JP2776453B2 - Photoresist developing apparatus and developing method - Google Patents
Photoresist developing apparatus and developing methodInfo
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- JP2776453B2 JP2776453B2 JP5055110A JP5511093A JP2776453B2 JP 2776453 B2 JP2776453 B2 JP 2776453B2 JP 5055110 A JP5055110 A JP 5055110A JP 5511093 A JP5511093 A JP 5511093A JP 2776453 B2 JP2776453 B2 JP 2776453B2
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、フォトレジストの現像
装置及び現像方法に係わり、特にオ−ディオ、ビデオ又
は情報用の光ディスクの原盤を製造する際のフォトレジ
ストの現像装置及び現像方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a developing apparatus and a developing method for a photoresist, and more particularly to a developing apparatus and a developing method for a photoresist in manufacturing a master of an optical disk for audio, video or information. It is.
【0002】[0002]
【従来の技術】以下、添付図面を参照して従来の技術を
説明する。まず、光ディスクの製造方法の概略を述べ
る。図2は、本発明の現像装置及び現像方法の一実施
例、及び従来例の現像装置によって製造される光ディス
クを説明するための第一の製造工程図である。図3は、
本発明の現像装置及び現像方法の一実施例、及び従来例
の現像装置によって製造される光ディスクを説明するた
めの第二の製造工程図である。図2及び図3において、
20はガラス基板を、21はフォトレジストを、22は
レ−ザ−光を、23は集光レンズを、24は露光部を、
25はニッケルを、26はポリカ−ボネイト樹脂を、2
7は反射膜及び保護膜をそれぞれ示す。2. Description of the Related Art A conventional technique will be described below with reference to the accompanying drawings. First, an outline of a method for manufacturing an optical disk will be described. FIG. 2 is a first manufacturing process diagram for explaining an embodiment of the developing device and the developing method of the present invention, and an optical disk manufactured by the conventional developing device. FIG.
FIG. 7 is a second manufacturing process diagram for explaining an embodiment of the developing device and the developing method of the present invention, and an optical disc manufactured by the conventional developing device. 2 and 3,
Reference numeral 20 denotes a glass substrate, 21 denotes a photoresist, 22 denotes laser light, 23 denotes a condenser lens, 24 denotes an exposure unit,
25 is nickel, 26 is polycarbonate resin, 2
Reference numeral 7 denotes a reflective film and a protective film, respectively.
【0003】まず、精密に研磨された、円盤状のガラス
基板20の表面に、密着剤を介して、スピンコ−ト法に
より、フォトレジスト21を均一に塗布し、その後、ホ
ットプレ−ト等によりベ−キングする(図2(A))。
次に、記録されるべき信号により変調されたレ−ザ−光
22をレンズ23により集光し、これをフォトレジスト
21上に照射して、所定部分を露光する(図2
(B))。この露光部24のパタ−ンは、再生専用光デ
ィスク(CD、LD、CD−ROM等)の場合には、ピ
ット群であり、記録再生可能な光ディスク(光磁気ディ
スク、相変化型光ディスク、CDライトワンス等)の場
合には、グル−ブ群である。次に、アルカリ溶液を用い
て、フォトレジスト21の現像を行い、露光部24を溶
解し、ピット群またはグル−ブ群からなるフォトレジス
ト21の凹凸パタ−ンを得る(図2(C))。[0003] First, a photoresist 21 is uniformly applied to the surface of a precisely polished disk-shaped glass substrate 20 by a spin coating method via an adhesive, and then coated by a hot plate or the like. -King (FIG. 2 (A)).
Next, a laser beam 22 modulated by a signal to be recorded is condensed by a lens 23 and is irradiated onto a photoresist 21 to expose a predetermined portion (FIG. 2).
(B)). The pattern of the exposure unit 24 is a group of pits in the case of a read-only optical disk (CD, LD, CD-ROM, etc.), and is a recordable / reproducible optical disk (a magneto-optical disk, a phase-change optical disk, a CD writer). Once) is a group of groups. Next, the photoresist 21 is developed using an alkaline solution to dissolve the exposed portion 24, thereby obtaining an uneven pattern of the photoresist 21 composed of pits or groups (FIG. 2C). .
【0004】次に、このフォトレジスト21上に、スパ
ッタリング法等により、ニッケル等の導電膜を形成し、
更に、この導電膜を電極とし、ニッケル25を所定の厚
さにメッキする(図2(D))。これにより、フォトレ
ジスト21の凹凸パタ−ンの逆パタ−ンが、ニッケル2
5に写しとられる。次に、このニッケル25を、ガラス
基板20より剥離して、スタンパとする(図3
(A))。次に、このスタンパを、射出成型用の金型と
して用いて、ポリカ−ボネ−ト樹脂26等を射出成型す
る(図3(B))。ポリカ−ボネ−ト樹脂26には、所
定のパタ−ンが形成されている。最後に、スタンパより
取り外されたポリカ−ボネ−ト樹脂26のパタ−ンが形
成されている表面に、スパッタリング法等により、反射
膜及び保護膜27等が形成されて、光ディスクが出来上
がる(図3(C))。Next, a conductive film such as nickel is formed on the photoresist 21 by a sputtering method or the like.
Further, using this conductive film as an electrode, nickel 25 is plated to a predetermined thickness (FIG. 2D). As a result, the reverse pattern of the concavo-convex pattern of the photoresist 21 becomes nickel 2
5 is copied. Next, the nickel 25 is peeled off from the glass substrate 20 to form a stamper (FIG. 3).
(A)). Next, using this stamper as a mold for injection molding, the polycarbonate resin 26 and the like are injection molded (FIG. 3B). A predetermined pattern is formed on the polycarbonate resin 26. Finally, a reflective film and a protective film 27 are formed by sputtering or the like on the surface of the polycarbonate resin 26 from which the pattern has been removed, and the optical disk is completed (FIG. 3). (C)).
