JP2775364B2 - 塩酸の合成装置 - Google Patents
塩酸の合成装置Info
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B7/00—Halogens; Halogen acids
- C01B7/01—Chlorine; Hydrogen chloride
- C01B7/012—Preparation of hydrogen chloride from the elements
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造プロ
セスにおいてエッチングガスなどに使用される塩化水素
ガスの原料となる塩酸の合成装置に関する。
セスにおいてエッチングガスなどに使用される塩化水素
ガスの原料となる塩酸の合成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に塩酸は各種塩化物や医薬などの製
造あるいはデンプンの糖化などに使用される他、例えば
半導体製造プロセスにおいてエッチングガスなどとして
使用する塩化水素ガスの原料などとしても使用されてい
る。
造あるいはデンプンの糖化などに使用される他、例えば
半導体製造プロセスにおいてエッチングガスなどとして
使用する塩化水素ガスの原料などとしても使用されてい
る。
【０００３】この塩酸は、工業的には例えば水素ガスと
塩素ガスとの混合ガスを反応させる合成法や、芳香族炭
化水素の塩素化反応を利用した副生塩酸法などの方法に
より生成されるが、副生塩酸法は副生塩酸の純度が低い
ことから、高純度の塩酸を得るためには通常合成法が採
用されている。この合成法により塩酸を生成する装置と
しては、混合ガスを燃焼させる燃焼部と加熱反応により
生成した塩化水素ガスを吸収液に吸収させる吸収・冷却
部とを上下に設けて一体構造とした、いわゆる１塔型合
成装置と、これらを別々に設けて別体構造とした、いわ
ゆる２塔型合成装置とがあり、通常いずれの装置におい
ても水素ガスと塩素ガスとの反応温度を１０００℃付近
に設定して運転している。
塩素ガスとの混合ガスを反応させる合成法や、芳香族炭
化水素の塩素化反応を利用した副生塩酸法などの方法に
より生成されるが、副生塩酸法は副生塩酸の純度が低い
ことから、高純度の塩酸を得るためには通常合成法が採
用されている。この合成法により塩酸を生成する装置と
しては、混合ガスを燃焼させる燃焼部と加熱反応により
生成した塩化水素ガスを吸収液に吸収させる吸収・冷却
部とを上下に設けて一体構造とした、いわゆる１塔型合
成装置と、これらを別々に設けて別体構造とした、いわ
ゆる２塔型合成装置とがあり、通常いずれの装置におい
ても水素ガスと塩素ガスとの反応温度を１０００℃付近
に設定して運転している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の合成
装置において１塔型合成装置を用いて生成した塩酸中に
は、１ｐｐｍ〜３ｐｐｍ程度のフリ−塩素が含有されて
しまう。一方、２塔型合成装置を用いればフリ−塩素の
含有量をほぼ０に抑えることができるが、この場合に
は、設置スペ−スや建設費が大となるため、現状では１
塔型合成装置が主流となっている。
装置において１塔型合成装置を用いて生成した塩酸中に
は、１ｐｐｍ〜３ｐｐｍ程度のフリ−塩素が含有されて
しまう。一方、２塔型合成装置を用いればフリ−塩素の
含有量をほぼ０に抑えることができるが、この場合に
は、設置スペ−スや建設費が大となるため、現状では１
塔型合成装置が主流となっている。
【０００５】しかしながら、塩酸中に例えば１ｐｐｍ〜
３ｐｐｍ程度のフリ−塩素が含まれると、この程度の含
有量においては工業規格を満足しているため一般品とし
ては問題はないが、純塩酸としては使用できないし、ま
た高純度塩化水素ガスの原料として使用する場合にも今
後問題になると予想される。例えば、高純度塩化水素ガ
スは半導体製造プロセスにおいてエッチングガスなどと
して使用されているが、半導体デバイスの高集積化に伴
い、原料ガス中に例え微量であってもフリ−塩素が含ま
れていると半導体デバイスの性能に悪影響を及ぼすと考
えられるからである。このため、フリ−塩素の含有量を
