JP2779849B2 - Film carrier - Google Patents

Film carrier

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JP2779849B2
JP2779849B2 JP1272529A JP27252989A JP2779849B2 JP 2779849 B2 JP2779849 B2 JP 2779849B2 JP 1272529 A JP1272529 A JP 1272529A JP 27252989 A JP27252989 A JP 27252989A JP 2779849 B2 JP2779849 B2 JP 2779849B2
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嘉保 西川
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電子部品が実装されるディバイス孔を設け
たベースフィルム上に導体回路を形成し、この導体回路
のディバイス孔側に突出する部分をインナーリードとし
たフィルムキャリアに関し、特に、インナーリードのデ
ィバイス孔周縁部分に伝熱防止体を設けたフィルムキャ
リアに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a method for forming a conductor circuit on a base film provided with a device hole on which an electronic component is mounted, and a portion of the conductor circuit protruding toward the device hole. In particular, the present invention relates to a film carrier having a heat transfer preventing member provided at a peripheral portion of a device hole of an inner lead.

(従来の技術) 近年、電子機器の小型軽量化を図るために、半導体素
子等の電子部品を実装して、当該電子機器内に装着され
る所謂フィルムキャリアが種々開発されてきている。
(Prior Art) In recent years, in order to reduce the size and weight of electronic devices, various so-called film carriers have been developed in which electronic components such as semiconductor elements are mounted and mounted in the electronic devices.

このようなフィルムキャリアは、第7図及び第8図に
示すように、可撓性絶縁材からなるベースフィルム(1
0)に電子部品(30)が実装されるディバイス孔(11)
を設け、このベースフィルム(10)上にデバイス孔(1
1)を覆うように銅箔を接着剤(12)を介して貼着し、
そしてこの銅箔からパターン焼付け、エッチング、メッ
キ等の各工程を経て導体回路(21)を形成し、この導体
回路(21)がディバイス孔(11)側に突出するようにし
たものであり、この突出する導体回路(21)を、電子部
品(30)と電気的に接続されるインナーリード(22)と
したものである。そして、このフィルムキャリア(20
0)は電子部品(30)が実装されて、第7図二点鎖線で
示す部分に切断されて、前述の電子機器に適宜使用され
るものである。
As shown in FIGS. 7 and 8, such a film carrier comprises a base film (1) made of a flexible insulating material.
Device hole (11) in which electronic component (30) is mounted in (0)
A device hole (1) is provided on the base film (10).
Paste copper foil over adhesive (12) to cover 1)
A conductor circuit (21) is formed from the copper foil through various steps such as pattern baking, etching, and plating, and the conductor circuit (21) is projected to the device hole (11) side. The protruding conductor circuit (21) is an inner lead (22) that is electrically connected to the electronic component (30). And this film carrier (20
Reference numeral 0) denotes an electronic component (30) mounted thereon, which is cut into portions indicated by two-dot chain lines in FIG.

このように形成されたフィルムキャリア(200)に、
電子部品(30)を実装するには、一般に、第9図〜第12
図に示すような工程で行われる。
In the film carrier (200) thus formed,
To mount the electronic component (30), generally, FIGS.
This is performed in steps as shown in the figure.

即ち、先ず、第9図に示すように、テーブルガイド
(60)によりフィルムキャリア(200)を搬送して、電
子部品(30)における金又は半田材等よりなるバンプ
(31)と、フィルムキャリア(200)のインナーリード
(22)との位置合わせを行う。この際、電子部品(30)
はワックス(41)を介してネストプレート(40)上に載
置されている。
That is, first, as shown in FIG. 9, a film carrier (200) is transported by a table guide (60), and a bump (31) made of gold or a solder material in an electronic component (30) and a film carrier (200). Align with the inner lead (22) of (200). At this time, electronic components (30)
Is mounted on a nest plate (40) via a wax (41).

次に、第10図に示すように、インナーリード(22)の
周辺にN2ガスを放流する。
Next, as shown in FIG. 10, N2 gas is discharged around the inner lead (22).

次いで、第11図に示すように、ボンディングツール
(50)を降下させると共にこのボンディングツール(5
0)にパルス電流を流し、バンプ(31)を加熱溶融して
電子部品(30)とフィルムキャリア(200)とをこのバ
ンプ(31)を介して電機的に接続する。
Next, as shown in FIG. 11, the bonding tool (50) is lowered and the bonding tool (5) is lowered.
A pulse current is passed through 0) to heat and melt the bump (31) to electrically connect the electronic component (30) and the film carrier (200) via the bump (31).

最後に、第12図に示すように、ボンディングツール
(50)を上昇させることにより、ワックス(41)が剥が
れて、電子部品(30)はネストプレート(40)から分離
されてフィルムキャリア(200)に実装される。そし
て、フィルムキャリア(200)は、テープガイド(60)
によって次の実装位置まで搬送され、第9図に示したよ
うな次の実装作業に備えるのである。
Finally, as shown in FIG. 12, by raising the bonding tool (50), the wax (41) is peeled off, the electronic component (30) is separated from the nest plate (40), and the film carrier (200) is separated. Implemented in And the film carrier (200) is a tape guide (60)
Is transported to the next mounting position to prepare for the next mounting operation as shown in FIG.

このような実装方法により、電子部品(30)をフィル
ムキャリア(200)に実装するには、注意しなければな
らない点がある。つまり、上述の実装方法において、金
や半田材等からなるバンプ(31)を溶融させるために必
要な加熱温度は通常260℃前後であり、またベースフィ
ルム(10)として一般的によく使用されるポリエチレン
テレフタレート材(PET材)の耐熱温度は150℃前後であ
るため、加熱時間を必要以上長くすると熱がインナーリ
ード(22)を伝ってベースフィルム(10)に達し、ベー
スフィルム(10)と導体回路(21)との間で接着剤(1
2)の損傷による剥がれを生じるばかりか、ベースフィ
ルム(10)自体にも損傷を加えることとなるのである。
Care must be taken when mounting the electronic component (30) on the film carrier (200) by such a mounting method. That is, in the mounting method described above, the heating temperature required to melt the bump (31) made of gold, solder, or the like is usually about 260 ° C., and is commonly used as the base film (10). Since the heat-resistant temperature of polyethylene terephthalate (PET) is around 150 ° C, if the heating time is made longer than necessary, heat will travel through the inner leads (22) to reach the base film (10), and the base film (10) and the conductor Adhesive (1) between circuit (21)
In addition to peeling due to the damage of 2), the base film (10) itself is also damaged.

そこで、この問題を解決するには、インナーリード
(22)を長くして、つまり、ディバイス孔(11)より突
出する部分を長くして、熱がベースフィルム(10)に達
するまでの時間を長びかせるという手法が考えられる。
Therefore, in order to solve this problem, the length of the inner lead (22), that is, the length of the portion protruding from the device hole (11) is increased, and the time until heat reaches the base film (10) is increased. There is a method of making it blur.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら、インナーリードを長くして、熱伝導時
間を遅らせてベースフィルムの損傷を防止しようとする
と、インナーリード曲がりが多発してインナーリードに
バラツキが生じ、電子部品を実装した際に接続不良等の
問題が発生してしまうのである。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in order to prevent the base film from being damaged by lengthening the inner lead and delaying the heat conduction time, the inner lead is frequently bent and the inner lead is varied, and the electronic component is varied. When a device is mounted, a problem such as a poor connection occurs.

本発明は、以上のような実情に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、インナーリードからの
伝熱時間をおくらせることによって、ベースフィルムの
損傷を防止できると共に、インナーリードへの接続信頼
性の高いフィルムキャリアを提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to prevent the base film from being damaged by increasing the heat transfer time from the inner lead, and to prevent the inner lead from being damaged. To provide a film carrier with high connection reliability.

(課題を解決するための手段) 以上のような課題を解決するために本発明が採った手
段は、実施例に対応する第1図〜第6図を参照して説明
すると、 「電子部品(30)が実装されるディバイス孔(11)を設
けたベースフィルム(10)上に導体回路(21)を形成
し、この導体回路(21)のディバイス孔(11)側に突出
する部分を電子部品(30)との電気的接続を行うインナ
ーリード(22)としたフィルムキャリア(100)におい
て、 インナーリード(22)のディバイス孔周縁部分(23)
にベースフィルム(10)より耐熱性の高い樹脂により形
成された伝熱防止体(24)を設けたことを特徴とするフ
ィルムキャリア(100)」である。
(Means for Solving the Problems) Means adopted by the present invention to solve the above problems will be described with reference to FIGS. 1 to 6 corresponding to the embodiment. A conductor circuit (21) is formed on a base film (10) provided with a device hole (11) on which a device 30) is mounted, and a portion of the conductor circuit (21) protruding toward the device hole (11) is an electronic component. In the film carrier (100) having an inner lead (22) for making an electrical connection with the (30), the peripheral portion (23) of the device hole of the inner lead (22)
A film carrier (100), comprising a heat transfer preventer (24) formed of a resin having higher heat resistance than the base film (10).

つまり、本発明に係るフィルムキャリア(100)は、
第7図及び第8図に示した従来のフィルムキャリア(20
0)と略同様に形成されており、ただ、インナーリード
(22)のディバイス孔周縁部分(23)にベースフィルム
(10)より耐熱性の高い樹脂により形成された伝熱防止
体(24)が設けられているのである。ここで、インナー
リード(22)のディバイス孔周縁部分(23)とは、第2
図又は第5図に示すように、インナーリード(22)と導
体回路(21)の境、即ち、ディバイス孔(11)の縁端上
におけるインナーリード(22)の部分をいい、ここに、
伝熱防止体(24)が設けられているのである。伝熱防止
体(24)は、第1図に示す第一実施例にあっては、各イ
ンナーリード(22)のディバイス孔縁端上に形成されて
いるが、第4図に示す第二実施例のように、ディバイス
孔(11)の周縁に枠状に形成して伝熱防止枠(24)とし
ても良い。このような伝熱防止体(24)の材質は、ベー
スフィルム(10)よりも耐熱性のある樹脂であればどの
ようなものであっても良く、例えば、ベースフィルム
(10)にエンジニアリングプラスチック材料であるPET
(ポリエチレンテレフタレート)を使用した場合には、
一般に高性能エンプラと呼ばれるPEEK(ポリエーテル・
エーテルケトン)、PES(ポリエーテルサルホン)、PS
(ポリサルホン)、PPS(ポリフェニレンサルファイ
ド)等の耐熱性樹脂、あるいは高耐熱性エンプラである
PI(ポリイミド)やPAI(ポリアミドイミド)等であれ
ば良い。また、この伝熱防止体(24)の形成方法につい
ても、スクリーン印刷法、スタンプ法、あるいは光硬化
性耐熱樹脂(ポリイミド等)を使用して露光・現像等の
各工程を経て形成する方法など、いずれの方法によって
も良い。
That is, the film carrier (100) according to the present invention includes:
The conventional film carrier (20) shown in FIGS.
0), except that a heat transfer preventer (24) formed of a resin having higher heat resistance than the base film (10) is provided around the device hole peripheral portion (23) of the inner lead (22). It is provided. Here, the peripheral portion (23) of the device hole of the inner lead (22) is
As shown in FIG. 5 or FIG. 5, the boundary between the inner lead (22) and the conductor circuit (21), that is, the portion of the inner lead (22) on the edge of the device hole (11),
The heat transfer preventer (24) is provided. In the first embodiment shown in FIG. 1, the heat transfer preventer (24) is formed on the edge of the device hole of each inner lead (22), but the second embodiment shown in FIG. As in the example, the heat transfer prevention frame (24) may be formed in a frame shape around the periphery of the device hole (11). The material of the heat transfer preventer (24) may be any resin as long as it is a resin having higher heat resistance than the base film (10). PET
(Polyethylene terephthalate)
PEEK (polyether
Ether ketone), PES (polyethersulfone), PS
(Polysulfone), heat-resistant resin such as PPS (polyphenylene sulfide), or high heat-resistant engineering plastic
What is necessary is just PI (polyimide) or PAI (polyamide imide). Also, the method of forming the heat transfer preventive body (24) includes a screen printing method, a stamp method, a method of forming using a photocurable heat-resistant resin (polyimide or the like) through each step of exposure and development, and the like. Any method may be used.

(発明の作用) 以上のような手段を採ることによって、本発明に係る
フィルムキャリア(100)は、以下のような作用があ
る。
(Operation of the Invention) By adopting the above means, the film carrier (100) according to the present invention has the following operation.

すなわち、第1図〜第3図に示すように、インナーリ
ード(22)のディバイス孔周縁部分(23)に伝熱防止体
(24)を形成すれば、この伝熱防止体(24)がベースフ
ィルム(10)よりも耐熱性が高いため、このフィルムキ
ャリア(100)に電子部品(30)を実装する際にインナ
ーリード(22)から伝わる熱が、この伝熱防止体(24)
で一時止められ、この熱がベースフィルム(10)に伝わ
るまでの時間を長くすることが可能となるのである。
That is, as shown in FIGS. 1 to 3, if a heat transfer preventive body (24) is formed on the peripheral portion (23) of the device hole of the inner lead (22), the heat transfer preventive body (24) becomes a base. Since the heat resistance is higher than that of the film (10), the heat transferred from the inner leads (22) when mounting the electronic component (30) on the film carrier (100) is reduced by the heat transfer preventer (24).
And the heat can be transferred to the base film (10) for a longer time.

なお、伝熱防止体(24)を第2図又は第5図に示すよ
うに、インナーリード(22)の裏側までまわり込んでベ
ースフィルム(10)と一体化するように設ければ、導体
回路(21)とベースフィルム(10)の剥がれ防止にも作
用する。また、伝熱時間を長くすることによって、イン
ナーリード(22)の長さを短くすることも可能となり、
この場合、伝熱防止体(24)は、電子部品(30)におけ
るバンプ(31)の半田材が導体回路(21)へフローする
のを防止するよう作用する。さらに、この伝熱防止体
(24)をシリカ等のセラミック粒子が混入された熱伝導
性の優れたものに形成すれば、この伝熱防止体(24)で
熱の吸収が行われるため、ベースフィルム(10)への伝
導時間をさらに長びかせること可能となる。
In addition, as shown in FIG. 2 or FIG. 5, if the heat transfer preventing body (24) is provided so as to extend to the back side of the inner lead (22) and be integrated with the base film (10), the conductor circuit It also acts to prevent peeling of (21) and base film (10). Also, by increasing the heat transfer time, the length of the inner lead (22) can be shortened,
In this case, the heat transfer preventer (24) acts to prevent the solder material of the bump (31) in the electronic component (30) from flowing to the conductor circuit (21). Furthermore, if the heat transfer preventive (24) is formed of a material having excellent thermal conductivity mixed with ceramic particles such as silica, the heat transfer preventive (24) absorbs heat, so that the base is prevented. It is possible to extend the conduction time to the film (10).

(実施例) 以下に、本発明に係るフィルムキャリア(100)を図
面に示した各実施例に従って説明する。
(Examples) Hereinafter, the film carrier (100) according to the present invention will be described with reference to each example shown in the drawings.

実施例1 第1図には、本発明の第一実施例に係るフィルムキャ
リア(100)の要部拡大平面図が示してある。
Embodiment 1 FIG. 1 is an enlarged plan view of a main part of a film carrier (100) according to a first embodiment of the present invention.

この実施例に係るフィルムキャリア(100)は、ディ
バイス孔周縁部分(23)を除いて、第7図及び第8図に
示した従来のフィルムキャリア(200)と略同様に形成
されている。すなわち、このフィルムキャリア(100)
は、厚さ125μmのポリエチレンテレフタレート(PET)
からなるベースフィルム(10)に、電子部品(30)が実
装されるデバイス孔(11)を設け、このベースフィルム
(10)上にデバイス孔(11)を覆うよう厚さ35μmの銅
箔を接着剤(12)にて貼着し、この銅箔面にパターンを
焼付け、その後、エッチング、メッキ等の各工程を経て
導体回路(21)を形成し、この導体回路(21)がデバイ
ス孔(11)側に突出するようにしたものであり、この突
出する導体回路(21)を電子部品(30)と電気的に接続
されるインナーリード(22)としたものである。そし
て、各インナーリード(22)のディバイス孔周縁部分
(23)には、第2図及び第3図にも示したように、スク
リーン印刷法によりポリエーテル・エーテルケトン(PE
EK)からなる伝熱防止体(24)を破線状に形成したもの
である。この場合、ベースフィルム(10)にPET材を使
用しているため、このようなフィルムキャリアのコスト
ダウンを図ることが可能となる。
The film carrier (100) according to this embodiment is formed in substantially the same manner as the conventional film carrier (200) shown in FIGS. 7 and 8, except for the peripheral portion (23) of the device hole. That is, this film carrier (100)
Is a 125 μm thick polyethylene terephthalate (PET)
A device hole (11) on which an electronic component (30) is mounted is provided on a base film (10) made of, and a 35-μm-thick copper foil is adhered on this base film (10) to cover the device hole (11) An adhesive (12) is applied, a pattern is baked on the copper foil surface, and thereafter, a conductor circuit (21) is formed through various steps such as etching and plating, and the conductor circuit (21) is formed in the device hole (11). ), And the projecting conductor circuit (21) is an inner lead (22) that is electrically connected to the electronic component (30). As shown in FIGS. 2 and 3, a polyether ether ketone (PE) is formed by screen printing on the peripheral portion (23) of the device hole of each inner lead (22).
EK) in the form of broken lines. In this case, since the PET material is used for the base film (10), it is possible to reduce the cost of such a film carrier.

実施例2 第4図には、本発明の第二実施例に係るフィルムキャ
リア(100)の要部拡大平面図が示してある。
Second Embodiment FIG. 4 is an enlarged plan view of a main part of a film carrier (100) according to a second embodiment of the present invention.

この実施例に係るフィルムキャリア(100)は伝熱防
止体(24)の形状を除いて第一実施例と略同様に形成さ
れている。すなわち、第5図及び第6図に示すように、
伝熱防止体(24)は、ディバイス孔(11)の周縁を囲む
よう枠状に形成したものであり、光硬化性耐熱樹脂であ
るポリイミド(PI)を塗布し、これを露光・現像して伝
熱防止枠としたものである。
The film carrier (100) according to this embodiment is formed in substantially the same manner as in the first embodiment except for the shape of the heat transfer preventer (24). That is, as shown in FIGS. 5 and 6,
The heat transfer preventing body (24) is formed in a frame shape so as to surround the periphery of the device hole (11), and is coated with polyimide (PI), which is a photocurable heat-resistant resin, and is exposed and developed. It is a heat transfer prevention frame.

(発明の効果) 以上のように、本発明に係るフィルムキャリアは、
「電子部品が実装されるディバイス孔を設けたベースフ
ィルム上に導体回路を形成し、この導体回路の前記ディ
バイス孔側に突出する部分を前記電子部品との電気的接
続を行うインナーリードとしたフィルムキャリアにおい
て、前記インナーリードのディバイス孔周縁部分にベー
スフィルムより耐熱性の高い樹脂により形成された伝熱
防止体を設けたこと」をその構成上の特徴としている。
(Effect of the Invention) As described above, the film carrier according to the present invention
`` A film in which a conductor circuit is formed on a base film provided with a device hole in which an electronic component is mounted, and a portion of the conductor circuit protruding toward the device hole is an inner lead for making an electrical connection with the electronic component. In the carrier, a heat transfer preventing member formed of a resin having higher heat resistance than the base film is provided on the peripheral portion of the device hole of the inner lead. "

従って、このフィルムキャリアによれば、インナーリ
ードのディバイス孔周縁部分に形成された伝熱防止体
が、ベースフィルムよりも耐熱性があるため、電子部品
を実装する際にインナーリードから伝わる熱の伝熱時間
を長びかせることが可能となるため、この熱によるベー
スフィルムの損傷を防止することができる。また、伝熱
時間を長びかせることが可能となることによって、イン
ナーリードの長さを従来よりも短くすることができ、こ
れによりインナーリード曲りを少なくして、ひいては、
インナーリードのバラツキをなくして、接続信頼性の高
いフィルムキャリアとすることができる。
Therefore, according to this film carrier, since the heat transfer preventing member formed at the peripheral portion of the device hole of the inner lead has higher heat resistance than the base film, the transfer of heat transmitted from the inner lead when mounting the electronic component is performed. Since the heat time can be extended, damage of the base film due to the heat can be prevented. In addition, by making it possible to extend the heat transfer time, the length of the inner lead can be made shorter than before, thereby reducing the inner lead bending and, consequently,
A film carrier having high connection reliability can be obtained by eliminating variations in inner leads.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明に係るフィルムキャリアの第一実施例の
要部拡大平面図、第2図は第1図におけるA−A拡大端
面図、第3図は第1図におけるB−B拡大端面図、第4
図は本発明に係るフィルムキャリアの第二実施例の要部
拡大平面図、第5図は第4図におけるC−C拡大端面
図、第6図は第4図におけるD−D拡大端面図、第7図
は従来のフィルムキャリアを示す部分平面図、第8図は
第7図におけるE−E端面図、第9図〜第12図ははフィ
ルムキャリアに電子部品を実装する際の一般的な実装方
法を工程順に示す各正面図である。 符号の説明 100……フィルムキャリア、10……ベースフィルム、11
……デバイス孔、12……接着剤、21……導体回路、22…
…インナーリード、23……ディバイス孔周縁部分、24…
…伝熱防止体(伝熱防止枠)、30……電子部品、31……
バンプ、40……ネストプレート、41……ワックス、50…
…ボンディングツール、60……テープガイド、200……
従来のフィルムキャリア。
FIG. 1 is an enlarged plan view of a main part of a first embodiment of a film carrier according to the present invention, FIG. 2 is an enlarged end view of AA in FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged end view of BB in FIG. Figure, 4th
FIG. 5 is an enlarged plan view of a main part of the second embodiment of the film carrier according to the present invention, FIG. 5 is an enlarged end view taken along the line CC in FIG. 4, FIG. 6 is an enlarged end view taken along the line DD in FIG. FIG. 7 is a partial plan view showing a conventional film carrier, FIG. 8 is an EE end view in FIG. 7, and FIGS. 9 to 12 are general views when electronic components are mounted on the film carrier. It is each front view which shows a mounting method in a process order. EXPLANATION OF SYMBOLS 100: Film carrier, 10: Base film, 11
... Device hole, 12 ... Adhesive, 21 ... Conductor circuit, 22 ...
... Inner lead, 23 ... Device hole periphery, 24 ...
... heat transfer prevention body (heat transfer prevention frame), 30 ... electronic parts, 31 ...
Bump, 40 ... Nest plate, 41 ... Wax, 50 ...
… Bonding tool, 60 …… tape guide, 200 ……
Conventional film carrier.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀場 保宏 岐阜県大垣市青柳町300番地 イビデン 株式会社青柳工場内 (56)参考文献 特開 平3−108746(JP,A) 特開 昭63−136638(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/60──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Yasuhiro Horiba 300 Aoyagi-cho, Ogaki-shi, Gifu IBIDEN Corporation Aoyagi Factory (56) References JP-A-3-108746 (JP, A) JP-A-63-136638 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 21/60

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】電子部品が実装されるディバイス孔を設け
たベースフィルム上に導体回路を形成し、この導体回路
の前記ディバイス孔側に突出する部分を前記電子部品と
の電気的接続を行うインナーリードとしたフィルムキャ
リアにおいて、 前記インナーリードのディバイス孔周縁部分に前記ベー
スフィルムより耐熱性の高い樹脂により形成された伝熱
防止体を設けたことを特徴とするフィルムキャリア。
An inner part for forming a conductive circuit on a base film provided with a device hole on which an electronic component is mounted, and electrically connecting the portion of the conductive circuit protruding toward the device hole to the electronic component. A film carrier comprising a lead, wherein a heat transfer prevention member formed of a resin having higher heat resistance than the base film is provided on a peripheral portion of a device hole of the inner lead.
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