【0005】ところで、光ディスクにおいては、近年、
記録再生可能な情報用光ディスクのみでなく、再生専用
光ディスクにおいても、高記録密度化が進んでいる。こ
の高記録密度化を達成する手段としては、トラックピッ
チを狭くすることと、線記録密度を大きくすることがあ
げられる。すなわち、情報の記録されているピットまた
はグル−ブのサイズを小さくする必要がある。しかしな
がら、従来の製造方法により光ディスクを製造し、ピッ
トまたはグル−ブのサイズを小さくすると、製造工程で
は避けられない、これらの物理寸法の微小な歪みやバラ
ツキは、相対的に大きな影響を与える事になり、光ディ
スクの性能を劣化させるため、製造の歩留まりは低下
し、生産性が悪くなる。By the way, in the case of optical disks, in recent years,
Higher recording densities are being promoted not only in recordable and reproducible information optical discs but also in read-only optical discs. Means for achieving this higher recording density include narrowing the track pitch and increasing the linear recording density. That is, it is necessary to reduce the size of the pit or groove on which information is recorded. However, if an optical disk is manufactured by a conventional manufacturing method and the size of a pit or a groove is reduced, minute distortions and variations in these physical dimensions, which cannot be avoided in the manufacturing process, have a relatively large effect. As a result, the performance of the optical disc is deteriorated, the production yield is reduced, and the productivity is reduced.
【0006】ピットまたはグル−ブの物理寸法の微小な
歪みやバラツキは、光ディスクの製造工程において、ピ
ットまたはグル−ブの形成に係わる工程の全てにおいて
発生し得るが、特に、フォトレジストにピットまたはグ
ル−ブのパタ−ンを形成するときに発生する物理寸法の
微小な歪みやバラツキの影響が最も大きい。ここで発生
した物理寸法の微小な歪みやバラツキは、全ての後工程
に影響する。[0006] Minute distortion or variation in the physical dimensions of pits or grooves can occur in all the processes related to the formation of pits or grooves in the optical disk manufacturing process. The influence of minute distortion and variation in physical dimensions generated when forming the pattern of the group is the greatest. The slight distortion or variation in physical dimensions generated here affects all subsequent processes.
【0007】そこで、フォトレジストにピットまたはグ
ル−ブのパタ−ンを形成するときの現像方法についてに
説明する。図4は、従来例の現像装置を示す概略構成図
である。図4において、30は現像装置を、31は現像
液を、32は現像液供給部を、33はガラス基板を、3
4はHe−Neレ−ザを、35はレ−ザ−光を、35a
は+1次回折光を、35bは0次回折光を、35cは−
1次回折光を、36はミラ−を、37aは光検出器を、
37bは光検出器を、37cは光検出器を、38はタ−
ンテ−ブルを、39はモ−タを、40は現像モニタ−を
それぞれ示す。Therefore, a developing method for forming a pit or groove pattern in a photoresist will be described. FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a conventional developing device. 4, reference numeral 30 denotes a developing device, 31 denotes a developer, 32 denotes a developer supply unit, 33 denotes a glass substrate, and 3 denotes a glass substrate.
4 is a He-Ne laser, 35 is a laser beam, 35a
Represents the + 1st-order diffracted light, 35b represents the 0th-order diffracted light, and 35c represents −
1st order diffracted light, 36 is a mirror, 37a is a photodetector,
37b is a photodetector, 37c is a photodetector, 38 is a tar detector.
Table 39 indicates a motor, and 40 indicates a development monitor.
【0008】まず、従来例の現像装置の構成の概略を説
明する。フォトレジストが塗布済で、そのフォトレジス
トがレ−ザ光によって、所定の部分露光されているガラ
ス基板33をセットするためのタ−ンテ−ブル38があ
る。タ−ンテ−ブル38は、モ−タ39に接続されてお
り、所定の回転ができるようになっている。ガラス基板
33の上方には、現像液31を供給するための現像液供
給部32と、ここには図示されていない、リンス液供給
部とが配置されている。First, an outline of the configuration of a conventional developing device will be described. There is a turntable 38 for setting a glass substrate 33 on which a photoresist has been applied and the photoresist has been partially exposed to predetermined portions by laser light. The turntable 38 is connected to a motor 39 so that it can rotate in a predetermined manner. Above the glass substrate 33, a developer supply section 32 for supplying the developer 31 and a rinsing liquid supply section (not shown) are arranged.
【0009】一方、フォトレジストの現像の進行状況を
モニタ−するために、回折現象を利用した現像モニタ−
40が配置されている。この現像モニタ−40は、レ−
ザ光源として、He−Neレ−ザ34を使用している。
レ−ザ光35は、ミラ−36により光路を変えて、ガラ
ス基板33のガラス表面より入射し、フォトレジストを
通過する際、ここで回折を起こし、回折光に分離する。
そのうち、+1次回折光35aと、0次回折光35b
と、−1次回折光35cとは、それぞれの光検出器37
a、37b、37cによってそれぞれの強度を測定でき
るようになっている。On the other hand, in order to monitor the progress of the development of the photoresist, a development monitor utilizing the diffraction phenomenon is used.
40 are arranged. This development monitor 40 is a laser
A He-Ne laser 34 is used as the light source.
The laser light 35 changes its optical path by a mirror 36 and is incident from the glass surface of the glass substrate 33. When passing through the photoresist, the laser light 35 undergoes diffraction and is separated into diffracted light.
Among them, the + 1st-order diffracted light 35a and the 0th-order diffracted light 35b
And the -1st-order diffracted light 35c are
The respective intensities can be measured by a, 37b and 37c.