抑えるためには、先ず燃焼バ−ナを改良して燃焼部で水
素ガスと塩素ガスとを完全に反応させることが考えられ
るが、燃焼バ−ナの改良によっても完全な反応をおこす
ことは困難である。
３ｐｐｍ程度のフリ−塩素が含まれると、この程度の含
有量においては工業規格を満足しているため一般品とし
ては問題はないが、純塩酸としては使用できないし、ま
た高純度塩化水素ガスの原料として使用する場合にも今
後問題になると予想される。例えば、高純度塩化水素ガ
スは半導体製造プロセスにおいてエッチングガスなどと
して使用されているが、半導体デバイスの高集積化に伴
い、原料ガス中に例え微量であってもフリ−塩素が含ま
れていると半導体デバイスの性能に悪影響を及ぼすと考
えられるからである。このため、フリ−塩素の含有量を
抑えるためには、先ず燃焼バ−ナを改良して燃焼部で水
素ガスと塩素ガスとを完全に反応させることが考えられ
るが、燃焼バ−ナの改良によっても完全な反応をおこす
ことは困難である。
【０００６】また水素ガスを塩酸溶液中に通し、例えば
白金触媒などを用いて塩酸中のフリ−塩素を還元除去す
ることも一つの解決法ではあるが、この場合には処理プ
ロセスが増えてしまうし、また経時的な触媒活性の低下
や化学的劣化が起こるため、触媒を頻繁に交換しなけれ
ばならず、コストが高くなってしまう。
白金触媒などを用いて塩酸中のフリ−塩素を還元除去す
ることも一つの解決法ではあるが、この場合には処理プ
ロセスが増えてしまうし、また経時的な触媒活性の低下
や化学的劣化が起こるため、触媒を頻繁に交換しなけれ
ばならず、コストが高くなってしまう。
【０００７】本発明はこのような事情のもとになされた
ものであり、その目的は、フリ−塩素の含有量が少ない
塩酸の合成装置及びその方法を提供することにある。
ものであり、その目的は、フリ−塩素の含有量が少ない
塩酸の合成装置及びその方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、水素
ガスと塩素ガスとの混合ガスを反応させて塩酸を生成す
る合成装置において、水素ガスまたは塩素ガスの少なく
とも一方を反応前に冷却するための冷却部を設けたこと
を特徴とする。
ガスと塩素ガスとの混合ガスを反応させて塩酸を生成す
る合成装置において、水素ガスまたは塩素ガスの少なく
とも一方を反応前に冷却するための冷却部を設けたこと
を特徴とする。
【０００９】
【作用】水素ガスと塩素ガスとを、例えば各々反応前に
冷却して、塩酸を生成するために理論上必要とされる体
積比で例えば１塔型合成装置の燃焼部の燃焼室内に供給
し、この混合ガスを燃焼バ−ナで加熱して、反応温度を
例えば８００℃付近で反応させる。この場合例えば水素
ガスの供給量を理論上必要とされる供給量の１．２倍〜
１．５倍程度に設定して、反応温度を１０００℃程度で
反応させることにより、フリ−塩素の含有量が少ない塩
酸を生成することができる。
冷却して、塩酸を生成するために理論上必要とされる体
積比で例えば１塔型合成装置の燃焼部の燃焼室内に供給
し、この混合ガスを燃焼バ−ナで加熱して、反応温度を
例えば８００℃付近で反応させる。この場合例えば水素
ガスの供給量を理論上必要とされる供給量の１．２倍〜
１．５倍程度に設定して、反応温度を１０００℃程度で
反応させることにより、フリ−塩素の含有量が少ない塩
酸を生成することができる。
【００１０】従って、生成された塩酸を例えば純塩酸や
高純度塩化水素ガスの原料などとして使用することがで
きる。
高純度塩化水素ガスの原料などとして使用することがで
きる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の実施例に係る装置を示す概略
図である。図中１は１塔型合成装置であり、この１塔型
合成装置１の上部にはバ−ナ部２が形成されており、こ
のバ−ナ部２の上端部及び中央側部には夫々塩素ガス入
口ノズル２１、水素ガス入口ノズル２２が設けられると
共に、下部には燃焼バ−ナ２３が後述の燃焼室３１に突
入して設けられている。また塩素ガス入口ノズル２１、
水素ガス入口ノズル２２には、夫々塩素ガス及び水素ガ
スを冷却するための冷却部２１ａ、２２ａ、が設けられ
ている。
図である。図中１は１塔型合成装置であり、この１塔型
