JP2758284B2 - 電気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリを備えたカウンタ - Google Patents
電気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリを備えたカウンタInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，プリンタ装置等におけ
る総印刷枚数（累積カウント値）を記憶するのに有用な
電気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリ（ＥＥＰＲ
Ｍ）を備えたカウンタに関する。 【０００２】 【従来の技術】プリンタ等においては，印刷用紙枚数を
一枚ずつカウントして累積し，使用を開始してからの総
印刷枚数を記憶するようにして，プリンタの保守管理デ
ータとして用いられるようにしている。そして，そのよ
うな総印刷枚数のカンウト値は電気的に消去可能な不揮
発性メモリ（以後，ＥＥＰＲＯＭと称する）に記録し，
電源が絶たれてもカウント値が保存されるようにしてい
る。 【０００３】図４は従来のプリンタの総印刷枚数のカウ
ンタを示す。図 (a)は，カウンタの構成を示す。図にお
いて，４０はカウント要求部であって，印刷用紙一枚の
印刷実行毎にカウント値の更新要求をするものである。
４１はメモリであって，１６ビット／ワード×ｎワード
のＥＥＰＲＯＭにより構成され，総印刷枚数を記憶する
ものである。４２はメモリ書き換え制御部であって，カ
ウント要求部４０に基づいて，メモリ４１のデータを読
み出して，更新し（読み出したデータに＋１する），メ
モリ４１を消去して，更新したデータを書き込むもので
ある。４３はメモリ消去部であって，メモリ４１のデー
タを消去するものである（通常は，ＥＥＰＲＯＭ内部に
あってメモリの全ビットを１とすることによりデータ消
去を行う）。 【０００４】図 (b)は，カウンタの動作フローである。
図示の番号に従ってフローを説明する。 (1) メモリ書き換え制御部４２は，カウント要求部４
０からのカウント値要求を入力すると，メモリ（ＥＥＰ
ＲＯＭ）４１から記憶されているカウント値を読み出
す。 【０００５】(2) メモリ書き換え制御部４２は読み出
したカウント値に１を加算してカウント値を更新する。 (3) メモリ書き換え制御部４２は，メモリ消去部４３
にメモリ消去を指示する。メモリ消去部４３はメモリ４
１を消去する（通常，消去はメモリの全ビットを１に書
き換えることにより行われる）。 【０００６】(4) メモリ書き換え制御部４２は，更新
したカウント値をメモリ４１に書き込む。図５は，従来
のカウンタのカウント方式を示す。 【０００７】図において，５１〜５４は１ワード（１６
ビット）のＥＥＰＲＯＭを示す。従来の，プリンタの総
印刷枚数のカウンタでは，１ワード（１６ビット）のＥ
ＥＰＲＯＭ５１〜５４を用いて２進方式でカウントして
いた。 【０００８】図において，５１は総印刷枚数が１のとき
のメモリの状態，５２は総印刷枚数が２のメモリの状
態，５３は総印刷枚数が３の状態，５４は総印刷枚数が
１万の状態を表す。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】従来のプリンタにおけ
る総印刷枚数の記憶は，上記のように，１ワード（１６
ビット）のＥＥＰＲＯＭに，用紙一枚の印刷実行毎にメ
モリの消去と，更新したカウント値を２進方式で記憶す
るようにしていた。 【００１０】ところで，ＥＥＰＲＯＭの書き換え可能な
回数は通常１万回程度であり，書き換えられるメモリの
ビット位置は下位ビットが多いので，ほぼカウント１万
回程度で書き換え不能になる。一方，プリンタの寿命
は，総印刷枚数３０万〜５０万枚程度もしくはそれ以上
である。 【００１１】そのため，従来のカウント方式では，プリ
ンタの寿命が総印刷枚数５０万枚の場合には，ＥＥＰＲ
ＯＭの容量が，１６ビット／ワード×５０ワード＝８０
０ビット必要となり，プリンタ寿命がそれ以上の場合に
は，さらに多くのＥＥＰＲＯＭ容量を必要とした。 【００１２】本発明は，少ない容量で，大きなカウント
値まで更新可能な電気的に書き込み消去可能な不揮発性
メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）を用いたカウンタを提供するこ
とを目的とする。 【００１３】 【課題を解決するための手段】本発明は，電気的に書き
込み消去可能な不揮発性メモリを備えたカウンタにおい
て，ｎビットのうちの１ビットのみを他のビットと異な
らしめ，該１ビットの位置でカウント値を表すｎ中１カ
ウント方式の不揮発性メモリのカウンタ（１）と，前記
ｎ中１カウント方式のカウンタからのオーバフローをカ
ウントする２進カウント方式の不揮発性メモリのカウン
タ（２）と，それぞれのカウント方式に基づいてそれぞ