【0010】次に、現像方法の概略を説明する。まず、
露光済のフォトレジストが形成されているガラス基板3
3をタ−ンテ−ブル38上にセットする。タ−ンテ−ブ
ル38には、ガラス基板検出用のセンサ−が配置されて
いる。ガラス基板33がセットされたことを確認する
と、現像シ−ケンスが実行される。すなわち、タ−ンテ
−ブル33を100rpmで回転させて、初めに、リン
ス液をリンス供給部より30秒間ガラス基板33上に噴
霧し、次に、現像液31を現像液供給部32より噴霧す
る。時間と共に現像は進行するが、現像状態は、現像モ
ニタ−40により監視されている。光検出器37a、3
7b、37cに入射する+1次回折光35aと、0次回
折光35bと、−1次回折光35cとの強度比が所定の
値に達すると、現像液31の供給を停止し、リンス液を
リンス液供給部より、30秒間噴霧する。Next, the outline of the developing method will be described. First,
Glass substrate 3 on which exposed photoresist is formed
3 is set on the turntable 38. In the turntable 38, a sensor for detecting a glass substrate is arranged. After confirming that the glass substrate 33 has been set, the development sequence is executed. That is, the turntable 33 is rotated at 100 rpm, and the rinsing liquid is first sprayed from the rinsing supply section onto the glass substrate 33 for 30 seconds, and then the developer 31 is sprayed from the developer supply section 32. . Although the development proceeds with time, the development state is monitored by the development monitor 40. Photodetectors 37a, 3
When the intensity ratio of the + 1st-order diffracted light 35a, the 0th-order diffracted light 35b, and the -1st-order diffracted light 35c incident on 7b and 37c reaches a predetermined value, the supply of the developer 31 is stopped, and the rinsing liquid is supplied. Spray for 30 seconds.
【0011】これらの一連の現像シ−ケンスが終了する
と、乾燥シ−ケンスに入る。タ−ンテ−ブル38の回転
数は、1500rpmに上げられ、この高速回転によっ
て生ずる遠心力により、フォトレジスト上のリンス液を
振り切ると同時に、高速の雰囲気ガス流により乾燥す
る。乾燥が終了すると、タ−ンテ−ブル38を停止し
て、ガラス基板33を取り外す。以上で現像処理が完了
する。When the series of the development sequence is completed, a drying sequence is started. The rotation speed of the turntable 38 is increased to 1500 rpm, and the rinsing liquid on the photoresist is shaken off by the centrifugal force generated by the high-speed rotation, and at the same time, the photoresist is dried by a high-speed atmosphere gas flow. When the drying is completed, the turntable 38 is stopped, and the glass substrate 33 is removed. Thus, the development processing is completed.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な回折現象を利用する現像モニタ−を有する現像装置を
用いて行うフォトレジストの現像は、比較的記録密度の
低い光ディスクにおけるピットやグル−ブに対して有効
であるが、高記録密度の光ディスクのピットやグル−ブ
に対しては十分ではない。He−Neレ−ザより得られ
るレ−ザ光スポットの直径は、測定感度を確保するため
には、数mm必要であり、この大きさが測定対象領域の
大きさになる。測定したい一個のピットの大きさは、μ
mのオ−ダ−であり、そのため、一回の測定では、同時
に多数のピットがその対象となる。しかも、ガラス基板
を回転しながら現像するため、非常に多数のピットをモ
ニタ−する結果になる。The development of a photoresist using a developing device having a development monitor utilizing the above-mentioned diffraction phenomenon is performed by using a pit or groove on an optical disk having a relatively low recording density. However, it is not sufficient for pits or grooves of a high recording density optical disc. The diameter of the laser light spot obtained from the He-Ne laser needs to be several mm in order to secure the measurement sensitivity, and this size is the size of the measurement target area. The size of one pit to be measured is μ
m, so that a single measurement covers many pits simultaneously. In addition, since the development is performed while rotating the glass substrate, a very large number of pits are monitored.
【0013】また、ピットの長さは、基準時間長をTと
すると、記録されるべき信号に応じて,例えばCDの場
合には、3Tから11Tの範囲になる。しかしながら、
0次回折光と1次回折光の強度比の最適値は、測定対象
のピットの長さによって異なっている。また、0次回折
光と1次回折光の強度比は、ピットの幅、長さ、深さ及
び側面形状、及びトラックピッチによって変化する。従
って、回折現象を利用する現像モニタ−法では、多数の
しかも多種類のピットの平均的な状態をモニタ−してい
ることになり、緻密な管理が必要となる高記録密度光デ
ィスクの現像工程に使用するには不十分である。The pit length ranges from 3T to 11T in the case of a CD, for example, according to the signal to be recorded, where T is the reference time length. However,
The optimum value of the intensity ratio between the 0th-order diffracted light and the 1st-order diffracted light differs depending on the length of the pit to be measured. Further, the intensity ratio between the 0th-order diffracted light and the 1st-order diffracted light changes depending on the width, length, depth and side shape of the pit, and the track pitch. Therefore, in the development monitoring method utilizing the diffraction phenomenon, the average state of many and many types of pits is monitored, so that the development process of a high-density optical disk that requires precise management is performed. Not enough to use.
