JP2757412B2 - 反射型光電スイッチ - Google Patents
反射型光電スイッチInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〈発明の技術分野〉 本発明は、被検出物からの光の反射によってオン・オ
フする反射型光電スイッチに関し、さらに詳しくは、発
光ダイオードとレーザダオードとの中間の特性を有し、
自ら放出した光が入射することにより、自己結合効果で
レーザ共振するスーパールミネッセンス型ダイオードを
用いた反射型光電スイッチに関する。
フする反射型光電スイッチに関し、さらに詳しくは、発
光ダイオードとレーザダオードとの中間の特性を有し、
自ら放出した光が入射することにより、自己結合効果で
レーザ共振するスーパールミネッセンス型ダイオードを
用いた反射型光電スイッチに関する。
〈従来の技術〉 従来の反射型光電スイッチの一例を第５図に示して説
明する。
明する。
図例の反射型光電スイッチは、センサ本体１内におい
て発光ダイオード２および受光ダイオード３が隣り合う
ように横に並列に配置されており、発光ダイオード２は
斜めに光を放出する姿勢に、また、受光ダイオード３は
被検出物４によって斜めに反射される光を受光する姿勢
にそれぞれ配置されている。そして、検出距離の縮小お
よび感度の向上のために、発光ダイオード２と受光ダイ
オード３の前方には集光レンズ5,6がそれぞれ配置され
ている。
て発光ダイオード２および受光ダイオード３が隣り合う
ように横に並列に配置されており、発光ダイオード２は
斜めに光を放出する姿勢に、また、受光ダイオード３は
被検出物４によって斜めに反射される光を受光する姿勢
にそれぞれ配置されている。そして、検出距離の縮小お
よび感度の向上のために、発光ダイオード２と受光ダイ
オード３の前方には集光レンズ5,6がそれぞれ配置され
ている。
動作としては、発光ダイオード２から外部空間へ光が
放出され、外部空間の所定位置に被検出物４が存在する
ときのみ当該被検出物４に光が反射されて戻ってくるの
で、受光ダイオード３から受光光量に応じた所定の光電
流が出力され、この光電流値を図示しない制御部によっ
て所定の基準値と対比することにより、被検出物４の検
出有無を判別するとともに判別結果に応じてオン・オフ
信号の一方を出力するようになっている。
放出され、外部空間の所定位置に被検出物４が存在する
ときのみ当該被検出物４に光が反射されて戻ってくるの
で、受光ダイオード３から受光光量に応じた所定の光電
流が出力され、この光電流値を図示しない制御部によっ
て所定の基準値と対比することにより、被検出物４の検
出有無を判別するとともに判別結果に応じてオン・オフ
信号の一方を出力するようになっている。
〈発明が解決しようとする課題〉 ところが、上記従来例では、発光ダイオード２と受光
ダイオード３とを横に隣り合わせに配置する必要がある
ために、比較的大きな配置スペースが必要になって大型
化している。また、発光ダイオード２の光放出角度や受
光ダイオード３の反射光入射角度などを正確に設定する
必要があって、この光軸調整作業が面倒であった。さら
に、検出距離の縮小および感度の向上のために、発光ダ
イオード２の前方および受光ダイオード３の前方のそれ
ぞれに集光用レンズ5,6を配置する必要があって部品点
数が多くなっていた。
ダイオード３とを横に隣り合わせに配置する必要がある
ために、比較的大きな配置スペースが必要になって大型
化している。また、発光ダイオード２の光放出角度や受
光ダイオード３の反射光入射角度などを正確に設定する
必要があって、この光軸調整作業が面倒であった。さら
に、検出距離の縮小および感度の向上のために、発光ダ
イオード２の前方および受光ダイオード３の前方のそれ
ぞれに集光用レンズ5,6を配置する必要があって部品点
数が多くなっていた。
〈発明の目的〉 本発明は、このような事情に鑑みて創案されたもの
で、装置の小型化，光軸調整作業の簡略化および部品点
数の削減を図ることを目的とする。
で、装置の小型化，光軸調整作業の簡略化および部品点
数の削減を図ることを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉 本発明は、上記目的を達成するために、被検出物から
の光の反射によってオン・オフする反射型光電スイッチ
において、次のような構成をとる。
の光の反射によってオン・オフする反射型光電スイッチ
において、次のような構成をとる。
本発明の発振型光電スイッチは、 光を自然放出する発光モードと自然放出した光の入射
により自己結合効果でレーザ共振する発振モードとを有
するスーパールミネッセンス型ダイオードと、 スーパールミネッセンス型ダイオードの前方に配置さ
れ、かつ当該ダイオードから前方に自然放出される光を
被検出物側に集束する一方、被検出物で反射される光を
該ダイオードの発光部に導く集光手段と、 前記スーパールミネッセンス型ダイオードが発光モー
ド，発振モードのどちらで機能しているかを判別してオ
ン・オフ信号の一方を出力する制御手段と、 を備えた構成に特徴を有する。
により自己結合効果でレーザ共振する発振モードとを有
するスーパールミネッセンス型ダイオードと、 スーパールミネッセンス型ダイオードの前方に配置さ
れ、かつ当該ダイオードから前方に自然放出される光を
被検出物側に集束する一方、被検出物で反射される光を
該ダイオードの発光部に導く集光手段と、 前記スーパールミネッセンス型ダイオードが発光モー
ド，発振モードのどちらで機能しているかを判別してオ
ン・オフ信号の一方を出力する制御手段と、 を備えた構成に特徴を有する。
前記制御手段は、スーパールミネッセンス型ダイオー
ドの後方へ放出される光の強度を検出するか、光のコヒ
ーレンス性の有無を検出するか、あるいは光のスペクト
ル幅の違いに基づいて、スーパールミネッセンス型ダイ
オードが発光モード，発振モードのどちらで機能してい
るかを判別してオン・オフ信号の一方を出力するものと
するのが望ましい。
ドの後方へ放出される光の強度を検出するか、光のコヒ
ーレンス性の有無を検出するか、あるいは光のスペクト
ル幅の違いに基づいて、スーパールミネッセンス型ダイ
オードが発光モード，発振モードのどちらで機能してい
るかを判別してオン・オフ信号の一方を出力するものと
するのが望ましい。
〈作用〉 本発明の反射型光電スイッチは、スーパールミネッセ
ンス型ダイオードの自己結合効果を利用したものであ
る。
ンス型ダイオードの自己結合効果を利用したものであ
る。
スーパールミネッセンス型ダイオードは、発光ダイオ
ードとレーザダイオードとの中間の特性を有しており、
構造的には、レーザダイオードに極めて近く、通常の発
光ダイオードでは、レーザ発振は不可能であるが、この
スーパールミネッセンス型ダイオードでは、自ら放出し
た光を入射することにより自己結合効果でレーザ共振す
るものである。
ードとレーザダイオードとの中間の特性を有しており、
構造的には、レーザダイオードに極めて近く、通常の発
光ダイオードでは、レーザ発振は不可能であるが、この
スーパールミネッセンス型ダイオードでは、自ら放出し
た光を入射することにより自己結合効果でレーザ共振す
るものである。
つまり、所定の電流でスーパールミネッセンス型ダイ
オードを駆動していると、発光モードで機能してその前
方および後方に光を自然放出する。この前方に自然放出
された光が戻ってこない場合には、スーパールミネッセ
ンス型ダイオードは発光モードのまま機能するが、前方
に放出した光が被検出物に反射されてスーパールミネッ
センス型ダイオードの発光部に入射された場合には、自
己結合効果によりレーザ共振して発振モードとなり、光
が誘導放出される。
オードを駆動していると、発光モードで機能してその前
方および後方に光を自然放出する。この前方に自然放出
された光が戻ってこない場合には、スーパールミネッセ
ンス型ダイオードは発光モードのまま機能するが、前方
に放出した光が被検出物に反射されてスーパールミネッ
センス型ダイオードの発光部に入射された場合には、自
己結合効果によりレーザ共振して発振モードとなり、光
が誘導放出される。
そして、スーパールミネッセンス型ダイオードは発光
モード，発振モードのどちらで機能しているかは制御手
段で判別され、その判別結果に応じてオン・オフ信号の
一方を出力する。
モード，発振モードのどちらで機能しているかは制御手
段で判別され、その判別結果に応じてオン・オフ信号の
一方を出力する。
このように、スーパールミネッセンス型ダイオード
は、従来の発光ダイオードおよび受光ダイオードを兼ね
ており、またそれに伴い一方の集光手段が省ける。
は、従来の発光ダイオードおよび受光ダイオードを兼ね
ており、またそれに伴い一方の集光手段が省ける。
〈実施例の説明〉 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。第１図ないし第３図に本発明の一実施例を示してい
る。
る。第１図ないし第３図に本発明の一実施例を示してい
る。
第１図は反射型光電スイッチの構成を示す縦断側面図
である。図中、10はスーパールミネッセンス型ダイオー
ド、20はスーパールミネッセンス型ダイオード10の後方
から放出される光の受光光量に応じた光電流を出力する
モニタ用受光ダイオード、30はスーパールミネッセンス
型ダイオード20から前方に放出される光を外部空間の所
定位置に集光する凸レンズ機能を有するフレネルレン
ズ、40は被検出物である。
である。図中、10はスーパールミネッセンス型ダイオー
ド、20はスーパールミネッセンス型ダイオード10の後方
から放出される光の受光光量に応じた光電流を出力する
モニタ用受光ダイオード、30はスーパールミネッセンス
型ダイオード20から前方に放出される光を外部空間の所
定位置に集光する凸レンズ機能を有するフレネルレン
ズ、40は被検出物である。
さらに、図示するように、スーパールミネッセンス型
ダイオード10は、円盤状基板50の上面の凸部51の上端側
面に実装され、このスーパールミネッセンス型ダイオー
ド10の後方において円盤状基板50の上面にモニタ用受光
ダイオード20が実装され、この円盤状基板50に取り付け
られた円筒状キャップ52の開口端にフレネルレンズ30が
取り付けられている。なお、53は入出力端子で、この入
出力端子53は図示しない適宜な接続ワイヤでもって前記
スーパールミネッセンス型ダイオード10およびモニタ用
受光ダイオード20の各電極に接続される。この入出力端
子53のいずれかを通じてスーパールミネッセンス型ダイ
オード10にはそれを定電流で駆動するための駆動回路60
が接続されている一方、入出力端子53のいずれかを通じ
てモニタ用受光ダイオード20にはそれから出力される光
電流値に基づきスーパールミネッセンス型ダイオード10
が発光モード，発振モードのどちらで機能しているかを
判別してオン・オフ信号の一方を出力する制御回路61が
接続されている。この制御回路61およびモニタ用受光ダ
イオード20が請求項に記載の制御手段に含まれる。ま
た、前記フレネルレンズ30が請求項に記載の集光手段に
相当する。
ダイオード10は、円盤状基板50の上面の凸部51の上端側
面に実装され、このスーパールミネッセンス型ダイオー
ド10の後方において円盤状基板50の上面にモニタ用受光
ダイオード20が実装され、この円盤状基板50に取り付け
られた円筒状キャップ52の開口端にフレネルレンズ30が
取り付けられている。なお、53は入出力端子で、この入
出力端子53は図示しない適宜な接続ワイヤでもって前記
スーパールミネッセンス型ダイオード10およびモニタ用
受光ダイオード20の各電極に接続される。この入出力端
子53のいずれかを通じてスーパールミネッセンス型ダイ
オード10にはそれを定電流で駆動するための駆動回路60
が接続されている一方、入出力端子53のいずれかを通じ
てモニタ用受光ダイオード20にはそれから出力される光
電流値に基づきスーパールミネッセンス型ダイオード10
が発光モード，発振モードのどちらで機能しているかを
判別してオン・オフ信号の一方を出力する制御回路61が
接続されている。この制御回路61およびモニタ用受光ダ
イオード20が請求項に記載の制御手段に含まれる。ま
た、前記フレネルレンズ30が請求項に記載の集光手段に
相当する。
ところで、上記スーパールミネッセンス型ダイオード
10は、第２図に示すような構造である。
10は、第２図に示すような構造である。
図中、11はＮ−GaAsよりなる基板、12はＮ−AlGaAsよ
りなるＮ形クラッド層、13は非ドープAlGaAsよりなる活
性層、14はＰ−AlGaAsよりなるＰ形クラッド層、15はＰ
−GaAsよりなるキャップ層、16,17はキャップ層15の表
面側からＮ形クラッド層12の途中にまで及ぶ深さに長手
方向に沿って刻設された二つのストライプ溝、18は前記
両ストライプ溝16,17の間で分離されたSiN膜、19は基板
11の裏面に被着形成されたAu系合金よりなる電極、20は
SiN膜18およびストライプ溝16,17間のキャップ層15の全
面に被着形成されたAu系合金よりなる電極である。図示
しないがこの電極19,20に前述の駆動回路60が入出力用
端子53を通じて接続される。
りなるＮ形クラッド層、13は非ドープAlGaAsよりなる活
性層、14はＰ−AlGaAsよりなるＰ形クラッド層、15はＰ
−GaAsよりなるキャップ層、16,17はキャップ層15の表
面側からＮ形クラッド層12の途中にまで及ぶ深さに長手
方向に沿って刻設された二つのストライプ溝、18は前記
両ストライプ溝16,17の間で分離されたSiN膜、19は基板
11の裏面に被着形成されたAu系合金よりなる電極、20は
SiN膜18およびストライプ溝16,17間のキャップ層15の全
面に被着形成されたAu系合金よりなる電極である。図示
しないがこの電極19,20に前述の駆動回路60が入出力用
端子53を通じて接続される。
このスーパールミネッセンス型ダイオード10は、レー
ザダイオードと同様に、ダイオードチップ内に光増幅を
起こす電流密度を形成できる構造となっている。
ザダイオードと同様に、ダイオードチップ内に光増幅を
起こす電流密度を形成できる構造となっている。
そして、スーパールミネッセンス型ダイオード10の前
端面には反射率が例えば50％以下の反射膜（図示省略）
が、また後端面には反射率が例えば30％程度の反射膜
（図示省略）がそれぞれ被着されており、活性層13の内
部におけるレーザ共振を意図的に抑えるように構成され
ている。
端面には反射率が例えば50％以下の反射膜（図示省略）
が、また後端面には反射率が例えば30％程度の反射膜
（図示省略）がそれぞれ被着されており、活性層13の内
部におけるレーザ共振を意図的に抑えるように構成され
ている。
この構造のスーパールミネッセンス型ダイオード10
は、電流印加により発光モードで機能するので、スペク
トル幅の広い光を前端面および後端面から自然放出する
が、例えば前方に放出された光が外部の何かで反射され
て戻ってくると、自己結合効果によりレーザ共振して発
振モードで機能するために、スペクトル幅の狭い光を前
端面および後端面から誘導放出する。
は、電流印加により発光モードで機能するので、スペク
トル幅の広い光を前端面および後端面から自然放出する
が、例えば前方に放出された光が外部の何かで反射され
て戻ってくると、自己結合効果によりレーザ共振して発
振モードで機能するために、スペクトル幅の狭い光を前
端面および後端面から誘導放出する。
次に、上記反射型光電スイッチの動作を説明する。
まず、駆動回路60によりスーパールミネッセンス型ダ
イオード10を定電流で駆動すると、発光モードで機能し
て発光部としての活性層13の前後両端部から前方および
後方の外部空間へ向けてスペクトル幅の広い光を自然放
出する。このうち前方に放出された光はフレネルレンズ
30により外部空間の一点に集束される。ここで、この集
束部分に被検出物40が存在しないと、前記放出光はスー
パールミネッセンス型ダイオード10側へ戻ってこない
が、被検出物40が存在すると、それにより反射されてス
ーパールミネッセンス型ダイオード10の活性層30に入射
されて内部でレーザ共振して発振モードで機能すること
になり、スーパールミネッセンス型ダイオード10の前方
および後方にスペクトル幅の狭い光を誘導放出する。
イオード10を定電流で駆動すると、発光モードで機能し
て発光部としての活性層13の前後両端部から前方および
後方の外部空間へ向けてスペクトル幅の広い光を自然放
出する。このうち前方に放出された光はフレネルレンズ
30により外部空間の一点に集束される。ここで、この集
束部分に被検出物40が存在しないと、前記放出光はスー
パールミネッセンス型ダイオード10側へ戻ってこない
が、被検出物40が存在すると、それにより反射されてス
ーパールミネッセンス型ダイオード10の活性層30に入射
されて内部でレーザ共振して発振モードで機能すること
になり、スーパールミネッセンス型ダイオード10の前方
および後方にスペクトル幅の狭い光を誘導放出する。
このように被検出物40からの反射光があったときのみ
スーパールミネッセンス型ダイオード10が発光モードか
ら発振モードに変化する。そこで、このモード変化の判
別は、スーパールミネッセンス型ダイオード10の後方へ
の放出光を受光するモニタ用受光ダイオード20からの光
電流値をモニタすることによって行われる。つまり、こ
のモニタ用受光ダイオード20の光電流値は、第３図に示
すようにスーパールミネッセンス型ダイオード10が発光
モードで機能するときと発振モードで機能するときとで
大きく異なる。したがって、図のＡ点における両者の光
電流値を制御回路61に与え、この制御回路61で入力値が
予め定めた基準値より大きいか小さいかを判別し、この
判別結果に応じてオン・オフ信号を出力する。例えば、
大きいと判断した場合には被検出物40が外部空間の所定
位置に存在することを表すオン信号を、また小さいと判
断した場合には存在しないことを表すオフ信号をそれぞ
れ出力する。前記モニタ用受光ダイオード20から出力さ
れる光電流値は発光モード時と発振モード時との格差が
大きいため、前記制御回路61の判別が正確になる。
スーパールミネッセンス型ダイオード10が発光モードか
ら発振モードに変化する。そこで、このモード変化の判
別は、スーパールミネッセンス型ダイオード10の後方へ
の放出光を受光するモニタ用受光ダイオード20からの光
電流値をモニタすることによって行われる。つまり、こ
のモニタ用受光ダイオード20の光電流値は、第３図に示
すようにスーパールミネッセンス型ダイオード10が発光
モードで機能するときと発振モードで機能するときとで
大きく異なる。したがって、図のＡ点における両者の光
電流値を制御回路61に与え、この制御回路61で入力値が
予め定めた基準値より大きいか小さいかを判別し、この
判別結果に応じてオン・オフ信号を出力する。例えば、
大きいと判断した場合には被検出物40が外部空間の所定
位置に存在することを表すオン信号を、また小さいと判
断した場合には存在しないことを表すオフ信号をそれぞ
れ出力する。前記モニタ用受光ダイオード20から出力さ
れる光電流値は発光モード時と発振モード時との格差が
大きいため、前記制御回路61の判別が正確になる。
ところで、上記実施例では、スーパールミネッセンス
型ダイオード10が発光モード，発振モードのどちらかで
機能しているかを判別するのに、スーパールミネッセン
ス型ダイオード10の後方へ放出される光の強度を利用し
ているが、それ以外のことでも前記モード判別を行うこ
とが可能である。つまり、スーパールミネッセンス型ダ
イオード10の発光モード時の放出光はスペクトル幅が広
くてインコヒーレンスな特性を有し、また、発振モード
時の放出光はスペクトル幅が狭くてコヒーレンスな特性
を有するので、発光スペクトル幅の変化を検出するか、
または放出光のコヒーレンス性の有無を検出することに
よっても前記モード判別を行える。
型ダイオード10が発光モード，発振モードのどちらかで
機能しているかを判別するのに、スーパールミネッセン
ス型ダイオード10の後方へ放出される光の強度を利用し
ているが、それ以外のことでも前記モード判別を行うこ
とが可能である。つまり、スーパールミネッセンス型ダ
イオード10の発光モード時の放出光はスペクトル幅が広
くてインコヒーレンスな特性を有し、また、発振モード
時の放出光はスペクトル幅が狭くてコヒーレンスな特性
を有するので、発光スペクトル幅の変化を検出するか、
または放出光のコヒーレンス性の有無を検出することに
よっても前記モード判別を行える。
次に、前記発光スペクトル幅の変化を検出する場合の
一例を第４図に示して説明する。この検出手段は、スー
パールミネッセンス型ダイオード10の後方から放出する
光を平行光に変換するコリメータレンズ70と、平行光を
所定の角度で回折する回折格子71と、回折格子71で回折
された光を受光して受光光量に応じた光電流を出力する
左右二分割の受光部72A,72Bを有する受光ダイオード72
とからなる。そして、受光ダイオード72には、その二つ
の受光部72A,72Bから出力される光電流I1，I2の比（I1
／I2）を算出してスーパールミネッセンス型ダイオード
10の機能モードが何であるかを判別するとともに、この
判別結果に応じてオン・オフ信号の一方を出力する制御
回路61Aが接続されている。
一例を第４図に示して説明する。この検出手段は、スー
パールミネッセンス型ダイオード10の後方から放出する
光を平行光に変換するコリメータレンズ70と、平行光を
所定の角度で回折する回折格子71と、回折格子71で回折
された光を受光して受光光量に応じた光電流を出力する
左右二分割の受光部72A,72Bを有する受光ダイオード72
とからなる。そして、受光ダイオード72には、その二つ
の受光部72A,72Bから出力される光電流I1，I2の比（I1
／I2）を算出してスーパールミネッセンス型ダイオード
10の機能モードが何であるかを判別するとともに、この
判別結果に応じてオン・オフ信号の一方を出力する制御
回路61Aが接続されている。
回折格子71は、コリメータレンズ70によって平行化さ
れた光を、（2d sinθ＝ｍλ）を満たす角θに回折す
る。上式において、ｄは回折格子の周期、ｍは次数、λ
は入射波長である。具体的には、回折格子71への入射光
が発光モード時の自然放出光である場合、スペクトル幅
が広いので、回折格子71によりスペクトル別に異なる回
折角でそれぞれ回折されて発散光とされ、二分割の受光
ダイオード72の二つの受光部72A,72Bの双方にそれぞれ
入射させられる。一方、発振モード時の誘導放出光であ
る場合、この光のスペクトル幅が狭いので、回折格子71
によりほぼ揃った回折角でそれぞれ回折されて平行光と
され、そのほとんどが二分割の受光ダイオード72の右側
の受光部72Bへ入射させられる。つまり、発光モード時
の放出光と発振モード時の放出光とで、この左右の受光
部72A,72Bから出力される光電流I1，I2が異なるので、
制御回路61Aでもって両モード時における光電流I1，I2
の比（I1／I2）をそれぞれ算出して、スーパールミネッ
センス型ダイオード10が発光モード，発振モードのどち
らで機能しているかを判別し、その判別結果によりオン
・オフ信号の一方を出力するのである。
れた光を、（2d sinθ＝ｍλ）を満たす角θに回折す
る。上式において、ｄは回折格子の周期、ｍは次数、λ
は入射波長である。具体的には、回折格子71への入射光
が発光モード時の自然放出光である場合、スペクトル幅
が広いので、回折格子71によりスペクトル別に異なる回
折角でそれぞれ回折されて発散光とされ、二分割の受光
ダイオード72の二つの受光部72A,72Bの双方にそれぞれ
入射させられる。一方、発振モード時の誘導放出光であ
る場合、この光のスペクトル幅が狭いので、回折格子71
によりほぼ揃った回折角でそれぞれ回折されて平行光と
され、そのほとんどが二分割の受光ダイオード72の右側
の受光部72Bへ入射させられる。つまり、発光モード時
の放出光と発振モード時の放出光とで、この左右の受光
部72A,72Bから出力される光電流I1，I2が異なるので、
制御回路61Aでもって両モード時における光電流I1，I2
の比（I1／I2）をそれぞれ算出して、スーパールミネッ
センス型ダイオード10が発光モード，発振モードのどち
らで機能しているかを判別し、その判別結果によりオン
・オフ信号の一方を出力するのである。
なお、具体的に説明しないが、スーパールミネッセン
ス型ダイオード10の機能モードが何であるかの判別はそ
の放出光のコヒーレンス性の有無によって判別すること
もできる。また、スーパールミネッセンス型ダイオード
10としても第２図に示した構造のもののみに限定され
ず、（文献:1986 GaAs and Related Compounds Inst.Ph
ys.Conf.Ser.83,P.373）および（文献:IEEE J.Quantum
Electron.,vol.24,P.2454,1988）に示されている構造の
ものを使用することも可能である。
ス型ダイオード10の機能モードが何であるかの判別はそ
の放出光のコヒーレンス性の有無によって判別すること
もできる。また、スーパールミネッセンス型ダイオード
10としても第２図に示した構造のもののみに限定され
ず、（文献:1986 GaAs and Related Compounds Inst.Ph
ys.Conf.Ser.83,P.373）および（文献:IEEE J.Quantum
Electron.,vol.24,P.2454,1988）に示されている構造の
ものを使用することも可能である。
〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、スーパールミ
ネッセンス型ダイオードが従来の発光ダイオードと受光
ダイオードの機能を兼ね備えている上、従来では発光ダ
イオードおよび受光ダイオードのそれぞれに必要であっ
た二つの集光手段が一つで済むから、部品点数の削減お
よび光軸調整の手間を省くことができて従来よりも小型
化することができるとともに、コスト削減を図ることが
できる。また、被検出物の検出有無の基準をスーパール
ミネッセンス型ダイオードの機能モードの違いを検出す
るようにしており、この違いの差が大きいために、それ
の制御手段による判別が正確に行え、信頼性が向上する
ようになる。
ネッセンス型ダイオードが従来の発光ダイオードと受光
ダイオードの機能を兼ね備えている上、従来では発光ダ
イオードおよび受光ダイオードのそれぞれに必要であっ
た二つの集光手段が一つで済むから、部品点数の削減お
よび光軸調整の手間を省くことができて従来よりも小型
化することができるとともに、コスト削減を図ることが
できる。また、被検出物の検出有無の基準をスーパール
ミネッセンス型ダイオードの機能モードの違いを検出す
るようにしており、この違いの差が大きいために、それ
の制御手段による判別が正確に行え、信頼性が向上する
ようになる。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例にかかり、第１
図は反射型光電スイッチの構成を略示した縦断側面図、
第２図はスーパールミネッセンス型ダイオードの外観を
示す斜視図、第３図はスーパールミネッセンス型ダイオ
ードにおける機能モード別に出力される光電流を表す図
である。第４図は本発明の他の実施例にかかる構成模式
図である。 また、第５図は従来の反射型光電スイッチの構成を示す
模式図である。 10…半導体レーザ、20…モニタ用受光ダイオード、30…
フレネルレンズ、40…被検出物、61…制御回路。
図は反射型光電スイッチの構成を略示した縦断側面図、
第２図はスーパールミネッセンス型ダイオードの外観を
示す斜視図、第３図はスーパールミネッセンス型ダイオ
ードにおける機能モード別に出力される光電流を表す図
である。第４図は本発明の他の実施例にかかる構成模式
図である。 また、第５図は従来の反射型光電スイッチの構成を示す
模式図である。 10…半導体レーザ、20…モニタ用受光ダイオード、30…
フレネルレンズ、40…被検出物、61…制御回路。
Claims (1)
- 【請求項１】被検出物からの光の反射によってオン・オ
フする反射型光電スイッチにおいて、 光を自然放出する発光モードと自然放出した光の入射に
より自己結合効果でレーザ共振する発振モードとを有す
るスーパールミネッセンス型ダイオードと、 スーパールミネッセンス型ダイオードの前方に配置さ
れ、かつ当該ダイオードから前方に自然放出される光を
被検出物側に集束する一方、被検出物で反射される光を
該ダイオードの発光部に導く集光手段と、 前記スーパールミネッセンス型ダイオードが発光モー
ド，発振モードのどちらで機能しているかを判別してオ
ン・オフ信号の一方を出力する制御手段と、 を備えていることを特徴とする反射型光電スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075089A JP2757412B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 反射型光電スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075089A JP2757412B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 反射型光電スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02189834A JPH02189834A (ja) | 1990-07-25 |
| JP2757412B2 true JP2757412B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=11758990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1075089A Expired - Lifetime JP2757412B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 反射型光電スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2757412B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6062456B2 (ja) | 2011-12-29 | 2017-01-18 | インテル コーポレイション | コントロールパネル |
| CN104010864B (zh) * | 2011-12-29 | 2016-10-26 | 英特尔公司 | 可配置控制面板 |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP1075089A patent/JP2757412B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02189834A (ja) | 1990-07-25 |
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