合成装置１の上部にはバ−ナ部２が形成されており、こ
のバ−ナ部２の上端部及び中央側部には夫々塩素ガス入
口ノズル２１、水素ガス入口ノズル２２が設けられると
共に、下部には燃焼バ−ナ２３が後述の燃焼室３１に突
入して設けられている。また塩素ガス入口ノズル２１、
水素ガス入口ノズル２２には、夫々塩素ガス及び水素ガ
スを冷却するための冷却部２１ａ、２２ａ、が設けられ
ている。
【００１２】前記バ−ナ部２の下方側には燃焼部３が形
成されており、この燃焼部３の中央部には燃焼室３１が
設けられると共に、燃焼部３の側部には、吸収液入口ノ
ズル３２及び後述の冷却水を排出するための冷却水出口
ノズル３３が設けられている。
成されており、この燃焼部３の中央部には燃焼室３１が
設けられると共に、燃焼部３の側部には、吸収液入口ノ
ズル３２及び後述の冷却水を排出するための冷却水出口
ノズル３３が設けられている。
【００１３】前記燃焼部３の下方側には吸収・冷却部４
が形成されており、この吸収・冷却部４には熱交換器４
１とこの熱交換器４１の二次側を通流する冷却水を導入
するための冷却水入口ノズル４２とが設けられている。
が形成されており、この吸収・冷却部４には熱交換器４
１とこの熱交換器４１の二次側を通流する冷却水を導入
するための冷却水入口ノズル４２とが設けられている。
【００１４】前記吸収・冷却部４の下方側には受液部５
が形成されており、この受液部５の側部には、製品とな
る塩酸を配管を介して例えば塩酸貯蔵タンクに排出する
ための塩酸出口ノズル５１と、未吸収の塩化水素ガスを
例えばテ−ルタワ−に排出するためのテ−ルガス出口ノ
ズル５２とが設けられている。
が形成されており、この受液部５の側部には、製品とな
る塩酸を配管を介して例えば塩酸貯蔵タンクに排出する
ための塩酸出口ノズル５１と、未吸収の塩化水素ガスを
例えばテ−ルタワ−に排出するためのテ−ルガス出口ノ
ズル５２とが設けられている。
【００１５】次に上述の装置を用いて、本発明の塩酸の
合成法の一例について述べる。
合成法の一例について述べる。
【００１６】先ず、塩素ガスと水素ガスとを塩酸を生成
するために理論上必要とされる体積比で夫々冷却部２１
ａ、２２ａを介して塩素ガス入口ノズル２１、水素ガス
入口ノズル２２より燃焼室３１内に供給し、冷却部２１
ａ、２２ａにおいては、その出口側の塩素ガスの温度及
び水素ガスの温度が夫々例えば２５．０℃、５．０℃と
なるように設定する。
するために理論上必要とされる体積比で夫々冷却部２１
ａ、２２ａを介して塩素ガス入口ノズル２１、水素ガス
入口ノズル２２より燃焼室３１内に供給し、冷却部２１
ａ、２２ａにおいては、その出口側の塩素ガスの温度及
び水素ガスの温度が夫々例えば２５．０℃、５．０℃と
なるように設定する。
【００１７】燃焼バ−ナ２３のバ−ナ温度は通常１００
０℃付近であるので、このように反応ガスを予め冷却し
ておくことにより混合ガスの反応温度は８５０℃付近で
あると推測される。
０℃付近であるので、このように反応ガスを予め冷却し
ておくことにより混合ガスの反応温度は８５０℃付近で
あると推測される。
【００１８】一方、前記燃焼室３１上部の吸収液入口ノ
ズルより導入される吸収液は、燃焼室３１の内壁に漏れ
壁を形成して、前記塩化水素ガスを吸収しながら塩酸と
なって、吸収・冷却部４の熱交換器４１の一次側に未吸
収の塩化水素ガスとともに流下し、この熱交換器４１に
て二次側を通流する冷却水により冷却されて、更に受液
部５に流下する。そして、この受液部５において、吸収
液と未吸収の塩化水素ガスとは互いに分離され、吸収液
は、製品となる３５％の塩酸として、例えば塩酸貯蔵タ
ンクなどに塩酸出口ノズル５１より送られ、未吸収の塩
化水素ガスは例えばテ−ルタワ−に送られる。
ズルより導入される吸収液は、燃焼室３１の内壁に漏れ
壁を形成して、前記塩化水素ガスを吸収しながら塩酸と
なって、吸収・冷却部４の熱交換器４１の一次側に未吸
収の塩化水素ガスとともに流下し、この熱交換器４１に
て二次側を通流する冷却水により冷却されて、更に受液
部５に流下する。そして、この受液部５において、吸収
液と未吸収の塩化水素ガスとは互いに分離され、吸収液
は、製品となる３５％の塩酸として、例えば塩酸貯蔵タ
ンクなどに塩酸出口ノズル５１より送られ、未吸収の塩