れの不揮発性メモリのカウンタを更新するカウンタ制御
部（３）とを備え，不揮発性メモリの消去した時の状態
での論理値を消去論理値，不揮発性メモリに該消去論理
値と異なる論理値を書き込む時の論理値を書き込み論理
値とした時，カウント値を表す該１ビットの論理値は不
揮発性メモリの該書き込み論理値であり，該他のビット
は不揮発性メモリの該消去論理値であるようにした。 【００１４】図１は，本発明の基本構成を示す。図にお
いて，１は電気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリ
（ＥＥＰＲＯＭ）であって，ｎ中１カウント方式により
カウントするカウンタ部である。２は，第１のカウンタ
部のオーバフローを２進カウント方式でカウントするカ
ウンタを設定したものである。３はカウンタ制御部であ
って，第１のカウンタ，第２のカウンタの値を読み出
し，カウント値の更新，第１のカウンタ，第２のカウン
タの書き込み制御を行うものである。４は読み出し制御
部であって，第１のカウンタおよび第２のカウンタの値
を読み出すものである。５は更新部であって，カウント
値の更新を示すカウントデータ入力に基づいて，読み出
したカウント値に１を加算して，カウント値を更新する
ものである。７はメモリ消去部であって，第１のカウン
タ，第２のカウンタを消去するものである。８はカウン
ト要求部であって，印刷実行毎にカウンタ制御部３にカ
ウント値の更新を要求するものである。 【００１５】 【作用】消去は全ビットを１に書き換えることにより行
う不揮発性メモリを使用する場合について説明する。そ
のようなメモリの場合には，本発明のｎ中１カウント方
式はカウント値は１ビットのみ０とし，他のビットは全
て値を１とする。そして，値０のビットの位置でカウン
トを表すようにし，カウント値を１加算する毎に０値の
ビット位置を左シフトしてカウント値するものとする。 【００１６】図示の丸つきの番号に従って，説明する。
例えば，印刷実行処理により，カウント要求部８
は，カウント値の更新をカウンタ制御部３に指示する。 【００１７】 読み出し制御部４は第１のカウンタと
第２のカウンタのデータを読み出す。 更新部５は読
み出し制御部４の読み出した値に１を加算し，カウント
値を更新する。 【００１８】 書き込み制御部６は，更新部５で更新
されたカウント値を受け取る。 書き込み制御部６
は，メモリ消去部７にメモリの消去を指示する。このと
き，第１のカウンタにオーバフローが生じたときは，第
１のカウンタと第２のカウンタの両方を消去し，オーバ
フローがなかった場合は，第１のカウンタだけを消去す
るように指示する。 【００１９】 メモリ消去部７は，指示された第１の
カウンタもしくは第２のカウンタを消去する。 書き
込み制御部６は，オーバフローがあった場合は第１と第
２のカウンタに更新値を書き込み，オーバフローがなか
った場合は第１のカウンタにのみ更新値の書き込み制御
を行う。 【００２０】上記の構成においては，第１のカウンタの
不揮発性メモリは，消去を全ビットの値を１にすること
により行うものなので，第１のカウンタを書き換えると
きは，値０のビットが含まれるワードのみを消去すれば
良い。そのため，例えば，第１のカウンタとして，３ワ
ードで構成するとすれば，ｎ＝４８で，４８枚カウント
するまでに各ビットの書き換え回数は１回だけとなる。
通常ＥＥＰＲＯＭの各ビットは，１万回程度の書き換え
が可能であるので，４８万回の書き換えが可能になる。
従って，上記のような構成によれば，４８万枚程度のカ
ウントは可能となる。 【００２１】従って，本発明によれば，例えば，４ワー
ド構成のメモリを使用する場合，第１のカウンタとして
３ワードを割り当てることにより，第２のカウンタとし
て１ワードで，４８万枚のカウントが可能になる。従来
の方式においては，４８万枚のカウントには１ワード
（１６ビット）のＥＥＰＲＯＭ４８ワード程度を必要と
していたので，本発明の方式によれば，大幅に不揮発性
メモリの使用数を削減することが可能になる。 【００２２】なお，上記の構成は，メモリの消去は全ビ
ット１にすることにより行う不揮発性メモリを使用し，
ｎ中１カウント方式のメモリのカウントは０値のビット
位置により表すようにしたが，全ビット位置を０値に書
き換えることにより消去を行う不揮発性メモリの場合
は，第１の不揮発性メモリの１ビットのみを１値とし，
他のビットは全て０値とし，１値のビット位置によりカ
ウント値を表すｎ中１カウント方式により行うようにす
る。 【００２３】また，図１の構成では，メモリに記憶され
ている値の更新時に，更新部５が各カウンタから，値を
読み出すよう指示しているが，更新値を各カウンタに書
き込む際に，同じ値をレジスタに保持しておき，そのレ
ジスタの値を読み出して，更新するようにしてもよい。 【００２４】 【実施例】本発明の実施例を図２に示す。図において，
２１１〜２１３は，３ワード（４８ビット）のメモリを