【0014】そこで、本発明は、光ディスク用フォトレ
ジスト現像装置および現像方法において、フォトレジス
ト露光後の保存時間に依存する露光潜像の拡散が少ない
期間に現像出来るようにし、フォトレジストの現像時に
発生する、ピットやグルーブの物理寸法の微少な歪やバ
ラツキを最小限にし、それによりジッター特性の良好な
高記録密度光ディスクを歩留まり良く製造出来る光ディ
スク用フォトレジスト現像装置および現像方法を提供す
ることを目的とする。Accordingly, the present invention provides a photoresist developing apparatus and a developing method for an optical disk, in which the development of an exposure latent image, which depends on the storage time after the exposure of the photoresist, can be performed in a small period, and the development at the time of developing the photoresist. The object of the present invention is to provide a photoresist developing apparatus and a developing method for an optical disk capable of minimizing minute distortion and variation in physical dimensions of pits and grooves and thereby producing a high recording density optical disk having good jitter characteristics with high yield. And
【0015】請求項1による本発明の光ディスク用フォ
トレジスト現像装置は、ガラス基板上に形成されたフォ
トレジストの露光に引き続き、現像を行なう光ディスク
用フォトレジスト現像装置において、露光処理済で現像
未処理の基板を保管する一定圧力に制御された現像末処
理基板保管部と、この現像末処理基板保管部に保管され
る現像末処理基板の保管時間を3時間を越えることのな
い時間に管理する保管時間管理部と、前記現像未処理基
板に現像処理を行なう現像処理部とを備えており、前記
保管時間が3時間を越えることなく前記現像末処理基板
に前記現像処理を行なうことにより、上述の目的を達成
するものである。また、請求項2による本発明の光ディ
スク用フォトレジスト現像方法は、ガラス基板上に形成
されたフォトレジストの露光に引き続き、現像を行なう
光ディスク用フォトレジストの現像方法において、フォ
トレジストの露光後から現像開始までの時間を3時間以
内としたことにより、上述の目的を達成するものであ
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a photoresist developing apparatus for an optical disk which performs development subsequent to exposure of a photoresist formed on a glass substrate. And a storage that manages the storage time of the developed substrate to be stored in the developed substrate storage unit so as not to exceed 3 hours. A time management unit and a development processing unit for performing development processing on the undeveloped substrate, and performing the development process on the development-finished substrate without the storage time exceeding 3 hours, The purpose is achieved. Further, according to a second aspect of the present invention, there is provided a method for developing a photoresist for an optical disk, wherein the photoresist formed on a glass substrate is exposed to light and then developed. The above object is achieved by setting the time until the start to within 3 hours.
【0016】[0016]
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の一実施例
を説明する。図1は、本発明の現像装置の一実施例を示
す概略構成図である。図1において、1はフォトレジス
ト現像装置を、2は現像未処理基板保管部を、3は現像
処理部を、4は保管時間管理部を、5は保管棚を、6は
窒素ガス導入部を、7は窒素ガス放出部を、8は搬送部
を、9aは仕切り窓を、9bは仕切り窓を、9cは仕切
り窓を、10はモ−タを、11はタ−ンテ−ブルを、1
2aは現像未処理基板を、12bは基板を、13は現像
液を、14は現像液供給部を、15はリンス液供給部
を、16は窒素ガス導入部を、17は窒素ガス放出部
を、18は溶液排出部を、19は窒素ガスをそれぞれ示
す。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the developing device of the present invention. In FIG. 1, 1 is a photoresist developing device, 2 is a developing unprocessed substrate storage unit, 3 is a development processing unit, 4 is a storage time management unit, 5 is a storage shelf, and 6 is a nitrogen gas introduction unit. , 7 is a nitrogen gas discharge section, 8 is a transport section, 9a is a partition window, 9b is a partition window, 9c is a partition window, 10 is a motor, 11 is a turntable, and 1 is a turntable.
Reference numeral 2a denotes an undeveloped substrate, 12b denotes a substrate, 13 denotes a developing solution, 14 denotes a developing solution supply section, 15 denotes a rinsing liquid supply section, 16 denotes a nitrogen gas introduction section, and 17 denotes a nitrogen gas discharge section. , 18 indicate a solution discharge portion, and 19 indicates a nitrogen gas.
【0017】まず、フォトレジスト現像装置1の構成の
概略を説明する。フォトレジスト現像装置1は大きく分
けて、現像未処理基板保管部2と、現像処理部3及び保
管時間管理部4とから構成されている。現像未処理基板
保管部2は、露光済の現像未処理基板12aを物理的か
つ化学的に安定な状態で保管する場所であり、複数の現
像未処理基板12aを収納できるように仕切り板を備え
た保管棚5があり、ここから現像未処理基板12aを必
要に応じて出し入れできるようになっている。First, the outline of the structure of the photoresist developing device 1 will be described. The photoresist developing device 1 is roughly divided into an undeveloped unprocessed substrate storage unit 2, a development processing unit 3, and a storage time management unit 4. The undeveloped unprocessed substrate storage unit 2 is a place where the exposed undeveloped unprocessed substrate 12a is stored in a physically and chemically stable state, and includes a partition plate for accommodating a plurality of undeveloped unprocessed substrates 12a. Storage shelf 5 from which the undeveloped unprocessed substrate 12a can be taken in and out as needed.
【0018】さらに、この保管棚5には、フォトレジス
トの露光後から現像処理を始めるまでの時間を管理する
ための保管時間管理部4が接続されており、現像未処理
基板保管部2に保管される全ての現像未処理基板12a
の保管時間が管理されている。 保管時間管理部4は、
現像未処理基板12aの保管を開始した時刻に起動さ
れ、その保管時間を表示し、所定の保管時間に達するま
での間じゅう、現像を開始させるために外部に信号を出
力し続けるように構成されている。Further, the storage shelf 5 is connected to a storage time management unit 4 for managing the time from the exposure of the photoresist to the start of the development processing. All developed unprocessed substrates 12a
Storage time is controlled. The storage time management unit 4
It is activated at the time when storage of the undeveloped substrate 12a is started, displays the storage time, and continues to output a signal to the outside to start development until the predetermined storage time is reached. ing.
