JP2776819B2 - 半導体構造 - Google Patents
半導体構造Info
- Publication number
- JP2776819B2 JP2776819B2 JP62318818A JP31881887A JP2776819B2 JP 2776819 B2 JP2776819 B2 JP 2776819B2 JP 62318818 A JP62318818 A JP 62318818A JP 31881887 A JP31881887 A JP 31881887A JP 2776819 B2 JP2776819 B2 JP 2776819B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor structure
- structure according
- region
- gaas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体多層膜構造体及びそれを用いた半導体
装置に係り，特にその中で電子あるいは正孔が高速に移
動するために動作が高速である様な構造体及び半導体装
置に関する。 〔従来の技術〕 従来、層の厚さが徐々に変化するような半導体多層構
造については、エレクトロニクスレタース19（1983年）
第822頁から第823頁（Electronics Letters 19（1983）
pp822−823）において論じられている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来技術は多層膜の層厚を徐々に変化させているため
に、その中で電子・正孔は様々な散乱を受け、その散乱
によつて速度の上限が制限されるという問題があつた。 本発明の目的は上記問題を解決し、散乱による速度の
上限を超えた高速な電気伝導を実現することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、多層構造を２つ以上の領域に分け、隣接
する領域間の電子あるいは正孔の基底量子化エネルギー
の差が多層構造材料中の光学フオノンエネルギーの大き
さに一致する様に各領域の層厚を設計することにより達
成される。この様な多層構造を構成する材料としては例
えばGaAsとAlGaAs,InPとInGaAsP,InPとInGaAs,GaAsとIn
GaAsP,GaAsとInGaAlP,GaSbとGaAlSb等の格子定数を一致
させることのできる材料の組合せだけでなく、GaAsとGa
AsP,GaPとGaAsP,GaAsとInGaAs,GaAsとIhGaAlAs,GaAsとG
aAsSb,GaAsとAlGaAsSb,GaSbとGaAlAsSb,GaSbとInAs等の
格子定数の必ずしも一致しない材料の組み合わせでも良
い。又、前記条件を満たす層厚については様々な場合が
考えられるが、組み合せる材料の各々についておよそ５
Å以上300Å以下の範囲で、各領域について適当な値を
選ぶことができる。 〔作用〕 本発明の作用を第１図を用いて説明する。まず符号１
〜５の領域から成る構造を考え、各々の領域内での担
体、即ち電子あるいは正孔のエネルギーが図に示した様
になるとする。公知のように第１〜第３の多層構造領域
2,3,4においては障壁層６により担体が量子井戸層７に
閉込められるためにエネルギー準位が離散化し同時に上
昇する。今、第１〜第３の多層構造領域の基底量子準位
8,9,10は公知のように井戸層７、あるいは障壁層６の厚
さによつて変わる。そこで基底量子準位８と９および９
と10のエネルギーの差がそれぞれ多層構造領域２および
３を構成する材料（具体的には井戸層７の材料）の光学
フオノンエネルギーに等しくなる様に障壁層６、井戸層
７の膜厚を決める。今、領域１から第１の多層構造領域
２に移動した担体が光学フオノン散乱を受けると、フオ
ノンエネルギーを失ない、そのエネルギーは基底量子準
位８から９のエネルギーに変化する。このとき担体の存
在確率密度の重心は第１の多層構造領域２から第２の多
層構造領域３へと移る。即ち光学フオノン散乱を受ける
ことにより担体が空間的に移動する。光学フオノン散乱
の頻度は通常のバルク半導体において約10-13秒に１回
程度であるが、この場合の様に丁度同じエネルギー差を
持つ状態がある場合には共鳴が起きて散乱確率が増加す
るのでその数倍の値になると考えられる。ここで例えば
各多層構造領域の厚さを300Åとし、少なくとも10-13秒
に１回の割合で電子あるいは正孔の移動が起きるとする
と、その速度は３×107cm/秒となり、通常の材料に高電
界をかけた場合の光学フオノン散乱で決る飽和速度１×
107cm/秒をはるかに超える。この原因は以下の通りであ
る。即ち、通常の材料中では電子あるいは正孔が殆ど静
