JP2772363B2 - 半導体製造工程における排水の回収方法 - Google Patents
半導体製造工程における排水の回収方法Info
- Publication number
- JP2772363B2 JP2772363B2 JP25513889A JP25513889A JP2772363B2 JP 2772363 B2 JP2772363 B2 JP 2772363B2 JP 25513889 A JP25513889 A JP 25513889A JP 25513889 A JP25513889 A JP 25513889A JP 2772363 B2 JP2772363 B2 JP 2772363B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- activated carbon
- wastewater
- water
- manufacturing process
- treated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Treatment Of Water By Ion Exchange (AREA)
- Physical Water Treatments (AREA)
- Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)
- Water Treatment By Sorption (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、バクテリアを含有する半導体製造工程にお
ける排水を回収する方法に関するものである。
ける排水を回収する方法に関するものである。
＜従来の技術＞ ICやLSI等の半導体を製造する工程では前記半導体の
洗浄に高純度の純水が用いられている。当該洗浄工程に
おいて発生する洗浄排水は洗浄に用いる有機溶媒に起因
する有機物や各種酸に起因するイオンや各種のバクテリ
ア等の不純物を含んでいるが、当該不純物の量は比較的
少量であることから、通常第２図に示したような処理工
程によって処理され前記高純度の純水を製造するための
原水の一部としたり、あるいは他の用途における工程水
として回収されている。
洗浄に高純度の純水が用いられている。当該洗浄工程に
おいて発生する洗浄排水は洗浄に用いる有機溶媒に起因
する有機物や各種酸に起因するイオンや各種のバクテリ
ア等の不純物を含んでいるが、当該不純物の量は比較的
少量であることから、通常第２図に示したような処理工
程によって処理され前記高純度の純水を製造するための
原水の一部としたり、あるいは他の用途における工程水
として回収されている。
すなわち排水に次亜塩素酸ナトリウムおよびまたは過
酸化水素等の酸化剤を添加した後、紫外線酸化装置１で
処理し、排水中の有機物を酸化分解し、次いで当該処理
水を活性炭ろ過装置２で処理して、残留する有機物や酸
化剤を除去し、次いでイオン交換装置３で各種不純物イ
オンを除去し、これらの処理工程を経た処理水を回収水
とするものである。
酸化水素等の酸化剤を添加した後、紫外線酸化装置１で
処理し、排水中の有機物を酸化分解し、次いで当該処理
水を活性炭ろ過装置２で処理して、残留する有機物や酸
化剤を除去し、次いでイオン交換装置３で各種不純物イ
オンを除去し、これらの処理工程を経た処理水を回収水
とするものである。
しかしながら従来の処理工程は、排水にパクテリアが
存在するので、酸化剤を添加した後紫外線酸化装置１で
処理を行なったとしても200〜800CFU/mlものバクテリア
が残存する事が判明した。さらに第２図に示すように紫
外線酸化装置１の処理水を活性炭ろ過装置２に供給し、
残留する有機物及び酸化剤を吸着除去する場合、当該活
性炭ろ過装置２に用いる活性炭にバクテリアが繁殖し生
菌数が105CFU/ml以上になることが判明した。更にこの
バクテリアの影響でスライム状の物質が、活性炭ろ過装
置２内に生成され、ろ過時における差圧の上昇や流量低
下につながり、その排除を図るために頻繁に逆洗洗浄を
行なわねばならぬという問題も生じる。また、こうした
活性炭ろ過装置２の処理水を後段のイオン交換装置３に
供給する事は、バクテリア汚染水を持ち込む事となり、
使用するイオン交換樹脂の性能を低下させるので好まし
いものではない。
存在するので、酸化剤を添加した後紫外線酸化装置１で
処理を行なったとしても200〜800CFU/mlものバクテリア
が残存する事が判明した。さらに第２図に示すように紫
外線酸化装置１の処理水を活性炭ろ過装置２に供給し、
残留する有機物及び酸化剤を吸着除去する場合、当該活
性炭ろ過装置２に用いる活性炭にバクテリアが繁殖し生