【0019】また、現像未処理基板保管部2には、露光
済の現像未処理基板12aを外部から取り込むための仕
切り窓9aと、保管中の現像未処理基板12aを現像処
理部3へ送り出すための仕切り窓9bがある。これらの
仕切り窓9a、9bは、現像未処理基板12aが通過す
る時だけ開き、通常は現像未処理基板保管部2と外部を
遮断するため、閉じられている。また、保管棚5上の現
像未処理基板12aを移送するための搬送部8が設置さ
れている。現像未処理基板保管部2の内部には、窒素ガ
ス導入部6より、0.1μmのフィルタ−で濾過した一
定温度の不活性ガスである窒素ガス19が、導入されて
おり、窒素ガス19の圧力は、窒素ガス放出部7より、
余剰の窒素ガス19を放出することにより、一定に制御
されている。The undeveloped unprocessed substrate storage section 2 is provided with a partition window 9a for taking in the exposed undeveloped unprocessed substrate 12a from outside, and for sending out the undeveloped unprocessed substrate 12a to the development processing section 3. There is a partition window 9b. These partition windows 9a and 9b are opened only when the undeveloped substrate 12a passes, and are usually closed to shut off the undeveloped substrate storage unit 2 and the outside. Further, a transport unit 8 for transporting the undeveloped substrate 12a on the storage shelf 5 is provided. A nitrogen gas 19, which is an inert gas at a constant temperature and filtered through a 0.1 μm filter, is introduced from the nitrogen gas introduction unit 6 into the undeveloped substrate storage unit 2. The pressure from the nitrogen gas release unit 7
It is controlled to be constant by discharging the excess nitrogen gas 19.
【0020】一方、現像処理部3には、基板12bをセ
ットするためのタ−ンテ−ブル11がある。タ−ンテ−
ブル11は、モ−タ10に接続されており、所定の回転
ができるようになっている。また、タ−ンテ−ブル11
には、ここには図示されていない基板12bの存在を検
知するためのセンサ−が取り付けられている。基板12
bの上方には、現像液13を供給するための現像液供給
部14と、リンス液を供給するためのリンス液供給部1
5とが配置されている。使用済みの現像液13やリンス
液を排出するための溶液排出部18がある。現像処理部
3の内部は、所定の窒素ガス雰囲気にできるように、
0.1μmフィルタ−の接続された窒素ガス導入部16
と、窒素ガス放出部17とが配置されている。現像処理
の完了した基板12bを外部に取り出すための仕切り窓
9cがあり、基板12bが通過する時だけ開き、通常は
現像処理部3を外部と遮断するため、閉じられている。
現像処理部3は、現像処理が完了しているときに、保管
時間管理部4より、現像を開始する信号を受ければ、直
ちに現像処理を開始する。現像処理の対象になるのは、
複数の現像未処理基板12aの内、所定の保管時間以内
のもので最も保管時間の長い現像未処理基板12aであ
る。On the other hand, the developing section 3 has a turntable 11 for setting the substrate 12b. Turn
The bull 11 is connected to the motor 10 so that it can rotate in a predetermined manner. In addition, the turntable 11
Is mounted with a sensor (not shown) for detecting the presence of the substrate 12b. Substrate 12
b, a developer supply unit 14 for supplying the developer 13 and a rinse liquid supply unit 1 for supplying the rinse liquid.
5 are arranged. There is a solution discharging section 18 for discharging the used developer 13 and the rinsing liquid. The inside of the development processing unit 3 is set to be in a predetermined nitrogen gas atmosphere.
Nitrogen gas inlet 16 connected to a 0.1 μm filter
And a nitrogen gas releasing section 17 are arranged. There is a partition window 9c for taking out the developed substrate 12b to the outside. The partition window 9c is opened only when the substrate 12b passes, and is usually closed to shut off the developing unit 3 from the outside.
When the development processing unit 3 receives a signal to start development from the storage time management unit 4 when the development processing is completed, the development processing unit 3 immediately starts the development processing. The target of development processing is
Among the plurality of unprocessed substrates 12a, the unprocessed substrates 12a having the longest storage time within a predetermined storage time.
【0021】次に、上述のフォトレジスト現像装置によ
り、現像方法について検討した結果について述べる。現
像方法を変えて光ディスクを製作し、その特性を評価し
た。まず、光ディスクの製造方法を述べる。しかるに、
上述した従来例における光ディスクの製造方法と、現像
工程を除き、基本的には同一なので、図2及び図3を用
いて説明する。符号も同一なので、その説明を省略す
る。Next, the results of a study on a developing method using the above-described photoresist developing apparatus will be described. Optical disks were manufactured by changing the developing method, and their characteristics were evaluated. First, a method for manufacturing an optical disk will be described. However,
Since it is basically the same as the above-described conventional optical disk manufacturing method except for the developing process, the description will be made with reference to FIGS. Since the reference numerals are the same, the description is omitted.
【0022】まず、精密に研磨された、円盤状のガラス
基板20の表面に、密着剤を介して、スピンコ−ト法に
より、クレゾ−ルノボラック樹脂及びベンゾフェノンエ
ステルからなるフォトレジスト21を均一に塗布し、そ
の後、ホットプレ−トによりベ−キングして、膜厚80
0オングストロ−ムのフォトレジスト21を得た(図2
(A))。次に、記録されるべき信号により変調され
た、413nmの波長を持つクリプトンレ−ザ−光22
をレンズ23により集光し、これをフォトレジスト21
上に照射して、所要時間一時間をかけて、所定部分を露
光する(図2(B))。記録されるべき信号は、トラッ
クピッチ0.72μmであり、最短ピット長Tを0.4
7μmとしたときの3T〜11Tのピット群である。First, a photoresist 21 composed of a cresol novolak resin and a benzophenone ester is uniformly applied to the surface of a precisely polished disk-shaped glass substrate 20 by a spin coat method via an adhesive. Then, the film is baked by a hot plate to obtain a film thickness of 80.
A 0 Å photoresist 21 was obtained (FIG. 2).
(A)). Next, a krypton laser beam 22 having a wavelength of 413 nm modulated by a signal to be recorded.
Is condensed by a lens 23, and this is
A predetermined portion is exposed over a required time of one hour by irradiating upward (FIG. 2B). The signal to be recorded has a track pitch of 0.72 μm and a minimum pit length T of 0.4.
This is a group of pits of 3T to 11T when the pitch is 7 μm.
【0023】次に、水酸化カリウム水溶液を現像液とし
て、フォトレジスト21の現像を行い、露光部24を溶
解し、ピット群からなるフォトレジスト21の凹凸パタ
−ンを得る(図2(C))。この現像条件は、光ディス
クの再生特性を示す、変調度、トラッキングエラ−信号
及びシンメトリ−を最適にする条件を用いている。この
時、レ−ザ−よる露光直後から現像開始までの保管時間
をパラメ−タとして、5種類の試料を作製した。すなわ
ち、試料番号1は、保管時間0時間であり、試料番号2
は、保管時間2時間であり、試料番号3は、保管時間3
時間であり、試料番号4は、保管時間4時間であり、試
料番号5は、保管時間8時間である。この内、試料番号
1〜3は、本発明の実施例を示し、試料番号4及び5は
比較例を示す。Next, the photoresist 21 is developed using an aqueous solution of potassium hydroxide as a developing solution, and the exposed portion 24 is dissolved to obtain an uneven pattern of the photoresist 21 composed of pit groups (FIG. 2C). ). As the developing conditions, conditions for optimizing the modulation degree, the tracking error signal, and the symmetry, which indicate the reproduction characteristics of the optical disk, are used. At this time, five kinds of samples were prepared with the storage time from immediately after the exposure by the laser to the start of development as a parameter. That is, sample No. 1 has a storage time of 0 hours and sample No. 2
Indicates a storage time of 2 hours, and sample number 3 indicates a storage time of 3 hours.
Sample time 4 is the storage time of 4 hours, and sample number 5 is the storage time of 8 hours. Among them, sample numbers 1 to 3 show examples of the present invention, and sample numbers 4 and 5 show comparative examples.
【0024】次に、このフォトレジスト21上に、スパ
ッタリング法等により、ニッケル等の導電膜を形成し、
更に、この導電膜を電極とし、ニッケル25を所定の厚
さにメッキする(図2(D))。これにより、フォトレ
ジスト21の凹凸パタ−ンの逆パタ−ンが、ニッケル2
5に写しとられる。次に、このニッケル25を、ガラス
基板20より剥離して、スタンパとする(図3
(A))。次に、このスタンパを、射出成型用の金型と
して用いて、ポリカ−ボネ−ト樹脂26等を射出成型す
る(図3(B))。ポリカ−ボネ−ト樹脂26には、所
定のパタ−ンが形成されている。最後に、スタンパから
取り外されたポリカ−ボネ−ト樹脂26のパタ−ンが形
成されている表面に、スパッタリング法等により、反射
膜及び保護膜27等を形成して、光ディスクを製造した
(図3(C))。Next, a conductive film such as nickel is formed on the photoresist 21 by a sputtering method or the like.
Further, using this conductive film as an electrode, nickel 25 is plated to a predetermined thickness (FIG. 2D). As a result, the reverse pattern of the concavo-convex pattern of the photoresist 21 becomes nickel 2
5 is copied. Next, the nickel 25 is peeled off from the glass substrate 20 to form a stamper (FIG. 3).
(A)). Next, using this stamper as a mold for injection molding, the polycarbonate resin 26 and the like are injection molded (FIG. 3B). A predetermined pattern is formed on the polycarbonate resin 26. Finally, a reflective film and a protective film 27 are formed by a sputtering method or the like on the surface of the polycarbonate resin 26 on which the pattern is removed, which is removed from the stamper, to manufacture an optical disk (FIG. 3 (C)).
【0025】次に、光ディスクの評価方法を説明する。
製造したそれぞれの光ディスクを、波長670nm、開
口数NA0.6であるレ−ザ−ピックアップを使用し
て、再生し、その再生出力をタイムインタ−バルアナラ
イザ−で解析し、その周波数特性曲線の各ピットに対応
する信号の分布よりジッタ−を求めた。各試料について
の結果を表1に示す。Next, a method for evaluating an optical disk will be described.
Each of the manufactured optical disks was reproduced using a laser pickup having a wavelength of 670 nm and a numerical aperture NA of 0.6, and the reproduced output was analyzed by a time interval analyzer. Jitter was determined from the distribution of signals corresponding to the pits. Table 1 shows the results for each sample.
【0026】[0026]
【表1】 [Table 1]
【0027】表1において、ジッタ−は、3Tまたは7
Tのピットからの信号を、それぞれ105 個カウント
し、時間に対する発生頻度分布を求め、この分布の時間
軸変動の標準偏差をTで割って規格化した値を示す。表
1によれば、露光直後から現像開始までの保管時間が、
増加すればするほど、ジッタ−が劣化する。保管時間が
3時間以内であれば、最もサイズの小さい3Tのピット
においても、ジッタ−は15%を越えないが、保管時間
が4時間以上であると、ジッタ−は15%を越える値を
示す。ジッタ−が15%を越えると、光ディスク再生時
のピット分離のマ−ジンが減少し、実用的ではなくな
る。また、ジッタ−が17%を越えると、C1エラ−が
増加し、連続して光ディスクを再生する事が困難となる
ことがある。In Table 1, the jitter is 3T or 7
10 5 signals from the pits of T are counted, an occurrence frequency distribution with respect to time is obtained, and a value obtained by dividing the standard deviation of the time axis fluctuation of this distribution by T is shown. According to Table 1, the storage time from immediately after exposure to the start of development is
The more it increases, the more the jitter deteriorates. If the storage time is within 3 hours, the jitter does not exceed 15% even in the smallest 3T pit, but if the storage time is 4 hours or more, the jitter exceeds 15%. . If the jitter exceeds 15%, the margin for pit separation during reproduction of the optical disk is reduced, which is not practical. When the jitter exceeds 17%, the C1 error increases, and it may be difficult to continuously reproduce the optical disk.