化水素ガスは例えばテ−ルタワ−に送られる。
【００１９】更に、本発明の塩酸の合成法においては、
塩素ガスを塩素ガス入口ノズル２１より燃焼室３１内に
供給すると共に、水素ガス入口ノズル２２より水素ガス
を、塩酸を生成するために理論上必要とされる供給量の
１．２倍〜１．５倍程度となるように水素ガス入口ノズ
ル２２より燃焼室３１内に供給し、これらの混合ガスを
燃焼バ−ナ２３により加熱して温度１０００℃付近で反
応させることにより塩化水素ガスが生成され、その後同
様に、この塩化水素ガスは吸収液に吸収されて流下し、
受液部５にて塩酸として取り出される。
塩素ガスを塩素ガス入口ノズル２１より燃焼室３１内に
供給すると共に、水素ガス入口ノズル２２より水素ガス
を、塩酸を生成するために理論上必要とされる供給量の
１．２倍〜１．５倍程度となるように水素ガス入口ノズ
ル２２より燃焼室３１内に供給し、これらの混合ガスを
燃焼バ−ナ２３により加熱して温度１０００℃付近で反
応させることにより塩化水素ガスが生成され、その後同
様に、この塩化水素ガスは吸収液に吸収されて流下し、
受液部５にて塩酸として取り出される。
【００２０】ここで水素ガス及び塩素ガスを冷却部２１
ａ、２２ａで冷却すること及び水素ガスと塩素ガスとの
供給比を大きくすることと、塩酸中のフリ−塩素の含有
量との関連について述べると、塩素ガス及び水素ガスが
等モルで反応する場合、水素、塩素、塩化水素の分圧を
Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ、平衡定数をＫｐとすると、（１）式
が成り立つ。
ａ、２２ａで冷却すること及び水素ガスと塩素ガスとの
供給比を大きくすることと、塩酸中のフリ−塩素の含有
量との関連について述べると、塩素ガス及び水素ガスが
等モルで反応する場合、水素、塩素、塩化水素の分圧を
Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ、平衡定数をＫｐとすると、（１）式
が成り立つ。
【００２１】 （Ｐｃ）２／（Ｐａ・Ｐｂ）＝Ｋｐ …（１） Ｐａ＋Ｐｂ＋Ｐｃ＝１（気圧）であるが、水素がリッチ
な条件下にあるためＰａ、Ｐｃ》Ｐｂの関係にあり、従
って（１）式は（２）式として表わすことができ、
（３）式が成り立つ。
な条件下にあるためＰａ、Ｐｃ》Ｐｂの関係にあり、従
って（１）式は（２）式として表わすことができ、
（３）式が成り立つ。
【００２２】 （１−Ｐａ）２／（Ｐａ・Ｐｂ）＝Ｋｐ …（２） ｌｏｇ〔（１−Ｐａ）２／Ｐａ〕−ｌｏｇＰｂ＝ｌｏｇＫｐ …（３） ところで平衡定数Ｋｐは温度により決まり、反応温度が
例えば１３００゜Ｋ、１０００°Ｋの場合夫々７．２４
６７、１３．１２７５であり、この値を（３）式に代入
して図示すると、夫々図２、図３のように表わされる。
従ってこの図からすれば、前記供給比が大きい程、また
反応温度が低い程、塩酸中のフリ−塩素の含有量が少な
くなると推測される。そして反応温度を下げるためには
燃焼バ−ナを改良するようにしてもよいが、ガス供給路
に冷却部を設ければ、温度コントロ−ルが容易である
上、既設のバ−ナに対しても適用することができるため
有利である。
例えば１３００゜Ｋ、１０００°Ｋの場合夫々７．２４
６７、１３．１２７５であり、この値を（３）式に代入
して図示すると、夫々図２、図３のように表わされる。
従ってこの図からすれば、前記供給比が大きい程、また
反応温度が低い程、塩酸中のフリ−塩素の含有量が少な
くなると推測される。そして反応温度を下げるためには
燃焼バ−ナを改良するようにしてもよいが、ガス供給路
に冷却部を設ければ、温度コントロ−ルが容易である
上、既設のバ−ナに対しても適用することができるため
有利である。
【００２３】また、この例による塩酸の合成方法によっ
て生成した塩酸中のフリ−塩素の含有量を実際に測定し
た結果は、表１に示すとうりである。
て生成した塩酸中のフリ−塩素の含有量を実際に測定し
た結果は、表１に示すとうりである。
【００２４】
【表１】 この測定では冷却部２１ａ、２２ａは用いておらず、反
応ガスの温度は外気温度に対応した値になっている。こ
の測定結果によれば、水素ガスと塩素ガスとの供給比
（水素ガスのモル数／塩素ガスのモル数）ｒが１．２〜
１．５程度とした場合のフリ−塩素の含有量は、理論
値、即ちｒ＝１．０で供給した場合の１ｐｐｍ〜３ｐｐ
ｍ程度に比べて低いものとなっており、特にｒ＝１．５
付近においては極めて低く例えば半導体ウエハの処理ガ
スとして用いる場合、この程度の含有量であれば問題な
いと考えられる。
応ガスの温度は外気温度に対応した値になっている。こ
の測定結果によれば、水素ガスと塩素ガスとの供給比
（水素ガスのモル数／塩素ガスのモル数）ｒが１．２〜
１．５程度とした場合のフリ−塩素の含有量は、理論
値、即ちｒ＝１．０で供給した場合の１ｐｐｍ〜３ｐｐ
ｍ程度に比べて低いものとなっており、特にｒ＝１．５
付近においては極めて低く例えば半導体ウエハの処理ガ
スとして用いる場合、この程度の含有量であれば問題な
いと考えられる。
【００２５】また、この例においては、反応温度を１０
００℃付近とした場合であるが、反応温度を、この１０
００℃よりも低くした場合には、前記供給比が上述の
１．２〜１．５程度より小さくても同様の効果が得られ
ると推察される。
００℃付近とした場合であるが、反応温度を、この１０
００℃よりも低くした場合には、前記供給比が上述の
１．２〜１．５程度より小さくても同様の効果が得られ
ると推察される。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、水素ガスと塩素ガスと
を反応させて合成塩酸を得るにあたって、フリ−塩素の
生成を抑えることができるため、この塩酸を例えば純塩
酸として使用することができ、また高純度塩化水素ガス
の原料として使用することもできる。
を反応させて合成塩酸を得るにあたって、フリ−塩素の
生成を抑えることができるため、この塩酸を例えば純塩
酸として使用することができ、また高純度塩化水素ガス
の原料として使用することもできる。
【００２７】従って、本発明によれば例えば半導体製造
プロセスにおいて、エッチングガスなどとして使用され
る塩化水素の原料である塩酸を製造するにあたって非常
に有効な方法である。
プロセスにおいて、エッチングガスなどとして使用され
る塩化水素の原料である塩酸を製造するにあたって非常
に有効な方法である。
【００２８】また塩素ガス及び／または水素ガスを冷却
するようにしているため、燃焼バ−ナにより温度調整を
行う場合に比べて反応温度の設定が容易である。
するようにしているため、燃焼バ−ナにより温度調整を
行う場合に比べて反応温度の設定が容易である。
【図１】本発明の実施例に係る装置を示す概略図であ
る。
る。
【図２】温度１３００°Ｋにおける平衡時の塩素分圧と
水素分圧との関係を表わした特性図である。
水素分圧との関係を表わした特性図である。
【図３】温度１０００°Ｋにおける平衡時の塩素分圧と
水素分圧との関係を表わした特性図である。
水素分圧との関係を表わした特性図である。
１ １塔型合成装置 ２ バ−ナ部 ２１ 塩素ガス入口ノズル ２２ 水素ガス入口ノズル ２１ａ、２１ｂ 冷却部 ３ 燃焼部 ３１ 燃焼室 ４ 吸収・冷却部 ５ 受液部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 酒井 正和 神奈川県横浜市鶴見区末広町１−７ 鶴 見曹達株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C01B 7/01
Claims (1)
- 【請求項１】 水素ガスと塩素ガスとの混合ガスを反応
させて塩酸を生成する合成装置において、 水素ガスまたは塩素ガスの少なくとも一方を反応前に冷
却するための冷却部を設けたことを特徴とする塩酸の合
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3297944A JP2775364B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 塩酸の合成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3297944A JP2775364B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 塩酸の合成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05105408A JPH05105408A (ja) | 1993-04-27 |