菌数が105CFU/ml以上になることが判明した。更にこの
バクテリアの影響でスライム状の物質が、活性炭ろ過装
置２内に生成され、ろ過時における差圧の上昇や流量低
下につながり、その排除を図るために頻繁に逆洗洗浄を
行なわねばならぬという問題も生じる。また、こうした
活性炭ろ過装置２の処理水を後段のイオン交換装置３に
供給する事は、バクテリア汚染水を持ち込む事となり、
使用するイオン交換樹脂の性能を低下させるので好まし
いものではない。
＜発明が解決しようとする問題点＞ 本発明は上述したよう半導体製造工程における排水を
回収する処理工程で問題となっている活性炭ろ過装置の
バクテリア繁殖を効果的に防止することを目的とするも
のである。
回収する処理工程で問題となっている活性炭ろ過装置の
バクテリア繁殖を効果的に防止することを目的とするも
のである。
＜問題点を解決するための手段＞ かかる目的を達成するためになされた本発明よりなる
半導体製造工程における排水の回収方法は、バクテリア
を含有する半導体製造工程における排水を回収するにあ
たり、当該排水を紫外線酸化装置で処理して排水中の有
機物を分解した後、当該処理水を脱酸素処理し、次いで
活性炭ろ過装置で処理することを特徴とするものであ
る。以下に本発明を詳細に説明する。第１図は本発明の
実施態様の一例を示すフローの説明図であり、排水に酸
化剤としてたとえば次亜塩素酸ナトリウムまたは過酸化
水素あるいは次亜塩素酸ナトリウムと過酸化水素を添加
した後、紫外線酸化装置１で処理し、排水中の有機物を
酸化分解する。次いで脱酸素処理４で処理して紫外線酸
化装置１の処理水中に存在する溶存酸素を除去する。本
発明に用いる脱酸素装置４としては真空式脱気装置、膜
脱気装置、窒素ガス曝気装置、加熱脱気装置、イオン交
換樹脂を用いる脱酸素装置等の水中の溶存酸素を除去で
きる装置であればいかなるものも使用できるが、脱酸素
処理後の水中の溶存酸素が0.1mgO/以下となるような
脱酸素装置を用い、通常は真空脱気装置を用いる。この
ようにして脱酸素装置４にて水中の溶存酸素を低下させ
た後、活性炭ろ過装置２およびイオン交換装置３で処理
する。本発明においては、紫外線酸化装置１の処理水中
に存在する溶存酸素を除去するので、当該処理水中にバ
クテリアが存在していても当該バクテリアが後段の活性
炭ろ過装置２に繁殖することがなく、活性炭ろ過装置の
有する本来の性能を発揮することができる。
半導体製造工程における排水の回収方法は、バクテリア
を含有する半導体製造工程における排水を回収するにあ
たり、当該排水を紫外線酸化装置で処理して排水中の有
機物を分解した後、当該処理水を脱酸素処理し、次いで
活性炭ろ過装置で処理することを特徴とするものであ
る。以下に本発明を詳細に説明する。第１図は本発明の
実施態様の一例を示すフローの説明図であり、排水に酸
化剤としてたとえば次亜塩素酸ナトリウムまたは過酸化
水素あるいは次亜塩素酸ナトリウムと過酸化水素を添加
した後、紫外線酸化装置１で処理し、排水中の有機物を
酸化分解する。次いで脱酸素処理４で処理して紫外線酸
化装置１の処理水中に存在する溶存酸素を除去する。本
発明に用いる脱酸素装置４としては真空式脱気装置、膜
脱気装置、窒素ガス曝気装置、加熱脱気装置、イオン交
換樹脂を用いる脱酸素装置等の水中の溶存酸素を除去で
きる装置であればいかなるものも使用できるが、脱酸素
処理後の水中の溶存酸素が0.1mgO/以下となるような
脱酸素装置を用い、通常は真空脱気装置を用いる。この
ようにして脱酸素装置４にて水中の溶存酸素を低下させ
た後、活性炭ろ過装置２およびイオン交換装置３で処理
する。本発明においては、紫外線酸化装置１の処理水中
に存在する溶存酸素を除去するので、当該処理水中にバ
クテリアが存在していても当該バクテリアが後段の活性
炭ろ過装置２に繁殖することがなく、活性炭ろ過装置の
有する本来の性能を発揮することができる。
＜発明の効果＞ 以上説明したごとく本発明は脱酸素処理した後の処理
水を活性炭ろ過装置の被処理水とするので、活性炭ろ過
装置内でのバクテリア増殖が抑制され、ろ過時における
差圧の上昇や流量低下という問題が解消し、逆洗洗浄を
頻繁に行なわねばならないという弊害も解決できる。し
かも活性炭ろ過装置の処理水中のバクテリア数も低減
し、回収処理装置の性能維持向上に大いに貢献する。本
発明の効果をより明確にするために、以下に実施例を示
す。
水を活性炭ろ過装置の被処理水とするので、活性炭ろ過
装置内でのバクテリア増殖が抑制され、ろ過時における
差圧の上昇や流量低下という問題が解消し、逆洗洗浄を
頻繁に行なわねばならないという弊害も解決できる。し
かも活性炭ろ過装置の処理水中のバクテリア数も低減
し、回収処理装置の性能維持向上に大いに貢献する。本