止した状態から加速され、光学フオノンエネルギーを超
えるエネルギーに達すると散乱を受ける。一方、本発明
の材料中では電子あるいは正孔は加速を受けずとも共鳴
が起きるために光学フオノン散乱を受ける。そのため、
加速に要する距離が不用となり、結果的に速度が増す。
先の速度見積りは10-13秒に１回の光学フオノン散乱を
考えているが、共鳴によつて散乱頻度が３倍になると９
×107cm/秒の速度が得られる。これは通常の半導体では
得られない値である。 また、多層構造の領域４と多層構造ではないGaAsバッ
ファ層からなる領域５の間でも、領域４中で光学フォノ
ン散乱を受けた担体のエネルギーは符号10の基底準位か
ら符号15の基底準位（すなわち伝導帯端）のエネルギー
に変化し、担体は領域４から領域５に移動する。 さらには、領域内に量子井戸層が無くとも基底準位の
エネルギー差が光学フォノンエネルギー分だけ異なるよ
うに混晶比を変えた多層構造ではない材料同士を隣接さ
せて多層化しても同様の効果がある。但しこの場合には
電子の存在確率の分布が量子井戸層を用いた場合と異な
るために各領域の厚さに制限があり、それぞれおよそ50
0Å以下の場合にのみ効果が顕著である。 〔実施例〕 以下に本発明の実施例を図に基づいて説明する。 実施例１ 第１図は本発明の実施例１の伝導帯構造図である。領
域１は電子注入層（Al0.1Ga0.9As）2,3,4は各々異なつ
た基底量子準位8,9,10を持つた第１〜第３の多層構造領
域、５はGaAsバツフア層である。符号６および７はAl
0.3Ga0.7As障壁層およびGaAs量子井戸層であり、第１〜
第３の多層構造領域の中で各々異つた膜厚を持ち、各多
層構造領域間の基底量子準位8,9,10の差がGaAs中の光学
フオノンエネルギー36.2meVに等しくなる様な厚さにな
つている。具体的には、第１の多層構造領域２ではGaAs
厚Lw＝29Å,AlGaAs厚Lb＝14Å，第２の多層構造領域３
ではLw＝46Å,Lb＝14Å，第３の多層構造領域４ではLw
＝83Å,Lb＝14Åである。各領域は300Å程度の厚さにな
る様に量子井戸層および障壁層を多層積層し、合計膜厚
が1000Åとなる様にした。この構造で電子注入層１の側
から光を入射させて電子を注入し、GaAsバツフア層５の
側から反射率を測定して電子の移動による遅延を測定し
た。時間分解能５×10-13秒の測定系では分解能以上の
遅延が測定不能であつた。即ち、電子の移動速度は少な
くとも２×107cm/秒であり、電子の飽和速度１×107cm/
秒を超える速度が得られていることが示された。 実施例２ 本発明の実施例２を第２図に示す。第２図において符
号11はｎ型GaAsコレクタ層（Siドープ１×1017/cm3）12
は実施例１に示した構造体のベース層（Beドープ１×10
19/cm3）13はＮ型Al0.25Ga0.75Asエミツタ層、14はｎ型
GaAsエミツタキヤツプ層（Siドープ５×1018/cm3であ
る。11,12,14の各領域に電気接触をとり各々コレクタ・
ベース・エミツタ電極とするバイポーラトランジスタ動
作を行なわせた。ベース領域12を電子が通過する時間が
小さいので高速動作が可能になり、寸法２×５μｍの素
子において遮断周波数Ｔは85GHzとなつた。これはGaA
sベースのトランジスタのT40GHzに比べ約２倍であ
り、電子のベース走行時間が無視できる様になつたため
に高速になるという効果が示された。 ここに示した実施例はいずれもGaAsとAlGaAsの組み合
わせで構造を作成したが、同様の効果はInGaAsとInP,In
GaAsとInAlAs,InGaAsとInGaAlAs,GaAsとInGaAsP,GaAsと
InGaP,GaAsとInGaAlP,GaAsとInAlP,GaSbとGaAlAsSb,GaS
bとInGaAsSb等の格子定数を一致させることの可能な組
み合わせのみでなくGaAsとGaAsP,GaAsとInGaAs,GaAsとI
nAlAsや先に挙げた組み合わせのうち格子定数が一致し
ない場合においても得ることが出来る。 又、先に挙げた実施例中の膜厚・ドーピング濃度も唯
一のものではない。量子井戸層の膜厚については、光学
フオノンエネルギーと隣り合う領域のエネルギー差が等
しくなる様な膜厚はGaAsとAlGaAsの組み合わせについて
も他にも選ぶことが可能であるし、材料が異なれば光学
フオノンエネルギーも異なるので当然膜厚は異なつてく
る。更にドーピング濃度については材料定数、例えばバ
ンドエネルギーを極端に変化させない範囲、即ちおよそ
５×1019/cm3以下の範囲で選ぶことができる。 又、実施例では電子を移動させる場合について示した
が、正孔についても同様な効果が得られるのは勿論のこ
