス手段2、該バイアス手段2によ
りバイアスされた前記発振インバータ1の前記入
力端と、外部入力端子5を接続する直流カツト容
量6、及び前記外部入力端子5に接続された保護
ダイオード7,8の全てが一体に内蔵された集積
化発振回路に於いて、前記外部入力端子5をバイ
アスする手段を設けた事を特徴とする発振回路。 An oscillating inverter 1 constituted by complementary MOS transistors, a biasing means 2 for biasing the input end of the inverter, and a direct current connecting the input end of the oscillating inverter 1 biased by the biasing means 2 and an external input terminal 5. In an integrated oscillation circuit in which a cut capacitor 6 and protection diodes 7 and 8 connected to the external input terminal 5 are all integrated, a means for biasing the external input terminal 5 is provided. oscillation circuit.
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Publications (2)
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JPH0513044Y2 true JPH0513044Y2 (en) | 1993-04-06 |
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JP1989108637U Expired - Lifetime JPH0513044Y2 (en) | 1989-09-19 | 1989-09-19 |
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JP (1) | JPH0513044Y2 (en) |
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JPS5499552U (en) * | 1977-12-24 | 1979-07-13 | ||
JPS54159944U (en) * | 1978-04-27 | 1979-11-08 |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP1989108637U patent/JPH0513044Y2/ja not_active Expired - Lifetime
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