発明の効果をより明確にするために、以下に実施例を示
す。
（実施例） 従来方法として第２図に示す酸化剤として次亜塩素酸
ナトリウムと過酸化水素を添加する紫外線酸化装置の処
理水をそのまま活性炭処理する場合と、本発明方法とし
て第１図に示すように同様の紫外線酸化装置の処理水を
真空脱気装置からなる脱酸素装置で処理した後、活性炭
処理する場合の２通りの処理方法を実施し比較した。両
方法の活性炭ろ過装置の原水および処理水の総有機体炭
素（TOCと略称する）、過酸化水素、残留塩素、生菌
数、溶存酸素（DOと略称する）について計測し、その結
果を第１表に示した。各計測は運転を２週間継続した後
の値である。
ナトリウムと過酸化水素を添加する紫外線酸化装置の処
理水をそのまま活性炭処理する場合と、本発明方法とし
て第１図に示すように同様の紫外線酸化装置の処理水を
真空脱気装置からなる脱酸素装置で処理した後、活性炭
処理する場合の２通りの処理方法を実施し比較した。両
方法の活性炭ろ過装置の原水および処理水の総有機体炭
素（TOCと略称する）、過酸化水素、残留塩素、生菌
数、溶存酸素（DOと略称する）について計測し、その結
果を第１表に示した。各計測は運転を２週間継続した後
の値である。
本発明方法は第１表に示したように、原水中の溶存酸
素を低減する事によって、活性炭ろ過装置の有機物、塩
素の吸着除去性能に影響なく、バクテリアの増殖を効果
的に抑制する事ができる。また活性炭ろ過装置における
ろ過時の差圧の上昇や流量低下が生じることがなく、ま
た活性炭ろ過装置の逆洗洗浄の頻度も下がり、ひいては
活性炭ろ過装置の運転効率が向上する。さらに活性炭ろ
過装置処理水の生菌数も低減して、後段のイオン交換樹
脂装置への負荷やバクテリア汚染も避ける事ができ、経
済的にも極めて効果が高い方法である。
素を低減する事によって、活性炭ろ過装置の有機物、塩
素の吸着除去性能に影響なく、バクテリアの増殖を効果
的に抑制する事ができる。また活性炭ろ過装置における
ろ過時の差圧の上昇や流量低下が生じることがなく、ま
た活性炭ろ過装置の逆洗洗浄の頻度も下がり、ひいては
活性炭ろ過装置の運転効率が向上する。さらに活性炭ろ
過装置処理水の生菌数も低減して、後段のイオン交換樹
脂装置への負荷やバクテリア汚染も避ける事ができ、経
済的にも極めて効果が高い方法である。
第１図は本発明の実施態様の一例を示すフローの説明図
であり、また第２図は従来の半導体製造工程における排
水の回収フローを示した説明図である。
であり、また第２図は従来の半導体製造工程における排
水の回収フローを示した説明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１Ｚ (56)参考文献 特開 昭63−28487（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−111199（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−97284（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−140825（ＪＰ，Ａ) 実公 昭59−1757（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C02F 1/20 C02F 1/28 C02F 1/32 H01L 21/304 341
Claims (1)
- 【請求項１】バクテリアを含有する半導体製造工程にお
ける排水を回収するにあたり、当該排水を紫外線酸化装
置で処理して排水中の有機物を分解した後、当該処理水
を脱酸素処理し、次いで活性炭ろ過装置で処理すること
を特徴とする半導体製造工程における排水の回収方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25513889A JP2772363B2 (ja) | 1989-10-02 | 1989-10-02 | 半導体製造工程における排水の回収方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25513889A JP2772363B2 (ja) | 1989-10-02 | 1989-10-02 | 半導体製造工程における排水の回収方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03118889A JPH03118889A (ja) | 1991-05-21 |
| JP2772363B2 true JP2772363B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=17274614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25513889A Expired - Fee Related JP2772363B2 (ja) | 1989-10-02 | 1989-10-02 | 半導体製造工程における排水の回収方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2772363B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5272091A (en) * | 1992-07-27 | 1993-12-21 | Millipore Corporation | Water purification method and apparatus |
| JP4608765B2 (ja) * | 2000-11-27 | 2011-01-12 | 栗田工業株式会社 | Ｔｏｃ成分の生物分解方法 |
| JP5061410B2 (ja) * | 2001-05-11 | 2012-10-31 | 栗田工業株式会社 | 超純水製造装置及び超純水製造方法 |
| JP2006239617A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Kurita Water Ind Ltd | 水処理方法及び水処理装置 |
| JP5233146B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2013-07-10 | 栗田工業株式会社 | 有機尿素系化合物吸着剤、有機尿素系化合物吸着装置及び有機尿素系化合物処理方法 |
| JP6157851B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-07-05 | 株式会社東芝 | 洗濯廃液処理装置および洗濯廃液処理方法 |
-
1989
- 1989-10-02 JP JP25513889A patent/JP2772363B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03118889A (ja) | 1991-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0790219B2 (ja) | 純水製造装置及び製造方法 | |
| WO2010113587A1 (ja) | 電子材料洗浄方法及び電子材料洗浄装置 | |
| JP2772363B2 (ja) | 半導体製造工程における排水の回収方法 | |
| JP3227863B2 (ja) | 超純水の製造方法 | |
| JP3721871B2 (ja) | 超純水の製造方法 | |
| JP3656458B2 (ja) | 純水の製造方法 | |
| TW201427910A (zh) | 含氨廢水的處理裝置及含氨廢水的處理方法 | |
| JPH0649190B2 (ja) | 高純度水の製造装置 | |
| JP4119040B2 (ja) | 機能水製造方法及び装置 | |
| JP3296407B2 (ja) | 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JP2004167423A (ja) | 純水製造装置及び純水製造方法 | |
| JP3858359B2 (ja) | 有機物の除去方法 | |
| JP3376639B2 (ja) | 半導体洗浄排水からの純水回収方法 | |
| JP3560631B2 (ja) | 水処理装置 | |
| JPH09253638A (ja) | 超純水製造装置 | |
| TW202000607A (zh) | 含過氧化氫廢水處理系統及所應用之酵素載體 | |
| JP4826864B2 (ja) | 超純水製造装置 | |
| JPH0938671A (ja) | 水処理方法及び水処理装置 | |
| JP3992996B2 (ja) | 排水処理方法及び装置 | |
| JP2002336887A (ja) | 超純水製造装置及び超純水製造方法 | |
| JP3826497B2 (ja) | 純水製造方法 | |
| JPH09294977A (ja) | 純水製造装置 | |
| JP3101642B2 (ja) | 超純水の製造方法 | |
| JPS5976593A (ja) | Ｅｄｔａを含むボイラ等の化学洗浄廃液からｅｄｔａを回収する方法 | |
| JPH0839058A (ja) | 半導体洗浄排水の処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |