JP2777498B2 - Substrate cleaning method - Google Patents

Substrate cleaning method

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JP2777498B2 JP32310291A JP32310291A JP2777498B2 JP 2777498 B2 JP2777498 B2 JP 2777498B2 JP 32310291 A JP32310291 A JP 32310291A JP 32310291 A JP32310291 A JP 32310291A JP 2777498 B2 JP2777498 B2 JP 2777498B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、LSIの製造に使用
されるフォトマスク等の基板の洗浄方法に関するもので
ある。特に、フォトマスク表面の洗浄方法に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for cleaning a substrate such as a photomask used for manufacturing an LSI. In particular, the present invention relates to a method for cleaning a photomask surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、フォトマスクを洗浄する技術は以
下の方法が用いられてきた。図4は、ブラシスクラブ方
式のフォトマスクの洗浄方法を示す図である。図4にお
いて、1はフォトマスクの透明基板となる硝子基板、2
は硝子基板1上に形成されたCr等からなる不透明の遮
光パターン、3はブラシである。
2. Description of the Related Art Conventionally, the following method has been used for cleaning a photomask. FIG. 4 is a diagram illustrating a method of cleaning a photomask of a brush scrub type. In FIG. 4, reference numeral 1 denotes a glass substrate serving as a transparent substrate of a photomask;
Is an opaque light-shielding pattern made of Cr or the like formed on the glass substrate 1, and 3 is a brush.

【0003】このような硝子基板1をブラシ3で洗浄す
る場合、ブラシ3が遮光パターン2の影響を受けて硝子
基板1に密着しない部分があるので、そのような遮光パ
ターン2の近傍にある異物の除去を行うことはできなか
った。
When such a glass substrate 1 is cleaned with a brush 3, there is a portion where the brush 3 does not adhere to the glass substrate 1 due to the influence of the light shielding pattern 2. Could not be removed.

【0004】そこで、上記の問題点を解決するために、
従来より高圧水方式のフォトマスクの洗浄方式が採用さ
れてきた。図5は、高圧水方式のフォトマスクの洗浄方
法を示す図である。図5において、4はフレオンノズ
ル、5は高圧水である。高圧水方式は、フレオンノズル
4から高圧フレオン(高圧水)5を硝子基板1に吹き付
けて異物を除去する方法である。
In order to solve the above problems,
Conventionally, a photomask cleaning method using a high-pressure water method has been adopted. FIG. 5 is a diagram showing a method for cleaning a photomask of a high-pressure water method. In FIG. 5, reference numeral 4 denotes a Freon nozzle, and 5 denotes high-pressure water. The high-pressure water method is a method of spraying high-pressure freon (high-pressure water) 5 from the Freon nozzle 4 onto the glass substrate 1 to remove foreign matter.

【0005】しかし、これらの方法を用いても異物を硝
子基板1から剥離する力としては、溶液の横方向への移
動に伴うものであり、硝子基板1から異物を引き離すこ
とは困難である場合が多かった。
However, even if these methods are used, the force for peeling off the foreign matter from the glass substrate 1 is accompanied by the lateral movement of the solution, and it is difficult to separate the foreign matter from the glass substrate 1. There were many.

【0006】この問題点を解決するために、減圧バブリ
ング方式のフォトマスクの洗浄方法が使用されていた。
図6は、減圧バブリング方式のフォトマスクの洗浄方法
を示す図である。図6において、6は減圧された気体、
7は温水、8は気泡である。減圧バブリング方式は、硝
子基板1を浸した温水(溶液)7を減圧することによ
り、気泡8を硝子基板1の表面で発生させて洗浄する方
法である。この方法によると、溶液中7で発生した気泡
8が異物を硝子基板1から引き離す方向に働き、異物が
除去される。
In order to solve this problem, a method of cleaning a photomask using a reduced pressure bubbling method has been used.
FIG. 6 is a diagram illustrating a method of cleaning a photomask of a reduced pressure bubbling method. In FIG. 6, 6 is a decompressed gas,
7 is hot water and 8 is air bubbles. The decompression bubbling method is a method in which hot water (solution) 7 immersed in the glass substrate 1 is decompressed to generate bubbles 8 on the surface of the glass substrate 1 for cleaning. According to this method, the bubbles 8 generated in the solution 7 act in a direction to separate the foreign matter from the glass substrate 1, and the foreign matter is removed.

【0007】従来のフォトマスクの洗浄方法において
は、前述したようなブラシスクラブ方式、高圧水方式、
減圧バブリング方式、あるいは超音波方式等を使用して
いた。
In a conventional photomask cleaning method, a brush scrub method, a high-pressure water method,
A decompression bubbling method, an ultrasonic method, or the like has been used.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
基板、特にフォトマスクの洗浄方法において、ブラシス
クラブ方式ではブラシ3が接触しない部分の洗浄はでき
ないし、また、高圧水方式では洗浄能力が不足している
し、さらに、減圧バブリング方式では気泡8が発生する
場所が異物の下部とは限らず気泡8が発生しない部分で
は洗浄効果がないという問題点があった。
In the conventional method for cleaning a substrate, especially a photomask as described above, the brush scrubbing method cannot clean the portion where the brush 3 does not come into contact, and the high pressure water method has a high cleaning ability. In addition, the decompression bubbling method has a problem that the location where the bubbles 8 are generated is not limited to the lower part of the foreign matter, and there is no cleaning effect in a portion where the bubbles 8 are not generated.

【0009】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、基板の透明な部分に対して効果的
に洗浄を行うことができる基板の洗浄方法を得ることを
目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has as its object to provide a method of cleaning a substrate which can effectively clean a transparent portion of the substrate.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
る基板の洗浄方法は、不透明の遮光パターンが形成され
た硝子基板の表面を容器にみたされたフレオンの液面に
平行に浸すステップと、エキシマレーザー光を前記硝子
基板の裏面から前記裏面に対して垂直に照射して前記遮
光パターン以外の表面にフレオンの気泡を発生させるス
テップとを含むものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of cleaning a substrate, wherein an opaque light-shielding pattern is formed.
The surface of the glass substrate is placed on the freon surface seen in a container.
Immersing in parallel and excimer laser light
By irradiating the back surface of the substrate perpendicularly to the back surface, the shielding
A surface that generates freon bubbles on the surface other than the light pattern
And a step.

【0011】この発明の請求項2に係る基板の洗浄方法
は、表面に不透明の遮光パターンが形成された硝子基板
を基板面に沿って回転させながら、フレオンノズルによ
り前記表面の回転軸の中心へフレオンを噴射するステッ
プと、エキシマレーザー光を前記硝子基板の裏面から前
記裏面に対して垂直に照射して前記遮光パターン以外の
表面にフレオンの気泡を発生させるステップとを含むも
のである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a glass substrate having an opaque light-shielding pattern formed on a surface thereof.
While rotating it along the substrate surface,
To inject freon into the center of the rotation axis of the surface.
And excimer laser light from the back side of the glass substrate.
Irradiate perpendicularly to the back side to apply light other than the light shielding pattern
Generating freon bubbles on the surface.
It is.

【0012】[0012]

【0013】[0013]

【0014】[0014]

【作用】この発明の請求項1に係る基板の洗浄方法にお
いては、第1のステップによって、不透明の遮光パター
ンが形成された硝子基板の表面が容器にみたされたフレ
オンの液面に平行に浸される。また、第2のステップに
よって、エキシマレーザー光が前記硝子基板の裏面から
前記裏面に対して垂直に照射されて前記遮光パターン以
外の表面にフレオンの気泡が発生させられる。
In the method for cleaning a substrate according to the first aspect of the present invention, the opaque light shielding pattern is formed by the first step.
The surface of the glass substrate on which
It is immersed in parallel to the liquid level on . Further, by the second step, excimer laser light is emitted from the back surface of the glass substrate.
Irradiated perpendicularly to the back surface, the light shielding pattern
Bubbles Freon is found is generated on the outer surface.

【0015】この発明の請求項2に係る基板の洗浄方法
においては、第1のステップによって、表面に不透明の
遮光パターンが形成された硝子基板が基板面に沿って回
転させられながら、フレオンノズルにより前記表面の回
転軸の中心へフレオンが噴射される。また、第2のステ
ップによって、エキシマレーザー光が前記硝子基板の裏
面から前記裏面に対して垂直に照射されて前記遮光パタ
ーン以外の表面にフレオンの気泡が発生させられる。
In the method of cleaning a substrate according to a second aspect of the present invention, the first step includes the step of forming an opaque surface.
The glass substrate on which the light-shielding pattern is formed rotates along the substrate surface.
While being rotated, the surface is rotated by a Freon nozzle.
Freon is injected into the center of the turning shaft . In the second step, excimer laser light is applied to the back of the glass substrate.
The light is radiated perpendicularly to the back surface from the
Bubbles of Freon is found to occur on the surface other than the over down.

【0016】[0016]

【0017】[0017]

【0018】[0018]

【実施例】実施例1.この発明の実施例1を使用するフ
ォトマスク洗浄装置の構成を図1を参照しながら説明す
る。図1は、この発明の実施例1を使用するフォトマス
ク洗浄装置を示す図である。なお、各図中、同一符号は
同一又は相当部分を示す。
[Embodiment 1] The configuration of a photomask cleaning apparatus using Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram showing a photomask cleaning apparatus using the first embodiment of the present invention. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

【0019】図1において、9は容器にみたされたフレ
オン、10はエキシマレーザー光源、11はエキシマレ
ーザー光源から発生されたエキシマレーザー光である。
In FIG. 1, reference numeral 9 denotes a freon observed in a container, 10 denotes an excimer laser light source, and 11 denotes an excimer laser light generated from the excimer laser light source.

【0020】つぎに、前述した実施例1を図2を参照し
ながら説明する。図2(a)及び(b)は、この発明の
実施例1を示す図である。図2において、12は異物、
13はフレオンの気体である。
Next, the first embodiment will be described with reference to FIG. FIGS. 2A and 2B are diagrams showing Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 2, 12 is a foreign substance,
13 is a freon gas.

【0021】図2(a)において、硝子基板1の表面が
フレオン9に浸されると、異物12と硝子基板1の隙間
にはフレオン9が染み込む。同図(b)において、硝子
基板1の裏面から照射されたエキシマレーザー光11は
フレオン9に吸収されて、温度を上昇させて気化し、フ
レオン9の気体13は異物12を硝子基板1から引き離
す。
In FIG. 2A, when the surface of the glass substrate 1 is immersed in the Freon 9, the Freon 9 penetrates into the gap between the foreign matter 12 and the Glass substrate 1. In FIG. 1B, the excimer laser beam 11 emitted from the back surface of the glass substrate 1 is absorbed by the Freon 9 and evaporates by increasing the temperature, and the gas 13 of the Freon 9 separates the foreign matter 12 from the glass substrate 1. .

【0022】すなわち、フォトマスクの透明部分を透過
した光がフレオンに吸収されて、熱エネルギーに変換さ
れる。その結果、フレオンの温度が上昇して気化する。
この現象は、フレオン中の光を吸収した領域のみで発生
するため、基板の表面で気化することになる。異物と基
板表面の間にはフレオンが染み込んでおり、この部分で
発生したフレオンの気泡によって異物が基板から引き離
される。
That is, light transmitted through the transparent portion of the photomask is absorbed by the freon and converted into thermal energy. As a result, the temperature of the freon rises and evaporates.
Since this phenomenon occurs only in the region of the freon where light is absorbed, it is vaporized on the surface of the substrate. Freon is soaked between the foreign matter and the substrate surface, and the foreign matter is separated from the substrate by freon bubbles generated in this portion.

【0023】この発明の実施例1は、前述したように、
基板表面をフレオンに浸し、基板裏面からエキシマレー
ザー光を照射するので、異物の下部で発生したフレオン
の気泡により基板表面に付着した異物が基板から引き離
す方向に直接力を受けるため、上記異物を効果的に除去
することができるという効果を奏する。
The first embodiment of the present invention, as described above,
Since the surface of the substrate is immersed in Freon and excimer laser light is irradiated from the back of the substrate, the foreign particles attached to the substrate surface are directly affected by the bubbles of freon generated below the foreign materials in the direction of separating them from the substrate. This has the effect of being able to be effectively removed.

【0024】また、基板の光透過部に付着した異物がパ
ターン段差の影響を受けることなく全て同様に基板から
離脱する方向の力を受けるため、上記異物を効果的に除
去することができるという効果を奏する。
[0024] Further, since the foreign matter adhering to the light transmitting portion of the substrate is all subjected to the force in the direction of separating from the substrate without being affected by the pattern step, the foreign matter can be effectively removed. To play.

【0025】実施例2.この発明の実施例2を使用する
フォトマスク洗浄装置の構成を図3を参照しながら説明
する。図3は、この発明の実施例2を使用するフォトマ
スク洗浄装置を示す図であり、硝子基板1、遮光パター
ン2、エキシマレーザー光源10は上述した実施例1を
使用する洗浄装置のものと全く同一である。なお、各図
中、同一符号は同一又は相当部分を示す。図3におい
て、14はフレオン9を噴射するフレオンノズルであ
る。
Embodiment 2 FIG. The configuration of a photomask cleaning apparatus using Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a view showing a photomask cleaning apparatus using the second embodiment of the present invention. The glass substrate 1, the light-shielding pattern 2, and the excimer laser light source 10 are completely different from those of the cleaning apparatus using the first embodiment. Are identical. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. In FIG. 3, reference numeral 14 denotes a Freon nozzle that injects Freon 9.

【0026】つぎに、前述した実施例2を説明する。硝
子基板1の表面を上面とし、これを回転させながら上部
のフレオンノズル14からフレオン9をスプレーする。
そして、エキシマレーザー光11は硝子基板1の裏面か
ら照射する。
Next, the second embodiment will be described. The surface of the glass substrate 1 is set as the upper surface, and the Freon 9 is sprayed from the upper Freon nozzle 14 while rotating the surface.
Then, the excimer laser light 11 is irradiated from the back surface of the glass substrate 1.

【0027】実施例3.前述した実施例1及び実施例2
では基板表面を濡らす液体をフレオンとしたが、これに
限らず、水、温水等でも所期の目的を達成し得ることは
いうまでもない。
Embodiment 3 FIG. Example 1 and Example 2 described above
In this embodiment, the liquid that wets the substrate surface is freon. However, it is needless to say that the intended purpose can be achieved with water, warm water, or the like.

【0028】実施例4.前述した実施例1及び実施例2
では基板表面を濡らす液体をフレオンとしたが、これに
限らず、その他の有機溶剤類等でも所期の目的を達成し
得ることはいうまでもない。
Embodiment 4 FIG. Example 1 and Example 2 described above
In the above, the liquid that wets the substrate surface is Freon, but it is needless to say that the intended purpose can be achieved with other organic solvents and the like.

【0029】実施例5.前述した実施例1及び実施例2
では基板裏面から照射する光をエキシマレーザー光とし
たが、これに限らず、使用した液体が効果的に吸収し、
気化する波長及び強度を有する組合せであれば、Nd:
YAGレーザー、炭酸レーザー、N2レーザー、あるい
は赤外線等でも所期の目的を達成し得ることはいうまで
もない。
Embodiment 5 FIG. Example 1 and Example 2 described above
In the above, the light irradiated from the back side of the substrate was excimer laser light, but it is not limited to this, and the used liquid effectively absorbed it,
If the combination has a wavelength and intensity to be vaporized, Nd:
Needless to say, the intended purpose can be achieved with a YAG laser, a carbon dioxide laser, an N 2 laser, an infrared ray, or the like.

【0030】実施例6. 前述した実施例1及び実施例2において、基板表面をぬ
らす液体は照射光を吸収することによって化学的に分解
し気体となる物質であってもよいし、またこの様な物質
が混合されている液体であってもよい。また、混合物が
化学反応することによって気体が発生する様な2種類以
上の物質の混合気体であってもよい。
Embodiment 6 FIG. In the first and second embodiments described above, the liquid that wets the substrate surface is chemically decomposed by absorbing the irradiation light.
It may be a substance that becomes a gas, or such a substance
May be a mixed liquid. Also, the mixture
Two or more types that generate gas by chemical reaction
It may be a gas mixture of the above substances.

【0031】実施例7.前述した実施例1及び実施例2
において、効果的な気化を誘発させるため、基板表面を
ぬらす液体を1気圧以下に減圧してもよい。
Embodiment 7 FIG. Example 1 and Example 2 described above
In the above, the liquid for wetting the substrate surface may be reduced to 1 atm or less in order to induce effective vaporization.

【0032】実施例8.異物を除去するための気泡は基
板表面をぬらす液体そのものが気化する条件で使用する
のではなく、炭酸ガスを含有する水等を使用した場合
に、照射した光のエネルギーによって炭酸ガスが気化す
ることによって気泡を発生する効果を利用する場合があ
る。この場合のように液体中に含まれる他の物質が気化
するような物質の組合せとしてもよい。
Embodiment 8 FIG. The bubbles for removing foreign substances are not used under the condition that the liquid itself that wets the substrate surface is vaporized, but when water containing carbon dioxide is used, the carbon dioxide gas is vaporized by the energy of the irradiated light. In some cases, the effect of generating bubbles may be used. As in this case, a combination of substances in which another substance contained in the liquid is vaporized may be used.

【0033】ところで前述した説明では、フォトマスク
を洗浄する場合について述べたが、その他の液晶パネル
や光学部品を洗浄する場合にも利用できることはいうま
でもない。
In the above description, the case where the photomask is cleaned has been described. However, it goes without saying that the present invention can also be used for cleaning other liquid crystal panels and optical components.

【0034】[0034]

【発明の効果】この発明の請求項1に係る基板の洗浄方
法は、以上説明したとおり、不透明の遮光パターンが形
成された硝子基板の表面を容器にみたされたフレオンの
液面に平行に浸すステップと、エキシマレーザー光を前
記硝子基板の裏面から前記裏面に対して垂直に照射して
前記遮光パターン以外の表面にフレオンの気泡を発生さ
せるステップとを含むので、基板の透明な部分に対して
効果的に洗浄を行うことができるという効果を奏する。
According to the method for cleaning a substrate according to the first aspect of the present invention, as described above, an opaque light-shielding pattern is formed.
Of the freon that was seen in the container on the surface of the formed glass substrate
Dipping parallel to the liquid surface and excimer laser light
Irradiate vertically from the back of the glass substrate to the back
Freon bubbles are generated on the surface other than the light-shielding pattern.
And a step of causing the transparent portion of the substrate to be effectively cleaned.

【0035】この発明の請求項2に係る基板の洗浄方法
は、以上説明したとおり、表面に不透明の遮光パターン
が形成された硝子基板を基板面に沿って回転させなが
ら、フレオンノズルにより前記表面の回転軸の中心へフ
レオンを噴射するステップと、エキシマレーザー光を前
記硝子基板の裏面から前記裏面に対して垂直に照射して
前記遮光パターン以外の表面にフレオンの気泡を発生さ
せるステップとを含むので、基板の透明な部分に対して
効果的に洗浄を行うことができるという効果を奏する。
The method of cleaning a substrate according to claim 2 of the present invention, as described above, the opaque light-shielding pattern on the surface
While rotating the glass substrate on which the
The Freon nozzle to the center of the rotation axis of the surface.
Injecting Leon and excimer laser light
Irradiate vertically from the back of the glass substrate to the back
Freon bubbles are generated on the surface other than the light-shielding pattern.
And a step of causing the transparent portion of the substrate to be effectively cleaned.

【0036】[0036]

【0037】[0037]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施例1を使用するフォトマスク洗
浄装置を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a photomask cleaning apparatus using a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の実施例1を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図3】この発明の実施例2を使用するフォトマスク洗
浄装置を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a photomask cleaning apparatus using a second embodiment of the present invention.

【図4】ブラシスクラブ方式の従来のフォトマスクの洗
浄方法を示す図である。
FIG. 4 is a view showing a conventional photomask cleaning method of a brush scrub method.

【図5】高圧水方式の従来のフォトマスクの洗浄方法を
示す図である。
FIG. 5 is a view showing a conventional photomask cleaning method of a high-pressure water system.

【図6】減圧バブリング方式の従来のフォトマスクの洗
浄方法を示す図である。
FIG. 6 is a view showing a conventional photomask cleaning method of a reduced pressure bubbling method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 硝子基板 2 遮光パターン 9 フレオン 10 エキシマレーザー光源 11 エキシマレーザー光 12 異物 13 フレオンの気体 14 フレオンノズル REFERENCE SIGNS LIST 1 glass substrate 2 light-shielding pattern 9 freon 10 excimer laser light source 11 excimer laser beam 12 foreign matter 13 freon gas 14 freon nozzle

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 不透明の遮光パターンが形成された硝子
基板の表面を容器にみたされたフレオンの液面に平行に
浸すステップと、 エキシマレーザー光を前記硝子基板の裏面から前記裏面
に対して垂直に照射して前記遮光パターン以外の表面に
フレオンの気泡を発生させるステップと を含むことを特
徴とする基板の洗浄方法。
1. A glass on which an opaque light-shielding pattern is formed.
The substrate surface should be parallel to the freon liquid level seen in the container.
Dipping, excimer laser light from the back of the glass substrate to the back
To the surface other than the light-shielding pattern
Generating freon bubbles .
【請求項2】 表面に不透明の遮光パターンが形成され
た硝子基板を基板面に沿って回転させながら、フレオン
ノズルにより前記表面の回転軸の中心へフレオンを噴射
するステップと、 エキシマレーザー光を前記硝子基板の裏面から前記裏面
に対して垂直に照射して前記遮光パターン以外の表面に
フレオンの気泡を発生させるステップと を含むことを特
徴とする基板の洗浄方法。
2. An opaque light-shielding pattern is formed on the surface.
While rotating the glass substrate along the substrate surface,
Injects freon to the center of the rotation axis of the surface by the nozzle
And exposing the excimer laser light from the back side of the glass substrate to the back side
To the surface other than the light-shielding pattern
Generating freon bubbles .
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100192978A1 (en) * 2007-10-27 2010-08-05 Hyperflo Llc Cyclic Nucleation Process
JP6612015B2 (en) * 2013-03-28 2019-11-27 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5443469A (en) * 1977-09-12 1979-04-06 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5888082A (en) * 1981-09-25 1983-05-26 株式会社日立製作所 Liquid injector apparatus
JPS60154518A (en) * 1984-01-23 1985-08-14 Nec Corp Reticle case washing machine
JPS62123754A (en) * 1985-11-25 1987-06-05 Sumitomo Electric Ind Ltd Rinsing method of lead frame
JPS62286583A (en) * 1986-06-06 1987-12-12 古河電気工業株式会社 Aluminum disk washer
NL8601939A (en) * 1986-07-28 1988-02-16 Philips Nv METHOD FOR REMOVING UNDESIRABLE PARTICLES FROM A SUBSTRATE SURFACE

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