とである。 〔発明の効果〕 本発明によれば半導体構造中で担体をその飽和速度以
上の速度で移動させることができるので、これを用いれ
ば従来の限界を超えた高速の素子を実現させることがで
きる。
装置に係り，特にその中で電子あるいは正孔が高速に移
動するために動作が高速である様な構造体及び半導体装
置に関する。 〔従来の技術〕 従来、層の厚さが徐々に変化するような半導体多層構
造については、エレクトロニクスレタース19（1983年）
第822頁から第823頁（Electronics Letters 19（1983）
pp822−823）において論じられている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来技術は多層膜の層厚を徐々に変化させているため
に、その中で電子・正孔は様々な散乱を受け、その散乱
によつて速度の上限が制限されるという問題があつた。 本発明の目的は上記問題を解決し、散乱による速度の
上限を超えた高速な電気伝導を実現することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、多層構造を２つ以上の領域に分け、隣接
する領域間の電子あるいは正孔の基底量子化エネルギー
の差が多層構造材料中の光学フオノンエネルギーの大き
さに一致する様に各領域の層厚を設計することにより達
成される。この様な多層構造を構成する材料としては例
えばGaAsとAlGaAs,InPとInGaAsP,InPとInGaAs,GaAsとIn
GaAsP,GaAsとInGaAlP,GaSbとGaAlSb等の格子定数を一致
させることのできる材料の組合せだけでなく、GaAsとGa
AsP,GaPとGaAsP,GaAsとInGaAs,GaAsとIhGaAlAs,GaAsとG
aAsSb,GaAsとAlGaAsSb,GaSbとGaAlAsSb,GaSbとInAs等の
格子定数の必ずしも一致しない材料の組み合わせでも良
い。又、前記条件を満たす層厚については様々な場合が
考えられるが、組み合せる材料の各々についておよそ５
Å以上300Å以下の範囲で、各領域について適当な値を
選ぶことができる。 〔作用〕 本発明の作用を第１図を用いて説明する。まず符号１
〜５の領域から成る構造を考え、各々の領域内での担
体、即ち電子あるいは正孔のエネルギーが図に示した様
になるとする。公知のように第１〜第３の多層構造領域
2,3,4においては障壁層６により担体が量子井戸層７に
閉込められるためにエネルギー準位が離散化し同時に上
昇する。今、第１〜第３の多層構造領域の基底量子準位
8,9,10は公知のように井戸層７、あるいは障壁層６の厚
さによつて変わる。そこで基底量子準位８と９および９
と10のエネルギーの差がそれぞれ多層構造領域２および
３を構成する材料（具体的には井戸層７の材料）の光学
フオノンエネルギーに等しくなる様に障壁層６、井戸層
７の膜厚を決める。今、領域１から第１の多層構造領域
２に移動した担体が光学フオノン散乱を受けると、フオ
ノンエネルギーを失ない、そのエネルギーは基底量子準
位８から９のエネルギーに変化する。このとき担体の存
在確率密度の重心は第１の多層構造領域２から第２の多
層構造領域３へと移る。即ち光学フオノン散乱を受ける
ことにより担体が空間的に移動する。光学フオノン散乱
の頻度は通常のバルク半導体において約10-13秒に１回
程度であるが、この場合の様に丁度同じエネルギー差を
持つ状態がある場合には共鳴が起きて散乱確率が増加す
るのでその数倍の値になると考えられる。ここで例えば
各多層構造領域の厚さを300Åとし、少なくとも10-13秒
に１回の割合で電子あるいは正孔の移動が起きるとする
と、その速度は３×107cm/秒となり、通常の材料に高電
界をかけた場合の光学フオノン散乱で決る飽和速度１×
107cm/秒をはるかに超える。この原因は以下の通りであ
る。即ち、通常の材料中では電子あるいは正孔が殆ど静
止した状態から加速され、光学フオノンエネルギーを超
えるエネルギーに達すると散乱を受ける。一方、本発明
の材料中では電子あるいは正孔は加速を受けずとも共鳴
が起きるために光学フオノン散乱を受ける。そのため、
加速に要する距離が不用となり、結果的に速度が増す。
先の速度見積りは10-13秒に１回の光学フオノン散乱を
考えているが、共鳴によつて散乱頻度が３倍になると９
×107cm/秒の速度が得られる。これは通常の半導体では
得られない値である。 また、多層構造の領域４と多層構造ではないGaAsバッ
ファ層からなる領域５の間でも、領域４中で光学フォノ
ン散乱を受けた担体のエネルギーは符号10の基底準位か
ら符号15の基底準位（すなわち伝導帯端）のエネルギー
に変化し、担体は領域４から領域５に移動する。 さらには、領域内に量子井戸層が無くとも基底準位の