| JP2775364B2 true JP2775364B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=17853114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3297944A Expired - Lifetime JP2775364B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 塩酸の合成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2775364B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1066416C (zh) * | 1997-12-20 | 2001-05-30 | 巴陵石化岳阳石油化工总厂 | 利用干燥氯气液化副产物-尾氯生产高纯度盐酸的方法及装置 |
| JP5557394B2 (ja) * | 2011-04-08 | 2014-07-23 | 株式会社オメガ | 排水処理方法 |
| MY156181A (en) * | 2011-10-11 | 2016-01-15 | Hong In Chemical Co Ltd | Method and system for producing high-purity hydrogen chloride |
| JP5955187B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2016-07-20 | 住友精化株式会社 | 塩化水素の製造方法 |
| JP5946740B2 (ja) * | 2012-10-04 | 2016-07-06 | 住友精化株式会社 | 無水塩化水素の精製方法および無水塩化水素精製装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5288573A (en) * | 1976-01-21 | 1977-07-25 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Removal of chlorine in gas |
| JPS544354A (en) * | 1977-06-11 | 1979-01-13 | Hitachi Ltd | Electromagnetic relay having locking mechanism |
| JPS63288901A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-25 | Toshiba Corp | 塩化水素ガスの精製方法 |
-
1991
- 1991-10-17 JP JP3297944A patent/JP2775364B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5288573A (en) * | 1976-01-21 | 1977-07-25 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Removal of chlorine in gas |
| JPS544354A (en) * | 1977-06-11 | 1979-01-13 | Hitachi Ltd | Electromagnetic relay having locking mechanism |
| JPS63288901A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-25 | Toshiba Corp | 塩化水素ガスの精製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05105408A (ja) | 1993-04-27 |
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