JP2781199B2 - 配向膜形成方法 - Google Patents
配向膜形成方法Info
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- JP2781199B2 JP2781199B2 JP1112599A JP11259989A JP2781199B2 JP 2781199 B2 JP2781199 B2 JP 2781199B2 JP 1112599 A JP1112599 A JP 1112599A JP 11259989 A JP11259989 A JP 11259989A JP 2781199 B2 JP2781199 B2 JP 2781199B2
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- coating film
- film
- rubbing
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 液晶パネルを構成する基板上に配向膜を形成する方法
に関し、 表面に表示欠陥を生じさせる程の機械的な傷を付けず
に強い配向規制力を付与することを可能とすることを目
的とし、 基板上にポリイミド溶液等を塗布して配向塗布膜を形
成する工程と、上記配向塗布膜をそのキュア温度より低
温度で熱処理して、上記の塗布形成された配向塗布膜を
ラビング可能な程度に硬化させる低温熱処理工程と、低
温熱処理された配向塗布膜をその表面を傷付けない強さ
でラビングする工程と、ラビングされた配向塗布膜を上
記キュア温度に加熱して配向膜とする工程とより構成す
る。
に関し、 表面に表示欠陥を生じさせる程の機械的な傷を付けず
に強い配向規制力を付与することを可能とすることを目
的とし、 基板上にポリイミド溶液等を塗布して配向塗布膜を形
成する工程と、上記配向塗布膜をそのキュア温度より低
温度で熱処理して、上記の塗布形成された配向塗布膜を
ラビング可能な程度に硬化させる低温熱処理工程と、低
温熱処理された配向塗布膜をその表面を傷付けない強さ
でラビングする工程と、ラビングされた配向塗布膜を上
記キュア温度に加熱して配向膜とする工程とより構成す
る。
本発明は液晶パネルを構成する基板上に配向膜を形成
する方法に関する。
する方法に関する。
配向膜は液晶分子の配向を規制するためのものであ
る。配向規制力は配向膜の表面を所定方向に擦るラビン
グ処理により得られる。
る。配向規制力は配向膜の表面を所定方向に擦るラビン
グ処理により得られる。
近年、液晶の応答速度の高速化のために、従来のTN方
式に代わって、STN方式が多く採用されている。この方
式では、液晶分子を従来の90度を越えて270度程度捩っ
ており、配向膜には従来よりも強い配向規制力が要求さ
れる。
式に代わって、STN方式が多く採用されている。この方
式では、液晶分子を従来の90度を越えて270度程度捩っ
ており、配向膜には従来よりも強い配向規制力が要求さ
れる。
配向規制力はラビング処理と関係し、強くラビングす
ると配向規制力が強くなる。従ってSTN方式の液晶パネ
ルにおいては配向膜を十分にラビングする必要がある。
ると配向規制力が強くなる。従ってSTN方式の液晶パネ
ルにおいては配向膜を十分にラビングする必要がある。
一方、ラビングを十分に行うと配向膜に機械的な傷が
付き易くなる。傷が付くと、この部分の液晶に配向の乱
れが生じ、液晶パネルにはすじ状の欠陥が生じて不良品
となってしまう。
付き易くなる。傷が付くと、この部分の液晶に配向の乱
れが生じ、液晶パネルにはすじ状の欠陥が生じて不良品
となってしまう。
従って、機械的な傷を付けずに配向規制力が強い配向
膜を形成する方法が望まれる。
膜を形成する方法が望まれる。
第４図は従来の配向膜形成方法を示す。
従来は、ポリイミド溶液を基板上に塗布して配向塗布
膜を形成し（１）、次にこれをキュア温度に加熱して配
向塗布膜をキュアし（２）、その後にラビング処理をし
て（３）、配向膜を形成していた。
膜を形成し（１）、次にこれをキュア温度に加熱して配
向塗布膜をキュアし（２）、その後にラビング処理をし