エネルギー差が光学フォノンエネルギー分だけ異なるよ
うに混晶比を変えた多層構造ではない材料同士を隣接さ
せて多層化しても同様の効果がある。但しこの場合には
電子の存在確率の分布が量子井戸層を用いた場合と異な
るために各領域の厚さに制限があり、それぞれおよそ50
0Å以下の場合にのみ効果が顕著である。 〔実施例〕 以下に本発明の実施例を図に基づいて説明する。 実施例１ 第１図は本発明の実施例１の伝導帯構造図である。領
域１は電子注入層（Al0.1Ga0.9As）2,3,4は各々異なつ
た基底量子準位8,9,10を持つた第１〜第３の多層構造領
域、５はGaAsバツフア層である。符号６および７はAl
0.3Ga0.7As障壁層およびGaAs量子井戸層であり、第１〜
第３の多層構造領域の中で各々異つた膜厚を持ち、各多
層構造領域間の基底量子準位8,9,10の差がGaAs中の光学
フオノンエネルギー36.2meVに等しくなる様な厚さにな
つている。具体的には、第１の多層構造領域２ではGaAs
厚Lw＝29Å,AlGaAs厚Lb＝14Å，第２の多層構造領域３
ではLw＝46Å,Lb＝14Å，第３の多層構造領域４ではLw
＝83Å,Lb＝14Åである。各領域は300Å程度の厚さにな
る様に量子井戸層および障壁層を多層積層し、合計膜厚
が1000Åとなる様にした。この構造で電子注入層１の側
から光を入射させて電子を注入し、GaAsバツフア層５の
側から反射率を測定して電子の移動による遅延を測定し
た。時間分解能５×10-13秒の測定系では分解能以上の
遅延が測定不能であつた。即ち、電子の移動速度は少な
くとも２×107cm/秒であり、電子の飽和速度１×107cm/
秒を超える速度が得られていることが示された。 実施例２ 本発明の実施例２を第２図に示す。第２図において符
号11はｎ型GaAsコレクタ層（Siドープ１×1017/cm3）12
は実施例１に示した構造体のベース層（Beドープ１×10
19/cm3）13はＮ型Al0.25Ga0.75Asエミツタ層、14はｎ型
GaAsエミツタキヤツプ層（Siドープ５×1018/cm3であ
る。11,12,14の各領域に電気接触をとり各々コレクタ・
ベース・エミツタ電極とするバイポーラトランジスタ動
作を行なわせた。ベース領域12を電子が通過する時間が
小さいので高速動作が可能になり、寸法２×５μｍの素
子において遮断周波数Ｔは85GHzとなつた。これはGaA
sベースのトランジスタのT40GHzに比べ約２倍であ
り、電子のベース走行時間が無視できる様になつたため
に高速になるという効果が示された。 ここに示した実施例はいずれもGaAsとAlGaAsの組み合
わせで構造を作成したが、同様の効果はInGaAsとInP,In
GaAsとInAlAs,InGaAsとInGaAlAs,GaAsとInGaAsP,GaAsと
InGaP,GaAsとInGaAlP,GaAsとInAlP,GaSbとGaAlAsSb,GaS
bとInGaAsSb等の格子定数を一致させることの可能な組
み合わせのみでなくGaAsとGaAsP,GaAsとInGaAs,GaAsとI
nAlAsや先に挙げた組み合わせのうち格子定数が一致し
ない場合においても得ることが出来る。 又、先に挙げた実施例中の膜厚・ドーピング濃度も唯
一のものではない。量子井戸層の膜厚については、光学
フオノンエネルギーと隣り合う領域のエネルギー差が等
しくなる様な膜厚はGaAsとAlGaAsの組み合わせについて
も他にも選ぶことが可能であるし、材料が異なれば光学
フオノンエネルギーも異なるので当然膜厚は異なつてく
る。更にドーピング濃度については材料定数、例えばバ
ンドエネルギーを極端に変化させない範囲、即ちおよそ
５×1019/cm3以下の範囲で選ぶことができる。 又、実施例では電子を移動させる場合について示した
が、正孔についても同様な効果が得られるのは勿論のこ
とである。 〔発明の効果〕 本発明によれば半導体構造中で担体をその飽和速度以
上の速度で移動させることができるので、これを用いれ
ば従来の限界を超えた高速の素子を実現させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例１の伝導帯構造図、第２図は実
施例１の構造体をバイポーラトランジスタに応用した実
施例２のバンド構造図である。 １……Al0.1Ga0.9As電子注入層、２……第１の多層構造
領域、３……第２の多層構造領域、４……第３の多層構
造領域、５……GaAsバツフア層、６……AlGaAs障壁層、
７……GaAs量子井戸層、８……第１の多層構造領域の基
底量子準位、９……第２の多層構造領域の基底量子準
位、10……第３の多層構造領域の基底量子準位、11……
ｎ−GaAsコレクタ層、12……多層構造ベース層、13……
ｎ−Al0.25Ga0.75Asエミツタ層、14……nGaAsエミツタ
キヤツプ層、15……GaAsバッファ層５の基底準位。
施例１の構造体をバイポーラトランジスタに応用した実
施例２のバンド構造図である。 １……Al0.1Ga0.9As電子注入層、２……第１の多層構造
領域、３……第２の多層構造領域、４……第３の多層構
造領域、５……GaAsバツフア層、６……AlGaAs障壁層、
７……GaAs量子井戸層、８……第１の多層構造領域の基
底量子準位、９……第２の多層構造領域の基底量子準
位、10……第３の多層構造領域の基底量子準位、11……
ｎ−GaAsコレクタ層、12……多層構造ベース層、13……
ｎ−Al0.25Ga0.75Asエミツタ層、14……nGaAsエミツタ
キヤツプ層、15……GaAsバッファ層５の基底準位。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 草野 忠四郎
東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(56)参考文献 特開 昭52−105785（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−248164（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−210679（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
H01L 29/00 - 29/267
H01L 29/30 - 29/38
H01L 29/66 - 29/737
H01L 21/33 - 21/331
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．担体の基底準位のエネルギーが異なる２つ以上の半
導体領域が積層されており、隣り合う上記半導体領域間
の担体の基底準位のエネルギー差が、上記隣り合う半導
体領域の中の上記基底準位のエネルギーが高い方の半導
体領域を構成する材料の光学フォノンエネルギーと一致
することを特徴とする半導体構造。 ２．上記半導体領域の少なくとも１つは、少なくとも１
つの量子井戸層を含んでいる特許請求の範囲第１項記載
の半導体構造。 ３．上記２つ以上の半導体領域は膜周期が互いに異なる
多層膜である特許請求の範囲第１項記載の半導体構造。 ４．上記多層膜を構成する各膜の厚さは５Å以上300Å
以下である特許請求の範囲第３項記載の半導体構造。 ５．上記半導体領域の厚さは500Å以下である特許請求
の範囲第１項乃至第４項のいずれか一項に記載の半導体
構造。 ６．上記半導体構造はバイポーラトランジスタの構成体
である特許請求の範囲第１項乃至第５項のいずれか一項
に記載の半導体構造。 ７．上記半導体構造はバイポーラトランジスタのベース
層である特許請求の範囲第６項記載の半導体構造。 ８．上記半導体構造はさらに上記半導体領域に上記担体
を注入する注入層を有しており、該注入層は受光により
上記担体を発生する構造を有している特許請求の範囲第
１項乃至第５項のいずれか一項に記載の半導体構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62318818A JP2776819B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 半導体構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62318818A JP2776819B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 半導体構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01161862A JPH01161862A (ja) | 1989-06-26 |
| JP2776819B2 true JP2776819B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=18103290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62318818A Expired - Fee Related JP2776819B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 半導体構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2776819B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2607940A1 (de) * | 1976-02-27 | 1977-09-08 | Max Planck Gesellschaft | Mehrschichtiges halbleiterbauelement |
| JPS62211948A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-17 | Fujitsu Ltd | ヘテロ接合半導体装置 |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62318818A patent/JP2776819B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01161862A (ja) | 1989-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5457327A (en) | Avalanche photodiode with an improved multiplication layer | |
| Capasso | Band-gap engineering: from physics and materials to new semiconductor devices | |
| US5844253A (en) | High speed semiconductor phototransistor | |
| JP2845081B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| US5471068A (en) | Semiconductor photodetector using avalanche multiplication and strained layers | |
| EP0299686B1 (en) | Hot electron transistor | |
| JPH0746725B2 (ja) | 電子式電荷転送装置 | |
| US4728616A (en) | Ballistic heterojunction bipolar transistor | |
| EP0273363B1 (en) | Heterojunction bipolar transistor with ballistic operation | |
| JP2776819B2 (ja) | 半導体構造 | |
| JPH0513461A (ja) | ヘテロ接合半導体装置 | |
| Capasso | New heterojunction devices by band-gap engineering | |
| Nottenburg et al. | Nonequilibrium electron transport in heterostructure bipolar transistors probed by magnetic field | |
| Hess | Electron transport in heterojunctions and superlattices | |
| JP2001509315A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2978572B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2936770B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP3001291B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH11214712A (ja) | 半導体デバイス | |
| JP2623708B2 (ja) | 半導体装置 | |
| Beresford et al. | Narrow-gap InAs for heterostructure tunnelling | |
| JPS61144070A (ja) | 半導体装置 | |
| Vengurlekar et al. | Quasi‐ballistic resonant tunneling of minority electrons into the excited states of a quantum well | |
| Yokoyama et al. | Resonant-Tunnelling Hot Electron Transistors (RHET) | |
| JP2998471B2 (ja) | 半導体受光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |