JP2771950B2 - 磁気抵抗センサ - Google Patents
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は巨大磁気抵抗センサに関
し、特に配向非磁気マトリックス内の磁性粒子に関す
る。
し、特に配向非磁気マトリックス内の磁性粒子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気記憶システムの読取りヘッドの巨大
磁気抵抗（ＧＭＲ）効果の利点を得るために、装置は１
００Ｏｅ位の磁界に応じなくてはならない。巨大磁気抵
抗効果は、例えばＳ．Ｐａｒｋｉｎ等による文献、Ｐｈ
ｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．６４、２３０４（１９９０）
に示されたように多重層内で観察された。また、巨大磁
気抵抗効果は、Ｊ．Ｑ．Ｘｉａｏ等による文献、Ｐｈｙ
ｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．６８、３７４９（１９９２）に
示されたように独立したＣｕ−Ｃｏ粒子薄膜の相で見ら
れた。上記した両ケースでは、高磁界が磁気飽和に必要
とされる。粒子薄膜として、多結晶の準安定Ｃｕ−Ｃｏ
合金薄膜が付着される。適切な熱処理によりＣｏが単一
磁区粒子として析出する。磁化は粒子ごとに不規則に異
なる各粒子の磁化容易軸に沿った方向に向けられる。ゼ
ロ磁界では、電子または正孔担体は磁気配向が変化する
各境界面で散乱するので抵抗が高くなる。磁気飽和で
は、すべての磁性粒子の磁化方向が整列するので電子ま
たは正孔担体に対する抵抗が低くなる。この磁気飽和に
要する磁界は、磁性粒子が磁気結晶異方性や形状異方性
であると、さらに大きくなる。一方、Ｃｕ／Ｃｏ境界面
に境界ひずみがあると、この磁気ひずみ（λ）が原因で
さらに異方性が誘発されることもある。
磁気抵抗（ＧＭＲ）効果の利点を得るために、装置は１
００Ｏｅ位の磁界に応じなくてはならない。巨大磁気抵
抗効果は、例えばＳ．Ｐａｒｋｉｎ等による文献、Ｐｈ
ｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．６４、２３０４（１９９０）
に示されたように多重層内で観察された。また、巨大磁
気抵抗効果は、Ｊ．Ｑ．Ｘｉａｏ等による文献、Ｐｈｙ
ｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．６８、３７４９（１９９２）に
示されたように独立したＣｕ−Ｃｏ粒子薄膜の相で見ら
れた。上記した両ケースでは、高磁界が磁気飽和に必要
とされる。粒子薄膜として、多結晶の準安定Ｃｕ−Ｃｏ
合金薄膜が付着される。適切な熱処理によりＣｏが単一
磁区粒子として析出する。磁化は粒子ごとに不規則に異
なる各粒子の磁化容易軸に沿った方向に向けられる。ゼ
ロ磁界では、電子または正孔担体は磁気配向が変化する
各境界面で散乱するので抵抗が高くなる。磁気飽和で
は、すべての磁性粒子の磁化方向が整列するので電子ま
たは正孔担体に対する抵抗が低くなる。この磁気飽和に
要する磁界は、磁性粒子が磁気結晶異方性や形状異方性
であると、さらに大きくなる。一方、Ｃｕ／Ｃｏ境界面
に境界ひずみがあると、この磁気ひずみ（λ）が原因で
さらに異方性が誘発されることもある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、磁気
結晶異方性の小さい磁性粒子が分散されている金属マト
リックスを含み、それにより飽和磁界が減少する磁気抵
抗センサを提供することである。
結晶異方性の小さい磁性粒子が分散されている金属マト
リックスを含み、それにより飽和磁界が減少する磁気抵
抗センサを提供することである。
【０００４】本発明の別の目的は、ひずみに誘発される
異方性が小さくなるよう、磁気ひずみの小さい磁性粒子
を含む金属マトリックスを提供することである。
異方性が小さくなるよう、磁気ひずみの小さい磁性粒子
を含む金属マトリックスを提供することである。
【０００５】本発明の他の目的は、各磁性粒子の磁化容
易軸と検出対象の磁界が同一平面で、かつ、通常、金属
マトリックスの面に存在するような結晶学的選択方位を
有する磁性粒子を含む金属マトリックスを提供すること
である。
易軸と検出対象の磁界が同一平面で、かつ、通常、金属
マトリックスの面に存在するような結晶学的選択方位を
有する磁性粒子を含む金属マトリックスを提供すること
である。
【０００６】本発明の他の目的は、磁気粒子が、０から
３×１０4 ｅｒｇｓ／ｃｍ3の範囲の正の磁気結晶異方
性定数（Ｋ1）を有し、磁化容易軸は（１００）、（０
１０）、（００１）方向に沿ったものである、磁性粒子
を含む金属マトリックスを提供することである。
３×１０4 ｅｒｇｓ／ｃｍ3の範囲の正の磁気結晶異方
性定数（Ｋ1）を有し、磁化容易軸は（１００）、（０
１０）、（００１）方向に沿ったものである、磁性粒子
を含む金属マトリックスを提供することである。
【０００７】本発明の他の目的は、単結晶（１００）シ
リコン基板、もしくは単結晶（１００）シリコン・ゲル
マニウム基板上、または基板上の（１００）銅シード層
上に直接形成される磁性粒子を含む金属マトリックスを
提供することである。
リコン基板、もしくは単結晶（１００）シリコン・ゲル
マニウム基板上、または基板上の（１００）銅シード層
上に直接形成される磁性粒子を含む金属マトリックスを
提供することである。
【０００８】本発明の他の目的は、（１００）集合組織
を有するエピタキシャル粒子薄膜を提供することであ
る。
を有するエピタキシャル粒子薄膜を提供することであ
る。
【０００９】
【問題を解決するための手段】本発明によれば、磁界検
知用の磁気抵抗センサは磁性粒子を分散させた電気伝導
性マトリックスからなり、その磁性粒子は直径あるいは
長さが４０から４００オングストロームの範囲の単一磁
区の大きさのものであり、０から３×１０4ｅｒｇｓ／
ｃｍ3の範囲の磁気結晶異方性定数（Ｋ1）と３０ｐｐｍ
未満の磁気ひずみ定数λを有する。さらに、その磁性粒
子は結晶学的に配向されており、磁気粒子の各磁化容易
軸は、例えば、導電性マトリックスおよび検知対象の磁
界平面内で互いにほぼ平行となる。
知用の磁気抵抗センサは磁性粒子を分散させた電気伝導
性マトリックスからなり、その磁性粒子は直径あるいは
長さが４０から４００オングストロームの範囲の単一磁
区の大きさのものであり、０から３×１０4ｅｒｇｓ／
ｃｍ3の範囲の磁気結晶異方性定数（Ｋ1）と３０ｐｐｍ
未満の磁気ひずみ定数λを有する。さらに、その磁性粒
子は結晶学的に配向されており、磁気粒子の各磁化容易
軸は、例えば、導電性マトリックスおよび検知対象の磁
界平面内で互いにほぼ平行となる。
【００１０】さらに、本発明による磁界検知用の巨大磁
気抵抗センサは、基板と、その基板上に形成した第１層
とを有し、その第１層は銅マトリックス内の単一結晶磁
区の粒子を含んでおり、その粒子はＣｏの量が４から２
０原子パーセントの範囲にあるＮｉとＣｏの合金を含
む。さらに、その間を電流が流れるように間隔をあけて
置かれ、上記第１層とオーム接触する第１接点と第２接
点とを有している。代わりに、Ｎｉ−Ｆｅ合金の磁性粒
子を含むＡｇまたはＡｕマトリックスを使用することも
可能である。
気抵抗センサは、基板と、その基板上に形成した第１層
とを有し、その第１層は銅マトリックス内の単一結晶磁