て（３）、配向膜を形成していた。
第５図はラビング工程を示す。４はラビングロールで
あり、ナイロン布をロール本体に巻き付けた構成であ
り、矢印Ａ方向に回転し、基板５が載置されたテーブル
６が矢印Ｂ方向に繰り返し移動し、キュア済の配向塗布
膜７がナイロン布の毛８により所定の方向に擦られる。
あり、ナイロン布をロール本体に巻き付けた構成であ
り、矢印Ａ方向に回転し、基板５が載置されたテーブル
６が矢印Ｂ方向に繰り返し移動し、キュア済の配向塗布
膜７がナイロン布の毛８により所定の方向に擦られる。
ラビングする対象の膜７はキュア済であり、硬化して
いるため、第６図に示すように、毛先の押し込み量ａ1
を0.5mm程度にセットして、ラビング密度（回数）200
で、比較的強くラビングを行っている。これにより十分
な強さの配向規制力を得ている。
いるため、第６図に示すように、毛先の押し込み量ａ1
を0.5mm程度にセットして、ラビング密度（回数）200
で、比較的強くラビングを行っている。これにより十分
な強さの配向規制力を得ている。
膜７を比較的強くラビングしているため、表面にすじ
状の傷が付き易い。
状の傷が付き易い。
配向膜に傷が付くと、これを使用して組立てた液晶パ
ネルも表示面にすじ状の欠陥が表われて不良品となって
しまい、製品の歩溜りが悪くなってしまう。
ネルも表示面にすじ状の欠陥が表われて不良品となって
しまい、製品の歩溜りが悪くなってしまう。
本発明は表面に表示欠陥を生じさせる程の機械的な傷
を付けずに強い配向規制力を付与することを可能とする
配向膜形成方法を提供することを目的とする。
を付けずに強い配向規制力を付与することを可能とする
配向膜形成方法を提供することを目的とする。
本発明は、基板上にポリイミド溶液等を塗布して配向
塗布膜を形成する工程と、 上記配向塗布膜をそのキュア温度より低い温度で熱処
理して、上記の塗布形成された配向塗布膜をラビング可
能な程度に硬化させる低温熱処理工程と、 低温熱処理された配向塗布膜をラビングする工程と、 ラビングされた配向塗布膜を上記キュア温度に加熱し
て配向膜とする工程とよりなる構成である。
塗布膜を形成する工程と、 上記配向塗布膜をそのキュア温度より低い温度で熱処
理して、上記の塗布形成された配向塗布膜をラビング可
能な程度に硬化させる低温熱処理工程と、 低温熱処理された配向塗布膜をラビングする工程と、 ラビングされた配向塗布膜を上記キュア温度に加熱し
て配向膜とする工程とよりなる構成である。
低温熱処理された配向塗布膜は完全には硬化してい
ず、ラビングが表面を傷付ける強さより弱くても高分子
鎖の配列を形成することが可能となる。
ず、ラビングが表面を傷付ける強さより弱くても高分子
鎖の配列を形成することが可能となる。
これにより、配向規制力が強くしかも表面に液晶パネ
ルの表示欠陥を生じさせる程の機械的な傷を有しない配
向膜を形成することが可能となる。
ルの表示欠陥を生じさせる程の機械的な傷を有しない配
向膜を形成することが可能となる。
第１図は本発明の配向膜形成方法の一実施例を示す。
まず、配向塗布膜形成工程11を行う。
ここでは、第２図（Ａ）に示すように、透明電極12が
形成されたガラス基板13上にポリイミドの３％溶液を25
00rpm.30秒でスピン塗布し、配向塗布膜14を形成する。
形成されたガラス基板13上にポリイミドの３％溶液を25
00rpm.30秒でスピン塗布し、配向塗布膜14を形成する。
次に低温熱処理工程15を行う。
ここでは、第２図（Ｂ）に示すように、ポリイミドの
キュア温度（250℃）よりも低く、70℃よりも高い温
度、例えば100℃にて加熱して30分間維持する。
キュア温度（250℃）よりも低く、70℃よりも高い温
度、例えば100℃にて加熱して30分間維持する。
配向塗布膜14は、溶媒の一部が蒸発して、多少硬化す
るも完全には硬化しない低温熱処理済配向塗布膜16とな
る。
るも完全には硬化しない低温熱処理済配向塗布膜16とな
る。
この工程15は上記の配向塗布膜14をラビングできる程
度の硬さのものにするための工程であり、配向塗布膜16
はある程度の軟質性を有する。
度の硬さのものにするための工程であり、配向塗布膜16