【0028】ジッタ−は、現状の解像度のレベルでは、
測長用SEMによって測定することの困難である、ピッ
トの物理寸法の微小な歪みやバラツキによって発生する
が、上述の結果によれば、保管時間の影響は、サイズの
小さい3Tのピットに対するほうが、サイズの大きい7
Tのピットに対するよりも、大きい。この事は、ピット
の物理寸法の微小な歪みやバラツキは、ピットのサイズ
に依存するのではなく露光後の保存時間に依存する露光
潜像の拡散に起因すると考えられる。すなわち、レ−ザ
−露光によって、フォトレジストの露光部では、感光剤
が分解し、ベ−スであるクレゾ−ルノボラック樹脂との
相互作用が切断されるが、この部分が時間と共に拡散す
ると考えられる。この拡散による移動量はピットのサイ
ズによらず一定であるので、長いピットよりも、短いピ
ットのほうが相対的に変化量が大きくなり、したがって
ジッタ−の増加が著しいと考えられる。The jitter is, at the current resolution level,
It is caused by minute distortion or variation in the physical dimensions of the pit, which is difficult to measure by the SEM for length measurement. According to the above results, the effect of the storage time is more significant for the 3T pit having a small size. Large 7
Greater than for the T pit. This is presumably because the minute distortion and variation in the physical dimensions of the pits are not due to the size of the pits but to the diffusion of the exposure latent image depending on the storage time after exposure. That is, by the laser exposure, in the exposed portion of the photoresist, the photosensitive agent is decomposed and the interaction with the base cresol novolak resin is cut, but this portion is considered to diffuse with time. . Since the amount of movement due to this diffusion is constant irrespective of the size of the pits, it is considered that the amount of change is relatively larger in short pits than in long pits, and therefore the jitter is significantly increased.
【0029】以上説明したように、請求項1による本発
明の光ディスク用フォトレジスト現像装置は、ガラス基
板上に形成されたフォトレジストの露光に引き続き、現
像を行なう光ディスク用フォトレジスト現像装置におい
て、露光処理済で現像末処理の基板を保管する一定圧力
に制御された現像未処理基板保管部と、この現像未処理
基板保管部に保管される現像末処理基板の保管時間を3
時間を越えることのない時間に管理する保管時間管理部
と、前記現像未処理基板に現像処理を行なう現像処理部
とを備えており、前記保管時間が3時間を越えることな
く前記現像末処理基板に前記現像処理を行なうことによ
り、フォトレジスト露光後の保存時間に依存する露光潜
像の拡散が少ない期間に現像出来るようにし、フォトレ
ジストの現像時に発生するピットやグループの物理寸法
の微少な歪やバラツキを最小限にし、それによりジッタ
ー特性の良好な高記録密度光ディスクを歩留まり良く製
造出来る光ディスク用フォトレジスト現像装置を提供す
ることが出来る。また、請求項2による本発明の光ディ
スク用フォトレジスト現像方法は、ガラス基板上に形成
されたフォトレジストの露光に引き続き、現像を行なう
光ディスク用フォトレジストの現像方法において、フォ
トレジストの露光後から現像開始までの時間を3時間以
内としたことにより、フォトレジスト露光後の保存時間
に依存する露光潜像の拡散が少ない期間に現像出来るよ
うにし、フォトレジストの現像時に発生するピットやグ
ループの物理寸法の微少な歪やバラツキを最小限にし、
それによりジッター特性の良好な高記録密度光ディスク
を歩留まり良く製造出来る光ディスク用フォトレジスト
現像方法を提供することが出来る。As described above, the photoresist developing apparatus for an optical disk according to the present invention according to the present invention is a photoresist developing apparatus for an optical disk which performs development after exposure of a photoresist formed on a glass substrate. An undeveloped substrate storage section controlled to a constant pressure for storing processed and unprocessed substrates, and a storage time of the unprocessed substrates stored in the undeveloped substrate storage section is 3 hours.
A storage time management unit that manages the processing time so as not to exceed a time, and a development processing unit that performs a development process on the undeveloped substrate, wherein the storage time does not exceed 3 hours. By performing the above-described development processing, development can be performed during a period in which the diffusion of the exposure latent image depending on the storage time after the photoresist exposure is small, and a small distortion of the physical dimensions of pits and groups generated during the development of the photoresist. Accordingly, it is possible to provide a photoresist developing apparatus for an optical disk capable of minimizing fluctuations and variations thereof and thereby manufacturing a high recording density optical disk having good jitter characteristics with good yield. Further, according to a second aspect of the present invention, there is provided a method for developing a photoresist for an optical disk, wherein the photoresist formed on a glass substrate is exposed to light and then developed. By setting the time to start to within 3 hours, development can be performed in a period in which the diffusion of the exposure latent image, which depends on the storage time after photoresist exposure, is small, and the physical dimensions of pits and groups generated during development of the photoresist To minimize the slight distortion and variation of
Accordingly, it is possible to provide a photoresist developing method for an optical disc capable of manufacturing a high recording density optical disc having good jitter characteristics with a high yield.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上説明したように、請求項1による本
発明のフォトレジスト現像装置は、フォトレジスト現像
装置において、露光処理済で現像未処理の基板を保管す
る現像未処理基板保管部と、この現像未処理基板保管部
に保管される現像未処理基板の保管時間を管理する保管
時間管理部と、前記現像未処理基板に現像処理を行う現
像処理部とを備えており、前記保管時間が所定の時間を
超えることなく前記現像未処理基板に前記現像処理を行
う事により、フォトレジスト露光後の保存時間に依存す
る露光潜像の拡散が少ない期間に現像出来るようし、フ
ォトレジストの現像時に発生する、ピットやグル−ブの
物理寸法の微小な歪みやバラツキを最小限にし、それに
より高記録密度光ディスクを歩留まり良く製造できるフ
ォトレジスト現像装置を提供することが出来る。また、
請求項2による本発明のフォトレジストの現像方法は、
フォトレジストの現像方法において、フォトレジストの
露光後から現像開始までの時間を所定時間以内とした事
により、フォトレジスト露光後の保存時間に依存する露
光潜像の拡散が少ない期間に現像出来るようにし、フォ
トレジストの現像時に発生する、ピットやグル−ブの物
理寸法の微小な歪みやバラツキを最小限にし、それによ
り高記録密度光ディスクを歩留まり良く製造できるフォ
トレジスト現像方法を提供することが出来る。As described above, the photoresist developing apparatus of the present invention according to the first aspect of the present invention is a photoresist developing apparatus, comprising: an undeveloped substrate storage section for storing exposed and undeveloped substrates; A storage time management unit that manages the storage time of the undeveloped substrate stored in the undeveloped substrate storage unit, and a development processing unit that performs a development process on the undeveloped substrate, wherein the storage time By performing the development process on the undeveloped substrate without exceeding a predetermined time, the development of the exposure latent image depending on the storage time after photoresist exposure can be performed in a small period of time, and during the development of the photoresist Photoresist development that minimizes the small distortions and variations in the physical dimensions of pits and grooves that occur, thereby enabling high-density optical disks to be manufactured with high yield. It is possible to provide a location. Also,
The method for developing a photoresist according to the present invention according to claim 2 comprises:
In the photoresist development method, by setting the time from the exposure of the photoresist to the start of development within a predetermined time, development can be performed in a period in which the diffusion of the exposure latent image depending on the storage time after the photoresist exposure is small. Also, it is possible to provide a photoresist developing method capable of minimizing minute distortion and variation in physical dimensions of pits and grooves generated during development of a photoresist, thereby enabling high-density optical disks to be manufactured with high yield.
【図1】本発明の現像装置の一実施例を示す概略構成図
である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of a developing device of the present invention.
【図2】本発明の現像装置及び現像方法の一実施例、及
び従来例の現像装置によって製造される光ディスクを説
明するための第一の製造工程図である。FIG. 2 is a first manufacturing process diagram for explaining an embodiment of a developing device and a developing method of the present invention, and an optical disc manufactured by a conventional developing device.
【図3】本発明の現像装置及び現像方法の一実施例、及
び従来例の現像装置によって製造される光ディスクを説
明するための第二の製造工程図である。FIG. 3 is a second manufacturing process diagram for explaining an embodiment of the developing device and the developing method of the present invention and an optical disk manufactured by the conventional developing device.
【図4】従来例の現像装置を示す概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a conventional developing device.
1 フォトレジスト現像装置 2 現像未処理基板保管部 3 現像処理部 4 保管時間管理部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Photoresist developing apparatus 2 Unprocessed substrate storage part 3 Development processing part 4 Storage time management part
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−274057(JP,A) 特開 平3−110822(JP,A) 特開 昭60−117627(JP,A) 特開 平3−246930(JP,A) 特開 平4−211264(JP,A) 特開 昭58−90636(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 7/26 501 G03F 7/30 502 H01L 21/027 H01L 21/30Continuation of front page (56) References JP-A-3-274057 (JP, A) JP-A-3-110822 (JP, A) JP-A-60-117627 (JP, A) JP-A-3-246930 (JP) , A) JP-A-4-211264 (JP, A) JP-A-58-90636 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) G11B 7/26 501 G03F 7/30 502 H01L 21/027 H01L 21/30
Claims (2)
の露光に引き続き、現像を行なう光ディスク用フォトレ
ジスト現像装置において、 露光処理済で現像末処理の基板を保管する一定圧力に制
御された現像末処理基板保管部と、 この現像末処理基板保管部に保管される現像未処理基板
の保管時間を3時間を越えることのない時間に管理する
保管時間管理部と、 前記現像末処理基板に現像処理を行なう現像処理部とを
備えており、 前記保管時間が3時間を越えることなく前記現像末処理
基板に前記現像処理を行なうことを特徴とする光ディス
ク用フォトレジスト現像装置。1. An optical disk photoresist developing apparatus for performing development subsequent to exposure of a photoresist formed on a glass substrate, wherein the development processing is controlled to a constant pressure for storing the exposed and processed substrate. A processing substrate storage unit, a storage time management unit that manages a storage time of the undeveloped substrate stored in the development-processed substrate storage unit so as not to exceed 3 hours, And a development processing section for performing the development processing on the processed substrate without the storage time exceeding 3 hours.
の露光に引き続き、現像を行なう光ディスク用フォトレ
ジストの現像方法において、 フォトレジストの露光後から現像開始までの時間を3時
間以内としたことを特徴とする光ディスク用フォトレジ
ストの現像方法。2. A method for developing a photoresist for an optical disk, wherein development is carried out subsequent to exposure of a photoresist formed on a glass substrate, wherein the time from the exposure of the photoresist to the start of development is within 3 hours. A method for developing a photoresist for an optical disk.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5055110A JP2776453B2 (en) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | Photoresist developing apparatus and developing method |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP5055110A JP2776453B2 (en) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | Photoresist developing apparatus and developing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06243514A JPH06243514A (en) | 1994-09-02 |
JP2776453B2 true JP2776453B2 (en) | 1998-07-16 |
Family
ID=12989617
Family Applications (1)
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JP5055110A Expired - Lifetime JP2776453B2 (en) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | Photoresist developing apparatus and developing method |
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JP (1) | JP2776453B2 (en) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5890636A (en) * | 1981-11-24 | 1983-05-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method for forming image with photosensitive material using photopolymerizable composition and developing unit |
JPS60117627A (en) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Toshiba Corp | Forming method of resist pattern and processing device for resist |
JPH03110822A (en) * | 1989-09-26 | 1991-05-10 | Sony Corp | Formation of resist pattern |
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1993
- 1993-02-19 JP JP5055110A patent/JP2776453B2/en not_active Expired - Lifetime
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