区の粒子を含んでおり、その粒子はＣｏの量が４から２
０原子パーセントの範囲にあるＮｉとＣｏの合金を含
む。さらに、その間を電流が流れるように間隔をあけて
置かれ、上記第１層とオーム接触する第１接点と第２接
点とを有している。代わりに、Ｎｉ−Ｆｅ合金の磁性粒
子を含むＡｇまたはＡｕマトリックスを使用することも
可能である。
【００１１】また、本発明による巨大磁気抵抗センサを
形成する方法は、（１００）集合組織を持ったＣｕ、Ｎ
ｉ、及びＣｏの層を形成し、その層内にＮｉ−Ｃｏの磁
性粒子を沈殿させる工程からなり、その磁性粒子は４か
ら２０原子パーセントの範囲にあるＣｏを有する。Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｃｏの層を形成する前に（１００）配向の上
面、あるいは（１００）集合組織を持ったシード層を有
する単結晶基板を選択あるいは形成してもよい。あるい
は、Ａｇ、Ｎｉ及びＦｅあるいはＡｕ、Ｎｉ及びＦｅの
層を（１００）集合組織で形成し、その層内にＮｉ−Ｆ
ｅの磁気粒子を沈殿させてもよい。
形成する方法は、（１００）集合組織を持ったＣｕ、Ｎ
ｉ、及びＣｏの層を形成し、その層内にＮｉ−Ｃｏの磁
性粒子を沈殿させる工程からなり、その磁性粒子は４か
ら２０原子パーセントの範囲にあるＣｏを有する。Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｃｏの層を形成する前に（１００）配向の上
面、あるいは（１００）集合組織を持ったシード層を有
する単結晶基板を選択あるいは形成してもよい。あるい
は、Ａｇ、Ｎｉ及びＦｅあるいはＡｕ、Ｎｉ及びＦｅの
層を（１００）集合組織で形成し、その層内にＮｉ−Ｆ
ｅの磁気粒子を沈殿させてもよい。
【００１２】
【実施例】図１には本発明の実施例による巨大磁気抵抗
センサ１０を示す。巨大磁気抵抗センサ１０は磁気媒体
１２上に位置しており、磁気媒体１２は、スピンドルな
どで機械的に接続されたモータ１４によって、巨大磁気
抵抗センサ１０に対して移動させられる。巨大磁気抵抗
センサ１０は２本のアーム１６、１８を有し、そのアー
ムは基板２０に機械的に取り付けられ、固定されてい
る。アーム１６は導電性があり、電流源２４の第１端子
およびデータ検出機２６の第１入力端子にリード線２２
を介して接続されている。同様に、アーム１８は導電性
があり、電流源２４の第２端子およびデータ検出機２６
の第２入力端子にリード線２８を介して接続されてい
る。データ検出機２６は、磁気媒体１２に記憶され、巨
大磁気抵抗センサ１０によって検出されたデータを示す
出力信号をリード３０を通じて外部へ提供する役目を持
っている。
センサ１０を示す。巨大磁気抵抗センサ１０は磁気媒体
１２上に位置しており、磁気媒体１２は、スピンドルな
どで機械的に接続されたモータ１４によって、巨大磁気
抵抗センサ１０に対して移動させられる。巨大磁気抵抗
センサ１０は２本のアーム１６、１８を有し、そのアー
ムは基板２０に機械的に取り付けられ、固定されてい
る。アーム１６は導電性があり、電流源２４の第１端子
およびデータ検出機２６の第１入力端子にリード線２２
を介して接続されている。同様に、アーム１８は導電性
があり、電流源２４の第２端子およびデータ検出機２６
の第２入力端子にリード線２８を介して接続されてい
る。データ検出機２６は、磁気媒体１２に記憶され、巨
大磁気抵抗センサ１０によって検出されたデータを示す
出力信号をリード３０を通じて外部へ提供する役目を持
っている。
【００１３】図２は図１の線２−２に沿った断面図を示
している。基板２０は下面３２を有し、また、基板２０
は例えばガラスやセラミックなどのような絶縁物質によ
ってでも、あるいは単結晶シリコンあるいは単結晶シリ
コン・ゲルマニウム合金または単結晶ゲルマニウム等の
導電性物質によって構成されていてもよい。後者の場合
は、さらに、アーム１６、１８から基板２０を絶縁する
ための手段を有する。下面３２上に層３４が形成され
る。層３４は０．５から１０原子パーセントの範囲のＣ
ｏを有する希薄Ｃｕ−Ｃｏ合金で、その下面３６に（１
００）集合組織を設ける。基板２０が（１００）面の下
面を有する単結晶シリコンなら、層３４は下面３２上に
エピタキシャルに形成され、相当する（１００）結晶面
の下面３６が得られる。基板２０が下面３２を有する単
結晶基板材料で基本的に非導電性なら、層３４は不要で
ある。絶縁物質が単結晶基板２０の下面３２上にエピタ
キシャルに形成できるなら、（１００）面の下面３６を
有する層３４を様々な絶縁物質から作ることが可能であ
る。層３４に適したエピタキシャル物質の例として、Ｂ
ａＯ、ＳｒＯ、ＣｕＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣａＦ2、ＢａＦ2およ
びそれらの合金からなるグループから選択することがで
きる。あるいは、層３４は、磁気抵抗層から多量の電流
を分流するには薄すぎるなら伝導性とし、層３４は珪化
コバルト、珪化ニッケル、およびそれらの合金のような
珪化金属が使用できる。基板２０が（１００）面の下面
３２を有する単結晶シリコンなら、層３４は下面３６が
（１００）配向であるＣｕを蒸着あるいは電気メッキす
ることにより形成した銅とすることができ、これは立方
晶系集合組織を有する銅層となる。
している。基板２０は下面３２を有し、また、基板２０
は例えばガラスやセラミックなどのような絶縁物質によ
ってでも、あるいは単結晶シリコンあるいは単結晶シリ
コン・ゲルマニウム合金または単結晶ゲルマニウム等の
導電性物質によって構成されていてもよい。後者の場合
は、さらに、アーム１６、１８から基板２０を絶縁する
ための手段を有する。下面３２上に層３４が形成され
る。層３４は０．５から１０原子パーセントの範囲のＣ
ｏを有する希薄Ｃｕ−Ｃｏ合金で、その下面３６に（１
００）集合組織を設ける。基板２０が（１００）面の下
面を有する単結晶シリコンなら、層３４は下面３２上に
エピタキシャルに形成され、相当する（１００）結晶面
の下面３６が得られる。基板２０が下面３２を有する単
結晶基板材料で基本的に非導電性なら、層３４は不要で
ある。絶縁物質が単結晶基板２０の下面３２上にエピタ
キシャルに形成できるなら、（１００）面の下面３６を
有する層３４を様々な絶縁物質から作ることが可能であ
る。層３４に適したエピタキシャル物質の例として、Ｂ
ａＯ、ＳｒＯ、ＣｕＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣａＦ2、ＢａＦ2およ
びそれらの合金からなるグループから選択することがで
きる。あるいは、層３４は、磁気抵抗層から多量の電流
を分流するには薄すぎるなら伝導性とし、層３４は珪化
コバルト、珪化ニッケル、およびそれらの合金のような
珪化金属が使用できる。基板２０が（１００）面の下面
３２を有する単結晶シリコンなら、層３４は下面３６が
（１００）配向であるＣｕを蒸着あるいは電気メッキす
ることにより形成した銅とすることができ、これは立方
晶系集合組織を有する銅層となる。
【００１４】（１００）集合組織を有するＣｕ−Ｎｉ−
Ｃｏ合金層３８は、層３４の下面３６上にＣｕ−Ｎｉ−
Ｃｏを蒸着あるいは電気メッキすることによって成長さ
せられる。層３４が無ければ、下面３２上に行う。合金
層３８は（１００）集合組織を持つよう成長させられる
ので、合金層３８内に沈殿する磁性粒子４０は合金層３
８の面内に磁化容易軸を有する。その磁化容易軸が薄膜
すなわち合金層３８の面内にあるなら、最適な検出をお
こなうためには検出対象の磁界も同じ平面になければな
らない。
Ｃｏ合金層３８は、層３４の下面３６上にＣｕ−Ｎｉ−
Ｃｏを蒸着あるいは電気メッキすることによって成長さ
せられる。層３４が無ければ、下面３２上に行う。合金
層３８は（１００）集合組織を持つよう成長させられる
ので、合金層３８内に沈殿する磁性粒子４０は合金層３
８の面内に磁化容易軸を有する。その磁化容易軸が薄膜
すなわち合金層３８の面内にあるなら、最適な検出をお
こなうためには検出対象の磁界も同じ平面になければな
らない。
【００１５】合金層３８は銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、そ
の合金等から選択することもできる。両者共立方晶系の
高導電性の、非磁性金属である。ＡｇおよびＡｕはＣｕ
より大きな格子定数を有し、（１００）面のエピタキシ
ャル成長において、ＧａＡｓのように格子の整合する基
板上にエピタキシャルに設けることができる。Ｎｉ−Ｃ
ｏ合金は、銅マトリックスから沈殿析出可能な異方性が
小さく、かつ、磁気ひずみの小さい磁気材料として唯一
知られているものである。パーマロイのようなＮｉ−Ｆ
ｅ合金は銅に溶融してしまう。
の合金等から選択することもできる。両者共立方晶系の
高導電性の、非磁性金属である。ＡｇおよびＡｕはＣｕ
より大きな格子定数を有し、（１００）面のエピタキシ
ャル成長において、ＧａＡｓのように格子の整合する基
板上にエピタキシャルに設けることができる。Ｎｉ−Ｃ
ｏ合金は、銅マトリックスから沈殿析出可能な異方性が
小さく、かつ、磁気ひずみの小さい磁気材料として唯一
知られているものである。パーマロイのようなＮｉ−Ｆ
ｅ合金は銅に溶融してしまう。
【００１６】しかし、パーマロイのようなＮｉ−Ｆｅ合
金は、（１００）集合組織のＡｇ、Ａｕ、あるいは、そ
の合金から沈殿析出して、配向した結晶粒子または磁性
粒子４０を提供することが可能である。パーマロイのよ
うなＮｉ−Ｆｅ合金は磁性粒子４０に適した小さい異方
性と小さい磁気ひずみを有する。
金は、（１００）集合組織のＡｇ、Ａｕ、あるいは、そ
の合金から沈殿析出して、配向した結晶粒子または磁性
粒子４０を提供することが可能である。パーマロイのよ
うなＮｉ−Ｆｅ合金は磁性粒子４０に適した小さい異方
性と小さい磁気ひずみを有する。
【００１７】図３は図２の一部を拡大して示したもので
ある。合金層３８を形成し熱処理すると、そこに単一磁
区の大きさの磁性粒子あるいは沈殿物が形成される。そ
の単一磁区の大きさはその直径や長さといった最も広い
寸法において、４０から４００オングストロームの範囲
にあるのが望ましい。
ある。合金層３８を形成し熱処理すると、そこに単一磁
区の大きさの磁性粒子あるいは沈殿物が形成される。そ
の単一磁区の大きさはその直径や長さといった最も広い
寸法において、４０から４００オングストロームの範囲
にあるのが望ましい。
【００１８】Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃｏ合金層３８は、例えば加
熱しない層３４あるいは基板２０上に、できる限り低温
でエピタキシャルに形成されるか、付着されなくてはな
らない。合金層３８を付着させた後、２００から５００
℃の範囲で真空中で３０分加熱し、そして２３℃に冷却
する。合金がＡｇまたはＡｕ、Ｎｉ及びＦｅから成る時
は、そのアニール温度は１００から５００℃の範囲とな
る。磁性粒子４０のサイズは合金層３８のアニール温度
によって制御され、４５０℃で最も広い寸法、または直
径が１００オングストロームのものが得られる。２３℃
で合金層３８を付着した場合には、５０オングストロー
ム径の粒子の沈殿がある。
熱しない層３４あるいは基板２０上に、できる限り低温
でエピタキシャルに形成されるか、付着されなくてはな
らない。合金層３８を付着させた後、２００から５００
℃の範囲で真空中で３０分加熱し、そして２３℃に冷却
する。合金がＡｇまたはＡｕ、Ｎｉ及びＦｅから成る時
は、そのアニール温度は１００から５００℃の範囲とな
る。磁性粒子４０のサイズは合金層３８のアニール温度
によって制御され、４５０℃で最も広い寸法、または直
径が１００オングストロームのものが得られる。２３℃
で合金層３８を付着した場合には、５０オングストロー
ム径の粒子の沈殿がある。
【００１９】磁性粒子４０はニッケル・コバルト合金か
ら構成することが可能であり、それは４から２０原子パ
ーセントの範囲のコバルトを含み、単一磁区の大きさを
持つ。単一磁区の大きさとは、磁性粒子が磁壁を形成す
るほど物理的に充分大きくないことを意味する。複数磁
区粒子は１以上の磁壁を形成できるほど物理的に充分大
きい。磁性粒子４０がＣｕ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から沈殿析
出して、磁性粒子４０が分散した銅マトリックス４２を
形成する。磁性粒子４０は銅マトリックス４２内で互い
に接触せず、間隔をあけられていなければならない。
ら構成することが可能であり、それは４から２０原子パ
ーセントの範囲のコバルトを含み、単一磁区の大きさを
持つ。単一磁区の大きさとは、磁性粒子が磁壁を形成す
るほど物理的に充分大きくないことを意味する。複数磁
区粒子は１以上の磁壁を形成できるほど物理的に充分大
きい。磁性粒子４０がＣｕ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から沈殿析
出して、磁性粒子４０が分散した銅マトリックス４２を
形成する。磁性粒子４０は銅マトリックス４２内で互い
に接触せず、間隔をあけられていなければならない。
【００２０】磁性粒子４０の体積率は、銅マトリックス
４２内で隣接する粒子が接触することなく存在するに
は、５から２５体積パーセントの範囲であり、望ましく
は約２０体積パーセントである。
４２内で隣接する粒子が接触することなく存在するに
は、５から２５体積パーセントの範囲であり、望ましく
は約２０体積パーセントである。
【００２１】４から２０原子パーセントの範囲のコバル
トを有するニッケル・コバルト合金は、０から３×１０
4 ｅｒｇｓ／ｃｍ3の範囲の比較的小さい、正の磁気結
晶異方性定数（Ｋ1）を有する。正の値の磁気結晶異方
性定数Ｋ1を有する磁性粒子４０を持つことにより、磁
性粒子４０の磁化容易軸は（１００）、（０１０）、
（００１）方向に沿ったものとなる。ニッケル・コバル
ト合金では、コバルトの組成が１３から２０原子パーセ
ントと高い範囲であることが望ましい。１８原子パーセ
ント近くの高いコバルト組成比を持つニッケル・コバル
ト合金の磁性粒子４０は、３０ｐｐｍ未満の小さい磁気
ひずみ定数λを有する。２０原子パーセントのコバルト
を有するニッケル・コバルト合金では、磁気ひずみ定数
λはほぼ０に等しい。磁性粒子４０がＣｕ−Ｎｉ−Ｃｏ
合金から沈殿析出して銅マトリックス４２を形成すると
き、磁性粒子４０のニッケル・コバルト合金は若干量
（５パーセント）の銅をも含む。磁性粒子４０における
銅の原子パーセントはＮｉ−Ｃｏ合金への銅の溶解度に
依存する。その合金のニッケルの濃度が高いと、銅の溶
解度も高くなる。銅はアニール温度でその合金に溶解す
る。磁性粒子４０における銅も磁気ひずみ定数λを低下
させる一因となる。
トを有するニッケル・コバルト合金は、０から３×１０
4 ｅｒｇｓ／ｃｍ3の範囲の比較的小さい、正の磁気結
晶異方性定数（Ｋ1）を有する。正の値の磁気結晶異方
性定数Ｋ1を有する磁性粒子４０を持つことにより、磁
性粒子４０の磁化容易軸は（１００）、（０１０）、
（００１）方向に沿ったものとなる。ニッケル・コバル
ト合金では、コバルトの組成が１３から２０原子パーセ
ントと高い範囲であることが望ましい。１８原子パーセ
ント近くの高いコバルト組成比を持つニッケル・コバル
ト合金の磁性粒子４０は、３０ｐｐｍ未満の小さい磁気
ひずみ定数λを有する。２０原子パーセントのコバルト
を有するニッケル・コバルト合金では、磁気ひずみ定数
λはほぼ０に等しい。磁性粒子４０がＣｕ−Ｎｉ−Ｃｏ
合金から沈殿析出して銅マトリックス４２を形成すると
き、磁性粒子４０のニッケル・コバルト合金は若干量
（５パーセント）の銅をも含む。磁性粒子４０における
銅の原子パーセントはＮｉ−Ｃｏ合金への銅の溶解度に
依存する。その合金のニッケルの濃度が高いと、銅の溶
解度も高くなる。銅はアニール温度でその合金に溶解す
る。磁性粒子４０における銅も磁気ひずみ定数λを低下
させる一因となる。
【００２２】合金層３８の下面４４は磁気媒体１２の近
くに置かれ、検出対象の磁界が合金層３８の平面内にあ
るようにする。
くに置かれ、検出対象の磁界が合金層３８の平面内にあ
るようにする。
【００２３】図１に示したように、合金層３８の両端は
コンタクトあるいは電極４６、４８によってアーム１
６、１８にそれぞれ結合され、コンタクト４６、４８は
層３４の両端にも意図せず結合させられる。導電層３４
が合金層３８を通る導電経路に対して合金層３８のΔＲ
／Ｒを低下させる平行な分路を作るので、伝導層３４を
省いた（必要ない）ほうが有利となる。合金層３８は、
絶縁層３４上、あるいは（１００）面の表面を有する半
導体基板上に形成することができる。
コンタクトあるいは電極４６、４８によってアーム１
６、１８にそれぞれ結合され、コンタクト４６、４８は
層３４の両端にも意図せず結合させられる。導電層３４
が合金層３８を通る導電経路に対して合金層３８のΔＲ
／Ｒを低下させる平行な分路を作るので、伝導層３４を
省いた（必要ない）ほうが有利となる。合金層３８は、
絶縁層３４上、あるいは（１００）面の表面を有する半
導体基板上に形成することができる。
【００２４】つぎに、巨大磁気抵抗センサ１０の操作の
際には、図１に示したように、電流源２４がリード線２
２を通じて電流を供給し、アーム１６、コンタクトまた
は電極４６、合金層３８、コンタクトまたは電極４８、
アーム１８を流れ、リード線２８を通じて戻る。モータ
１４が作動し、磁気媒体１２上に存在する磁界に対応す
る書き込まれたデータを有する磁気媒体１２上を、合金
層３８が様々な方向に通過するように移動させる。合金
層３８内の磁界が、同じ方向に向いた磁性粒子４０の磁
気方向と一致した時、合金層３８を移動する電子に対す
る抵抗は、磁性粒子の磁化容易軸が複数方向に配向され
ている時に比べ５０パーセント程低くなる。合金層３８
を移動する電子は、銅マトリックス４２を通る際、様々
な方向の磁化容易軸を有する磁性粒子４０との各境界面
で各々の電子スピンによって明らかに分散される。
際には、図１に示したように、電流源２４がリード線２
２を通じて電流を供給し、アーム１６、コンタクトまた
は電極４６、合金層３８、コンタクトまたは電極４８、
アーム１８を流れ、リード線２８を通じて戻る。モータ
１４が作動し、磁気媒体１２上に存在する磁界に対応す
る書き込まれたデータを有する磁気媒体１２上を、合金
層３８が様々な方向に通過するように移動させる。合金
層３８内の磁界が、同じ方向に向いた磁性粒子４０の磁
気方向と一致した時、合金層３８を移動する電子に対す
る抵抗は、磁性粒子の磁化容易軸が複数方向に配向され
ている時に比べ５０パーセント程低くなる。合金層３８
を移動する電子は、銅マトリックス４２を通る際、様々
な方向の磁化容易軸を有する磁性粒子４０との各境界面
で各々の電子スピンによって明らかに分散される。
【００２５】磁性粒子４０を形成するうえで沈殿物とし
てＮｉ−Ｃｏ合金の公知の特性を用いると、１８原子パ
ーセントのコバルトを含むニッケル・コバルト合金の異
方性磁界は１０から２０Ｏｅと推定される。その沈殿粒
子４０が銅の中で通常コバルト粒子が有するような扁球
形状を持つなら、粒子４０の形状異方性は１０4 ｅｒｇ
ｓ／ｃｍ3未満となる。
てＮｉ−Ｃｏ合金の公知の特性を用いると、１８原子パ
ーセントのコバルトを含むニッケル・コバルト合金の異
方性磁界は１０から２０Ｏｅと推定される。その沈殿粒
子４０が銅の中で通常コバルト粒子が有するような扁球
形状を持つなら、粒子４０の形状異方性は１０4 ｅｒｇ
ｓ／ｃｍ3未満となる。
【００２６】明らかに（１００）集合組織を有する、
０．５から１０パーセントのＣｏを含むＣｕ−Ｃｏ層３
４の多数のサンプルが４５０℃でアニールすることによ
って製造された。
０．５から１０パーセントのＣｏを含むＣｕ−Ｃｏ層３
４の多数のサンプルが４５０℃でアニールすることによ
って製造された。
【００２７】図４は、Ｃｏのパーセントを変えたＣｕ−
Ｃｏ薄膜の、温度に対する層３４の面積抵抗の関係を示
すグラフである。図４において、縦座標は面積抵抗（オ
ーム／単位面積）で横座標は温度（℃）を示す。種々な
コバルト濃度のＣｕ−Ｃｏ薄膜は銅とコバルトの共蒸着
によって形成された。図４において、曲線５６は８．３
原子パーセントのコバルトを含む薄膜についてのもので
ある。同様に曲線５８、６０、６２および６４はそれぞ
れ、５．４，１．４，１．１および０．６原子パーセン
トのコバルトを含む薄膜についてのものである。図４に
おいて、銅・コバルト薄膜は形成された後、温度を２３
℃から４５０℃に上げ、それから室温に冷却することに
よりアニールされた。図４に示したように、特に曲線５
６と５８で、薄膜の温度を２００から４５０℃の範囲で
アニールあるいは上昇させると、直径３０μｍ未満の
（１１０）配向の粒子が得られた。粒子の成長は、銅・
コバルト合金からのコバルトの沈殿と関連しているよう
に見える。これは、図４の曲線５６、５８で示されるよ
うに抵抗の急な不可逆的減少も起こす。
Ｃｏ薄膜の、温度に対する層３４の面積抵抗の関係を示
すグラフである。図４において、縦座標は面積抵抗（オ
ーム／単位面積）で横座標は温度（℃）を示す。種々な
コバルト濃度のＣｕ−Ｃｏ薄膜は銅とコバルトの共蒸着
によって形成された。図４において、曲線５６は８．３
原子パーセントのコバルトを含む薄膜についてのもので
ある。同様に曲線５８、６０、６２および６４はそれぞ
れ、５．４，１．４，１．１および０．６原子パーセン
トのコバルトを含む薄膜についてのものである。図４に
おいて、銅・コバルト薄膜は形成された後、温度を２３
℃から４５０℃に上げ、それから室温に冷却することに
よりアニールされた。図４に示したように、特に曲線５
６と５８で、薄膜の温度を２００から４５０℃の範囲で
アニールあるいは上昇させると、直径３０μｍ未満の
（１１０）配向の粒子が得られた。粒子の成長は、銅・
コバルト合金からのコバルトの沈殿と関連しているよう
に見える。これは、図４の曲線５６、５８で示されるよ
うに抵抗の急な不可逆的減少も起こす。
【００２８】図５には、合金層３８の極小部分の図を示
す。磁性粒子４０は銅マトリックス４２内に分散してお
り、合金層３８の銅は（１００）集合組織と、立方晶系
の結晶単位セルを有する。磁性粒子７２、７４（Ｎｉ−
Ｃｏまたは、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｕ）も結晶学的構成では立
方晶系である。磁性粒子７２、７４立方晶系の単位セル
では、磁化容易軸は（００１）方向でそれぞれ矢印７
６、７７で示される。また、（１００）方向での磁化容
易軸は磁性粒子７２、７４に対し、それぞれ矢印７８、
７９で示される。磁性粒子７２、７４の軸（００１）は
互いに、また合金層３８の面内で平行であり、軸（１０
０）も互いに、また合金層３８の面内で平行である。そ
の軸は、磁性粒子が（１００）組織層から、あるいはそ
の内部で沈殿することにより互いに平行である。合金層
３８の面内における単位セルの角間の斜方向は、磁化困
難軸方向にある。その磁化困難軸方向は矢印８０、８１
で示され、矢印７６−７９によって示される磁化容易軸
方向に対して４５度の角度をなす。磁化容易軸は立方晶
系単位セルの側面エッジに対応する。図５の粒子７２、
７４は立方体として示されているが、粒子７２、７４の
実際の物理的形状は扁球に近い、あるいはほぼ扁球であ
る。（０１０）方向の磁化容易軸は、磁性粒子７２、７
４に対し、それぞれ矢印８２、８３で示すように合金層
３８に直交する。扁球形状の異方性は（０１０）方向の
磁化容易軸の磁気成分を減少させるので、その値は面内
磁化容易軸の磁気成分よりかなり小さくなる。
す。磁性粒子４０は銅マトリックス４２内に分散してお
り、合金層３８の銅は（１００）集合組織と、立方晶系
の結晶単位セルを有する。磁性粒子７２、７４（Ｎｉ−
Ｃｏまたは、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｕ）も結晶学的構成では立
方晶系である。磁性粒子７２、７４立方晶系の単位セル
では、磁化容易軸は（００１）方向でそれぞれ矢印７
６、７７で示される。また、（１００）方向での磁化容
易軸は磁性粒子７２、７４に対し、それぞれ矢印７８、
７９で示される。磁性粒子７２、７４の軸（００１）は
互いに、また合金層３８の面内で平行であり、軸（１０
０）も互いに、また合金層３８の面内で平行である。そ
の軸は、磁性粒子が（１００）組織層から、あるいはそ
の内部で沈殿することにより互いに平行である。合金層
３８の面内における単位セルの角間の斜方向は、磁化困
難軸方向にある。その磁化困難軸方向は矢印８０、８１
で示され、矢印７６−７９によって示される磁化容易軸
方向に対して４５度の角度をなす。磁化容易軸は立方晶
系単位セルの側面エッジに対応する。図５の粒子７２、
７４は立方体として示されているが、粒子７２、７４の
実際の物理的形状は扁球に近い、あるいはほぼ扁球であ
る。（０１０）方向の磁化容易軸は、磁性粒子７２、７
４に対し、それぞれ矢印８２、８３で示すように合金層
３８に直交する。扁球形状の異方性は（０１０）方向の
磁化容易軸の磁気成分を減少させるので、その値は面内
磁化容易軸の磁気成分よりかなり小さくなる。
【００２９】ニッケル・コバルト合金の磁性粒子含有の
配向した粒子層を持つ巨大磁気抵抗センサについて説明
し、かつ図解したが、特許請求の範囲を逸脱しない限り
において当業者により種々の改良や変更が可能であるこ
とは言うまでもない。
配向した粒子層を持つ巨大磁気抵抗センサについて説明
し、かつ図解したが、特許請求の範囲を逸脱しない限り
において当業者により種々の改良や変更が可能であるこ
とは言うまでもない。
【００３０】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００３１】（１）磁性粒子を分散させた電気伝導性マ
トリックスを有し、前記磁性粒子は直径あるいは長さが
４０から４００オングストロームの範囲である単一磁区
の大きさのものであり、０から３×１０4 ｅｒｇｓ／
ｃｍ3の範囲の磁気結晶異方性定数Ｋ1と３０ｐｐｍ未満
の磁気ひずみ定数λを有することを特徴とする磁気抵抗
センサ。 （２）上記磁性粒子は結晶学的に配向されて、該磁性粒
子の各磁化容易軸は互いにほぼ平行となることを特徴と
する上記（１）に記載の磁気抵抗センサ。 （３）上記電気伝導性マトリックス中の上記磁性粒子の
体積率は５から２５体積パーセントの範囲にあることを
特徴とする上記（１）に記載の磁気抵抗センサ。 （４）上記電気伝導性マトリックスはＡｇ、Ａｕ、Ｎ
ｉ、Ｆｅ、およびそれらの合金からなるグループより選
択されることを特徴とする上記（１）に記載の磁気抵抗
センサ。 （５）上記磁性粒子はＮｉ−Ｆｅ合金を含むことを特徴
とする上記（１）に記載の磁気抵抗センサ。 （６）上記電気伝導性マトリックスはＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏ
およびそれらの合金からなるグループより選択されるこ
とを特徴とする上記（１）に記載の磁気抵抗センサ。 （７）上記磁性粒子はＮｉ−Ｃｏ合金を含むことを特徴
とする上記（１）に記載の磁気抵抗センサ。 （８）基板と、上記基板上に形成した第１層と、上記第
１層は銅マトリックス中に単一結晶磁区の粒子を有し、
上記粒子はＣｏの量が４から２０パーセントであるＮｉ
とＣｏの合金を有し、互いに間隔をあけて置かれた、上
記第１層とオーム接触した第１および第２接触手段とを
有することを特徴とする磁界検出用の巨大磁気抵抗セン
サ。 （９）上記接触手段に接続して上記第１層を介して電流
を流す電流源を、さらに有することを特徴とする上記
（８）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （１０）上記粒子の各磁化容易軸は上記第１層の面内に
あることを特徴とする上記（８）に記載の巨大磁気抵抗
センサ。 （１１）上記合金はＣｕを有することを特徴とする上記
（８）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （１２）上記マトリックスおよび上記粒子は（１００）
集合組織で成長した層から、上記粒子の沈殿により形成
されることを特徴とする上記（８）に記載の巨大磁気抵
抗センサ。 （１３）上記第１層に隣接し、かつ、その下に位置した
実質的な（１００）集合組織を有する、Ｃｏの量が０．
５から１０原子パーセントの範囲にある希薄Ｃｕ−Ｃｏ
合金の第２層をさらに有することを特徴とする上記
（８）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （１４）上記基板は（１００）配向した上面を有する単
結晶Ｓｉであることを特徴とする上記（８）に記載の巨
大磁気抵抗センサ。 （１５）上記上面上に形成された（１００）配向上面を
有するＣｕ層をさらに有することを特徴とする上記（１
４）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （１６）上記粒子は、４０から４００オングストローム
の範囲の最大寸法を有することを特徴とする上記（８）
に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （１７）上記銅マトリックス中の上記粒子の体積率は５
から２５体積パーセントの範囲にあることを特徴とする
上記（８）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （１８）上記粒子は０から３×１０4 ｅｒｇｓ／ｃｍ3
の範囲の磁気結晶異方性定数Ｋ1と３０ｐｐｍ未満の磁
気ひずみ定数λを有することを特徴とする上記（８）に
記載の巨大磁気抵抗センサ。 （１９）（１００）集合組織と共にＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏの
層を形成する工程と、上記層内にＮｉ1-XＣｏX合金を有
する磁性粒子を沈殿させる工程とからなり、Ｘは４から
２０原子パーセントの範囲にあることを特徴とする巨大
磁気抵抗センサを形成する方法。 （２０）上記Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏの層を形成する工程の前
に、（１００）上面を有する単結晶材料の層を形成する
工程をさらに有することを特徴とする上記（１９）に記
載の巨大磁気抵抗センサを形成する方法。 （２１）上記沈殿工程は、２００から５００℃の範囲の
温度で上記層をアニールする工程を含むことを特徴とす
る上記（１９）に記載の巨大磁気抵抗センサを形成する
方法。 （２２）上記層中の上記磁性粒子の体積比を５から２５
体積パーセントの範囲となるように、上記Ｃｕ、Ｎｉ、
Ｃｏ原子パーセントとアニール温度を選択し、該選択さ
れたアニール温度でアニールする工程をさらに有するこ
とを特徴とする上記（１９）に記載の巨大磁気抵抗セン
サを形成する方法。 （２３）基板と、上記基板上に形成した第１層と、上記
第１層はＡｇ、Ａｕおよびその合金からなるグループか
ら選択したマトリックス中に単一結晶磁区の粒子を有
し、上記第１層は実質的に（１００）集合組識を有し、
上記粒子はＦｅの量が４から２０パーセントであるＮｉ
とＦｅの合金を有し、互いに間隔をあけて置かれた、上
記第１層とオーム接触した第１および第２接触手段とを
有することを特徴とする磁界検出用の巨大磁気抵抗セン
サ。 （２４）上記接触手段に接続して上記第１層を介して電
流を流す電流源を、さらに有することを特徴とする上記
（２３）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （２５）上記粒子の各磁化容易軸は上記第１層の面内に
あることを特徴とする上記（２３）に記載の巨大磁気抵
抗センサ。 （２６）上記ＮｉとＦｅの合金は上記マトリックスから
溶出した原子を含むことを特徴とする上記（２３）に記
載の巨大磁気抵抗センサ。 （２７）上記マトリックスおよび上記粒子は（１００）
集合組織で成長した層から、上記粒子の沈殿により形成
されることを特徴とする上記（２３）に記載の巨大磁気
抵抗センサ。 （２８）上記第１層に隣接し、かつ、その下に位置した
実質的な（１００）集合組織を有する第２層をさらに有
することを特徴とする上記（２３）に記載の巨大磁気抵
抗センサ。 （２９）上記基板は（１００）配向した上面を有する単
結晶半導体であることを特徴とする上記（２３）に記載
の巨大磁気抵抗センサ。 （３０）上記上面上に形成された（１００）配向上面を
有するＡｇ、Ａｕ、ＳｉＧｅおよびそれらの合金からな
るグループから選択した層をさらに有することを特徴と
する上記（２９）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （３１）上記粒子は、４０から４００オングストローム
の範囲の最大寸法を有することを特徴とする上記（２
３）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （３２）上記マトリックス中の上記粒子の体積率は５か
ら２５体積パーセントの範囲にあることを特徴とする上
記（２３）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （３３）上記粒子は０から３×１０4 ｅｒｇｓ／ｃｍ3
の範囲の磁気結晶異方性定数Ｋ1と３０ｐｐｍ未満の磁
気ひずみ定数λを有することを特徴とする上記（２３）
に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （３４）（１００）組織と共にＡ、Ｎｉ、Ｆｅの層を形
成する工程と、上記層内にＮｉ1-XＦｅX合金を有する磁
性粒子を沈殿させる工程とからなり、上記ＡはＡｇ、Ａ
ｕおよびそれらの合金からなるグループから選択され、
上記Ｘは４から２０原子パーセントの範囲にあることを
特徴とする巨大磁気抵抗センサを形成する方法。 （３５）Ａ、Ｎｉ、Ｆｅの層を形成する工程の前に、
（１００）上面を有する単結晶材料の層を形成する工程
をさらに有することを特徴とする上記（３４）に記載の
巨大磁気抵抗センサを形成する方法。 （３６）上記沈殿工程は、１００から５００℃の範囲の
温度で上記層をアニールする工程を含むことを特徴とす
る上記（３４）に記載の巨大磁気抵抗センサを形成する
方法。 （３７）上記層中の上記磁性粒子の体積比を５から２５
体積パーセントの範囲となるように、上記Ａ、Ｎｉ、Ｆ
ｅの原子パーセントとアニール温度を選択する工程と、
該選択されたアニール温度でアニールする工程をさらに
有することを特徴とする上記（３４）に記載の巨大磁気
抵抗センサを形成する方法。
トリックスを有し、前記磁性粒子は直径あるいは長さが
４０から４００オングストロームの範囲である単一磁区
の大きさのものであり、０から３×１０4 ｅｒｇｓ／
ｃｍ3の範囲の磁気結晶異方性定数Ｋ1と３０ｐｐｍ未満
の磁気ひずみ定数λを有することを特徴とする磁気抵抗
センサ。 （２）上記磁性粒子は結晶学的に配向されて、該磁性粒
子の各磁化容易軸は互いにほぼ平行となることを特徴と
する上記（１）に記載の磁気抵抗センサ。 （３）上記電気伝導性マトリックス中の上記磁性粒子の
体積率は５から２５体積パーセントの範囲にあることを
特徴とする上記（１）に記載の磁気抵抗センサ。 （４）上記電気伝導性マトリックスはＡｇ、Ａｕ、Ｎ
ｉ、Ｆｅ、およびそれらの合金からなるグループより選
択されることを特徴とする上記（１）に記載の磁気抵抗
センサ。 （５）上記磁性粒子はＮｉ−Ｆｅ合金を含むことを特徴
とする上記（１）に記載の磁気抵抗センサ。 （６）上記電気伝導性マトリックスはＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏ
およびそれらの合金からなるグループより選択されるこ
とを特徴とする上記（１）に記載の磁気抵抗センサ。 （７）上記磁性粒子はＮｉ−Ｃｏ合金を含むことを特徴
とする上記（１）に記載の磁気抵抗センサ。 （８）基板と、上記基板上に形成した第１層と、上記第
１層は銅マトリックス中に単一結晶磁区の粒子を有し、
上記粒子はＣｏの量が４から２０パーセントであるＮｉ
とＣｏの合金を有し、互いに間隔をあけて置かれた、上
記第１層とオーム接触した第１および第２接触手段とを
有することを特徴とする磁界検出用の巨大磁気抵抗セン
サ。 （９）上記接触手段に接続して上記第１層を介して電流
を流す電流源を、さらに有することを特徴とする上記
（８）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （１０）上記粒子の各磁化容易軸は上記第１層の面内に
あることを特徴とする上記（８）に記載の巨大磁気抵抗
センサ。 （１１）上記合金はＣｕを有することを特徴とする上記
（８）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （１２）上記マトリックスおよび上記粒子は（１００）
集合組織で成長した層から、上記粒子の沈殿により形成
されることを特徴とする上記（８）に記載の巨大磁気抵
抗センサ。 （１３）上記第１層に隣接し、かつ、その下に位置した
実質的な（１００）集合組織を有する、Ｃｏの量が０．
５から１０原子パーセントの範囲にある希薄Ｃｕ−Ｃｏ
合金の第２層をさらに有することを特徴とする上記
（８）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （１４）上記基板は（１００）配向した上面を有する単
結晶Ｓｉであることを特徴とする上記（８）に記載の巨
大磁気抵抗センサ。 （１５）上記上面上に形成された（１００）配向上面を
有するＣｕ層をさらに有することを特徴とする上記（１
４）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （１６）上記粒子は、４０から４００オングストローム
の範囲の最大寸法を有することを特徴とする上記（８）
に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （１７）上記銅マトリックス中の上記粒子の体積率は５
から２５体積パーセントの範囲にあることを特徴とする
上記（８）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （１８）上記粒子は０から３×１０4 ｅｒｇｓ／ｃｍ3
の範囲の磁気結晶異方性定数Ｋ1と３０ｐｐｍ未満の磁
気ひずみ定数λを有することを特徴とする上記（８）に
記載の巨大磁気抵抗センサ。 （１９）（１００）集合組織と共にＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏの
層を形成する工程と、上記層内にＮｉ1-XＣｏX合金を有
する磁性粒子を沈殿させる工程とからなり、Ｘは４から
２０原子パーセントの範囲にあることを特徴とする巨大
磁気抵抗センサを形成する方法。 （２０）上記Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏの層を形成する工程の前
に、（１００）上面を有する単結晶材料の層を形成する
工程をさらに有することを特徴とする上記（１９）に記
載の巨大磁気抵抗センサを形成する方法。 （２１）上記沈殿工程は、２００から５００℃の範囲の
温度で上記層をアニールする工程を含むことを特徴とす
る上記（１９）に記載の巨大磁気抵抗センサを形成する
方法。 （２２）上記層中の上記磁性粒子の体積比を５から２５
体積パーセントの範囲となるように、上記Ｃｕ、Ｎｉ、
Ｃｏ原子パーセントとアニール温度を選択し、該選択さ
れたアニール温度でアニールする工程をさらに有するこ
とを特徴とする上記（１９）に記載の巨大磁気抵抗セン
サを形成する方法。 （２３）基板と、上記基板上に形成した第１層と、上記
第１層はＡｇ、Ａｕおよびその合金からなるグループか
ら選択したマトリックス中に単一結晶磁区の粒子を有
し、上記第１層は実質的に（１００）集合組識を有し、
上記粒子はＦｅの量が４から２０パーセントであるＮｉ
とＦｅの合金を有し、互いに間隔をあけて置かれた、上
記第１層とオーム接触した第１および第２接触手段とを
有することを特徴とする磁界検出用の巨大磁気抵抗セン
サ。 （２４）上記接触手段に接続して上記第１層を介して電
流を流す電流源を、さらに有することを特徴とする上記
（２３）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （２５）上記粒子の各磁化容易軸は上記第１層の面内に
あることを特徴とする上記（２３）に記載の巨大磁気抵
抗センサ。 （２６）上記ＮｉとＦｅの合金は上記マトリックスから
溶出した原子を含むことを特徴とする上記（２３）に記
載の巨大磁気抵抗センサ。 （２７）上記マトリックスおよび上記粒子は（１００）
集合組織で成長した層から、上記粒子の沈殿により形成
されることを特徴とする上記（２３）に記載の巨大磁気
抵抗センサ。 （２８）上記第１層に隣接し、かつ、その下に位置した
実質的な（１００）集合組織を有する第２層をさらに有
することを特徴とする上記（２３）に記載の巨大磁気抵
抗センサ。 （２９）上記基板は（１００）配向した上面を有する単
結晶半導体であることを特徴とする上記（２３）に記載
の巨大磁気抵抗センサ。 （３０）上記上面上に形成された（１００）配向上面を
有するＡｇ、Ａｕ、ＳｉＧｅおよびそれらの合金からな
るグループから選択した層をさらに有することを特徴と
する上記（２９）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （３１）上記粒子は、４０から４００オングストローム
の範囲の最大寸法を有することを特徴とする上記（２
３）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （３２）上記マトリックス中の上記粒子の体積率は５か
ら２５体積パーセントの範囲にあることを特徴とする上
記（２３）に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （３３）上記粒子は０から３×１０4 ｅｒｇｓ／ｃｍ3
の範囲の磁気結晶異方性定数Ｋ1と３０ｐｐｍ未満の磁
気ひずみ定数λを有することを特徴とする上記（２３）
に記載の巨大磁気抵抗センサ。 （３４）（１００）組織と共にＡ、Ｎｉ、Ｆｅの層を形
成する工程と、上記層内にＮｉ1-XＦｅX合金を有する磁
性粒子を沈殿させる工程とからなり、上記ＡはＡｇ、Ａ
ｕおよびそれらの合金からなるグループから選択され、
上記Ｘは４から２０原子パーセントの範囲にあることを
特徴とする巨大磁気抵抗センサを形成する方法。 （３５）Ａ、Ｎｉ、Ｆｅの層を形成する工程の前に、
（１００）上面を有する単結晶材料の層を形成する工程
をさらに有することを特徴とする上記（３４）に記載の
巨大磁気抵抗センサを形成する方法。 （３６）上記沈殿工程は、１００から５００℃の範囲の
温度で上記層をアニールする工程を含むことを特徴とす
る上記（３４）に記載の巨大磁気抵抗センサを形成する
方法。 （３７）上記層中の上記磁性粒子の体積比を５から２５
体積パーセントの範囲となるように、上記Ａ、Ｎｉ、Ｆ
ｅの原子パーセントとアニール温度を選択する工程と、
該選択されたアニール温度でアニールする工程をさらに
有することを特徴とする上記（３４）に記載の巨大磁気
抵抗センサを形成する方法。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、満足なΔＲ／Ｒを得る
ための高磁界を必要とする問題を克服し、異方性の小さ
い磁性粒子を有する粒子薄膜を設けることにより、ΔＲ
／Ｒを得るための飽和磁界は１０乃至２０Ｏｅ程度に低
くなる。
ための高磁界を必要とする問題を克服し、異方性の小さ
い磁性粒子を有する粒子薄膜を設けることにより、ΔＲ
／Ｒを得るための飽和磁界は１０乃至２０Ｏｅ程度に低
くなる。
【図１】本発明の実施例による巨大磁気抵抗センサを示
す概略斜視図である。
す概略斜視図である。
【図２】図１の線２−２に沿った断面図である。
【図３】図２の部分を示す拡大図である。
【図４】Ｃｏの含有量を変化させたＣｕ−Ｃｏ薄膜の温
度に対する面積抵抗の関係を示すグラフである。
度に対する面積抵抗の関係を示すグラフである。
【図５】結晶学的に配向した金属マトリックス内に間隔
をあけて存在する磁性粒子とその磁気軸を示す図であ
る。
をあけて存在する磁性粒子とその磁気軸を示す図であ
る。
１０ 巨大磁気抵抗センサ １２ 磁気媒体 １４ モータ １６ アーム １８ アーム ２０ 基板 ２２ リード線 ２４ 電流源 ２６ データ検出機 ２８ リード線 ３２ 基板の下面 ３４ 絶縁層あるいは伝導層 ３６ 絶縁層下面 ３８ 磁性粒子を含む合金層 ４０ 磁性粒子 ４６ コンタクトまたは電極 ４８ コンタクトまたは電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェイムズ・マッケル・エドウィン・ハ ーパー アメリカ合衆国10598、ニューヨーク州、 ヨークタウン・ハイツ、エリザベス・ロ ード 507 (72)発明者 トマス・ロシェ・マックガイア アメリカ合衆国10598、ニューヨーク州、 ヨークタウン・ハイツ、マジソン・コー ト 620 (72)発明者 トマス・スタンレイ・プラスケット アメリカ合衆国10536、ニューヨーク州、 ケイトナ、ホリー・ヒル・レイン 12 (56)参考文献 特開 平６−140687（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/39
Claims (24)
- 【請求項１】直径または長さが４０から４００オングス
トロームの範囲にある単一磁区の大きさの磁性粒子が５
から２５体積パーセントの範囲で分散されている電気伝
導性マトリックスを含む磁気抵抗センサであって、 上記磁性粒子は、０から３×１０4 ｅｒｇｓ／ｃｍ3の
範囲の磁気結晶異方性定数Ｋ1と３０ｐｐｍ未満の磁気
ひずみ定数λを有し、かつ、該磁性粒子の各磁化容易軸
が相互に実質的に平行になるように結晶学的に配向され
て減少した飽和磁界を有することを 特徴とする磁気抵抗
センサ。 - 【請求項２】上記電気伝導性マトリックスはＡｇ、Ａ
ｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、およびそれらの合金からなるグループ
より選択されることを特徴とする請求項１に記載の磁気
抵抗センサ。 - 【請求項３】上記磁性粒子はＮｉ−Ｆｅ合金を含むこと
を特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項４】上記電気伝導性マトリックスはＣｕ、Ｎ
ｉ、Ｃｏおよびそれらの合金からなるグループより選択
されることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗セン
サ。 - 【請求項５】上記磁性粒子はＮｉ−Ｃｏ合金を含むこと
を特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項６】基板と、 上記基板上に形成した第１層と、 上記第１層にそれぞれオーム接触され、離隔して配置さ
れている第１および第２の接触手段とを含む磁界検出用
の巨大磁気抵抗センサであって、 上記第１層は、直径または長さが４０から４００オング
ストロームの範囲にある単一磁区の大きさの磁性粒子が
５から２５体積パーセントの範囲で分散されて いる銅マ
トリックスから成り、 上記磁性粒子は、Ｃｏの量が４から２０パーセントの範
囲にあって０から３××１０4 ｅｒｇｓ／ｃｍ3の範囲
の磁気結晶異方性定数Ｋ1と３０ｐｐｍ未満の磁気ひず
み定数λを有するＮｉーＣｏ合金から成り、 減少した飽和磁界を有することを 特徴とする磁気抵抗セ
ンサ。 - 【請求項７】上記接触手段に接続して上記第１層を介し
て電流を流す電流源を、さらに有することを特徴とする
請求項６に記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項８】上記粒子の各磁化容易軸は上記第１層の面
内にあることを特徴とする請求項６に記載の巨大磁気抵
抗センサ。 - 【請求項９】上記合金はＣｕを含有することを特徴とす
る請求項６に記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項１０】上記マトリックスおよび上記粒子は（１
００）集合組織で成長した層から、上記粒子の沈殿によ
り形成されることを特徴とする請求項６に記載の磁気抵
抗センサ。 - 【請求項１１】上記基板は（１００）配向した上面を有
する単結晶Ｓｉであることを特徴とする請求項６に記載
の磁気抵抗センサ。 - 【請求項１２】上記上面上に形成された（１００）配向
上面を有するＣｕ層をさらに有することを特徴とする請
求項１１に記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項１３】Ｃｏの量が０．５から１０原子パーセン
トの範囲のＮｉーＣｏ合金の実質的な（１００）集合組
織を有する第２層が上記第１層の下面に隣接して付着さ
れていることを特徴とする請求項６に記載の磁気抵抗セ
ンサ。 - 【請求項１４】基板と、 上記基板上に形成した第１層と、 上記第１層はＡｇ、Ａｕおよびその合金からなるグルー
プから選択したマトリックス中に単一結晶磁区の粒子を
有し、上記第１層は実質的に（１００）集合組織を有
し、上記粒子はＦｅの量が４から２０パーセントである
ＮｉとＦｅの合金を有し、 互いに間隔をあけて置かれた、上記第１層とオーム接触
した第１および第２接触手段とを有することを特徴とす
る磁界検出用の巨大磁気抵抗センサ。 - 【請求項１５】上記接触手段に接続して上記第１層を介
して電流を流す電流源を、さらに有することを特徴とす
る請求項１４に記載の巨大磁気抵抗センサ。 - 【請求項１６】上記粒子の各磁化容易軸は上記第１層の
面内にあることを特徴とする請求項１４に記載の巨大磁
気抵抗センサ。 - 【請求項１７】上記ＮｉとＦｅの合金は上記マトリック
スから溶出した原子を含むことを特徴とする請求項１４
に記載の巨大磁気抵抗センサ。 - 【請求項１８】上記マトリックスおよび上記粒子は（１
００）集合組織で成長した層から、上記粒子の沈殿によ
り形成されることを特徴とする請求項１４に記載の巨大
磁気抵抗センサ。 - 【請求項１９】上記第１層に隣接し、かつ、その下に位
置した実質的な（１００）集合組織を有する第２層をさ
らに有することを特徴とする請求項１４に記載の巨大磁
気抵抗センサ。 - 【請求項２０】上記基板は（１００）配向した上面を有
する単結晶半導体であることを特徴とする請求項１４に
記載の巨大磁気抵抗センサ。 - 【請求項２１】上記上面上に形成された（１００）配向
上面を有するＡｇ、Ａｕ、ＳｉＧｅおよびそれらの合金
からなるグループから選択した層をさらに有することを
特徴とする請求項２０に記載の巨大磁気抵抗センサ。 - 【請求項２２】上記粒子は、４０から４００オングスト
ロームの範囲の最大寸法を有することを特徴とする請求
項１４に記載の巨大磁気抵抗センサ。 - 【請求項２３】上記マトリックス中の上記粒子の体積率
は５から２５体積パーセントの範囲にあることを特徴と
する請求項１４に記載の巨大磁気抵抗センサ。 - 【請求項２４】上記粒子は０から３×１０4 ｅｒｇｓ
／ｃｍ3の範囲の磁気結晶異方性定数Ｋ1と３０ｐｐｍ未
満の磁気ひずみ定数λを有することを特徴とする請求項
１４に記載の巨大磁気抵抗センサ。
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| US145379 | 1993-10-29 | ||
| US08/145,379 US5422621A (en) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | Oriented granular giant magnetoresistance sensor |
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