はある程度の軟質性を有する。
次にラビング工程17を行う。
ラビングは基本的には第５図に示すと同様に行う。こ
こで、配向塗布膜16は完全には硬化していないため、ラ
ビングが弱くても高分子の分子鎖を配列させることが出
来る。そこで毛先の押込み量を従来よりも小さく、即ち
配向塗布膜16の表面にすじ状の傷を付けずにラビングを
行うことが出来る量に定める。
こで、配向塗布膜16は完全には硬化していないため、ラ
ビングが弱くても高分子の分子鎖を配列させることが出
来る。そこで毛先の押込み量を従来よりも小さく、即ち
配向塗布膜16の表面にすじ状の傷を付けずにラビングを
行うことが出来る量に定める。
具体的には、第３図に示すように、毛先の押込み量ａ
2を従来の場合の0.5mmより少ない0.3mm程度に定めて、
ラビング密度200で行う。
2を従来の場合の0.5mmより少ない0.3mm程度に定めて、
ラビング密度200で行う。
配向塗布膜16は表面に機械的なキズが生せずにラビン
グされ、第２図（Ｃ）に示すように、ラビング済配向塗
布膜18となる。
グされ、第２図（Ｃ）に示すように、ラビング済配向塗
布膜18となる。
最後にキュア工程19を行う。
キュアは250℃のキュア温度で１時間行う。これによ
りラビング済配向塗布膜18は、イミド化され、第２図
（Ｄ）に示すように、表面に機械的なキズが無く、しか
も十分な配向規制力を有する配向膜20となる。
りラビング済配向塗布膜18は、イミド化され、第２図
（Ｄ）に示すように、表面に機械的なキズが無く、しか
も十分な配向規制力を有する配向膜20となる。
上記のように形成された配向膜20を有する基板を使用
して液晶パネルを組立てると、表示面に欠陥が表われる
ものが少なくなり、STN方式の液晶パネルを歩溜り良く
製造することが可能となる。
して液晶パネルを組立てると、表示面に欠陥が表われる
ものが少なくなり、STN方式の液晶パネルを歩溜り良く
製造することが可能となる。
なお、上記の低温熱処理工程15の温度は、 100℃に限らず、250℃以下で且つ70℃より高い温度で
あればよい。ポリイミドの場合70℃以下の熱処理では塗
布膜の硬度が不十分でラビング処理が困難となる。
あればよい。ポリイミドの場合70℃以下の熱処理では塗
布膜の硬度が不十分でラビング処理が困難となる。
以上説明したように、本発明によれば、基板上にポリ
イミド溶液を塗布して配向塗布膜を形成し、次いで、配
向塗布膜をそのキュア温度より低温度で熱処理してラビ
ング可能な程度に半硬化させ、次いで、低温熱処理され
た配向塗布膜をその表面を傷つけない強さでラビングし
て該ポリイミドの分子鎖を配列させ、次いで、ラビング
された配向塗布膜を上記キュア温度に加熱して硬化させ
ることで配向膜とする構成であるため、ポリイミド溶液
を塗布してなるポリイミド製の配向塗布膜に剪断応力を
与えてポリイミドの分子鎖が一方向に並ぶようにして、
液晶分子をポリイミドの分子鎖と平行とするようにする
配向規制力が大きく、しかも、表面に傷を有しない配向
膜を形成することが出来る。
イミド溶液を塗布して配向塗布膜を形成し、次いで、配
向塗布膜をそのキュア温度より低温度で熱処理してラビ
ング可能な程度に半硬化させ、次いで、低温熱処理され
た配向塗布膜をその表面を傷つけない強さでラビングし
て該ポリイミドの分子鎖を配列させ、次いで、ラビング
された配向塗布膜を上記キュア温度に加熱して硬化させ
ることで配向膜とする構成であるため、ポリイミド溶液
を塗布してなるポリイミド製の配向塗布膜に剪断応力を
与えてポリイミドの分子鎖が一方向に並ぶようにして、
液晶分子をポリイミドの分子鎖と平行とするようにする
配向規制力が大きく、しかも、表面に傷を有しない配向
膜を形成することが出来る。
よって、このように形成された配向膜を有する基板を
使用することによって、TN方式に比べて大きい配向規制
力を必要とするSTN方式の液晶パネルを歩留り良く製造
することが出来る。
使用することによって、TN方式に比べて大きい配向規制
力を必要とするSTN方式の液晶パネルを歩留り良く製造
することが出来る。
第１図は本発明の配向膜形成方法の一実施例を示す図、 第２図は第１図中各工程での配向塗布膜の状態を示す
図、 第３図は第１図中ラビング工程を説明する図、 第４図は従来の配向膜形成方法を示す図、 第５図は第４図中ラビング工程を示す図、 第６図は押付け量を説明する図である。 図において、 ４はらラビングロール、８は毛、11は配向塗布膜形成工
程、13はガラス基板、14は配向塗布膜、15は低温熱処理
工程、16は低温熱処理済配向塗布膜、17はラビング工
程、18はラビング済配向塗布膜、19はキュア工程、20は
配向膜 を示す。
図、 第３図は第１図中ラビング工程を説明する図、 第４図は従来の配向膜形成方法を示す図、 第５図は第４図中ラビング工程を示す図、 第６図は押付け量を説明する図である。 図において、 ４はらラビングロール、８は毛、11は配向塗布膜形成工
程、13はガラス基板、14は配向塗布膜、15は低温熱処理
工程、16は低温熱処理済配向塗布膜、17はラビング工
程、18はラビング済配向塗布膜、19はキュア工程、20は
配向膜 を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/1337 - 1/1337 530
Claims (1)
- 【請求項１】基板上にポリイミド溶液を塗布して配向塗
布膜を形成する工程と、 上記配向塗布膜をそのキュア温度より低温度で熱処理し
てラビング可能な程度に半硬化させる低温熱処理工程
と、 低温熱処理された配向塗布膜をその表面を傷つけない強
さでラビングして該ポリイミドの分子鎖を配列させる工
程と、 ラビングされた配向塗布膜を上記キュア温度に加熱して
硬化させることで配向膜とする工程とよりなることを特
徴とする配向膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1112599A JP2781199B2 (ja) | 1989-05-01 | 1989-05-01 | 配向膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1112599A JP2781199B2 (ja) | 1989-05-01 | 1989-05-01 | 配向膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02291525A JPH02291525A (ja) | 1990-12-03 |
| JP2781199B2 true JP2781199B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=14590770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1112599A Expired - Lifetime JP2781199B2 (ja) | 1989-05-01 | 1989-05-01 | 配向膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2781199B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5540468A (en) * | 1978-09-14 | 1980-03-21 | Citizen Watch Co Ltd | Production of liquid crystal display device |
| JPS55164812A (en) * | 1979-06-08 | 1980-12-22 | Alps Electric Co Ltd | Insulating film of liquid crystal cell |
-
1989
- 1989-05-01 JP JP1112599A patent/JP2781199B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02291525A (ja) | 1990-12-03 |
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