構成し４８中１カウント方式によりカウント値を記憶す
るようにしたものである。２１４は，３ワードのメモリ
（２１１〜２１３）からのオーバフローを２進カウント
方式によりカウントするものである。 【００２５】メモリ２２１〜２２３，メモリ２３１〜２
３３，メモリ２４１〜２４３，メモリ２５１〜２５３は
それぞれ，メモリ２１１〜２１３と同じものであり，書
き込み値が異なっている状態を表す。同様に，メモリ２
２４〜２５４も，メモリ２１４と同じものであり，メモ
リ２５４は書き込み値が他と異なる状態を表している。 【００２６】図の各カウンタ（２１１〜２１３，２１
４）に使用する不揮発性メモリの消去は，全ビットを１
に書き換えることにより行うものである。図のメモリの
動作を説明する。 【００２７】(1) はカウント値１枚の状態を示す。即
ち，４８中１カウント方式の３ワードメモリ（２１１〜
２１３）の最下位ビットのみ０で他のビットは全て１で
ある。このとき，２進カウント方式の１ワードメモリ２
１４は各ビット全て０である。 【００２８】(2) はカウント値２の状態を示す。即ち，
(1) の状態の４８中１カウント方式の３ワードメモリの
値０の位置を１ビット左シフトされて，３ワードメモリ
（２２１〜２２３）の最下位から２番目のビット位置に
０が格納される。このとき，２進カウント方式の１ワー
ドメモリ２２４の各ビットは０である。 【００２９】(3) はカウント値３の状態を示す。即ち，
(2) の状態の４８中１カウント方式の３ワードメモリの
値０の位置が１ビット左シフトされて，３ワードメモリ
（２３１〜２３３）の最下位から３番目のビット位置に
０が格納される。このとき，２進カウント方式の１ワー
ドメモリ２３４の各ビットは０である。 【００３０】(4) 同様にカウントを行い，カウント値が
４８で，４８中１カウント方式の３ワードメモリの最上
位ビットに値０が格納される。このとき，２進カウント
方式の１ワードメモリ２４４の各ビットは０である。 【００３１】(5) カウント値が４９になると，４８中１
カウント方式の３ワードメモリの値０の位置がオーバフ
ロし，３ワードメモリ（２５１〜２５３）の各ビットの
値は１になる。そして，カウント制御部，オーバフロー
を検出し，２進カウント方式の１ワードメモリ２５４の
最下位ビットに１を格納する。 【００３２】カウント値５０以降は，３ワードメモリ
（４８中１カウント方式のメモリ）の状態は(1) 〜(5)
を同じ順番に繰り返し，２進カウント方式の１ワードメ
モリは，３ワードメモリがオーバーフローする毎に１ず
つ加算される。 【００３３】以上の処理を繰り返し，ＥＥＰＲＯＭの書
き換え可能回数に応じてきめられるカウント値までカウ
ント値を更新することができる。図３は，本発明の実施
例フローを示す。 【００３４】図は，図２のメモリのカウント制御部のフ
ローを示し，カウント制御部等の装置構成は，図１と同
様である。必要に応じて図１，図２を参照する。 (1) 書き込み制御部６はカウント要求部８のカウント
要求入力を受ける。 【００３５】 (2) 読み出し制御部４は，カウント値を読み出して，
更新部５にロードする。 (3) 更新部５は，ロードした下位ワード（図２におけ
る３ワードメモリ２１１〜２１３に対応する部分）の値
に１を加算する。 【００３６】 (4) 更新部５は，ＥＥＰＲＯＭの下位３ワード部分
（図２の３ワードメモリ２１１〜２１３）にオーバフロ
ーがあるか判断する。オーバフローがあれば，(5) に進
み，なければ(8) に進む。 【００３７】 (5) オーバフローがあったので，更新部５にロードし
た上位ワード（図２の１ワードメモリ２１４に対応する
部分）に１を加算する。 (6) 書き込み制御部６は，メモリ消去部７に，２進カ
ウント方式メモリ（図２の１ワードメモリ２１４）の消
去を指示する。メモリ消去部７は，２進カウント方式メ
モリを消去する。 【００３８】 (7) 書き込み制御部６は，２進カウント方式メモリに
更新値を書き込む。 (8) 下位ワードにオーバフローがなかったので，書き
込み制御部６は，メモリ消去部７に４８中１カウント方
式メモリ（３ワードメモリ２１１〜２１３）の消去を指
示する。メモリ消去部７は，４８中１カウント方式メモ
リを消去する（消去は全ビットを１値に書き換えること
により行われる）。 【００３９】(9) 書き込み制御部６は，４８中１カウ
ント方式メモリに更新値を書き込む（０値を１ビット左
シフトする）。 以上の処理を繰り返し，カウント値を更新する。 【００４０】本実施例によれば，メモリ消去は全ビット
を１に書き換えることにより行われる不揮発性メモリを
使用し，４８中１カウント方式メモリ（図２における３
ワードメモリ２１１〜２１３）は，１ビットのみ０で他
は全てカウント値を表している１であるので，消去のた
めの書き換えは，１ビットのみとなる。そして，０値の
ビットは，最下位ビットから順次左シフトして移動する
ので，書き換えビットが平均化される。そのため，ＥＥ
ＰＲＯＭの最大消去回数（１ワード１６ビットのメモリ
を３ワードで使用する場合，約４８万回）に達するまで
のカウントすることができる。 【００４１】なお，上記実施例においては，４８中１カ
ウント方式のカウントを０値のビット位置により行うよ
うにしたのは使用する，ＥＥＰＲＯＭは消去を全ビット
を１値に書き換えることにより行うものであるためであ
って，使用する不揮発性メモリが消去を全ビットを０値
に書き換えることにより行うものである場合には，１ビ
ットのみ１値を書き込み，他は全て０値とし，１値のビ
ット位置によりカウント値を表すようにする。 【００４２】 【発明の効果】本発明によれば，不揮発性メモリの１回
の消去処理において，実際に消去が実行されるビットは
１ビットだけであり，しかも，その位置は，１回の消去
処理毎に最下位ビットから上位ビットにかけて順番に移
動するので，メモリのビット数×消去可能回数の消去が
可能になる。 【００４３】そのため，本発明によれば，少ないＥＥＰ
ＲＯＭ容量で，大きいカウント値まで更新することが可
能になる。
る総印刷枚数（累積カウント値）を記憶するのに有用な
電気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリ（ＥＥＰＲ
Ｍ）を備えたカウンタに関する。 【０００２】 【従来の技術】プリンタ等においては，印刷用紙枚数を
一枚ずつカウントして累積し，使用を開始してからの総
印刷枚数を記憶するようにして，プリンタの保守管理デ
ータとして用いられるようにしている。そして，そのよ
うな総印刷枚数のカンウト値は電気的に消去可能な不揮
発性メモリ（以後，ＥＥＰＲＯＭと称する）に記録し，
電源が絶たれてもカウント値が保存されるようにしてい
る。 【０００３】図４は従来のプリンタの総印刷枚数のカウ
ンタを示す。図 (a)は，カウンタの構成を示す。図にお
いて，４０はカウント要求部であって，印刷用紙一枚の
印刷実行毎にカウント値の更新要求をするものである。
４１はメモリであって，１６ビット／ワード×ｎワード
のＥＥＰＲＯＭにより構成され，総印刷枚数を記憶する
ものである。４２はメモリ書き換え制御部であって，カ
ウント要求部４０に基づいて，メモリ４１のデータを読
み出して，更新し（読み出したデータに＋１する），メ
モリ４１を消去して，更新したデータを書き込むもので
ある。４３はメモリ消去部であって，メモリ４１のデー
タを消去するものである（通常は，ＥＥＰＲＯＭ内部に
あってメモリの全ビットを１とすることによりデータ消
去を行う）。 【０００４】図 (b)は，カウンタの動作フローである。
図示の番号に従ってフローを説明する。 (1) メモリ書き換え制御部４２は，カウント要求部４
０からのカウント値要求を入力すると，メモリ（ＥＥＰ
ＲＯＭ）４１から記憶されているカウント値を読み出
す。 【０００５】(2) メモリ書き換え制御部４２は読み出
したカウント値に１を加算してカウント値を更新する。 (3) メモリ書き換え制御部４２は，メモリ消去部４３
にメモリ消去を指示する。メモリ消去部４３はメモリ４
１を消去する（通常，消去はメモリの全ビットを１に書
き換えることにより行われる）。 【０００６】(4) メモリ書き換え制御部４２は，更新
したカウント値をメモリ４１に書き込む。図５は，従来
のカウンタのカウント方式を示す。 【０００７】図において，５１〜５４は１ワード（１６
ビット）のＥＥＰＲＯＭを示す。従来の，プリンタの総
印刷枚数のカウンタでは，１ワード（１６ビット）のＥ
ＥＰＲＯＭ５１〜５４を用いて２進方式でカウントして
いた。 【０００８】図において，５１は総印刷枚数が１のとき
のメモリの状態，５２は総印刷枚数が２のメモリの状
態，５３は総印刷枚数が３の状態，５４は総印刷枚数が
１万の状態を表す。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】従来のプリンタにおけ
る総印刷枚数の記憶は，上記のように，１ワード（１６
ビット）のＥＥＰＲＯＭに，用紙一枚の印刷実行毎にメ
モリの消去と，更新したカウント値を２進方式で記憶す
るようにしていた。 【００１０】ところで，ＥＥＰＲＯＭの書き換え可能な
回数は通常１万回程度であり，書き換えられるメモリの
ビット位置は下位ビットが多いので，ほぼカウント１万
回程度で書き換え不能になる。一方，プリンタの寿命
は，総印刷枚数３０万〜５０万枚程度もしくはそれ以上
である。 【００１１】そのため，従来のカウント方式では，プリ
ンタの寿命が総印刷枚数５０万枚の場合には，ＥＥＰＲ
ＯＭの容量が，１６ビット／ワード×５０ワード＝８０
０ビット必要となり，プリンタ寿命がそれ以上の場合に
は，さらに多くのＥＥＰＲＯＭ容量を必要とした。 【００１２】本発明は，少ない容量で，大きなカウント
値まで更新可能な電気的に書き込み消去可能な不揮発性
メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）を用いたカウンタを提供するこ
とを目的とする。 【００１３】 【課題を解決するための手段】本発明は，電気的に書き
込み消去可能な不揮発性メモリを備えたカウンタにおい
て，ｎビットのうちの１ビットのみを他のビットと異な
らしめ，該１ビットの位置でカウント値を表すｎ中１カ
ウント方式の不揮発性メモリのカウンタ（１）と，前記
ｎ中１カウント方式のカウンタからのオーバフローをカ
ウントする２進カウント方式の不揮発性メモリのカウン
タ（２）と，それぞれのカウント方式に基づいてそれぞ
れの不揮発性メモリのカウンタを更新するカウンタ制御
部（３）とを備え，不揮発性メモリの消去した時の状態
での論理値を消去論理値，不揮発性メモリに該消去論理
値と異なる論理値を書き込む時の論理値を書き込み論理
値とした時，カウント値を表す該１ビットの論理値は不
揮発性メモリの該書き込み論理値であり，該他のビット
は不揮発性メモリの該消去論理値であるようにした。 【００１４】図１は，本発明の基本構成を示す。図にお
いて，１は電気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリ
（ＥＥＰＲＯＭ）であって，ｎ中１カウント方式により
カウントするカウンタ部である。２は，第１のカウンタ
部のオーバフローを２進カウント方式でカウントするカ
ウンタを設定したものである。３はカウンタ制御部であ
って，第１のカウンタ，第２のカウンタの値を読み出
し，カウント値の更新，第１のカウンタ，第２のカウン
タの書き込み制御を行うものである。４は読み出し制御
部であって，第１のカウンタおよび第２のカウンタの値
を読み出すものである。５は更新部であって，カウント
値の更新を示すカウントデータ入力に基づいて，読み出
したカウント値に１を加算して，カウント値を更新する
ものである。７はメモリ消去部であって，第１のカウン
タ，第２のカウンタを消去するものである。８はカウン
ト要求部であって，印刷実行毎にカウンタ制御部３にカ
ウント値の更新を要求するものである。 【００１５】 【作用】消去は全ビットを１に書き換えることにより行
う不揮発性メモリを使用する場合について説明する。そ
のようなメモリの場合には，本発明のｎ中１カウント方
式はカウント値は１ビットのみ０とし，他のビットは全
て値を１とする。そして，値０のビットの位置でカウン
トを表すようにし，カウント値を１加算する毎に０値の
ビット位置を左シフトしてカウント値するものとする。 【００１６】図示の丸つきの番号に従って，説明する。
例えば，印刷実行処理により，カウント要求部８
は，カウント値の更新をカウンタ制御部３に指示する。 【００１７】 読み出し制御部４は第１のカウンタと
第２のカウンタのデータを読み出す。 更新部５は読
み出し制御部４の読み出した値に１を加算し，カウント
値を更新する。 【００１８】 書き込み制御部６は，更新部５で更新
されたカウント値を受け取る。 書き込み制御部６
は，メモリ消去部７にメモリの消去を指示する。このと
き，第１のカウンタにオーバフローが生じたときは，第
１のカウンタと第２のカウンタの両方を消去し，オーバ
フローがなかった場合は，第１のカウンタだけを消去す
るように指示する。 【００１９】 メモリ消去部７は，指示された第１の
カウンタもしくは第２のカウンタを消去する。 書き
込み制御部６は，オーバフローがあった場合は第１と第
２のカウンタに更新値を書き込み，オーバフローがなか
った場合は第１のカウンタにのみ更新値の書き込み制御
を行う。 【００２０】上記の構成においては，第１のカウンタの
不揮発性メモリは，消去を全ビットの値を１にすること
により行うものなので，第１のカウンタを書き換えると
きは，値０のビットが含まれるワードのみを消去すれば
良い。そのため，例えば，第１のカウンタとして，３ワ
ードで構成するとすれば，ｎ＝４８で，４８枚カウント
するまでに各ビットの書き換え回数は１回だけとなる。
通常ＥＥＰＲＯＭの各ビットは，１万回程度の書き換え
が可能であるので，４８万回の書き換えが可能になる。
従って，上記のような構成によれば，４８万枚程度のカ
ウントは可能となる。 【００２１】従って，本発明によれば，例えば，４ワー
ド構成のメモリを使用する場合，第１のカウンタとして
３ワードを割り当てることにより，第２のカウンタとし
て１ワードで，４８万枚のカウントが可能になる。従来
の方式においては，４８万枚のカウントには１ワード
（１６ビット）のＥＥＰＲＯＭ４８ワード程度を必要と
していたので，本発明の方式によれば，大幅に不揮発性
メモリの使用数を削減することが可能になる。 【００２２】なお，上記の構成は，メモリの消去は全ビ
ット１にすることにより行う不揮発性メモリを使用し，
ｎ中１カウント方式のメモリのカウントは０値のビット
位置により表すようにしたが，全ビット位置を０値に書
き換えることにより消去を行う不揮発性メモリの場合
は，第１の不揮発性メモリの１ビットのみを１値とし，
他のビットは全て０値とし，１値のビット位置によりカ
ウント値を表すｎ中１カウント方式により行うようにす
る。 【００２３】また，図１の構成では，メモリに記憶され
ている値の更新時に，更新部５が各カウンタから，値を
読み出すよう指示しているが，更新値を各カウンタに書
き込む際に，同じ値をレジスタに保持しておき，そのレ
ジスタの値を読み出して，更新するようにしてもよい。 【００２４】 【実施例】本発明の実施例を図２に示す。図において，
２１１〜２１３は，３ワード（４８ビット）のメモリを
構成し４８中１カウント方式によりカウント値を記憶す
るようにしたものである。２１４は，３ワードのメモリ
（２１１〜２１３）からのオーバフローを２進カウント
方式によりカウントするものである。 【００２５】メモリ２２１〜２２３，メモリ２３１〜２
３３，メモリ２４１〜２４３，メモリ２５１〜２５３は
それぞれ，メモリ２１１〜２１３と同じものであり，書
き込み値が異なっている状態を表す。同様に，メモリ２
２４〜２５４も，メモリ２１４と同じものであり，メモ
リ２５４は書き込み値が他と異なる状態を表している。 【００２６】図の各カウンタ（２１１〜２１３，２１
４）に使用する不揮発性メモリの消去は，全ビットを１
に書き換えることにより行うものである。図のメモリの
動作を説明する。 【００２７】(1) はカウント値１枚の状態を示す。即
ち，４８中１カウント方式の３ワードメモリ（２１１〜
２１３）の最下位ビットのみ０で他のビットは全て１で
ある。このとき，２進カウント方式の１ワードメモリ２
１４は各ビット全て０である。 【００２８】(2) はカウント値２の状態を示す。即ち，
(1) の状態の４８中１カウント方式の３ワードメモリの
値０の位置を１ビット左シフトされて，３ワードメモリ
（２２１〜２２３）の最下位から２番目のビット位置に
０が格納される。このとき，２進カウント方式の１ワー
ドメモリ２２４の各ビットは０である。 【００２９】(3) はカウント値３の状態を示す。即ち，
(2) の状態の４８中１カウント方式の３ワードメモリの
値０の位置が１ビット左シフトされて，３ワードメモリ
（２３１〜２３３）の最下位から３番目のビット位置に
０が格納される。このとき，２進カウント方式の１ワー
ドメモリ２３４の各ビットは０である。 【００３０】(4) 同様にカウントを行い，カウント値が
４８で，４８中１カウント方式の３ワードメモリの最上
位ビットに値０が格納される。このとき，２進カウント
方式の１ワードメモリ２４４の各ビットは０である。 【００３１】(5) カウント値が４９になると，４８中１
カウント方式の３ワードメモリの値０の位置がオーバフ
ロし，３ワードメモリ（２５１〜２５３）の各ビットの
値は１になる。そして，カウント制御部，オーバフロー
を検出し，２進カウント方式の１ワードメモリ２５４の
最下位ビットに１を格納する。 【００３２】カウント値５０以降は，３ワードメモリ
（４８中１カウント方式のメモリ）の状態は(1) 〜(5)
を同じ順番に繰り返し，２進カウント方式の１ワードメ
モリは，３ワードメモリがオーバーフローする毎に１ず
つ加算される。 【００３３】以上の処理を繰り返し，ＥＥＰＲＯＭの書
き換え可能回数に応じてきめられるカウント値までカウ
ント値を更新することができる。図３は，本発明の実施
例フローを示す。 【００３４】図は，図２のメモリのカウント制御部のフ
ローを示し，カウント制御部等の装置構成は，図１と同
様である。必要に応じて図１，図２を参照する。 (1) 書き込み制御部６はカウント要求部８のカウント
要求入力を受ける。 【００３５】 (2) 読み出し制御部４は，カウント値を読み出して，
更新部５にロードする。 (3) 更新部５は，ロードした下位ワード（図２におけ
る３ワードメモリ２１１〜２１３に対応する部分）の値
に１を加算する。 【００３６】 (4) 更新部５は，ＥＥＰＲＯＭの下位３ワード部分
（図２の３ワードメモリ２１１〜２１３）にオーバフロ
ーがあるか判断する。オーバフローがあれば，(5) に進
み，なければ(8) に進む。 【００３７】 (5) オーバフローがあったので，更新部５にロードし
た上位ワード（図２の１ワードメモリ２１４に対応する
部分）に１を加算する。 (6) 書き込み制御部６は，メモリ消去部７に，２進カ
ウント方式メモリ（図２の１ワードメモリ２１４）の消
去を指示する。メモリ消去部７は，２進カウント方式メ
モリを消去する。 【００３８】 (7) 書き込み制御部６は，２進カウント方式メモリに
更新値を書き込む。 (8) 下位ワードにオーバフローがなかったので，書き
込み制御部６は，メモリ消去部７に４８中１カウント方
式メモリ（３ワードメモリ２１１〜２１３）の消去を指
示する。メモリ消去部７は，４８中１カウント方式メモ
リを消去する（消去は全ビットを１値に書き換えること
により行われる）。 【００３９】(9) 書き込み制御部６は，４８中１カウ
ント方式メモリに更新値を書き込む（０値を１ビット左
シフトする）。 以上の処理を繰り返し，カウント値を更新する。 【００４０】本実施例によれば，メモリ消去は全ビット
を１に書き換えることにより行われる不揮発性メモリを
使用し，４８中１カウント方式メモリ（図２における３
ワードメモリ２１１〜２１３）は，１ビットのみ０で他
は全てカウント値を表している１であるので，消去のた
めの書き換えは，１ビットのみとなる。そして，０値の
ビットは，最下位ビットから順次左シフトして移動する
ので，書き換えビットが平均化される。そのため，ＥＥ
ＰＲＯＭの最大消去回数（１ワード１６ビットのメモリ
を３ワードで使用する場合，約４８万回）に達するまで
のカウントすることができる。 【００４１】なお，上記実施例においては，４８中１カ
ウント方式のカウントを０値のビット位置により行うよ
うにしたのは使用する，ＥＥＰＲＯＭは消去を全ビット
を１値に書き換えることにより行うものであるためであ
って，使用する不揮発性メモリが消去を全ビットを０値
に書き換えることにより行うものである場合には，１ビ
ットのみ１値を書き込み，他は全て０値とし，１値のビ
ット位置によりカウント値を表すようにする。 【００４２】 【発明の効果】本発明によれば，不揮発性メモリの１回
の消去処理において，実際に消去が実行されるビットは
１ビットだけであり，しかも，その位置は，１回の消去
処理毎に最下位ビットから上位ビットにかけて順番に移
動するので，メモリのビット数×消去可能回数の消去が
可能になる。 【００４３】そのため，本発明によれば，少ないＥＥＰ
ＲＯＭ容量で，大きいカウント値まで更新することが可
能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基本構成を示す図である。
【図２】本発明の実施例を示す図である。
【図３】本発明の実施例フローを示す図である。
【図４】従来のプリンタの総印刷枚数のカウンタを示す
図である。 【図５】従来のカウンタのカウント方式を示す図であ
る。 【符号の説明】 １ ：第１のカウンタ（ＥＥＰＲＯＭ内） ２ ：第２のカウンタ（ＥＥＰＲＯＭ内） ３ ：カウンタ制御部 ４ ：読み出し制御部 ５ ：更新部 ６ ：書き込み制御部 ７ ：メモリ消去部 ８ ：カウント要求部
図である。 【図５】従来のカウンタのカウント方式を示す図であ
る。 【符号の説明】 １ ：第１のカウンタ（ＥＥＰＲＯＭ内） ２ ：第２のカウンタ（ＥＥＰＲＯＭ内） ３ ：カウンタ制御部 ４ ：読み出し制御部 ５ ：更新部 ６ ：書き込み制御部 ７ ：メモリ消去部 ８ ：カウント要求部
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フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
H03K 21/00
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求請１】 電気的に書き込み消去可能な不揮発性メ
モリを備えたカウンタにおいて， ｎビットのうちの１ビットのみを他のビットと異ならし
め，該１ビットの位置でカウント値を表すｎ中１カウン
ト方式の不揮発性メモリのカウンタ（１）と， 前記ｎ中１カウント方式のカウンタからのオーバフロー
をカウントする２進カウント方式の不揮発性メモリのカ
ウンタ（２）と， それぞれのカウント方式に基づいてそれぞれの不揮発性
メモリのカウンタを更新するカウンタ制御部（３）とを
備え，不揮発性メモリの消去した時の状態での論理値を消去論
理値，不揮発性メモリに該消去論理値と異なる論理値を
書き込む時の論理値を書き込み論理値とした時， カウント値を表す該１ビットの論理値は不揮発性メモリ
の該書き込み論理値であり，該他のビットは不揮発性メ
モリの該消去論理値であることを特徴とする電気的に書
き込み消去可能な不揮発性メモリを備えたカウンタ。 【請求項２】 請求項１において，カウンタ制御部
（３）は，カウント値更新においてｎ中１カウント方式
のデータをカウント値を表す該１ビットをカウント値が
１増える毎に１ビットずつシフトし，オーバフローが生
じた時，該２進カウント方式のカウンタをカウントアッ
プすることを特徴とする電気的に書き込み消去可能な不
揮発性メモリを備えたカウンタ。 【請求請３】 該不揮発性メモリの該消去論理値は
「１」であり，カウント値を表す位置のｎビットのうち
の１ビットの論理値を該書き込み論理値「０」とし，他
のビットの論理値は「１」であることを特徴とする請求
項１もしくは２に記載の電気的書き込み消去可能な不揮
発性メモリを備えたカウンタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3148928A JP2758284B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 電気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリを備えたカウンタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3148928A JP2758284B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 電気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリを備えたカウンタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04372224A JPH04372224A (ja) | 1992-12-25 |
| JP2758284B2 true JP2758284B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=15463802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3148928A Expired - Fee Related JP2758284B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 電気的に書き込み消去可能な不揮発性メモリを備えたカウンタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2758284B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5608770A (en) * | 1993-09-21 | 1997-03-04 | Ricoh Company, Ltd. | Frequency converter outputting a clock signal having a stable and accurate frequency |
| US7551706B2 (en) | 2004-12-03 | 2009-06-23 | Kyocera Mita Corporation | Counter device and counting method |
| JP5010043B1 (ja) | 2011-06-13 | 2012-08-29 | イリソ電子工業株式会社 | コネクタ |
| JP6155214B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2017-06-28 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | データ記憶装置及び画像処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4947410A (en) | 1989-02-23 | 1990-08-07 | General Motors Corporation | Method and apparatus for counting with a nonvolatile memory |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6049218A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-18 | Nippon Denso Co Ltd | 車両用走行距離計 |
| JPS6126332U (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-17 | カルソニックカンセイ株式会社 | 積算計回路 |
| JPS6394716A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Canon Inc | 不揮発性メモリの書き込み方式 |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP3148928A patent/JP2758284B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4947410A (en) | 1989-02-23 | 1990-08-07 | General Motors Corporation | Method and apparatus for counting with a nonvolatile memory |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04372224A (ja) | 1992-12-25 |
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