JP2749589B2 - ヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体 - Google Patents
ヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は新規なヒドロキシアルキル誘導体、その数種
の製造方法並びにその殺菌−殺カビ剤(fungicide)及
び植物成長調節剤としての使用に関するものである。
の製造方法並びにその殺菌−殺カビ剤(fungicide)及
び植物成長調節剤としての使用に関するものである。
多数のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体が殺菌−
殺カビ及び植物成長調節特性を持つことが既に開示され
ている(ヨーロツパ特許出願公開第0,040,345号及び同
第0,052,424号参照)。これらの物質の活性は極めて良
好であるが;ある場合に低い施用割合で望まれることが
残されている。
殺カビ及び植物成長調節特性を持つことが既に開示され
ている(ヨーロツパ特許出願公開第0,040,345号及び同
第0,052,424号参照)。これらの物質の活性は極めて良
好であるが;ある場合に低い施用割合で望まれることが
残されている。
式 式中、Rは水素、アルキルまたはアシルを表わし、 R1はハロゲン、随時置換されていてもよいフエニルまた
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、 Xは窒素またはCH基を表わし、そして Yは基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 の新規なヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体、並びに
その酸付加塩及び金属塩錯体が見い出された。
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、 Xは窒素またはCH基を表わし、そして Yは基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 の新規なヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体、並びに
その酸付加塩及び金属塩錯体が見い出された。
本発明による物質は不斉置換された炭素原子を含む。
従つてこれらのものは光学異性形で生じ得る。更にま
た、Yが‐CH=CH-基または基 を表わす式(I)の物質はシスまたはトランス異性体の
形態で存在し得る。本発明は個々の異性体及びその混合
物の両方に関するものである。
従つてこれらのものは光学異性形で生じ得る。更にま
た、Yが‐CH=CH-基または基 を表わす式(I)の物質はシスまたはトランス異性体の
形態で存在し得る。本発明は個々の異性体及びその混合
物の両方に関するものである。
更に式(I)のヒドロキシアルキルアゾリル誘導体並
びにその酸付加塩及び金属塩錯体が a)式 式中、R1、R2及びYは上記の意味を有する、 のオキシランを酸結合剤の存在下及び希釈剤の存在下で
式 式中、Xは上記の意味を有する、 のアゾールと反応させるか、または b)式 式中、R1、R2、X及びYは上記の意味を有する、 のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体を希釈剤の存在
下で強塩基と反応させ、そしてこの反応により生成され
る式 式中、R1、R2、X及びYは上記の意味を有し、そして R9は塩基の陽イオン性基を表わす、 のアルコラートを希釈剤の存在下で式 R10−Hal (IV) 式中、R10はアルキルまたはアシルを表わし、そして Halはハロゲンを表わす、 の化合物と反応させ、そして続いて必要に応じて酸また
は金属塩をかくて得られる式(I)の化合物に加えて酸
付加塩または金属塩錯体を生成させる場合に得られるこ
とが見い出された。
びにその酸付加塩及び金属塩錯体が a)式 式中、R1、R2及びYは上記の意味を有する、 のオキシランを酸結合剤の存在下及び希釈剤の存在下で
式 式中、Xは上記の意味を有する、 のアゾールと反応させるか、または b)式 式中、R1、R2、X及びYは上記の意味を有する、 のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体を希釈剤の存在
下で強塩基と反応させ、そしてこの反応により生成され
る式 式中、R1、R2、X及びYは上記の意味を有し、そして R9は塩基の陽イオン性基を表わす、 のアルコラートを希釈剤の存在下で式 R10−Hal (IV) 式中、R10はアルキルまたはアシルを表わし、そして Halはハロゲンを表わす、 の化合物と反応させ、そして続いて必要に応じて酸また
は金属塩をかくて得られる式(I)の化合物に加えて酸
付加塩または金属塩錯体を生成させる場合に得られるこ
とが見い出された。
最後に、新規な式(I)のヒドロキシアルキル−アゾ
リル誘導体並びにその酸付加塩及び金属塩錯体が強い殺
菌・殺カビ及び植物成長調節特性を持つことが見い出さ
れた。
リル誘導体並びにその酸付加塩及び金属塩錯体が強い殺
菌・殺カビ及び植物成長調節特性を持つことが見い出さ
れた。
驚くべきことに、本発明による物質は等価の作用のタ
イプを有する構造に関して最も類似している従来公知の
化合物より良好な殺菌・殺カビ及び植物成長調節活性を
示す。
イプを有する構造に関して最も類似している従来公知の
化合物より良好な殺菌・殺カビ及び植物成長調節活性を
示す。
式(I)は本発明によるヒドロキシアルキル−アゾー
ル誘導体の一般的定義を与える。
ル誘導体の一般的定義を与える。
この式において、Rが水素、炭素原子1〜6個を有す
るアルキルまたはアルキル部分に炭素原子1〜6個を有
するアルキルカルボニルを表わし、R1がフッ素、塩素、
臭素、随時ハロゲン、炭素原子1もしくは2個及びハロ
ゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原子
1〜4個を有するアルキル及び/または炭素原子1〜4
個を有するアルコキシで置換されていてもよいフエニル
或いは基−Z−R3を表わし、ここにZが酸素、硫黄、SO
またはSO2を表わし、そしてR3が随時炭素原子1〜4個
を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個を有するアルキ
ルチオ、フエニル及び/またはハロゲンで置換されてい
てもよい炭素原子1〜6個を有するアルキル、随時ハロ
ゲン、炭素原子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5
個を有するハロゲノアルキル、炭素原子1〜4個を有す
るアルキル及び/または炭素原子1〜4個を有するアル
コキシで置換されていてもよいフエニルあるいは随時フ
エニル部分においてハロゲン、炭素原子1もしくは2個
及びハロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、
炭素原子1〜4個を有するアルキル及び/または炭素原
子1〜4個を有するアルコキシを表わし、R2が随時炭素
原子1〜4個をは有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、フエニル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよい炭素原子1〜6個をは有するア
ルキル、随時炭素原子1〜4個を有するアルキル及び/
またはハロゲンで置換されていてもよい炭素原子3〜8
個を有するシクロアルキル、随時炭素原子1〜4個を有
するアルキル及び/またはハロゲンで置換されていても
よいナフチル或いは式 式 の基を表わし、ここにR4がフッ素、塩素、臭素、メチ
ル、エチル、イソプロピル、t−ブチル、メトキシ、メ
チルチオ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキ
シ、トリフルオロメチルチオ、随時フツ素、塩素及び/
またはメチルで置換されていてもよいフエニル、随時フ
ツ素、塩素及び/またはメチルで置換されていてもよい
フエノキシ、ニトロ、アミノ、アルキル基中に炭素原子
1〜4個を有するアルキルアミノ、各々のアルキル基中
に炭素原子1〜4個を有するジアルキルアミノ、フエニ
ルアミノ或いはアルキル基中に炭素原子1〜4個を有す
るアルキルカルボニルアミノを表わし、そしてmが0、
1、2または3を表わすか、或いはR2が式 の基を表わし、Xが窒素またはCH基を表わし、そしてY
が基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここにR5、R6、R7及びR8は相互に独立して水
素、メチルまたはエチルを表わすものが好ましい。
るアルキルまたはアルキル部分に炭素原子1〜6個を有
するアルキルカルボニルを表わし、R1がフッ素、塩素、
臭素、随時ハロゲン、炭素原子1もしくは2個及びハロ
ゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原子
1〜4個を有するアルキル及び/または炭素原子1〜4
個を有するアルコキシで置換されていてもよいフエニル
或いは基−Z−R3を表わし、ここにZが酸素、硫黄、SO
またはSO2を表わし、そしてR3が随時炭素原子1〜4個
を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個を有するアルキ
ルチオ、フエニル及び/またはハロゲンで置換されてい
てもよい炭素原子1〜6個を有するアルキル、随時ハロ
ゲン、炭素原子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5
個を有するハロゲノアルキル、炭素原子1〜4個を有す
るアルキル及び/または炭素原子1〜4個を有するアル
コキシで置換されていてもよいフエニルあるいは随時フ
エニル部分においてハロゲン、炭素原子1もしくは2個
及びハロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、
炭素原子1〜4個を有するアルキル及び/または炭素原
子1〜4個を有するアルコキシを表わし、R2が随時炭素
原子1〜4個をは有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、フエニル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよい炭素原子1〜6個をは有するア
ルキル、随時炭素原子1〜4個を有するアルキル及び/
またはハロゲンで置換されていてもよい炭素原子3〜8
個を有するシクロアルキル、随時炭素原子1〜4個を有
するアルキル及び/またはハロゲンで置換されていても
よいナフチル或いは式 式 の基を表わし、ここにR4がフッ素、塩素、臭素、メチ
ル、エチル、イソプロピル、t−ブチル、メトキシ、メ
チルチオ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキ
シ、トリフルオロメチルチオ、随時フツ素、塩素及び/
またはメチルで置換されていてもよいフエニル、随時フ
ツ素、塩素及び/またはメチルで置換されていてもよい
フエノキシ、ニトロ、アミノ、アルキル基中に炭素原子
1〜4個を有するアルキルアミノ、各々のアルキル基中
に炭素原子1〜4個を有するジアルキルアミノ、フエニ
ルアミノ或いはアルキル基中に炭素原子1〜4個を有す
るアルキルカルボニルアミノを表わし、そしてmが0、
1、2または3を表わすか、或いはR2が式 の基を表わし、Xが窒素またはCH基を表わし、そしてY
が基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここにR5、R6、R7及びR8は相互に独立して水
素、メチルまたはエチルを表わすものが好ましい。
mが2または3の数を表わす場合、R4を表わす基は同
一もしくは相異なることができる。
一もしくは相異なることができる。
殊に好適な化合物はRが水素、メチル、エチル、n−
プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、メ
チルカルボニル、エチルカルボニル、n−プロピルカル
ボニル、イソプロピルカルボニル、n−ブチルカルボニ
ル及びイソブチルカルボニルを表わし、R1がフッ素、塩
素、臭素、随時フツ素、塩素、臭素、トリフルオロメチ
ル、メチル、エチル、メトキシ及び/またはエトキシよ
りなる群からの同一もしくは相異なる置換基で1〜3置
換されていてもよいフエニル、或いは式−Z−R3の基を
表わし、ここにZが酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わ
し、そしてR3がメチル、エチル、n−プロピル、イソプ
ロピル、n−ブチル、イソブチルまたはt−ブチルを表
わし、その際に該基の各々はメトキシ、エトキシ、メチ
ルチオ、フエニル、フツ素、塩素及び/または臭素より
なる群からの同一もしくは相異なる置換基で1〜3置換
され得るか、R3が随時フツ素、塩素、臭素、トリフルオ
ロメチル、メチル、エチル、メトキシ及び/またはエト
キシよりなる群からの同一もしくは相異なる置換基で1
〜3置換されていてもよいフエニルを表わすか、或いは
R3が随時フエニル部分においてフツ素、塩素、臭素、ト
リフルオロメチル、メチル、エトキシ、メトキシ及び/
またはエトキシよりなる群からの同一もしくは相異なる
置換基で1〜3置換されていてもよいベンジルを表わ
し、R2が随時メトキシ、エトキシ、メチルチオ、エチル
チオ、フエニル、フツ素、塩素及び/または臭素よりな
る群からの同一もしくは相異なる置換基で1〜3置換さ
れていてもよい炭素原子1〜4個を有するアルキル、更
に随時メチル、エチル、フツ素及び/または塩素よりな
る群からの同一もしくは相異なる置換基で1〜3置換さ
れていてもよい炭素原子3〜7個を有するシクロアルキ
ル、並びに加えて随時メチル、フツ素及び/または塩素
よりなる群からの同一もしくは相異なる置換基で1〜3
置換されていてもよいナフチル、或いは式 の基を表わし、ここにR4ががフツ素、塩素、臭素、メチ
ル、エチル、イソプロピル、t−ブチル、メトキシ、メ
チルチオ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキ
シ、トリフルオロメチルチオ、随時フツ素、塩素及び/
またはメチルで置換されていてもよいフエニル、随時フ
ツ素、塩素及び/またはメチルで置換されていてもよい
フエノキシ、ニトロ、アミノ、アルキル基中に炭素原子
1もしくは2個を有するアルキルアミノ、各々のアルキ
ル基中に炭素原子1もしくは2個を有するジアルキルア
ミノ、フエニルアミノ或いはアルキル基中に炭素原子1
もしくは2個を有するアルキルカルボニルアミノを表わ
し、そしてmが0、1、2または3を表わすか、或いは
R2が式 の基を表わし、Xが窒素またはCH基を表わし、そしてY
が基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここにR5、R6、R7及びR8が相互に独立して水
素、メチルまたはエチルを表わすものである。
プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、メ
チルカルボニル、エチルカルボニル、n−プロピルカル
ボニル、イソプロピルカルボニル、n−ブチルカルボニ
ル及びイソブチルカルボニルを表わし、R1がフッ素、塩
素、臭素、随時フツ素、塩素、臭素、トリフルオロメチ
ル、メチル、エチル、メトキシ及び/またはエトキシよ
りなる群からの同一もしくは相異なる置換基で1〜3置
換されていてもよいフエニル、或いは式−Z−R3の基を
表わし、ここにZが酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わ
し、そしてR3がメチル、エチル、n−プロピル、イソプ
ロピル、n−ブチル、イソブチルまたはt−ブチルを表
わし、その際に該基の各々はメトキシ、エトキシ、メチ
ルチオ、フエニル、フツ素、塩素及び/または臭素より
なる群からの同一もしくは相異なる置換基で1〜3置換
され得るか、R3が随時フツ素、塩素、臭素、トリフルオ
ロメチル、メチル、エチル、メトキシ及び/またはエト
キシよりなる群からの同一もしくは相異なる置換基で1
〜3置換されていてもよいフエニルを表わすか、或いは
R3が随時フエニル部分においてフツ素、塩素、臭素、ト
リフルオロメチル、メチル、エトキシ、メトキシ及び/
またはエトキシよりなる群からの同一もしくは相異なる
置換基で1〜3置換されていてもよいベンジルを表わ
し、R2が随時メトキシ、エトキシ、メチルチオ、エチル
チオ、フエニル、フツ素、塩素及び/または臭素よりな
る群からの同一もしくは相異なる置換基で1〜3置換さ
れていてもよい炭素原子1〜4個を有するアルキル、更
に随時メチル、エチル、フツ素及び/または塩素よりな
る群からの同一もしくは相異なる置換基で1〜3置換さ
れていてもよい炭素原子3〜7個を有するシクロアルキ
ル、並びに加えて随時メチル、フツ素及び/または塩素
よりなる群からの同一もしくは相異なる置換基で1〜3
置換されていてもよいナフチル、或いは式 の基を表わし、ここにR4ががフツ素、塩素、臭素、メチ
ル、エチル、イソプロピル、t−ブチル、メトキシ、メ
チルチオ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキ
シ、トリフルオロメチルチオ、随時フツ素、塩素及び/
またはメチルで置換されていてもよいフエニル、随時フ
ツ素、塩素及び/またはメチルで置換されていてもよい
フエノキシ、ニトロ、アミノ、アルキル基中に炭素原子
1もしくは2個を有するアルキルアミノ、各々のアルキ
ル基中に炭素原子1もしくは2個を有するジアルキルア
ミノ、フエニルアミノ或いはアルキル基中に炭素原子1
もしくは2個を有するアルキルカルボニルアミノを表わ
し、そしてmが0、1、2または3を表わすか、或いは
R2が式 の基を表わし、Xが窒素またはCH基を表わし、そしてY
が基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここにR5、R6、R7及びR8が相互に独立して水
素、メチルまたはエチルを表わすものである。
また本発明による好適な化合物は酸並びにR、R1、
R2、X及びYが該基に対して好適なものとして既に上げ
られた意味を有する式(I)のヒドロキシアルキル−ア
ゾリル誘導体の付加生成物である。
R2、X及びYが該基に対して好適なものとして既に上げ
られた意味を有する式(I)のヒドロキシアルキル−ア
ゾリル誘導体の付加生成物である。
付加して酸付加塩を生成し得る酸にはハロゲン化水素
酸例えば塩酸及び臭化水素酸、殊に塩酸、更にリン酸、
硝酸、硫酸、一及び二官能性カルボン酸並びにヒドロキ
シカルボン酸例えば酢酸、マレイン酸、コハク酸、フマ
ール酸、酒石酸、クエン酸、サリチル酸、ソルビン酸及
び乳酸並びにまたスルホン酸例えばp−トルエンスルホ
ン酸、1,5−ナフタレンジスルホン酸またはカンフルス
ルホン酸がある。
酸例えば塩酸及び臭化水素酸、殊に塩酸、更にリン酸、
硝酸、硫酸、一及び二官能性カルボン酸並びにヒドロキ
シカルボン酸例えば酢酸、マレイン酸、コハク酸、フマ
ール酸、酒石酸、クエン酸、サリチル酸、ソルビン酸及
び乳酸並びにまたスルホン酸例えばp−トルエンスルホ
ン酸、1,5−ナフタレンジスルホン酸またはカンフルス
ルホン酸がある。
加えて本発明による好適な化合物には元素の周期表の
第II〜IV主族、第I及びII並びにまた第IV〜VIII亜族の
金属の塩並びにR、R1、R2、X及びYが該基に対して好
適なものとして既に上げられた意味を有する式(I)の
ヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体の付加生成物があ
る。
第II〜IV主族、第I及びII並びにまた第IV〜VIII亜族の
金属の塩並びにR、R1、R2、X及びYが該基に対して好
適なものとして既に上げられた意味を有する式(I)の
ヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体の付加生成物があ
る。
ここに銅、亜鉛、マンガン、マグネシウム、スズ、鉄
及びニツケルの塩が殊に好ましい。これらの塩の可能な
陰イオンには薬理学的に許容し得る付加生成物において
生じる酸から誘導されるものである。
及びニツケルの塩が殊に好ましい。これらの塩の可能な
陰イオンには薬理学的に許容し得る付加生成物において
生じる酸から誘導されるものである。
これに関連して、殊に好適なこのタイプの酸にはハロ
ゲン化水素酸例えば塩酸及び臭化水素酸、並びに更にリ
ン酸、硝酸及び硫酸がある。
ゲン化水素酸例えば塩酸及び臭化水素酸、並びに更にリ
ン酸、硝酸及び硫酸がある。
式(I)のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体の例
として次表に示す物質を挙げ得る: 出発物質として2−(1−クロロシクロプロピル)−
2−(4−クロロフエニルエチル)−オキシラン及び1,
2,4−トリアゾールを用いる場合、本発明による工程
(a)の径路は次式により説明し得る: 出発物質として2−(1−クロロシクロプロピル)−
4−(4−クロロフエニル)−1−(1,2,4−トリアゾ
ール−1−イル)−ブタン−2−オール及び反応成分と
してヨードメタンを用いる場合、本発明による工程
(b)の径路は次式により説明し得る: 式(II)は本発明による工程(a)に対する出発物質
として必要とされるオキシランの一般的定義を与える。
この式において、R1、R2及びYは好ましくは本発明によ
る式(I)の物質の記載に関連して該基に対して好適な
ものとして既に挙げられたものの意味を有する。
として次表に示す物質を挙げ得る: 出発物質として2−(1−クロロシクロプロピル)−
2−(4−クロロフエニルエチル)−オキシラン及び1,
2,4−トリアゾールを用いる場合、本発明による工程
(a)の径路は次式により説明し得る: 出発物質として2−(1−クロロシクロプロピル)−
4−(4−クロロフエニル)−1−(1,2,4−トリアゾ
ール−1−イル)−ブタン−2−オール及び反応成分と
してヨードメタンを用いる場合、本発明による工程
(b)の径路は次式により説明し得る: 式(II)は本発明による工程(a)に対する出発物質
として必要とされるオキシランの一般的定義を与える。
この式において、R1、R2及びYは好ましくは本発明によ
る式(I)の物質の記載に関連して該基に対して好適な
ものとして既に挙げられたものの意味を有する。
式(II)のオキシランは従来未知のものであつた。こ
れらのものは c)式 式中、R1、R2及びYは上記の意味を有する、 のシクロプロピルケトンを希釈剤の存在下で α)式 のジメチルオキソスルホニウムメチライドまたは β)式 のジメチルスルホニウムメチライドのいずれかと反応さ
せるか、または d)式 式中、R1及びR2は上記の意味を有し、そして Hal′は塩素または臭素を表わす、 のカルビノールを希釈剤の存在下で塩基と反応させるこ
とにより製造することができる。
れらのものは c)式 式中、R1、R2及びYは上記の意味を有する、 のシクロプロピルケトンを希釈剤の存在下で α)式 のジメチルオキソスルホニウムメチライドまたは β)式 のジメチルスルホニウムメチライドのいずれかと反応さ
せるか、または d)式 式中、R1及びR2は上記の意味を有し、そして Hal′は塩素または臭素を表わす、 のカルビノールを希釈剤の存在下で塩基と反応させるこ
とにより製造することができる。
工程(c)を行う際に出発物質として必要とされる式
(V)のシクロプロピルケトンは従来未知であつた。こ
れらのものは e)式 R2−CHO (IX−a) または 式中、R2、R5及びR6は上記の意味を有する、 のアルデヒドを触媒の存在下及び希釈剤の存在下で式 式中、R1は上記の意味を有する、 のメチルシクロプロピルケトンと反応させ、そして適当
ならば式 または 式中、R1、R2、R5及びR6は上記の意味を有する、 のシクロプロピルケトンをこの反応において触媒の存在
下及び希釈剤の存在下で水素化するか、または f)式 R2−C≡CH (XI) 式中、R2は上記の意味を有する、 のアセチレンを触媒の存在下及び希釈剤の存在下で式 式中、R1は上記の意味を有し、そしてHal″は塩素また
は臭素を表わす、 の酸ハロゲン化物と反応させることにより製造すること
ができる。
(V)のシクロプロピルケトンは従来未知であつた。こ
れらのものは e)式 R2−CHO (IX−a) または 式中、R2、R5及びR6は上記の意味を有する、 のアルデヒドを触媒の存在下及び希釈剤の存在下で式 式中、R1は上記の意味を有する、 のメチルシクロプロピルケトンと反応させ、そして適当
ならば式 または 式中、R1、R2、R5及びR6は上記の意味を有する、 のシクロプロピルケトンをこの反応において触媒の存在
下及び希釈剤の存在下で水素化するか、または f)式 R2−C≡CH (XI) 式中、R2は上記の意味を有する、 のアセチレンを触媒の存在下及び希釈剤の存在下で式 式中、R1は上記の意味を有し、そしてHal″は塩素また
は臭素を表わす、 の酸ハロゲン化物と反応させることにより製造すること
ができる。
工程(e)における出発物質として必要とされる式
(IX−a)及び(IX−b)のアルデヒドは一般に公知の
有機化学の化合物である。
(IX−a)及び(IX−b)のアルデヒドは一般に公知の
有機化学の化合物である。
更に工程(e)を行う際に反応成分として必要とされ
る式(X)のメチルシクロプロピルケトンは公知である
か、または原理的に公知である方法により製造し得る
[シンセシス(Synthesis)1977、189参照]。
る式(X)のメチルシクロプロピルケトンは公知である
か、または原理的に公知である方法により製造し得る
[シンセシス(Synthesis)1977、189参照]。
工程(e)の第一段階を行うに適する触媒にはこのタ
イプの縮合に対して普通であるすべての反応加速剤があ
る。塩基性物質例えばアルカリ金属水酸化物例えば水酸
化物例えば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムを好
適に使用し得る。
イプの縮合に対して普通であるすべての反応加速剤があ
る。塩基性物質例えばアルカリ金属水酸化物例えば水酸
化物例えば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムを好
適に使用し得る。
工程(e)の第一段階を行う際に、可能な希釈剤には
このタイプの反応に普通であるすべての不活性有機溶媒
がある。アルコール例えばメタノール、エタノール、イ
ソプロパノール、n−ブタノール及びt−ブタノールを
好適に使用し得る。
このタイプの反応に普通であるすべての不活性有機溶媒
がある。アルコール例えばメタノール、エタノール、イ
ソプロパノール、n−ブタノール及びt−ブタノールを
好適に使用し得る。
工程(e)の第一段階を行う場合に反応温度は比較的
広い範囲内で変え得る。一般に反応は0乃至100℃間、
好ましくは10乃至80℃間の温度で温度で行う。
広い範囲内で変え得る。一般に反応は0乃至100℃間、
好ましくは10乃至80℃間の温度で温度で行う。
工程(e)の第一段階は通常大気圧で行う。しかしな
がらまた、昇圧または減圧下で行うことができる。
がらまた、昇圧または減圧下で行うことができる。
工程(e)の第一段階を行う場合、式(X)のメチル
シクロプロピルケトン1モル当り1モルの式(IX)のア
ルデヒド及びまた触媒量の反応加速剤を用いる。しかし
ながらまた、ある成分または他のものを過剰に用いるこ
ともできる。処理は常法により行う。一般に、固体状態
で沈澱する反応生成物を吸引で濾別する方法を用い、そ
して更に必要に応じて予備精製後に反応に用いる。
シクロプロピルケトン1モル当り1モルの式(IX)のア
ルデヒド及びまた触媒量の反応加速剤を用いる。しかし
ながらまた、ある成分または他のものを過剰に用いるこ
ともできる。処理は常法により行う。一般に、固体状態
で沈澱する反応生成物を吸引で濾別する方法を用い、そ
して更に必要に応じて予備精製後に反応に用いる。
工程(e)の第二段階において、式(V−a)または
(V−b)のシクロプロピルケトンを触媒及び希釈剤の
存在下にて水素を用いて水素化する。この工程におい
て、反応は懸濁させた粉末状の水素化触媒を用いるか
(不均一系)、または希釈剤に溶解した触媒複合体を用
いて(均一系)液相中で行う。水素化は液相の水素化ま
たは公知の水素化反応器例えばオートクレーブ、オート
クレーブ・カスケード、チユーブ反応器または回転反応
器中でのトリクル(trickle)床として非連続的にか
(バツチ法)、または連続的に行うことができる。好適
な方法はオートクレーブ中での昇温下での非連続的液相
水素化である。
(V−b)のシクロプロピルケトンを触媒及び希釈剤の
存在下にて水素を用いて水素化する。この工程におい
て、反応は懸濁させた粉末状の水素化触媒を用いるか
(不均一系)、または希釈剤に溶解した触媒複合体を用
いて(均一系)液相中で行う。水素化は液相の水素化ま
たは公知の水素化反応器例えばオートクレーブ、オート
クレーブ・カスケード、チユーブ反応器または回転反応
器中でのトリクル(trickle)床として非連続的にか
(バツチ法)、または連続的に行うことができる。好適
な方法はオートクレーブ中での昇温下での非連続的液相
水素化である。
工程(e)の第二段階を行うに適する希釈剤には不活
性有機溶媒がある。これらのものには好ましくはアルコ
ール例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール
またはエチレングリコール;エーテル例えばジエチルエ
ーテル、ジイソプロピルエーテル、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエー
テル、ジオキサンまたはテトラヒドロフラン、飽和炭化
水素例えばn−ヘプタンまたはシクロヘキサン;芳香族
炭化水素例えばトルエン;及びまたエステル例えば酢酸
エチルが含まれる。
性有機溶媒がある。これらのものには好ましくはアルコ
ール例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール
またはエチレングリコール;エーテル例えばジエチルエ
ーテル、ジイソプロピルエーテル、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエー
テル、ジオキサンまたはテトラヒドロフラン、飽和炭化
水素例えばn−ヘプタンまたはシクロヘキサン;芳香族
炭化水素例えばトルエン;及びまたエステル例えば酢酸
エチルが含まれる。
工程(e)の第二段階に適する水素化触媒には例えば
メンデレーフによる元素の周期表の第8亜族の元素の金
属及び/または化合物からなるもの、またはこれらのも
のを含むものがある。ここに金属ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、白金、コバルト及びニツケル並びにそ
の化合物が好ましい。金属化合物は例えば塩化物、酸化
物、水酸化物及び/またはオキシ水和物であり得る。
メンデレーフによる元素の周期表の第8亜族の元素の金
属及び/または化合物からなるもの、またはこれらのも
のを含むものがある。ここに金属ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、白金、コバルト及びニツケル並びにそ
の化合物が好ましい。金属化合物は例えば塩化物、酸化
物、水酸化物及び/またはオキシ水和物であり得る。
金属銅、バナジウム、モリブデン、クロム及び/また
はマンガン、並びにまたこれら金属の化合物を更に存在
させ得る。
はマンガン、並びにまたこれら金属の化合物を更に存在
させ得る。
水素化触媒は殊にまたは主に水素移動物質からなり得
るが、これらのものは担体物質にも塗布し得る。
るが、これらのものは担体物質にも塗布し得る。
水素移動物質に適する担体物質には例えば次のものが
ある:無機物質例えばケイソウ土、シリカ、酸化アルミ
ニウム、アルカリ金属ケイ酸塩及びアルカリ土金属ケイ
酸塩、ケイ酸アルミニウム、モンモリロナイト、ゼオラ
イト、スピネル、ドロマイト、カオリン、ケイ酸マグネ
シウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、炭酸カルシウ
ム、炭化ケイ素、リン酸アルミニウム、リン酸ホウ素、
アスベスト、活性炭または硫酸バリウム、及びまた有機
物質例えば高分子量を有する天然または合成化合物例え
ば絹、ポリアミド、ポリスチレン、セルロースまたはポ
リウレタン、粉末状の無機担体物質が好ましい。
ある:無機物質例えばケイソウ土、シリカ、酸化アルミ
ニウム、アルカリ金属ケイ酸塩及びアルカリ土金属ケイ
酸塩、ケイ酸アルミニウム、モンモリロナイト、ゼオラ
イト、スピネル、ドロマイト、カオリン、ケイ酸マグネ
シウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、炭酸カルシウ
ム、炭化ケイ素、リン酸アルミニウム、リン酸ホウ素、
アスベスト、活性炭または硫酸バリウム、及びまた有機
物質例えば高分子量を有する天然または合成化合物例え
ば絹、ポリアミド、ポリスチレン、セルロースまたはポ
リウレタン、粉末状の無機担体物質が好ましい。
このタイプの担持触媒は担持触媒の全重量に関して一
般に0.5〜50重量%、好ましくは1〜10重量%の水素移
動物質を含有し得る。かくて水素移動物質は担体物質中
に均一に分配され得るが、その外層または表面に水素移
動物質が沈着した触媒が好ましい。工程(e)に使用し
得る触媒の調製及び成形は公知の方法で行い得る[例え
ばホーベン−ウエイル(Houben−Weyl)、有機化学の方
法(Methoden der organischen Chemie)、第IV巻、I
c、第I部、16〜26頁、ゲオルグ・チーメ・ベルラグ、
シユツッツガルト(Georg Thieme Verlag,Stuttgar
t)、1980参照]。
般に0.5〜50重量%、好ましくは1〜10重量%の水素移
動物質を含有し得る。かくて水素移動物質は担体物質中
に均一に分配され得るが、その外層または表面に水素移
動物質が沈着した触媒が好ましい。工程(e)に使用し
得る触媒の調製及び成形は公知の方法で行い得る[例え
ばホーベン−ウエイル(Houben−Weyl)、有機化学の方
法(Methoden der organischen Chemie)、第IV巻、I
c、第I部、16〜26頁、ゲオルグ・チーメ・ベルラグ、
シユツッツガルト(Georg Thieme Verlag,Stuttgar
t)、1980参照]。
好適な担持触媒は木炭上のルテニウム、酸化アルミニ
ウム上のルテニウム、木炭上のロジウム、酸化アルミニ
ウム上のロジウム、木炭上のパラジウム、酸化アルミニ
ウム上のパラジウム、炭酸カルシウム上のパラジウム、
硫酸バリウム上のパラジウム、シリカ上のパラジウム、
木炭上の白金、酸化アルミニウム上の白金、ケイソウ土
上のニッケル、酸化アルミニウム上のニッケル並びにま
た酸化アルミニウム上のニッケル及びパラジウムであ
る。
ウム上のルテニウム、木炭上のロジウム、酸化アルミニ
ウム上のロジウム、木炭上のパラジウム、酸化アルミニ
ウム上のパラジウム、炭酸カルシウム上のパラジウム、
硫酸バリウム上のパラジウム、シリカ上のパラジウム、
木炭上の白金、酸化アルミニウム上の白金、ケイソウ土
上のニッケル、酸化アルミニウム上のニッケル並びにま
た酸化アルミニウム上のニッケル及びパラジウムであ
る。
殊にまたは主に水素移動物質からなる不均一系におけ
る水素化に好適な水素化触媒は例えば酸化物触媒例えば
酸化パラジウム、酸化白金、酸化ルテニウム及び/また
はニシムラ(Nishimura)による酸化ロジウム/酸化白
金、並びに更にアルカリ金属水素化物、アルカリ金属ホ
ウ水素化物、金属アルカリ、ヒドラジン、ホルムアルデ
ヒド、水素または電子陽性金属を用いる対応する金属塩
または金属塩混合物の還元により調製し得る黒色触媒例
えばパラジウム黒、白金黒及びロジウム黒;並びにラネ
ー(Raney)タイプのスポンジ触媒例えばラネー・ニッ
ケル、ラネー・コバルト、ラネー・ニッケル/コバル
ト、ラネー・ニッケル/鉄、ラネー・ニッケル/銅、ラ
ネー・ニッケル/鉄/クロム、ラネー・ニッケル/パラ
ジウム及びラネー・ニッケル/鉄/バナジウムである。
る水素化に好適な水素化触媒は例えば酸化物触媒例えば
酸化パラジウム、酸化白金、酸化ルテニウム及び/また
はニシムラ(Nishimura)による酸化ロジウム/酸化白
金、並びに更にアルカリ金属水素化物、アルカリ金属ホ
ウ水素化物、金属アルカリ、ヒドラジン、ホルムアルデ
ヒド、水素または電子陽性金属を用いる対応する金属塩
または金属塩混合物の還元により調製し得る黒色触媒例
えばパラジウム黒、白金黒及びロジウム黒;並びにラネ
ー(Raney)タイプのスポンジ触媒例えばラネー・ニッ
ケル、ラネー・コバルト、ラネー・ニッケル/コバル
ト、ラネー・ニッケル/鉄、ラネー・ニッケル/銅、ラ
ネー・ニッケル/鉄/クロム、ラネー・ニッケル/パラ
ジウム及びラネー・ニッケル/鉄/バナジウムである。
不均一系における水素化に対し、工程(e)の第二段
階で反応混合物の全重量に関して0.05〜2.5、好ましく
は0.1〜1重量%の量で水素移動物質を存在させた水素
化触媒を用いる。
階で反応混合物の全重量に関して0.05〜2.5、好ましく
は0.1〜1重量%の量で水素移動物質を存在させた水素
化触媒を用いる。
工程(e)の第二段階を行う場合、2種またはそれ以
上の上記の水素化触媒の混合物を用いることもできる。
上の上記の水素化触媒の混合物を用いることもできる。
水素化触媒の触媒活性は工程(e)の第二段階を行う
場合に一般に大部分残っており、従つてこのものを非連
続法でくり返して用いることができ、そして連続法では
比較的長時間使用したままでいることができる。
場合に一般に大部分残っており、従つてこのものを非連
続法でくり返して用いることができ、そして連続法では
比較的長時間使用したままでいることができる。
反応温度は比較的広い範囲内で変え得る。一般に、反
応は0乃至150℃間、好ましくは20乃至120℃間の範囲で
行う。
応は0乃至150℃間、好ましくは20乃至120℃間の範囲で
行う。
工程(e)の第二段階において不均一接触された水素
化は好ましくは昇圧下で行う。一般に、反応は1乃至15
0バール間、好ましくは10乃至60バール間で行う。
化は好ましくは昇圧下で行う。一般に、反応は1乃至15
0バール間、好ましくは10乃至60バール間で行う。
上記の不均一タイプの水素化触媒に加えて、溶解して
均一溶液を生成させる水素化触媒を工程(e)の第二段
階を行う際に用いることもできる。不均一系触媒と比較
してしばしば高い選択性を有する均一系触媒により式
(V−a)または(V−b)のシクロプロピルケトンの
選択的水素化が行われ、その際にこのものは更に水素化
できるか、または水素化分解感応性の置換基例えばフエ
ニル基上のハロゲンを含有する。かかる均一系水素化触
媒には例えば中心原子としてメンデレーフによる元素の
周期表の第8亜族の金属を含む錯体がある。ここに好適
な金属にはルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジ
ウム、コバルト及びニッケルがある。ルテニウム、ロジ
ウム及びイリジウムが殊に好ましい。挙げ得るこのタイ
プの金属錯体の例には塩化トリス−(トリフエニルホス
フイン)−ロジウム(I)、塩化トリス−(トリフエニ
ルホスフイン)−ルテニウム(II)及び塩化ビス−(ト
リフエニルホスフイン)−カルボニル−イリジウム
(I)がある。
均一溶液を生成させる水素化触媒を工程(e)の第二段
階を行う際に用いることもできる。不均一系触媒と比較
してしばしば高い選択性を有する均一系触媒により式
(V−a)または(V−b)のシクロプロピルケトンの
選択的水素化が行われ、その際にこのものは更に水素化
できるか、または水素化分解感応性の置換基例えばフエ
ニル基上のハロゲンを含有する。かかる均一系水素化触
媒には例えば中心原子としてメンデレーフによる元素の
周期表の第8亜族の金属を含む錯体がある。ここに好適
な金属にはルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジ
ウム、コバルト及びニッケルがある。ルテニウム、ロジ
ウム及びイリジウムが殊に好ましい。挙げ得るこのタイ
プの金属錯体の例には塩化トリス−(トリフエニルホス
フイン)−ロジウム(I)、塩化トリス−(トリフエニ
ルホスフイン)−ルテニウム(II)及び塩化ビス−(ト
リフエニルホスフイン)−カルボニル−イリジウム
(I)がある。
工程(e)の第二段階を行う場合に溶解して均一な溶
液を生成させる水素化触媒の使用の場合に適する希釈剤
は不活性有機溶媒である。アルコール例えばメタノー
ル、エタノール、イソプロパノールまたはエチレングリ
コール、更に炭化水素例えばトルエン、加えてケトン例
えばアセトン及びブタノン、並びにまたエステル例えば
酢酸エチルを好適に使用し得る。
液を生成させる水素化触媒の使用の場合に適する希釈剤
は不活性有機溶媒である。アルコール例えばメタノー
ル、エタノール、イソプロパノールまたはエチレングリ
コール、更に炭化水素例えばトルエン、加えてケトン例
えばアセトン及びブタノン、並びにまたエステル例えば
酢酸エチルを好適に使用し得る。
均一系における水素化に対し、工程(e)の第二段階
を行う際に水素化触媒は用いる式(V−a)または(V
−b)のシクロプロピルケトンに関して0.01〜2.5モル
%、好ましくは0.05〜1.0モル%の量で水素化触媒錯体
を存在させて一般に用いる。
を行う際に水素化触媒は用いる式(V−a)または(V
−b)のシクロプロピルケトンに関して0.01〜2.5モル
%、好ましくは0.05〜1.0モル%の量で水素化触媒錯体
を存在させて一般に用いる。
また工程(e)の第二段階を行う場合に反応温度は均
一系における水素化に対して比較的広い範囲内で変え得
る。一般に、反応は0乃至150℃間、好ましくは20乃至1
20℃間の温度で行う。
一系における水素化に対して比較的広い範囲内で変え得
る。一般に、反応は0乃至150℃間、好ましくは20乃至1
20℃間の温度で行う。
工程(e)の第二段階における均一系において水素化
は好ましくは昇圧下で行う。一般に、反応は1乃至150
バール間、好ましくは10乃至100バール間の圧力で行
う。
は好ましくは昇圧下で行う。一般に、反応は1乃至150
バール間、好ましくは10乃至100バール間の圧力で行
う。
変法において、工程(e)の第二段階における均一系
における水素化は分子状、水素を水素化には用いずに、
適当な触媒の存在下で水素化を移行させ、従つて水素供
与体として作用させる意味で、1個またはそれ以上の水
素原子を式(V−a)または(V−b)のシクロプロピ
ルケトンに移動させ得る還元剤を用いるように行うこと
もできる。かかる移動水素化に適する触媒は原理的に工
程(e)の第二段階において分子状水素を用いる均一に
接触させた水素化に対して既に記載されたメンデレーフ
による元素の周期表の第8亜族の金属の錯体である。
における水素化は分子状、水素を水素化には用いずに、
適当な触媒の存在下で水素化を移行させ、従つて水素供
与体として作用させる意味で、1個またはそれ以上の水
素原子を式(V−a)または(V−b)のシクロプロピ
ルケトンに移動させ得る還元剤を用いるように行うこと
もできる。かかる移動水素化に適する触媒は原理的に工
程(e)の第二段階において分子状水素を用いる均一に
接触させた水素化に対して既に記載されたメンデレーフ
による元素の周期表の第8亜族の金属の錯体である。
ここに可能な水素供与体は第一級及び第二級の一価ま
たは多価アルコールである。メタノール、エタノール、
n−プロパノール、i−プロパノール、n−ブタノー
ル、2−ブタノール、ベンジルアルコール、エチレング
リコール、1,3−プロパン−ジオール、1,4−ブタンジオ
ール及び1,5−ペンタンジオールを好適に使用し得る。
これらのアルコールは水素供与体及びまた溶媒としての
両方に使用し得る。
たは多価アルコールである。メタノール、エタノール、
n−プロパノール、i−プロパノール、n−ブタノー
ル、2−ブタノール、ベンジルアルコール、エチレング
リコール、1,3−プロパン−ジオール、1,4−ブタンジオ
ール及び1,5−ペンタンジオールを好適に使用し得る。
これらのアルコールは水素供与体及びまた溶媒としての
両方に使用し得る。
更に工程(e)の第二段階に使用し得る水素供与体に
はギ酸のアルカル金属塩及びアルカリ土金属塩例えばギ
酸ナトリウム及びギ酸カリウム、並びにまたギ酸自体が
ある。ギ酸の塩の場合、工程(e)の第二段階は相間移
動触媒の状態で行うことができ、その際に式(V−a)
または(V−b)のシクロプロピルケトン及び水素化触
媒を適当な有機溶媒に溶解し、そしてギ酸塩を水溶液と
して第二相中に存在させる。従つてこれに関連して、適
当な溶媒は一方では式(V−a)または(V−b)のシ
クロプロピルケトン及び水素化触媒を溶解するが、他方
では水と混和しないものである。このタイプの溶媒には
例えばベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロ
ベンゼン及び塩化メチレンがある。可能な相間移動触媒
はこの目的のために有機化学で使用し得るすべての反応
加速剤である。臭化テトラブチルアンモニウム及び塩化
メチル−トリデシル−アンモニウム(Aliquat336)を
好適に使用し得る。
はギ酸のアルカル金属塩及びアルカリ土金属塩例えばギ
酸ナトリウム及びギ酸カリウム、並びにまたギ酸自体が
ある。ギ酸の塩の場合、工程(e)の第二段階は相間移
動触媒の状態で行うことができ、その際に式(V−a)
または(V−b)のシクロプロピルケトン及び水素化触
媒を適当な有機溶媒に溶解し、そしてギ酸塩を水溶液と
して第二相中に存在させる。従つてこれに関連して、適
当な溶媒は一方では式(V−a)または(V−b)のシ
クロプロピルケトン及び水素化触媒を溶解するが、他方
では水と混和しないものである。このタイプの溶媒には
例えばベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロ
ベンゼン及び塩化メチレンがある。可能な相間移動触媒
はこの目的のために有機化学で使用し得るすべての反応
加速剤である。臭化テトラブチルアンモニウム及び塩化
メチル−トリデシル−アンモニウム(Aliquat336)を
好適に使用し得る。
工程(e)の第二段階に必要な反応時間は反応温度、
水素分圧、反応混合物の混合の強さ並びに水素化触媒の
活性及び濃度に依存する。一般に、必要な反応時間は15
分から数時間までの範囲である。各々の場合に処理は常
法により行う。
水素分圧、反応混合物の混合の強さ並びに水素化触媒の
活性及び濃度に依存する。一般に、必要な反応時間は15
分から数時間までの範囲である。各々の場合に処理は常
法により行う。
工程(f)を行う際に出発物質として必要とされる式
(XI)のアセチレンは公知であるか、または原理的に公
知である方法により簡単に製造し得る。
(XI)のアセチレンは公知であるか、または原理的に公
知である方法により簡単に製造し得る。
また工程(f)を行う際に反応成分として必要とされ
る式(XII)の酸ハロゲン化物は公知であるか、または
原理的に公知である方法により製造し得る。
る式(XII)の酸ハロゲン化物は公知であるか、または
原理的に公知である方法により製造し得る。
工程(f)を行うに適する触媒はこのタイプの反応に
通常であるすべての反応加速剤である。銅塩例えばヨウ
化銅を好適に使用し得る。
通常であるすべての反応加速剤である。銅塩例えばヨウ
化銅を好適に使用し得る。
工程(f)を行う際に可能な希釈剤はこのタイプの反
応に通常であるすべての不活性有機溶媒である。エーテ
ル例えばテトラヒドロフラン及びジエチルエーテルを好
適に使用し得る。
応に通常であるすべての不活性有機溶媒である。エーテ
ル例えばテトラヒドロフラン及びジエチルエーテルを好
適に使用し得る。
工程(f)を行う場合に反応温度はある範囲内で変え
得る。一般に、反応は−78乃至50℃間、好ましくは−78
乃至40℃間の温度で行う。
得る。一般に、反応は−78乃至50℃間、好ましくは−78
乃至40℃間の温度で行う。
工程(f)を行う場合、式(XI)のアセチレン1モル
当り1〜1,2モルの式(XII)の酸ハロゲン化物及びまた
触媒を一般に用いる。処理は常法により行う。
当り1〜1,2モルの式(XII)の酸ハロゲン化物及びまた
触媒を一般に用いる。処理は常法により行う。
工程(c)における反応成分として必要とされる式
(VI)のジメチル−オキソースルホニウムメチライドは
公知である[ジヤーナル・オブ・アメリカン・ケミカル
・ソサイアテイー(J.Am.Chem.Soc.)87、1363〜1364
(1965)参照]。このものは上記反応において、希釈剤
の存在下でヨウ化トリメチルオキソスルホニウムと水素
化ナトリウムまたはナトリウムアミド、殊にカリウムt
−ブチラートまたはナトリウムメチラートとの反応によ
りその場で調製することにより新たに調製された状態で
用いる。また工程(c)において反応成分として更に可
能である式(VII)のジメチルスルホニウムメチライド
は公知である[ヘテロサイクルズ8、397(1977)参
照]。またこのものは上記反応において、例えば強塩基
例えば水素化ナトリウム、ナトリウムアミド、ナトリウ
ムメチラート、カリウムt−ブチラートまたは水酸化カ
リウムの存在下、希釈剤例えばt−ブタノールまたはジ
メチルスルホキシドの存在下でハロゲン化トリメチルス
ルホニウムまたはメチル硫酸トリメチルスルホニウムか
らその場で調製することにより新たに調製した状態で用
いる。
(VI)のジメチル−オキソースルホニウムメチライドは
公知である[ジヤーナル・オブ・アメリカン・ケミカル
・ソサイアテイー(J.Am.Chem.Soc.)87、1363〜1364
(1965)参照]。このものは上記反応において、希釈剤
の存在下でヨウ化トリメチルオキソスルホニウムと水素
化ナトリウムまたはナトリウムアミド、殊にカリウムt
−ブチラートまたはナトリウムメチラートとの反応によ
りその場で調製することにより新たに調製された状態で
用いる。また工程(c)において反応成分として更に可
能である式(VII)のジメチルスルホニウムメチライド
は公知である[ヘテロサイクルズ8、397(1977)参
照]。またこのものは上記反応において、例えば強塩基
例えば水素化ナトリウム、ナトリウムアミド、ナトリウ
ムメチラート、カリウムt−ブチラートまたは水酸化カ
リウムの存在下、希釈剤例えばt−ブタノールまたはジ
メチルスルホキシドの存在下でハロゲン化トリメチルス
ルホニウムまたはメチル硫酸トリメチルスルホニウムか
らその場で調製することにより新たに調製した状態で用
いる。
工程(c)を行うに適する希釈剤は不活性有機溶媒で
ある。アルコール例えばt−ブタノール、エーテル例え
ばテトラヒドロフランまたはジオキサン、更に脂肪族及
び芳香族炭化水素例えばベンゼン、トルエンまたはキシ
レン、並びにまた強い極性溶媒例えばジメチルスルホキ
シドを好適に使用し得る。
ある。アルコール例えばt−ブタノール、エーテル例え
ばテトラヒドロフランまたはジオキサン、更に脂肪族及
び芳香族炭化水素例えばベンゼン、トルエンまたはキシ
レン、並びにまた強い極性溶媒例えばジメチルスルホキ
シドを好適に使用し得る。
工程(c)を行う場合に反応温度は比較的広い範囲内
で変え得る。一般に、反応は0乃至100℃間、好ましく
は10乃至60℃間で行う。
で変え得る。一般に、反応は0乃至100℃間、好ましく
は10乃至60℃間で行う。
工程(c)を行う場合、一般に式(V)のシクロプロ
ピルケトン1モル当り1〜3モルの式(VI)のジメチル
オキソスルホニウムメチライドまたは式(VII)のジメ
チルスルホニウムメチライドを用いる。式(II)のオキ
シランの単離は常法により行う。
ピルケトン1モル当り1〜3モルの式(VI)のジメチル
オキソスルホニウムメチライドまたは式(VII)のジメ
チルスルホニウムメチライドを用いる。式(II)のオキ
シランの単離は常法により行う。
工程(d)を行う際の出発物質として必要とされる式
(VIII)のカルビノールは従来未知であつた。これらの
ものは g)式 式中、R1は上記の意味を有し、そして Halは塩素または臭素を表わす、 のハロゲノケトンを適当ならば酸結合剤の存在下及び希
釈剤の存在下で式 R2−C≡C Me (XIV) 式中、R2は上記の意味を有し、そして Meは金属陽イオンの等価物を表わす、 のアセチレン塩と反応させることにより製造できる。
(VIII)のカルビノールは従来未知であつた。これらの
ものは g)式 式中、R1は上記の意味を有し、そして Halは塩素または臭素を表わす、 のハロゲノケトンを適当ならば酸結合剤の存在下及び希
釈剤の存在下で式 R2−C≡C Me (XIV) 式中、R2は上記の意味を有し、そして Meは金属陽イオンの等価物を表わす、 のアセチレン塩と反応させることにより製造できる。
工程(g)に対する出発物質として必要とされる式
(XIII)のハロゲノケトンのあるものは公知である(ベ
ルギー国特許第879,785号及びドイツ国特許出願公開第
2,944,342号)。これらのものは h)式 式中、R1は上記の意味を有する、 のメチル−シクロプロピルケトンを希釈剤の存在下で塩
素化剤または臭素化剤と反応させることにより調製でき
る。
(XIII)のハロゲノケトンのあるものは公知である(ベ
ルギー国特許第879,785号及びドイツ国特許出願公開第
2,944,342号)。これらのものは h)式 式中、R1は上記の意味を有する、 のメチル−シクロプロピルケトンを希釈剤の存在下で塩
素化剤または臭素化剤と反応させることにより調製でき
る。
工程(h)に対して可能な塩素化剤及び臭素化剤はこ
のタイプの反応に通常であるすべての塩素化及び臭素化
剤である。塩化スルフリル、臭化スルフリル及び臭素を
好適に使用し得る。
のタイプの反応に通常であるすべての塩素化及び臭素化
剤である。塩化スルフリル、臭化スルフリル及び臭素を
好適に使用し得る。
工程(h)に適する希釈剤はこのタイプの反応に通常
であるすべての不活性有機溶媒である。ハロゲン化され
た脂肪族炭化水素例えば塩化メチレン、クロロホルム及
び四塩化炭素を好適に使用し得る。
であるすべての不活性有機溶媒である。ハロゲン化され
た脂肪族炭化水素例えば塩化メチレン、クロロホルム及
び四塩化炭素を好適に使用し得る。
工程(h)において反応温度はある範囲内で変え得
る。一般に、反応は−10乃至60℃間、好ましくは0乃至
40℃間の温度で行う。
る。一般に、反応は−10乃至60℃間、好ましくは0乃至
40℃間の温度で行う。
工程(h)を行う場合、反応は大気圧で行う。しかし
ながらまた、各々の場合に昇圧または減圧下で行うこと
もできる。
ながらまた、各々の場合に昇圧または減圧下で行うこと
もできる。
工程(h)を行う場合、式(X)のケトン1モル当り
化学量論量または少々過剰の塩素化または臭素化剤を一
般に用いる。処理は常法により行う。一般に、反応混合
物を順次希釈炭酸水素ナトリウム水溶液及び水で洗浄
し、次に乾燥し、そして濃縮する方法を用いる。
化学量論量または少々過剰の塩素化または臭素化剤を一
般に用いる。処理は常法により行う。一般に、反応混合
物を順次希釈炭酸水素ナトリウム水溶液及び水で洗浄
し、次に乾燥し、そして濃縮する方法を用いる。
式(XIV)は工程(g)における反応成分として必要
されるアセチレン塩の一般的定義を与える。この式にお
いて、R2は好ましくは本発明による式(I)の物質の記
載に関連して該基に対して好適なものとして既に挙げら
れたものの意味を有する。Meは好ましくはリチウム陽イ
オンまたはセリウム(III)陽イオンの等価物を表わ
す。
されるアセチレン塩の一般的定義を与える。この式にお
いて、R2は好ましくは本発明による式(I)の物質の記
載に関連して該基に対して好適なものとして既に挙げら
れたものの意味を有する。Meは好ましくはリチウム陽イ
オンまたはセリウム(III)陽イオンの等価物を表わ
す。
式(XIV)のアセチレン塩は公知であるか、または原
理的に公知である方法により製造し得る。
理的に公知である方法により製造し得る。
工程(g)を行うに適する酸結合剤はすべて通常の酸
受容体である。
受容体である。
工程(g)を行う際に可能な希釈剤はすべての通常の
不活性有機溶媒である。芳香族炭化水素例えばトルエ
ン、並びに更にエーテル例えばジエチルエーテル、テト
ラヒドロフラン、t−ブチルメチルエーテル及びこれら
エーテルの混合物を好適に使用し得る。
不活性有機溶媒である。芳香族炭化水素例えばトルエ
ン、並びに更にエーテル例えばジエチルエーテル、テト
ラヒドロフラン、t−ブチルメチルエーテル及びこれら
エーテルの混合物を好適に使用し得る。
工程(g)を行う場合、反応温度は比較的広範囲に変
え得る。一般に反応は−100乃至100℃間、好ましくは−
80乃至50℃間の温度で行う。
え得る。一般に反応は−100乃至100℃間、好ましくは−
80乃至50℃間の温度で行う。
工程(g)は一般に大気圧下で行う。しかしながらま
た、昇圧または減圧下で行うこともできる。
た、昇圧または減圧下で行うこともできる。
工程(g)を行う場合、式(XIII)のハロゲノケトン
1モル当り1〜3モルの式(XIV)のアセチレン塩を一
般に用いる。処理は常法により行う。
1モル当り1〜3モルの式(XIV)のアセチレン塩を一
般に用いる。処理は常法により行う。
工程(d)を行う際に可能な塩基はこのタイプの反応
に通常適するすべての有機及び無機酸結合剤である。ア
ルカリ金属炭酸塩例えば炭酸ナトリウム及び炭酸カリウ
ム、更にアルカリ金属水酸化物例えば水酸化ナトリウム
及び水酸化カリウム、加えてアルカリ金属アルコラート
例えばナトリウムメチラート、カリウムメチラート、ナ
トリウムエチラート、カリウムエチラート及びまたカリ
ウムt−ブチラート、並びに更に低級の第三級アルキル
アミン、シクロアルキルアミン及びアラルキルアミン例
えば殊にトリエチルアミンを好適に使用し得る。
に通常適するすべての有機及び無機酸結合剤である。ア
ルカリ金属炭酸塩例えば炭酸ナトリウム及び炭酸カリウ
ム、更にアルカリ金属水酸化物例えば水酸化ナトリウム
及び水酸化カリウム、加えてアルカリ金属アルコラート
例えばナトリウムメチラート、カリウムメチラート、ナ
トリウムエチラート、カリウムエチラート及びまたカリ
ウムt−ブチラート、並びに更に低級の第三級アルキル
アミン、シクロアルキルアミン及びアラルキルアミン例
えば殊にトリエチルアミンを好適に使用し得る。
工程(d)を行う際に可能な希釈剤はすべての通常の
不活性有機溶媒である。ニトリル例えばアセトニトリ
ル、更に芳香族炭化水素例えばベンゼン、トルエン及び
ジクロロベンゼン、加えてホルムアミド例えばジメチル
ホルムアミド、並びにまた強い極性溶媒例えばジメチル
スルホキシド及びヘキサメチルリン酸トリアミドを好適
に使用し得る。
不活性有機溶媒である。ニトリル例えばアセトニトリ
ル、更に芳香族炭化水素例えばベンゼン、トルエン及び
ジクロロベンゼン、加えてホルムアミド例えばジメチル
ホルムアミド、並びにまた強い極性溶媒例えばジメチル
スルホキシド及びヘキサメチルリン酸トリアミドを好適
に使用し得る。
工程(d)を行う場合、反応温度はある範囲内で変え
得る。一般に、反応は−20乃至100℃間、好ましくは0
乃至60℃間の温度で行う。
得る。一般に、反応は−20乃至100℃間、好ましくは0
乃至60℃間の温度で行う。
工程(d)を行う場合、反応は一般に大気圧下で行
う。しかしながらまた、昇圧または減圧下で行うことも
できる。
う。しかしながらまた、昇圧または減圧下で行うことも
できる。
工程(d)を行う場合、式(VIII)のカルビノール1
モル当り1〜3モルの塩基を一般に用いる。処理は常法
により行う。
モル当り1〜3モルの塩基を一般に用いる。処理は常法
により行う。
本発明による工程(a)を行う際に反応成分として必
要とされる式(III)のアゾールは一般的に公知の有機
化学の化合物である。
要とされる式(III)のアゾールは一般的に公知の有機
化学の化合物である。
本発明による工程(a)を行うに適する酸結合剤はす
べての通常の酸受容体である。アルカリ金属炭酸塩及び
炭酸水素塩例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウムまたは
炭酸水素ナトリウム、更にアルカリ金属の水酸化物及び
アルコラート例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、ナトリウムメチラートまたはカリウムt−ブチラー
ト、加えて第三級脂肪族または芳香族アミン例えばトリ
エチルアミン、N,N−ジメチル−シクロヘキシル−アミ
ン、N,N−ジメチル−ベンジルアミン及びピリジン、並
びに加えて環式アミン例えば1,5−ジアザービシクロ
[4,3,0]−ノン−5−エン(DBN)、1,8−ジアザ−ビ
シクロ[5,4,0]ウンデス−7−エン(DBU)及び1,4−
ジアザ−ビシクロ[2,2,2]オクタン(DABCO)を好適に
使用し得る。
べての通常の酸受容体である。アルカリ金属炭酸塩及び
炭酸水素塩例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウムまたは
炭酸水素ナトリウム、更にアルカリ金属の水酸化物及び
アルコラート例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、ナトリウムメチラートまたはカリウムt−ブチラー
ト、加えて第三級脂肪族または芳香族アミン例えばトリ
エチルアミン、N,N−ジメチル−シクロヘキシル−アミ
ン、N,N−ジメチル−ベンジルアミン及びピリジン、並
びに加えて環式アミン例えば1,5−ジアザービシクロ
[4,3,0]−ノン−5−エン(DBN)、1,8−ジアザ−ビ
シクロ[5,4,0]ウンデス−7−エン(DBU)及び1,4−
ジアザ−ビシクロ[2,2,2]オクタン(DABCO)を好適に
使用し得る。
本発明による工程(a)を行う際に可能な希釈剤はす
べての通常の不活性有機溶媒である。ニトリル例えば殊
にアセトニトリル;芳香族炭化水素例えばベンゼン、ト
ルエン及びジクロロベンゼン;ホルムアミド例えば殊に
ジメチルホルムアミド、並びにまたヘキサメチルリン酸
トリアミドを好適に使用し得る。
べての通常の不活性有機溶媒である。ニトリル例えば殊
にアセトニトリル;芳香族炭化水素例えばベンゼン、ト
ルエン及びジクロロベンゼン;ホルムアミド例えば殊に
ジメチルホルムアミド、並びにまたヘキサメチルリン酸
トリアミドを好適に使用し得る。
本発明による工程(a)を行う場合、反応温度は比較
的広い範囲内で変え得る。一般に、反応は0乃至200℃
間、好ましくは50乃至150℃間の温度で行う。
的広い範囲内で変え得る。一般に、反応は0乃至200℃
間、好ましくは50乃至150℃間の温度で行う。
本発明による工程(a)を行う場合、式(II)のオキ
シラン1モル当り1〜4モルの式(III)のアゾール及
び1〜2モルの塩基を好適に用いる。
シラン1モル当り1〜4モルの式(III)のアゾール及
び1〜2モルの塩基を好適に用いる。
本発明による工程(b)に対して出発物質として必要
とされる式(Ia)のヒドロキシアルキルアゾリル誘導体
は本発明による化合物である。これらのものの対応する
アルコラートへの転化は一般的に公知の方法において、
これらのものを不活性希釈剤例えばジオキサン中にて室
温で適当な強塩基例えばアルカリ金属のアミドまたは水
素化物、第四級アンモニウム水酸化物またはホスホニウ
ム水酸化物と反応させることにより行う。従つて、式
(Ib)の化合物におけるR9は好ましくはアルカリ金属陽
イオン例えばナトリウムもしくはカリウム陽イオン、ま
たは第四級アンモニウムもしくはホスホニウム陽イオン
を表わす。
とされる式(Ia)のヒドロキシアルキルアゾリル誘導体
は本発明による化合物である。これらのものの対応する
アルコラートへの転化は一般的に公知の方法において、
これらのものを不活性希釈剤例えばジオキサン中にて室
温で適当な強塩基例えばアルカリ金属のアミドまたは水
素化物、第四級アンモニウム水酸化物またはホスホニウ
ム水酸化物と反応させることにより行う。従つて、式
(Ib)の化合物におけるR9は好ましくはアルカリ金属陽
イオン例えばナトリウムもしくはカリウム陽イオン、ま
たは第四級アンモニウムもしくはホスホニウム陽イオン
を表わす。
式(IV)は本発明による工程(b)に対する出発物質
として加えて必要とされるハロゲン化合物の一般的定義
を与える。この式において、R10は好ましくは水素の意
味以外は本発明による式(I)の物質の記載に関連して
置換基R1に対して既に挙げられた意味を表わす。Halは
好ましくは塩素または臭素を表わす。
として加えて必要とされるハロゲン化合物の一般的定義
を与える。この式において、R10は好ましくは水素の意
味以外は本発明による式(I)の物質の記載に関連して
置換基R1に対して既に挙げられた意味を表わす。Halは
好ましくは塩素または臭素を表わす。
式(IV)のハロゲン化合物は公知であるか、または原
理的に公知である方法により製造し得る。
理的に公知である方法により製造し得る。
本発明による工程(b)を行うに適する希釈剤は不活
性有機溶媒である。これらのものには好ましくはエーテ
ル例えばジエチルエーテルまたはジオキサン、芳香族炭
化水素例えばベンゼン、また個々の場合に塩素化された
炭化水素例えばクロロホルム、塩化メチレンまたは四塩
化炭素並びにまたヘキサメチルリン酸トリアミドが含ま
れる。
性有機溶媒である。これらのものには好ましくはエーテ
ル例えばジエチルエーテルまたはジオキサン、芳香族炭
化水素例えばベンゼン、また個々の場合に塩素化された
炭化水素例えばクロロホルム、塩化メチレンまたは四塩
化炭素並びにまたヘキサメチルリン酸トリアミドが含ま
れる。
本発明による工程(b)を行う場合、反応温度は比較
的広い範囲内で変え得る。一般に、反応は0乃至120℃
間、好ましくは20乃至100℃間で行う。
的広い範囲内で変え得る。一般に、反応は0乃至120℃
間、好ましくは20乃至100℃間で行う。
本発明による工程(b)を行う場合、式(Ia)のヒド
ロキシ化合物を最初に強塩基に用いて対応する式(Ib)
のアルコラートに転化する。次の工程において、式(I
b)のアルコラート1モル当り1〜2モルの式(IV)の
ハロゲン化合物を好適に用いる。
ロキシ化合物を最初に強塩基に用いて対応する式(Ib)
のアルコラートに転化する。次の工程において、式(I
b)のアルコラート1モル当り1〜2モルの式(IV)の
ハロゲン化合物を好適に用いる。
最終生成物の単離のために、反応混合物から溶媒を除
去し、そして水及び有機溶媒を残渣に加える。有機相を
分別し、常法で処理し、そして精製する。
去し、そして水及び有機溶媒を残渣に加える。有機相を
分別し、常法で処理し、そして精製する。
好適な具体例において、式(Ia)のヒドロキシ化合物
から出発し、このものを適当な有機溶媒中でアルカリ金
属水素化物またはアルカリ金属アミドを用いてアルカリ
金属アルコラートに転化し、このものを単離せずに式
(IV)のハロゲン化合物と直接反応させ、本発明による
式(I)の化合物をアルカリ金属ハロゲン化物を除去す
る1工程で得る方法を用いることが有利である。
から出発し、このものを適当な有機溶媒中でアルカリ金
属水素化物またはアルカリ金属アミドを用いてアルカリ
金属アルコラートに転化し、このものを単離せずに式
(IV)のハロゲン化合物と直接反応させ、本発明による
式(I)の化合物をアルカリ金属ハロゲン化物を除去す
る1工程で得る方法を用いることが有利である。
更に好適な具体例により、アルコラートの調製及びま
た式(IV)のハロゲン化合物との反応は0.01〜1モルの
相間移動触媒例えばアンモニウムまたはホスホニウム化
合物を加えて2相系例えば水酸化ナトリウムまたは水酸
化カリウム水溶液/トルエンまたは塩化メチレン中で行
うことが有利であり、その際にアルコラートは有機相中
または境界面で有機相中に存在するハロゲン化物と反応
する。
た式(IV)のハロゲン化合物との反応は0.01〜1モルの
相間移動触媒例えばアンモニウムまたはホスホニウム化
合物を加えて2相系例えば水酸化ナトリウムまたは水酸
化カリウム水溶液/トルエンまたは塩化メチレン中で行
うことが有利であり、その際にアルコラートは有機相中
または境界面で有機相中に存在するハロゲン化物と反応
する。
本発明の方法により得られる式(I)のヒドロキシア
ルキル−アゾリル誘導体を酸付加塩または金属塩錯体に
転化し得る。
ルキル−アゾリル誘導体を酸付加塩または金属塩錯体に
転化し得る。
式(I)の化合物の酸付加塩の製造に対して適する酸
は好ましくは本発明による酸付加塩の記載に関連して好
適な酸として既に挙げられたものである。
は好ましくは本発明による酸付加塩の記載に関連して好
適な酸として既に挙げられたものである。
式(I)の化合物の酸付加塩は通常の塩生成法により
簡単に、例えば式(I)の化合物を適当な不活性溶媒に
溶解し、酸例えば塩酸を加えることにより得ることがで
き、公知の方法で、例えば濾別により単離し、そして必
要に応じて不活性有機溶媒で洗浄することにより精製す
ることができる。
簡単に、例えば式(I)の化合物を適当な不活性溶媒に
溶解し、酸例えば塩酸を加えることにより得ることがで
き、公知の方法で、例えば濾別により単離し、そして必
要に応じて不活性有機溶媒で洗浄することにより精製す
ることができる。
式(I)の化合物の金属塩錯体の製造に対して適する
金属の塩は好ましくは本発明による金属塩錯体の記載に
関連して好適な金属塩として既に挙げられたものであ
る。
金属の塩は好ましくは本発明による金属塩錯体の記載に
関連して好適な金属塩として既に挙げられたものであ
る。
式(I)の化合物の金属塩錯体を常法により簡単に、
かくて例えば金属塩をアルコール例えばエタノールに溶
解し、そして式(I)の化合物に加えることにより得る
ことができる。金属塩錯体は公知の方法で、例えば濾別
により単離することができ、そして必要に応じて再結晶
により精製することができる。
かくて例えば金属塩をアルコール例えばエタノールに溶
解し、そして式(I)の化合物に加えることにより得る
ことができる。金属塩錯体は公知の方法で、例えば濾別
により単離することができ、そして必要に応じて再結晶
により精製することができる。
本発明により活性化合物は強い殺微生物(microbicid
al)作用を示し、そして殺菌・殺カビ剤として用いるこ
とができる。
al)作用を示し、そして殺菌・殺カビ剤として用いるこ
とができる。
かくて穀物におけるうどんこ病及びさび病、赤さび病
(Puccinia recondita)、レプトスフエリア・ノドルム
(Leptosphaeria nodorum)、網斑病(Pyrenophora ter
es)、斑点病(Cochliobolus sativus)及びプソイドセ
ルコスポレラ・ヘルポトリコイデス(Pseudocercospore
lla herpotrichoides)並びにイネにおけるピリキユラ
リア(Pyricularia)及びペリキユラリア(Pelliculari
a)を殊に良好に防除できる。加えて本化合物は極めて
良好な試験管内作用を持つ。
(Puccinia recondita)、レプトスフエリア・ノドルム
(Leptosphaeria nodorum)、網斑病(Pyrenophora ter
es)、斑点病(Cochliobolus sativus)及びプソイドセ
ルコスポレラ・ヘルポトリコイデス(Pseudocercospore
lla herpotrichoides)並びにイネにおけるピリキユラ
リア(Pyricularia)及びペリキユラリア(Pelliculari
a)を殊に良好に防除できる。加えて本化合物は極めて
良好な試験管内作用を持つ。
加えてまた、本発明による活性化合は植物生長調節特
性を持つ。
性を持つ。
植物保護におけるの殺菌・殺カビ剤はプラスモジオフ
オロミセテス(Plasmodiophoromycetes)、卵菌類(Oom
ycetes)、チトリジオミセテス(Chytridio−mycete
s)、接合菌類(Zygomycetes)、嚢子菌類(Ascomycete
s)、担子菌類(Basidomycetes)、及び不完全菌類(De
uteromycetes)を防除する際に用いられる。
オロミセテス(Plasmodiophoromycetes)、卵菌類(Oom
ycetes)、チトリジオミセテス(Chytridio−mycete
s)、接合菌類(Zygomycetes)、嚢子菌類(Ascomycete
s)、担子菌類(Basidomycetes)、及び不完全菌類(De
uteromycetes)を防除する際に用いられる。
上記の一般的な菌類に含まれる菌・カビ及びバクテリ
アの病気のある病原体を例として次に挙げることができ
るが、しかし、決してこれに限定されるものではない:
キサントモナス(Xanthomonas)種例えばキサントモナ
ス・オリザエ(Xanthomonas oryzae);プソイドモナス
(Pseudomonas)種例えばプソイドモナス・ラクリマン
ス(Pseudomonas lachrymans);エルウイニア(Erwini
a)種例えばエルウイニア・アミノボラ(Erwinia amylo
vora);ピチウム(Pythium)種例えば苗立枯病(Pythi
um ultimum);フイトフトラ(Phytophthora)種例えば
疫病(Phytophthora infestans);プソイドペロノスポ
ラ(Pseudoperonospora)種例えばべと病(Pseudoperon
ospora humuliまたはPseudoperonospora cubense);プ
ラスモパラ(Plasmopara)種例えばべと病(Plasmopara
viticola);ペロノスポラ(Peronospora)種例えばべ
と病(Peronospora pisiまたはP.brassicae);エリシ
フエ(Erysiphe)種例えばうどんこ病(Erysiphe grami
nis);スフアエロセカ(Sphaerotheca)種例えばうど
んこ病(Sphaerotheca fuliginea);ポドスフエラ(Po
dosphaera)種例えばうどんこ病(Podosphaera leucotr
icha);ベンチユリア(Venturia)種例えば黒星病(Ve
nturia inaequalis);ピレノホラ(Pyreno−phora)種
例えば網斑病(Pyrenophora teresまたはP.graminea)
(分生胞子器型:Drechslera、同義:Helminthosporiu
m);コクリオボルス(Cochliobolus)種例えば斑点病
(Cochliobolus sativus)(分生胞子器型:Drechsler
a、同義:Helminthosporium);ウロミセス(Uromyces)
種例えばさび病(Uromyces appendiculatus);プシニ
ア(Puccinia)種例えば赤さび病(Puccinia recondit
a);ふすべ菌属(Tilletia)種例えば網なまぐさ黒穂
病(Tille−tia caries);黒穂病(Ustilago)種例え
ば裸黒穂病(Ustilago nudaまたはUstilago avenae);
ペリキユラリア(Pellicularia)種例えば紋枯病(Pell
icularia sasakii);ピリキユラリア(Pyricularia)
種例えばいもち病(Pyricularia oryzae);フーザリウ
ム(Fusarium)種例えばフーザリウム・クルモルム(Fu
sarium culmorum);灰色かび属(Botrytis)種例えば
灰色かび病(Botrytis cinerea);セプトリア(Septor
ia)種例えばふ枯病(Septoria nodorum);レプトスフ
エリア(Leptosphaeria)種例えばレプトスフエリア・
ノドルム(Leptosphaeria nodorum);セルコスポラ(C
ercospora)種例えばセルコスポラ・カネセンス(Cerco
spora canescens);アルテルナリア(Alternaria)種
例えば黒斑病(Alternaria brassicae)及びプソイドセ
ルコスポレラ(Pseudocercosporella)種例えばプソイ
ドセルコスポレラ・ヘルポトリコイデス(Pseudocercos
porella herpotrichoides)。
アの病気のある病原体を例として次に挙げることができ
るが、しかし、決してこれに限定されるものではない:
キサントモナス(Xanthomonas)種例えばキサントモナ
ス・オリザエ(Xanthomonas oryzae);プソイドモナス
(Pseudomonas)種例えばプソイドモナス・ラクリマン
ス(Pseudomonas lachrymans);エルウイニア(Erwini
a)種例えばエルウイニア・アミノボラ(Erwinia amylo
vora);ピチウム(Pythium)種例えば苗立枯病(Pythi
um ultimum);フイトフトラ(Phytophthora)種例えば
疫病(Phytophthora infestans);プソイドペロノスポ
ラ(Pseudoperonospora)種例えばべと病(Pseudoperon
ospora humuliまたはPseudoperonospora cubense);プ
ラスモパラ(Plasmopara)種例えばべと病(Plasmopara
viticola);ペロノスポラ(Peronospora)種例えばべ
と病(Peronospora pisiまたはP.brassicae);エリシ
フエ(Erysiphe)種例えばうどんこ病(Erysiphe grami
nis);スフアエロセカ(Sphaerotheca)種例えばうど
んこ病(Sphaerotheca fuliginea);ポドスフエラ(Po
dosphaera)種例えばうどんこ病(Podosphaera leucotr
icha);ベンチユリア(Venturia)種例えば黒星病(Ve
nturia inaequalis);ピレノホラ(Pyreno−phora)種
例えば網斑病(Pyrenophora teresまたはP.graminea)
(分生胞子器型:Drechslera、同義:Helminthosporiu
m);コクリオボルス(Cochliobolus)種例えば斑点病
(Cochliobolus sativus)(分生胞子器型:Drechsler
a、同義:Helminthosporium);ウロミセス(Uromyces)
種例えばさび病(Uromyces appendiculatus);プシニ
ア(Puccinia)種例えば赤さび病(Puccinia recondit
a);ふすべ菌属(Tilletia)種例えば網なまぐさ黒穂
病(Tille−tia caries);黒穂病(Ustilago)種例え
ば裸黒穂病(Ustilago nudaまたはUstilago avenae);
ペリキユラリア(Pellicularia)種例えば紋枯病(Pell
icularia sasakii);ピリキユラリア(Pyricularia)
種例えばいもち病(Pyricularia oryzae);フーザリウ
ム(Fusarium)種例えばフーザリウム・クルモルム(Fu
sarium culmorum);灰色かび属(Botrytis)種例えば
灰色かび病(Botrytis cinerea);セプトリア(Septor
ia)種例えばふ枯病(Septoria nodorum);レプトスフ
エリア(Leptosphaeria)種例えばレプトスフエリア・
ノドルム(Leptosphaeria nodorum);セルコスポラ(C
ercospora)種例えばセルコスポラ・カネセンス(Cerco
spora canescens);アルテルナリア(Alternaria)種
例えば黒斑病(Alternaria brassicae)及びプソイドセ
ルコスポレラ(Pseudocercosporella)種例えばプソイ
ドセルコスポレラ・ヘルポトリコイデス(Pseudocercos
porella herpotrichoides)。
植物の病気を防除する際に必要な濃度で、本活性化合
物の植物による良好な許容性があるために、植物の地上
部分、生長増殖茎及び種子、並びに土壌の処理が可能で
ある。
物の植物による良好な許容性があるために、植物の地上
部分、生長増殖茎及び種子、並びに土壌の処理が可能で
ある。
植物保護剤として本発明による活性化合物は穀物及び
いね作物における病気を防除するため特に適している。
いね作物における病気を防除するため特に適している。
本発明による活性化合物は植物の代謝作用に関係し、
従つて生長調節剤として用いることができる。
従つて生長調節剤として用いることができる。
植物生長調節剤の作用方法の今日までの経験から、活
性化合物が植物にいくつかの異なる作用を及ぼすことが
分っている。化合物の作用は本質的に該化合物を使用す
る時点、植物の発育段階、並びに植物にまたはその周り
に適用する活性化合物の量及び化合物の適用方法に依存
する。各々の場合に、生長調節剤が特定の所望の方法で
穀物植物に影響を及ぼすようにする。
性化合物が植物にいくつかの異なる作用を及ぼすことが
分っている。化合物の作用は本質的に該化合物を使用す
る時点、植物の発育段階、並びに植物にまたはその周り
に適用する活性化合物の量及び化合物の適用方法に依存
する。各々の場合に、生長調節剤が特定の所望の方法で
穀物植物に影響を及ぼすようにする。
植物の生長を調節する化合物は例えば植物の生長を抑
制すために用いることができる。かかる生長抑制はなか
でも草の場合は経済的な利害関係によるものであり、そ
の理由はこれによつて装飾用の庭、公園及び運動場内、
境界、空港でまたは果樹園内での草刈りの回数を減じる
ことができるためである。境界及びパイプラインもしく
はオーバーランド・ライン付近内であるいは全く一般的
に、植物の大量の追加生長が望ましくない場所で草及び
木質植物の生長を抑制することは重要なことである。
制すために用いることができる。かかる生長抑制はなか
でも草の場合は経済的な利害関係によるものであり、そ
の理由はこれによつて装飾用の庭、公園及び運動場内、
境界、空港でまたは果樹園内での草刈りの回数を減じる
ことができるためである。境界及びパイプラインもしく
はオーバーランド・ライン付近内であるいは全く一般的
に、植物の大量の追加生長が望ましくない場所で草及び
木質植物の生長を抑制することは重要なことである。
また穀物のたけの生長を抑制するための生長調節剤の
使用も重要である。これによつて収穫前の植物のたおれ
(「lodging」)の危険が減じられるか、または完全に
除去される。更に生長調節剤は穀物の茎を強くすること
ができ、このことはまたたおれを妨げる。茎を短かく及
び強くする際の生長調節剤の使用は、穀物のたおれの危
険なしに、収量を増加させるために多量の肥料を施用す
ることができる。
使用も重要である。これによつて収穫前の植物のたおれ
(「lodging」)の危険が減じられるか、または完全に
除去される。更に生長調節剤は穀物の茎を強くすること
ができ、このことはまたたおれを妨げる。茎を短かく及
び強くする際の生長調節剤の使用は、穀物のたおれの危
険なしに、収量を増加させるために多量の肥料を施用す
ることができる。
多くの穀物植物の場合に、植物生長の抑制はより密集
した植え付けを可能にし、従つて土地の面積当りより多
量の収量を得ることができる。またかくして作られた小
さな植物の利点は作物をより容易に処理しそして収穫で
きることである。
した植え付けを可能にし、従つて土地の面積当りより多
量の収量を得ることができる。またかくして作られた小
さな植物の利点は作物をより容易に処理しそして収穫で
きることである。
また植物の生長の抑制は収量の増加をもたらす、その
理由は栄養及び同化物が、植物の生長部分のためになる
よりも、大部分が開花及び果実形成のためになるからで
ある。
理由は栄養及び同化物が、植物の生長部分のためになる
よりも、大部分が開花及び果実形成のためになるからで
ある。
また植物生長の促進を度々生長調節剤によつて行うこ
とができる。この促進が収穫する植物の生長部分である
場合、極めて有利である。しかしながらまた、植物生長
促進は同時に繁殖の促進をもたらし、その理由はより同
化物を生じ、従つて多くのまたは大きな果実が得られる
ためである。
とができる。この促進が収穫する植物の生長部分である
場合、極めて有利である。しかしながらまた、植物生長
促進は同時に繁殖の促進をもたらし、その理由はより同
化物を生じ、従つて多くのまたは大きな果実が得られる
ためである。
ある場合には、植物代謝に作用して、植物生長に認め
られるほどの変化もなく、収量の増加を図ることができ
る。更に、また収穫物の良好な品質をもたらし得る植物
の組成変化を生長調節剤によつてもたらすことができ
る。かくて例えば、てんさい、さとうきび、パイナツプ
ル及びかんきつ類の果実中の糖分含量を増加させるか、
或いは大豆または穀物中の蛋白含量を増加させることが
可能である。また生長調節剤を用いて、所望の成分例え
ばてんさいまたはさとうきび中の糖分の減成を収穫前ま
たは後に阻止することができる。また第二の植物成分の
生成または流出物に有利な影響を与えることができる。
その例としてゴムの木におけるラテツクス流の刺激を挙
げることができる。
られるほどの変化もなく、収量の増加を図ることができ
る。更に、また収穫物の良好な品質をもたらし得る植物
の組成変化を生長調節剤によつてもたらすことができ
る。かくて例えば、てんさい、さとうきび、パイナツプ
ル及びかんきつ類の果実中の糖分含量を増加させるか、
或いは大豆または穀物中の蛋白含量を増加させることが
可能である。また生長調節剤を用いて、所望の成分例え
ばてんさいまたはさとうきび中の糖分の減成を収穫前ま
たは後に阻止することができる。また第二の植物成分の
生成または流出物に有利な影響を与えることができる。
その例としてゴムの木におけるラテツクス流の刺激を挙
げることができる。
単為結実果実を生成調節剤の影響下で生成させること
できる。更に花の性に影響を与えることができる。また
花粉を無効にすることができ、このことは、雑種種子の
繁殖及び製造において極めて重要である。
できる。更に花の性に影響を与えることができる。また
花粉を無効にすることができ、このことは、雑種種子の
繁殖及び製造において極めて重要である。
植物の枝分れを生長調節剤の使用によつて調節するこ
とができる。一方、先端の優勢を妨げることにより、側
芽の発達を促進させることができ、このことは生長抑制
と関連して装飾植物の栽培に極めて望ましいことであ
る。しかしながら一方、側芽の生長を抑制することもで
きる。この作用は例えばタバコの栽培またはトマトの栽
培において極めて重要である。
とができる。一方、先端の優勢を妨げることにより、側
芽の発達を促進させることができ、このことは生長抑制
と関連して装飾植物の栽培に極めて望ましいことであ
る。しかしながら一方、側芽の生長を抑制することもで
きる。この作用は例えばタバコの栽培またはトマトの栽
培において極めて重要である。
植物における葉の量を生長調節剤の影響下で調節する
ことができ、従つて所望の時点で植物の落葉が行える。
かかる落葉は綿の機械的収穫に際して極めて重要である
が、しかしまた他の作物、例えば武道栽培における収穫
促進に対しても重要である。また植物の落葉は植物を移
植する前に植物の蒸散を低下させるために行うことがで
きる。
ことができ、従つて所望の時点で植物の落葉が行える。
かかる落葉は綿の機械的収穫に際して極めて重要である
が、しかしまた他の作物、例えば武道栽培における収穫
促進に対しても重要である。また植物の落葉は植物を移
植する前に植物の蒸散を低下させるために行うことがで
きる。
また果実の落下を生長調節剤で抑制することができ
る。一方、果実の早期落下を防止することができる。し
かしながら一方、果実の落下または花の落下を、交替を
防止するために或る程度(まばら)まて促進させること
ができる。交替によつて、内因の理由から年毎に極めて
収量を生じるために果実の或る変化の特色が理解されよ
う。最後に、生長調節剤を用いることにより、収穫時に
果実を摘果するために必要な力を減じることができ、従
つて機械的収穫が可能になるか、或いは手による収穫が
容易になる。
る。一方、果実の早期落下を防止することができる。し
かしながら一方、果実の落下または花の落下を、交替を
防止するために或る程度(まばら)まて促進させること
ができる。交替によつて、内因の理由から年毎に極めて
収量を生じるために果実の或る変化の特色が理解されよ
う。最後に、生長調節剤を用いることにより、収穫時に
果実を摘果するために必要な力を減じることができ、従
つて機械的収穫が可能になるか、或いは手による収穫が
容易になる。
生長調節剤を用いて、更に収穫前または後に収穫物の
成熟を促進または遅延させることができる。このこと
は、これによつて市場の要求に最適に適応できるため、
殊に有利である。更に生長調節剤は時には果実の色を改
善することができる。加えてまた、生長調節剤によつて
或る一定期間内に成熟を集中させることができる。この
ことは例えばタバコ、トマトまたはコーヒーの場合に、
1回の通過のみで完全に機械的または手による収穫を行
い得る必須条件を与えるものである。
成熟を促進または遅延させることができる。このこと
は、これによつて市場の要求に最適に適応できるため、
殊に有利である。更に生長調節剤は時には果実の色を改
善することができる。加えてまた、生長調節剤によつて
或る一定期間内に成熟を集中させることができる。この
ことは例えばタバコ、トマトまたはコーヒーの場合に、
1回の通過のみで完全に機械的または手による収穫を行
い得る必須条件を与えるものである。
生長調節剤を用いて、植物の種子または芽の潜伏期間
に影響を及ぼすことができ、従つて植物例えばパイナツ
プルまたは苗床内の装飾用植物が正常でない時期はずれ
に発芽し、枝を出しまたは開花する。生長調節剤による
芽の枝出しまたは種子の発芽の遅延は、晩霜による損害
を避けるために、霜の危険がある地域に望ましいことで
ある。
に影響を及ぼすことができ、従つて植物例えばパイナツ
プルまたは苗床内の装飾用植物が正常でない時期はずれ
に発芽し、枝を出しまたは開花する。生長調節剤による
芽の枝出しまたは種子の発芽の遅延は、晩霜による損害
を避けるために、霜の危険がある地域に望ましいことで
ある。
最後に、霜、旱ばつ或いは土壌中の高度の塩含量に対
する植物の耐性を生長調節剤によつて誘発させることが
できる。従つてこの目的に通常適さぬ場所に植物の栽培
が可能となる。
する植物の耐性を生長調節剤によつて誘発させることが
できる。従つてこの目的に通常適さぬ場所に植物の栽培
が可能となる。
本発明による活性化合物は穀物及び草の生長を抑制す
る際に好適に使用し得る。
る際に好適に使用し得る。
本活性化合物は、普通の組成物例えば、溶液、乳液、
懸濁剤、粉末、包沫剤、塗布剤、顆粒、エアロゾル、種
子用の重合物質中の極く細かいカプセルおよびコーテイ
ング組成物、並びにULV組成物に変えることができる。
懸濁剤、粉末、包沫剤、塗布剤、顆粒、エアロゾル、種
子用の重合物質中の極く細かいカプセルおよびコーテイ
ング組成物、並びにULV組成物に変えることができる。
これらの組成物は公知の方法において、例えば活性化
合物を伸展剤、即ち液体溶媒及び/または固体の担体と
随時表面活性剤、即と乳化剤及び/または分散剤及び/
または発泡剤と混合して製造される。また伸展剤として
水を用いる場合、例えば補助溶媒として有機溶媒を用い
ることもできる。液体溶媒として、主に、芳香族炭化水
素例えばキシレン、トルエンもしくはアルキルナフタレ
ン、塩素化された芳香族もしくは脂肪族炭化水素例えば
クロロベンゼン、クロロエチレンもしくは塩化メチレ
ン、脂肪族炭化水素例えばシクロヘキサン、またはパラ
フイン例えば鉱油留分、鉱油及び植物油、アルコール例
えばブタノールもしくはグリコール並びにそのエーテル
及びエステル、ケトン例えばアセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトンもしくはシクロヘキサノ
ン、強い有極性溶媒例えばジメチルホルムアミド及びジ
メチルスルホキシド並びに水が適している;液化した気
体の伸展剤または担体とは、常温及び常圧では気体であ
る液体を意味し、例えばハロゲン化された炭化水素並び
にブタン、プロパン、窒素及び二酸化炭素の如きエアロ
ゾル噴射基剤である;固体の担体として、粉砕した天然
鉱物、例えばカオリン、クレイ、タルク、チヨーク、石
英、アタパルジヤイト、モントモリロナイト、またはケ
イソウ土並びに粉砕した合成鉱物例えば高度に分散した
ケイ酸、アルミナ及びシリケートが適している;粒剤に
対する固体の担体として、粉砕し且つ分別した天然岩、
例えば方解石、大理石、軽石、海泡石及び白雲石並びに
無機及び有機のひきわり合成顆粒及び有機物質の顆粒例
えばおがくず、やしがら、トウモロコシ穂軸及びタバコ
茎が適している;乳化剤及び/または発泡剤として非イ
オン性及び陰イオン性乳化剤例えばポリオキシエチレン
‐脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪族アルコー
ルエーテル例えばアルキルアリールポリグリコールエー
テル、アルキルスルホネート、アルキルスルフエート、
アリールスルホネート並びにアルブミン加水分解生成物
が適している;分散剤として、例えばリグニンスルフア
イト廃液及びメチルセルロースが適している。
合物を伸展剤、即ち液体溶媒及び/または固体の担体と
随時表面活性剤、即と乳化剤及び/または分散剤及び/
または発泡剤と混合して製造される。また伸展剤として
水を用いる場合、例えば補助溶媒として有機溶媒を用い
ることもできる。液体溶媒として、主に、芳香族炭化水
素例えばキシレン、トルエンもしくはアルキルナフタレ
ン、塩素化された芳香族もしくは脂肪族炭化水素例えば
クロロベンゼン、クロロエチレンもしくは塩化メチレ
ン、脂肪族炭化水素例えばシクロヘキサン、またはパラ
フイン例えば鉱油留分、鉱油及び植物油、アルコール例
えばブタノールもしくはグリコール並びにそのエーテル
及びエステル、ケトン例えばアセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトンもしくはシクロヘキサノ
ン、強い有極性溶媒例えばジメチルホルムアミド及びジ
メチルスルホキシド並びに水が適している;液化した気
体の伸展剤または担体とは、常温及び常圧では気体であ
る液体を意味し、例えばハロゲン化された炭化水素並び
にブタン、プロパン、窒素及び二酸化炭素の如きエアロ
ゾル噴射基剤である;固体の担体として、粉砕した天然
鉱物、例えばカオリン、クレイ、タルク、チヨーク、石
英、アタパルジヤイト、モントモリロナイト、またはケ
イソウ土並びに粉砕した合成鉱物例えば高度に分散した
ケイ酸、アルミナ及びシリケートが適している;粒剤に
対する固体の担体として、粉砕し且つ分別した天然岩、
例えば方解石、大理石、軽石、海泡石及び白雲石並びに
無機及び有機のひきわり合成顆粒及び有機物質の顆粒例
えばおがくず、やしがら、トウモロコシ穂軸及びタバコ
茎が適している;乳化剤及び/または発泡剤として非イ
オン性及び陰イオン性乳化剤例えばポリオキシエチレン
‐脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪族アルコー
ルエーテル例えばアルキルアリールポリグリコールエー
テル、アルキルスルホネート、アルキルスルフエート、
アリールスルホネート並びにアルブミン加水分解生成物
が適している;分散剤として、例えばリグニンスルフア
イト廃液及びメチルセルロースが適している。
接着剤例えばカルボキシメチルセルロース並びに粉
状、粒状またはラテツクス状の天然及び合成重合体例え
ばアラビアゴム、ポリビニルアルコール及びポリビニル
アセテート並びに天然リン脂質、例えばセフアリン及び
レシチン、及び合成リン脂質を組成物に用いることがで
きる。更に添加物は鉱油及び植物油であることができ
る。
状、粒状またはラテツクス状の天然及び合成重合体例え
ばアラビアゴム、ポリビニルアルコール及びポリビニル
アセテート並びに天然リン脂質、例えばセフアリン及び
レシチン、及び合成リン脂質を組成物に用いることがで
きる。更に添加物は鉱油及び植物油であることができ
る。
着色剤例えば無機顔料、例えば酸化鉄、酸化チタン及
びプルシアンブルー並びに有機染料例えばアリザリン染
料及び金属フタロシアニン染料、及び微量の栄養剤例え
ば鉄、マンガン、ホウ素、銅、コバルト、モリブデン及
び亜鉛の塩を用いることができる。
びプルシアンブルー並びに有機染料例えばアリザリン染
料及び金属フタロシアニン染料、及び微量の栄養剤例え
ば鉄、マンガン、ホウ素、銅、コバルト、モリブデン及
び亜鉛の塩を用いることができる。
調製物は一般に活性化合物0.1乃至95重量%間、好ま
しくは0.5乃至90重量%間を含有する。
しくは0.5乃至90重量%間を含有する。
本発明による活性化合物は他の公知の活性化合物、例
えば殺菌・殺カビ剤、殺虫剤(insecticide)、殺ダニ
剤(acaricides)及び除草剤との混合物として、並びに
肥料及び他の生長調節剤との混合物としての調製物中に
存在することができる。
えば殺菌・殺カビ剤、殺虫剤(insecticide)、殺ダニ
剤(acaricides)及び除草剤との混合物として、並びに
肥料及び他の生長調節剤との混合物としての調製物中に
存在することができる。
本活性化合物はそのままで、その調製物の形態或いは
該調製物から調製した使用形態、例えば調製済液剤、乳
化可能な濃厚物、乳剤、泡沫剤、懸濁剤、水和剤、塗布
剤、可溶性粉剤、粉剤及び粒剤の形態で用いることがで
きる。これらのものは普通の方法において、例えば液剤
散布、スプレー、アトマイジング、粒剤散布、粉剤散
布、フオーミング(foaming)、コーテイング等によつ
て施用される。更に、超低容量法に従つて活性化合物を
施用するか、或いは活性化合物の調製物または活性化合
物自体を土壌中に注入することによつて施用することが
できる。また植物の種子を処理することもできる。
該調製物から調製した使用形態、例えば調製済液剤、乳
化可能な濃厚物、乳剤、泡沫剤、懸濁剤、水和剤、塗布
剤、可溶性粉剤、粉剤及び粒剤の形態で用いることがで
きる。これらのものは普通の方法において、例えば液剤
散布、スプレー、アトマイジング、粒剤散布、粉剤散
布、フオーミング(foaming)、コーテイング等によつ
て施用される。更に、超低容量法に従つて活性化合物を
施用するか、或いは活性化合物の調製物または活性化合
物自体を土壌中に注入することによつて施用することが
できる。また植物の種子を処理することもできる。
本発明による物質を殺菌・殺カビ剤として用いる場
合、施用用量は施用のタイプに依存して比較的広い範囲
内で変えることができる。かくて植物の部分を処理する
場合、施用形態における活性化合物濃度は一般に濃度は
1乃至0.0001重量%、好ましくは0.5乃至0.001重量%間
である。種子を処理する際には、一般に種子1Kg当り0.0
01〜50g、好ましくは0.01〜10gの活性化合物を必要とす
る。
合、施用用量は施用のタイプに依存して比較的広い範囲
内で変えることができる。かくて植物の部分を処理する
場合、施用形態における活性化合物濃度は一般に濃度は
1乃至0.0001重量%、好ましくは0.5乃至0.001重量%間
である。種子を処理する際には、一般に種子1Kg当り0.0
01〜50g、好ましくは0.01〜10gの活性化合物を必要とす
る。
土壌を処理する際には、一般に作用場所に0.00001〜
0.1重量%、好ましくは0.0001〜0.02重量%の活性化合
物濃度を必要とする。
0.1重量%、好ましくは0.0001〜0.02重量%の活性化合
物濃度を必要とする。
本発明による化合物を植物生長調節剤として用いる場
合、施用量は比較的広い範囲内で変えることができる。
一般に土壌表面1ヘクタール当り0.01〜50kg、好ましく
は0.05〜10kgの活性化合物を用いる。
合、施用量は比較的広い範囲内で変えることができる。
一般に土壌表面1ヘクタール当り0.01〜50kg、好ましく
は0.05〜10kgの活性化合物を用いる。
本発明による物質を植物生長調節剤として用いる場
合、これらのものは好適な時期内で用いられるが、その
厳密な定義は天候及び植物環境に依存する。
合、これらのものは好適な時期内で用いられるが、その
厳密な定義は天候及び植物環境に依存する。
本発明による活性化合物の製造及び使用は次の実施例
から知ることができる。
から知ることができる。
製造実施例 実施例1 アセトニトリル20ml中の2−(1−クロロシクロプロ
ピル)−2−(4−クロロフエニルエチル)−オキシラ
ン13.4g(0.05モル)の溶液を窒素雰囲気下で炭酸カリ
ウム10g、1,2,4−トリアゾール15g(0.22モル)及びア
セトニトリル50mlの混合物に滴下しながら加え、そして
反応混合物を還流下で加熱した。添加の完了後、反応混
合物を還流下で更に8時間攪拌し、残渣を吸引で濾別
し、そして濾液を減圧下で溶媒を除去することにより濃
縮した。残つた残渣を酢酸エチル中に採取し、有機相を
水を用いて洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして
減圧下で溶媒を除去することにより濃縮した。生じた残
渣を溶離液としてクロロホルム/エタノール=98:2を用
いてシリカゲルカラム上でクロマトグラフにかけた。か
くて残つた生成物をシクロヘキサンから再結晶した後、
2−(1−クロロシクロプロピル)−4−(4−クロロ
フエニル)−1−(1,2,4,−トリアゾル−1−イル)−
ブタン−2−オール5.1g(理論値の30%)が融点137℃
の固体物質の状態で得られた。
ピル)−2−(4−クロロフエニルエチル)−オキシラ
ン13.4g(0.05モル)の溶液を窒素雰囲気下で炭酸カリ
ウム10g、1,2,4−トリアゾール15g(0.22モル)及びア
セトニトリル50mlの混合物に滴下しながら加え、そして
反応混合物を還流下で加熱した。添加の完了後、反応混
合物を還流下で更に8時間攪拌し、残渣を吸引で濾別
し、そして濾液を減圧下で溶媒を除去することにより濃
縮した。残つた残渣を酢酸エチル中に採取し、有機相を
水を用いて洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして
減圧下で溶媒を除去することにより濃縮した。生じた残
渣を溶離液としてクロロホルム/エタノール=98:2を用
いてシリカゲルカラム上でクロマトグラフにかけた。か
くて残つた生成物をシクロヘキサンから再結晶した後、
2−(1−クロロシクロプロピル)−4−(4−クロロ
フエニル)−1−(1,2,4,−トリアゾル−1−イル)−
ブタン−2−オール5.1g(理論値の30%)が融点137℃
の固体物質の状態で得られた。
出発物質の製造: 硫化ジメチル16ml(0.22モル)及びジメチル硫酸24.2
g(0.19モル)をt−ブタノール30mlに加え、そして混
合物を20℃で14時間放置した。t−ブタノール70ml中の
1−クロロシクロプロピル4−クロロフエニルエチルケ
トン17g(0.07モル)の溶液を最初に攪拌しながら反応
混合物に滴下して加え、次に水酸化カリウム粉末22gを
導入し、その際に反応混合物の温度を20〜30℃で保存し
た。混合物を30℃で更に3時間攪拌し、次に硫化ジメチ
ルを減圧下で除去し、次に反応混合物を1%過酸化水素
水溶液50ml中に注いだ。混合物を酢酸エチルを用いて抽
出した。有機相を水を用いて洗浄し、そして硫酸ナトリ
ウム上で乾燥した後、減圧下で溶媒を除去することによ
り濃縮した。この方法で、2−(1−クロロシクロプロ
ピル)−2−(4−クロロフエニルエチル)−オキシラ
ン13.4g(論理値の75%)が油状生成物の状態で得ら
れ、このものを更に追加の精製はせずに反応させた。
g(0.19モル)をt−ブタノール30mlに加え、そして混
合物を20℃で14時間放置した。t−ブタノール70ml中の
1−クロロシクロプロピル4−クロロフエニルエチルケ
トン17g(0.07モル)の溶液を最初に攪拌しながら反応
混合物に滴下して加え、次に水酸化カリウム粉末22gを
導入し、その際に反応混合物の温度を20〜30℃で保存し
た。混合物を30℃で更に3時間攪拌し、次に硫化ジメチ
ルを減圧下で除去し、次に反応混合物を1%過酸化水素
水溶液50ml中に注いだ。混合物を酢酸エチルを用いて抽
出した。有機相を水を用いて洗浄し、そして硫酸ナトリ
ウム上で乾燥した後、減圧下で溶媒を除去することによ
り濃縮した。この方法で、2−(1−クロロシクロプロ
ピル)−2−(4−クロロフエニルエチル)−オキシラ
ン13.4g(論理値の75%)が油状生成物の状態で得ら
れ、このものを更に追加の精製はせずに反応させた。
トリス−トリフエニルホスフイン−塩化ロジウム460m
g(0.5ミリモル)(=1モル%、反応成分に関して)を
100mlオートクレーブに加えた。窒素を吹き込んだ後、
トルエン40ml中の1−クロロシクロプロピル4−クロロ
フエニル−エテニルケトン12g(0.05モル)の空気を含
まぬ溶液を加え、そして混合物を30バールの水素圧力下
にて50℃に加熱した。ガスの取込みが終了するまで(約
1時間後)水素圧力40乃至50バール間に保持した。次に
混合物を更に1時間反応させた。処理のために、溶媒を
減圧下で除去し、そして残りの残渣を溶離液としてジク
ロロメタンを用いてシリカゲル上で精製した。1−クロ
ロシクロプロピル4−クロロフエニルエチルケトン11g
(論理値の90%)が油状生成物の状態で得られた。1 H−NMR(200MHz,CDCl3): δ=1.28-1.38(m,2H)、1.57-1.67(m,2H)、2.84(t,
2H)、3.15(t,2H)、7.08-7.29(m,4H)。
g(0.5ミリモル)(=1モル%、反応成分に関して)を
100mlオートクレーブに加えた。窒素を吹き込んだ後、
トルエン40ml中の1−クロロシクロプロピル4−クロロ
フエニル−エテニルケトン12g(0.05モル)の空気を含
まぬ溶液を加え、そして混合物を30バールの水素圧力下
にて50℃に加熱した。ガスの取込みが終了するまで(約
1時間後)水素圧力40乃至50バール間に保持した。次に
混合物を更に1時間反応させた。処理のために、溶媒を
減圧下で除去し、そして残りの残渣を溶離液としてジク
ロロメタンを用いてシリカゲル上で精製した。1−クロ
ロシクロプロピル4−クロロフエニルエチルケトン11g
(論理値の90%)が油状生成物の状態で得られた。1 H−NMR(200MHz,CDCl3): δ=1.28-1.38(m,2H)、1.57-1.67(m,2H)、2.84(t,
2H)、3.15(t,2H)、7.08-7.29(m,4H)。
水50ml及び固体水酸化ナトリウム錠剤10個を室温で1
−クロロシクロプロピルメチルケトン60g(0.5モル)、
4−クロロベンズアルデヒド70g(0.5モル)及びエタノ
ール250mlの混合物に加えた。混合物を室温で16時間攪
拌した。次に沈澱した固体を吸引濾過した。この方法
で、1−クロロシクロプロピル4−クロロフエニル−エ
テニルケトン108.5g(論理値の89%)が融点92℃の固体
物質の状態で得られた。
−クロロシクロプロピルメチルケトン60g(0.5モル)、
4−クロロベンズアルデヒド70g(0.5モル)及びエタノ
ール250mlの混合物に加えた。混合物を室温で16時間攪
拌した。次に沈澱した固体を吸引濾過した。この方法
で、1−クロロシクロプロピル4−クロロフエニル−エ
テニルケトン108.5g(論理値の89%)が融点92℃の固体
物質の状態で得られた。
実施例2 アセトニトリル30ml中の2−(4−クロロフエニルエ
チル)−2−(1−フエニルメルカプト−シクロプロピ
ル)−オキシラン25.6g(0.1モル)の溶液を窒素雰囲気
下で炭酸カリウム14g、1,2,4−トリアゾール21g(0.3モ
ル)及びアセトニトリル70mlの混合物に滴下しながら加
え、そして反応混合物を還流下で加熱した。添加の完了
後、混合物を還流下で更に8時間攪拌し、残渣を吸引で
濾別し、そして濾液を減圧下で溶媒を除去することによ
り濃縮した。残つた残渣を酢酸エチル/トルエン中に採
取し、有機相を水を用いて洗浄し、硫酸ナトリウム上で
乾燥し、そして減圧下で溶媒を除去することにより濃縮
した。生じた残渣を溶離液としてクロロホルム/エタノ
ール=99:1を用いてシリカゲルカラム上でクロマトグラ
フにかけた。残った残渣をシクロヘキサンから再結晶し
た後、4−(4−クロロフエニル)−2−(1−フエニ
ルメルカプトシクロプロピル)−1−(1,2,4−トリア
ゾル−1−イル)−ブタン−2−オール11.1g(論理値
の37%)が融点137℃の固体の状態で得られた。
チル)−2−(1−フエニルメルカプト−シクロプロピ
ル)−オキシラン25.6g(0.1モル)の溶液を窒素雰囲気
下で炭酸カリウム14g、1,2,4−トリアゾール21g(0.3モ
ル)及びアセトニトリル70mlの混合物に滴下しながら加
え、そして反応混合物を還流下で加熱した。添加の完了
後、混合物を還流下で更に8時間攪拌し、残渣を吸引で
濾別し、そして濾液を減圧下で溶媒を除去することによ
り濃縮した。残つた残渣を酢酸エチル/トルエン中に採
取し、有機相を水を用いて洗浄し、硫酸ナトリウム上で
乾燥し、そして減圧下で溶媒を除去することにより濃縮
した。生じた残渣を溶離液としてクロロホルム/エタノ
ール=99:1を用いてシリカゲルカラム上でクロマトグラ
フにかけた。残った残渣をシクロヘキサンから再結晶し
た後、4−(4−クロロフエニル)−2−(1−フエニ
ルメルカプトシクロプロピル)−1−(1,2,4−トリア
ゾル−1−イル)−ブタン−2−オール11.1g(論理値
の37%)が融点137℃の固体の状態で得られた。
出発物質の製造: 硫化ジメチル21ml(0.29モル)及びジメチル硫酸32.5
g(0.26モル)をt−ブタノール40mlに加え、そして混
合物を室温で14時間放置した。t−ブタノール90ml中の
4−クロロシフエニルエチル1−フエニルメルカプト−
シクロプロピルケトン30g(0.095モル)の溶液を攪拌し
ながら最初に滴下して反応混合物に加え、次に水酸化カ
リウム粉末29.2gを導入し、その際に反応温度を20〜30
℃で保持した。混合物を30℃で更に3時間攪拌し、次に
硫化ジメチルを減圧下で除去し、次に反応混合物を1%
過酸化水素水溶液70ml中に注いだ。混合物を酢酸エチル
を用いて抽出した。有機相を水を用いて洗浄し、そして
硫酸ナトリウム上で乾燥した後に減圧下で溶媒を除去す
ることにより濃縮した。この方法で、2−(4−クロロ
フエニルエチル)−2−(−フエニルメルカプト−シク
ロプロピル)−オキシラン25.6g(論理値の82%)が油
状生成物の状態で得られ、このものを追加の精製はせず
に反応させた。
g(0.26モル)をt−ブタノール40mlに加え、そして混
合物を室温で14時間放置した。t−ブタノール90ml中の
4−クロロシフエニルエチル1−フエニルメルカプト−
シクロプロピルケトン30g(0.095モル)の溶液を攪拌し
ながら最初に滴下して反応混合物に加え、次に水酸化カ
リウム粉末29.2gを導入し、その際に反応温度を20〜30
℃で保持した。混合物を30℃で更に3時間攪拌し、次に
硫化ジメチルを減圧下で除去し、次に反応混合物を1%
過酸化水素水溶液70ml中に注いだ。混合物を酢酸エチル
を用いて抽出した。有機相を水を用いて洗浄し、そして
硫酸ナトリウム上で乾燥した後に減圧下で溶媒を除去す
ることにより濃縮した。この方法で、2−(4−クロロ
フエニルエチル)−2−(−フエニルメルカプト−シク
ロプロピル)−オキシラン25.6g(論理値の82%)が油
状生成物の状態で得られ、このものを追加の精製はせず
に反応させた。
トリス−トリフエニルホスフイン−塩化ロジウム460m
g(0.5ミリモル)(=1モル%、反応成分に関して)を
100mlオートクレーブに加えた。窒素を吹き込んだ後、
トルエン40ml中の4−クロロシフエニルエテニル1−フ
エニルメルカプト−シクロプロピルケトン15.7g(0.05
モル)の空気を含まぬ溶液を加え、そして混合物を30バ
ールの水素圧力下にて50℃に加熱した。ガスの取込みが
終了するまで水素圧力を40乃至50バール間に保持した。
次に混合物を更に1時間反応させた。処理のために、溶
媒を減圧下で除去し、そして残りの残渣を溶離液として
ジクロロメタンを用いてシリカゲル上で精製した。4−
クロロフエニルエチル1−フエニルメルカプトシクロプ
ロピルケトン14.2g(論理値の90%)が油状生成物の状
態で得られた。1 H−NMR(200MHz,CDCl3): δ=1.25-1.35(m,2H)、1.75-1.90(m,2H)、2.79(t,
2H)、3.18(t,2H)、6.95-7.45(m,9H)。
g(0.5ミリモル)(=1モル%、反応成分に関して)を
100mlオートクレーブに加えた。窒素を吹き込んだ後、
トルエン40ml中の4−クロロシフエニルエテニル1−フ
エニルメルカプト−シクロプロピルケトン15.7g(0.05
モル)の空気を含まぬ溶液を加え、そして混合物を30バ
ールの水素圧力下にて50℃に加熱した。ガスの取込みが
終了するまで水素圧力を40乃至50バール間に保持した。
次に混合物を更に1時間反応させた。処理のために、溶
媒を減圧下で除去し、そして残りの残渣を溶離液として
ジクロロメタンを用いてシリカゲル上で精製した。4−
クロロフエニルエチル1−フエニルメルカプトシクロプ
ロピルケトン14.2g(論理値の90%)が油状生成物の状
態で得られた。1 H−NMR(200MHz,CDCl3): δ=1.25-1.35(m,2H)、1.75-1.90(m,2H)、2.79(t,
2H)、3.18(t,2H)、6.95-7.45(m,9H)。
水50ml及び固体水酸化ナトリウム錠剤8個を室温で1
−フエニルメルカプトシクロプロピルメチルケトン75g
(0.39モル)、4−クロロベンズアルデヒド56g(0.39
モル)及びエタノール200mlの混合物に加えた。混合物
を室温で14時間攪拌した。次に沈澱した固体を吸引濾過
した。この方法で、4−クロロフエニルエテニル1−フ
エニルメルカプト−シクロプロピルケトン120.3g(論理
値の98%)が固体物質の状態で得られた。1 H−NMR(200MHz,CDCl3): δ=1.32-1.41(m,2H)、1.87-1.95(m,2H)、7.05-7.8
4(m,11H)。
−フエニルメルカプトシクロプロピルメチルケトン75g
(0.39モル)、4−クロロベンズアルデヒド56g(0.39
モル)及びエタノール200mlの混合物に加えた。混合物
を室温で14時間攪拌した。次に沈澱した固体を吸引濾過
した。この方法で、4−クロロフエニルエテニル1−フ
エニルメルカプト−シクロプロピルケトン120.3g(論理
値の98%)が固体物質の状態で得られた。1 H−NMR(200MHz,CDCl3): δ=1.32-1.41(m,2H)、1.87-1.95(m,2H)、7.05-7.8
4(m,11H)。
塩化メチレン130ml中の臭素134g(0.83モル)の溶液
を10℃で攪拌しながら塩化メチレン400ml中の5−クロ
ロペンタン−2−オン100g(0.83モル)の溶液に滴下し
て加えて。反応混合物を室温で更に1時間攪拌し、次に
水及び希釈炭酸ナトリウム水溶液を用いて洗浄し、そし
て硫酸ナトリウム上で乾燥した。混合物を減圧下で溶媒
を除去することにより濃縮し、残渣をメタノール200ml
中に採取し、そしてチオフエノール91.5g(0.83モル)
を5℃で攪拌しながら加えた。次にメタノール500ml中
の水酸化カリウム粉末93gの混合物を滴下しながら加え
た。反応混合物を最初に室温で2時間、次に40℃で4時
間攪拌した。次に混合物を減圧下で溶媒を除去すること
により濃縮し、そして残った残渣を塩化メチレン中に採
取した。有機溶液を順次水、希釈水酸化ナトリウム水溶
液及び再び水を用いて洗浄し、次に減圧下で濃縮し、次
に真空蒸留した。この方法で沸点155℃/20ミリバールの
メチル1−フエニル−メルカプトシクロプロピルケトン
76.8g(論理値の48%)が得られた。
を10℃で攪拌しながら塩化メチレン400ml中の5−クロ
ロペンタン−2−オン100g(0.83モル)の溶液に滴下し
て加えて。反応混合物を室温で更に1時間攪拌し、次に
水及び希釈炭酸ナトリウム水溶液を用いて洗浄し、そし
て硫酸ナトリウム上で乾燥した。混合物を減圧下で溶媒
を除去することにより濃縮し、残渣をメタノール200ml
中に採取し、そしてチオフエノール91.5g(0.83モル)
を5℃で攪拌しながら加えた。次にメタノール500ml中
の水酸化カリウム粉末93gの混合物を滴下しながら加え
た。反応混合物を最初に室温で2時間、次に40℃で4時
間攪拌した。次に混合物を減圧下で溶媒を除去すること
により濃縮し、そして残った残渣を塩化メチレン中に採
取した。有機溶液を順次水、希釈水酸化ナトリウム水溶
液及び再び水を用いて洗浄し、次に減圧下で濃縮し、次
に真空蒸留した。この方法で沸点155℃/20ミリバールの
メチル1−フエニル−メルカプトシクロプロピルケトン
76.8g(論理値の48%)が得られた。
実施例3及び4 ジメチルホルムアミド30ml中の2−(2,4−ジクロロ
フエニルエテニル)−2−(1−プロピルメルカプトシ
クロプロピル)−オキシラン38.2g(0.12モル)の溶液
を窒素雰囲気下にて80℃で攪拌しながら1,2,4−トリア
ゾール24g(0.35モル)、カリウムt−ブタノール2.7g
(0.02モル)及びシメチルホルムアミド50mlの混合物に
滴下しながら加えた。混合物を80℃で6時間攪拌し、次
に溶媒を減圧下で除去し、残渣を酢酸エチル/トルエン
中に採取し、水を用いて洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾
燥し、そして減圧下で濃縮した。残った残渣を溶離液と
してクロロホルムを用いてシリカゲル上でクロマトグラ
フにかけた。この方法で、トランス−4−(2,4−ジク
ロロフエニル)−2−(1−プロピルメルカプトシクロ
プロピル)−2−(1,2,4−トリアゾル−1−イル)−
ブト−3−エン−2−オール12.1g(論理値の26%)が
油状生成物の状態で得られた。1 H−NMR(200MHz,CDCl3): δ=0.75-1.65(m,9H)、2.63(t,2H)、4.62(d,1
H)、4.73(d,1H)、6.30(d,1H)、6.90(d,1H)、7.1
2-7.42(m,3H)、7.90(s,1H)、8.17(s,1H)。
フエニルエテニル)−2−(1−プロピルメルカプトシ
クロプロピル)−オキシラン38.2g(0.12モル)の溶液
を窒素雰囲気下にて80℃で攪拌しながら1,2,4−トリア
ゾール24g(0.35モル)、カリウムt−ブタノール2.7g
(0.02モル)及びシメチルホルムアミド50mlの混合物に
滴下しながら加えた。混合物を80℃で6時間攪拌し、次
に溶媒を減圧下で除去し、残渣を酢酸エチル/トルエン
中に採取し、水を用いて洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾
燥し、そして減圧下で濃縮した。残った残渣を溶離液と
してクロロホルムを用いてシリカゲル上でクロマトグラ
フにかけた。この方法で、トランス−4−(2,4−ジク
ロロフエニル)−2−(1−プロピルメルカプトシクロ
プロピル)−2−(1,2,4−トリアゾル−1−イル)−
ブト−3−エン−2−オール12.1g(論理値の26%)が
油状生成物の状態で得られた。1 H−NMR(200MHz,CDCl3): δ=0.75-1.65(m,9H)、2.63(t,2H)、4.62(d,1
H)、4.73(d,1H)、6.30(d,1H)、6.90(d,1H)、7.1
2-7.42(m,3H)、7.90(s,1H)、8.17(s,1H)。
シス−4−(2,4−ジクロロフエニル)−2−(1−
プロピルメルカプトシクロプロピル)−1−(1,2,4−
トリアゾル−1−イル)−ブト−3−エン−2−オール
1.8g(論理値の4%)を加えて単離した(化合物I−
4)。1 H−NMR(200MHz,CDCl3): δ=0.75-1.10(m,7H)、1.50(sex,2H)、4.40(t,2
H)、4.35-4.53(m,3H)、5.97(d,1H)、7.00(d,1
H)、7.20-7.44(m,3H)、7.92(s,1H)、8.13(s,1
H)。
プロピルメルカプトシクロプロピル)−1−(1,2,4−
トリアゾル−1−イル)−ブト−3−エン−2−オール
1.8g(論理値の4%)を加えて単離した(化合物I−
4)。1 H−NMR(200MHz,CDCl3): δ=0.75-1.10(m,7H)、1.50(sex,2H)、4.40(t,2
H)、4.35-4.53(m,3H)、5.97(d,1H)、7.00(d,1
H)、7.20-7.44(m,3H)、7.92(s,1H)、8.13(s,1
H)。
出発物質の製造: 硫化ジメチル30ml(0.41モル)及びジメチル硫酸43.5
g(0.35モル)をt−ブタノール60mlに加え、そして室
温で14時間放置した。t−ブタノール120ml中の2,4−ジ
クロロフエニルエテニル1−プロピルメルカプトシクロ
プロピルケトン40g(0.13モル)の溶液を最初に攪拌し
ながら反応混合物に滴下して加え、次に水酸化カリウム
粉末39.1gを導入し、その際に反応混合物の温度を20〜3
0℃で保持した。混合物を30℃で更に3時間攪拌し、次
に硫化ジメチルを減圧下で除去し、次に反応混合物を1
%過酸化水素水溶液70ml中に注いだ。混合物を酢酸エチ
ルを用いて抽出した。有機相を水を用いて洗浄し、そし
て硫酸ナトリウム上で乾燥後に減圧下で溶媒を除去する
ことにより濃縮した。この方法で、2−(2,4−ジクロ
ロフエニルエテニル)−2−(1−プロピルメルカプト
シクロプロピル)−オキシラン38.2g(論理値の91%)
が油状生成物の状態で得られ、このものを追加の精製な
しで更に反応させた。
g(0.35モル)をt−ブタノール60mlに加え、そして室
温で14時間放置した。t−ブタノール120ml中の2,4−ジ
クロロフエニルエテニル1−プロピルメルカプトシクロ
プロピルケトン40g(0.13モル)の溶液を最初に攪拌し
ながら反応混合物に滴下して加え、次に水酸化カリウム
粉末39.1gを導入し、その際に反応混合物の温度を20〜3
0℃で保持した。混合物を30℃で更に3時間攪拌し、次
に硫化ジメチルを減圧下で除去し、次に反応混合物を1
%過酸化水素水溶液70ml中に注いだ。混合物を酢酸エチ
ルを用いて抽出した。有機相を水を用いて洗浄し、そし
て硫酸ナトリウム上で乾燥後に減圧下で溶媒を除去する
ことにより濃縮した。この方法で、2−(2,4−ジクロ
ロフエニルエテニル)−2−(1−プロピルメルカプト
シクロプロピル)−オキシラン38.2g(論理値の91%)
が油状生成物の状態で得られ、このものを追加の精製な
しで更に反応させた。
固体水酸化ナトリウム錠剤5個を室温で1−アセチル
−1−プロピルメルカプト−シクロプロパン41.7g(0.2
6モル)、2,4−ジクロロベンズアルデヒド46g(0.26モ
ル)、エタノール130ml及びジクロロメタン30mlの混合
物を室温で更に14時間攪拌した。水50mlを加え、油相を
分別し、そしてジクロロメタン中に採取した。有機相を
水を用いて洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして
減圧下で溶媒を除去することにより濃縮した。この方法
で、2,4−ジクロロフエニルエテニル1−プロピルメル
カプトシクロプロピルケトン(シス−トランス異性体)
80g(論理値の97%)が油状生成物の状態で得られた。1 H−NMR(200MHz,CDCl3): δ=0.95(t,3H)、1.19-1.29(m,2H)、1.50−1.70
(m,4H)、2.57(t,2H)、7.20-7.95(m,5H)。
−1−プロピルメルカプト−シクロプロパン41.7g(0.2
6モル)、2,4−ジクロロベンズアルデヒド46g(0.26モ
ル)、エタノール130ml及びジクロロメタン30mlの混合
物を室温で更に14時間攪拌した。水50mlを加え、油相を
分別し、そしてジクロロメタン中に採取した。有機相を
水を用いて洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして
減圧下で溶媒を除去することにより濃縮した。この方法
で、2,4−ジクロロフエニルエテニル1−プロピルメル
カプトシクロプロピルケトン(シス−トランス異性体)
80g(論理値の97%)が油状生成物の状態で得られた。1 H−NMR(200MHz,CDCl3): δ=0.95(t,3H)、1.19-1.29(m,2H)、1.50−1.70
(m,4H)、2.57(t,2H)、7.20-7.95(m,5H)。
塩化メチレン130ml中の臭素134g(0.83モル)の溶液
を攪拌しながら10℃で塩化メチレン400ml中の5−クロ
ロペンタン−2−オン100g(0.83モル)の溶液に滴下し
て加えた。反応混合物を室温で更に1時間攪拌し、次に
水及び希釈炭酸ナトリウム水溶液を用いて洗浄し、そし
て硫酸ナトリウム上で乾燥した。混合物を減圧下で溶媒
を除去することにより濃縮し、残渣をメタノール200ml
中に採取し、そしてn−プロピルメルカプタン63g(0.8
3モル)を攪拌しながら5℃で加えた。次にメタノール5
00ml中の水酸化カリウム93gの混合物を滴下しながら加
えた。反応混合物を最初に室温で2時間、次に40℃で4
時間攪拌した。次に混合物を減圧下で溶媒を除去するこ
とにより濃縮し、そして残った残渣を塩化メチレン中に
採取した。有機溶液を順次水、希釈水酸化ナトリウム水
溶液及び再び水を用いて洗浄し、次に減圧下で濃縮し、
次に真空蒸留した。この方法で、沸点107℃/20ミリバー
ルの1−アセチル−1−プロピルメルカプトシクロプロ
パン42g(理論値の32%)が得られた。
を攪拌しながら10℃で塩化メチレン400ml中の5−クロ
ロペンタン−2−オン100g(0.83モル)の溶液に滴下し
て加えた。反応混合物を室温で更に1時間攪拌し、次に
水及び希釈炭酸ナトリウム水溶液を用いて洗浄し、そし
て硫酸ナトリウム上で乾燥した。混合物を減圧下で溶媒
を除去することにより濃縮し、残渣をメタノール200ml
中に採取し、そしてn−プロピルメルカプタン63g(0.8
3モル)を攪拌しながら5℃で加えた。次にメタノール5
00ml中の水酸化カリウム93gの混合物を滴下しながら加
えた。反応混合物を最初に室温で2時間、次に40℃で4
時間攪拌した。次に混合物を減圧下で溶媒を除去するこ
とにより濃縮し、そして残った残渣を塩化メチレン中に
採取した。有機溶液を順次水、希釈水酸化ナトリウム水
溶液及び再び水を用いて洗浄し、次に減圧下で濃縮し、
次に真空蒸留した。この方法で、沸点107℃/20ミリバー
ルの1−アセチル−1−プロピルメルカプトシクロプロ
パン42g(理論値の32%)が得られた。
実施例5 また4−(4−シクロフエニル)−2−[1−(2,4
−ジクロロフエノキシ)−シクロプロピル]−1−(1,
2,4−トリアゾル−1−イル)−ブタン−2−オールが
以前に与えられた方法により油状生成物の状態で得られ
た。1 H−NMR(200MHz,CDCl3): δ=0.25-0.45(m,2H)、0.67-0.83(m,1H)、0.83-1.0
5(m,1H)、1.80-2.15(m,2H)、2.70-2.90(m,1H)、
2.90-3.13(m,1H)、4.16(s,1H)、4.38(d,1H)、4.7
0(d,1H)、7.00-7.40(m,7H)、8.02(s,1H)、8.38
(s,1H)。
−ジクロロフエノキシ)−シクロプロピル]−1−(1,
2,4−トリアゾル−1−イル)−ブタン−2−オールが
以前に与えられた方法により油状生成物の状態で得られ
た。1 H−NMR(200MHz,CDCl3): δ=0.25-0.45(m,2H)、0.67-0.83(m,1H)、0.83-1.0
5(m,1H)、1.80-2.15(m,2H)、2.70-2.90(m,1H)、
2.90-3.13(m,1H)、4.16(s,1H)、4.38(d,1H)、4.7
0(d,1H)、7.00-7.40(m,7H)、8.02(s,1H)、8.38
(s,1H)。
また以前に与えられた実施例に記載された方法により
次の第3表に示される物質が得られた。
次の第3表に示される物質が得られた。
次の使用例において比較物質として下記の式の化合物
を用いた: (ヨーロツパ特許出願公開第0,040,345号から公知) (ヨーロツパ特許出願公開第0,180,136号から公知) (ヨーロツパ特許出願公開第0,180,136号から公知) (ヨーロツパ特許出願公開第0,180,136号から公知) (ヨーロツパ特許出願公開第0,015,387号から公知) 実施例A 黒星病(Venturia)試験(リンゴ)/保護 溶媒:アセトン4.7重量部 乳化剤:アルキルアリールポリグリコールエーテル0.3
重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化
合物1重量部を上記量の溶媒及び乳化剤と混合し、この
濃厚物を水で希釈して所望の濃度にした。
を用いた: (ヨーロツパ特許出願公開第0,040,345号から公知) (ヨーロツパ特許出願公開第0,180,136号から公知) (ヨーロツパ特許出願公開第0,180,136号から公知) (ヨーロツパ特許出願公開第0,180,136号から公知) (ヨーロツパ特許出願公開第0,015,387号から公知) 実施例A 黒星病(Venturia)試験(リンゴ)/保護 溶媒:アセトン4.7重量部 乳化剤:アルキルアリールポリグリコールエーテル0.3
重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化
合物1重量部を上記量の溶媒及び乳化剤と混合し、この
濃厚物を水で希釈して所望の濃度にした。
保護活性を試験するため、若い植物に活性化合物の調
製物をしたたり落ちる程度にぬれるまで噴霧した。噴霧
コーテイングが乾燥した後、この植物にリンゴ黒星病原
細菌[apple scab causative organism(Venturia inae
qualis)]の分生胞子器の水性懸濁液を接種し、次に20
℃及び相対湿度100%で培養室に1日間置いた。
製物をしたたり落ちる程度にぬれるまで噴霧した。噴霧
コーテイングが乾燥した後、この植物にリンゴ黒星病原
細菌[apple scab causative organism(Venturia inae
qualis)]の分生胞子器の水性懸濁液を接種し、次に20
℃及び相対湿度100%で培養室に1日間置いた。
この植物を約20℃の温度及び約70%の相対湿度で温床
に置いた。
に置いた。
評価を接種の12日後に行った。
この試験において、本発明による化合物(I−1)
は、比較物質(A)及び(B)より良好な活性を示し
た。この結果を第A表に示す。
は、比較物質(A)及び(B)より良好な活性を示し
た。この結果を第A表に示す。
実施例B 斑点病(Cochliobolus sativus)試験(大麦)/保護 溶媒:ジメチルホルムアミド100重量部 乳化剤:アルキルアリールポリグリコールエーテル0.25
重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化
合物1重量部を上記量の溶媒及び乳化剤と混合し、そし
て濃厚物を水で所望の濃度に希釈した。
重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化
合物1重量部を上記量の溶媒及び乳化剤と混合し、そし
て濃厚物を水で所望の濃度に希釈した。
保護活性を試験するために、若い植物に活性化合物の
調製物をしたたり落る程度にぬれるまで噴霧した。噴霧
コーテイングが乾燥した後、植物に斑点病の胞子懸濁液
を噴霧した。この植物を20℃及び100%の相対湿度で48
時間培養室中に置いた。
調製物をしたたり落る程度にぬれるまで噴霧した。噴霧
コーテイングが乾燥した後、植物に斑点病の胞子懸濁液
を噴霧した。この植物を20℃及び100%の相対湿度で48
時間培養室中に置いた。
植物を約20℃の温度及び約80%の相対湿度で温床中に
置いた。
置いた。
評価を接種7日後に行った。
この試験において、本発明による化合物(I−1)及
び(I−5)は比較物質(C)及び(D)より良好な活
性を示した。
び(I−5)は比較物質(C)及び(D)より良好な活
性を示した。
その結果を第B表に示す。
実施例C 小麦の生長 溶媒:ジメチルホルムアミド30重量部 乳化剤:ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート
1重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化
合物1重量部を上記量の溶媒及び乳化剤と混合し、この
混合物を水で所望の濃度にした。
1重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化
合物1重量部を上記量の溶媒及び乳化剤と混合し、この
混合物を水で所望の濃度にした。
小麦植物2−葉段階まで温床中にて発育させた。この
段階で、植物に活性化合物の調製物をしたたり落る程度
にぬれるまで噴霧した。2週間後、追加の生長を全ての
植物について測定し、対照植物の追加生長の百分率にお
ける生長抑制を計算した。100%は対照植物に対応する
生長を表わし、そして0%は生長が完全に止ったことを
意味する。100%以上の値は生長の促進を特徴づける。
段階で、植物に活性化合物の調製物をしたたり落る程度
にぬれるまで噴霧した。2週間後、追加の生長を全ての
植物について測定し、対照植物の追加生長の百分率にお
ける生長抑制を計算した。100%は対照植物に対応する
生長を表わし、そして0%は生長が完全に止ったことを
意味する。100%以上の値は生長の促進を特徴づける。
この試験において、本発明による化合物(I−38)は
比較物質(E)より顕著に良好な活性を示した。その結
果を第C表に示す。
比較物質(E)より顕著に良好な活性を示した。その結
果を第C表に示す。
実施例D 大麦の生長 溶媒:ジメチルホルムアミド30重量部 乳化剤:ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート
1重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化
合物1重量部を上記量の溶媒及び乳化剤と混合し、この
混合物を水で所望の濃度にした。
1重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化
合物1重量部を上記量の溶媒及び乳化剤と混合し、この
混合物を水で所望の濃度にした。
大麦植物2−葉段階まで温床中にて発育させた。この
段階で、植物に活性化合物の調製物をしたたり落ちる程
度にぬれるまで噴霧した。2週間後、追加の生長を全て
の植物について測定し、対照植物の追加生長の百分率に
おける生長抑制を計算した。100%は対照植物に対応す
る生長を表わし、そして0%は生長が完全に止ったこと
を意味する。100%以上の値は生長の促進を特徴づけ
る。
段階で、植物に活性化合物の調製物をしたたり落ちる程
度にぬれるまで噴霧した。2週間後、追加の生長を全て
の植物について測定し、対照植物の追加生長の百分率に
おける生長抑制を計算した。100%は対照植物に対応す
る生長を表わし、そして0%は生長が完全に止ったこと
を意味する。100%以上の値は生長の促進を特徴づけ
る。
この試験において、本発明による化合物(I−38)は
極めて良好な生長抑制作用を示した。その結果を第D表
に示す。
極めて良好な生長抑制作用を示した。その結果を第D表
に示す。
実施例E 草[フエスツカ・プラテンシス(Festuca pratensi
s)]の生長 溶媒:ジメチルホルムアミド30重量部 乳化剤:ポリオキシエチレンソルビタンモノラウエート
1重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化
合物1重量部と上記量の溶媒及び乳化剤と混合し、この
混合物を水で所望の濃度にした。
s)]の生長 溶媒:ジメチルホルムアミド30重量部 乳化剤:ポリオキシエチレンソルビタンモノラウエート
1重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化
合物1重量部と上記量の溶媒及び乳化剤と混合し、この
混合物を水で所望の濃度にした。
草(Festuca pratensis)を5cmの高さに生長するまで
温床で発育させた。この段階で植物に活性化合物の調製
物をしたたり落る程度にぬれるまで噴霧した。2週間
後、追加の生長を測定し、対照植物の追加生長の百分率
における生長抑制を計算した。100%は対照植物に対応
する生長を表わし、そして0%は生長が止ったことを表
わす。100%以上の値は生長の促進を特徴づける。
温床で発育させた。この段階で植物に活性化合物の調製
物をしたたり落る程度にぬれるまで噴霧した。2週間
後、追加の生長を測定し、対照植物の追加生長の百分率
における生長抑制を計算した。100%は対照植物に対応
する生長を表わし、そして0%は生長が止ったことを表
わす。100%以上の値は生長の促進を特徴づける。
この試験において、本発明による化合物(I−38)は
比較物質(F)及び(E)より顕著に良好な生長抑制活
性を示した。その結果を第E表に示す。
比較物質(F)及び(E)より顕著に良好な生長抑制活
性を示した。その結果を第E表に示す。
実施例F ライムギの生長 溶媒:ジメチルホルムアミド30重量部 乳化剤:ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート
1重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化
合物1重量部を上記量の溶媒及び乳化剤と混合し、この
混合物を水で所望の濃度にした。
1重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化
合物1重量部を上記量の溶媒及び乳化剤と混合し、この
混合物を水で所望の濃度にした。
ライムギ植物を2−葉段階まで温床中にて発育させ
た。この段階で、植物に活性化合物の調製物をしたたり
落る程度にぬれるまで噴霧した。2週間後、追加の生長
を全ての植物について測定し、対照植物の追加生長の百
分率における生長抑制を計算した。100%は対照に対応
する生長を表わし、そして0%は生長が完全に止ったこ
とを表わす。100%以上の値は生長の促進を特徴づけ
る。
た。この段階で、植物に活性化合物の調製物をしたたり
落る程度にぬれるまで噴霧した。2週間後、追加の生長
を全ての植物について測定し、対照植物の追加生長の百
分率における生長抑制を計算した。100%は対照に対応
する生長を表わし、そして0%は生長が完全に止ったこ
とを表わす。100%以上の値は生長の促進を特徴づけ
る。
この試験において、本発明による化合物(I−38)は
比較物質(G)より顕著に良好な生長抑制活性を示し
た。その結果を第F表に示す。
比較物質(G)より顕著に良好な生長抑制活性を示し
た。その結果を第F表に示す。
本発明の主なる特徴及び態様は以下のとおりである。
1.式 式中、Rは水素、アルキルまたはアシルを表わし、 R1はハロゲン、随時置換されていてもよいフエニルまた
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、 Xは窒素またはCH基を表わし、そして Yは基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体、並びにその酸
付加塩及び金属塩錯体。
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、 Xは窒素またはCH基を表わし、そして Yは基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体、並びにその酸
付加塩及び金属塩錯体。
2.Rが水素、炭素原子1〜6個を有するアルキルまたは
アルキル部分に炭素原子1〜6個を有するアルキルカル
ボニルを表わし、R1がフツ素、塩素、臭素、随時ハロゲ
ン、炭素原子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個
を有するハロゲノアルキル、炭素原子1〜4個を有する
アルキル及び/または炭素原子1〜4個を有するアルコ
キシで置換されていてもよいフエニル或いは基−Z−R3
を表わし、ここにZが酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わ
し、そしてR3が随時炭素原子1〜4個を有するアルキコ
キシ、炭素原子1〜4個を有するアルキルチオ、フエニ
ル及び/またはハロゲンで置換されていてもよい炭素原
子1〜6個を有するアルキル、随時ハロゲン、炭素原子
1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハロ
ケノアルキル、炭素原子1〜4個を有するアルキル及び
/または炭素原子1〜4個を有するアルコキシで置換さ
れていてもよいフエニルあるいは随時フエニル部分にお
いてハロゲン、炭素原子1もしくは2個及びハロゲン原
子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原子1〜4
個を有するアルキル及び/または炭素原子1〜4個を有
するアルコキシを表わし、R2が随時炭素原子1〜4個を
は有するアルコキシ、炭素原子1〜4個を有するアルキ
ルチオ、フエニル及び/またはハロゲンで置換されてい
てもよい炭素原子1〜6個をは有するアルキル、随時炭
素原子1〜4個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよい炭素原子3〜8個を有するシク
ロアルキル、随時炭素原子1〜4個を有するアルキル及
び/またはハロゲンで置換されていてもよいナフチル或
いは式 の基を表わし、ここにR4がフツ基、塩素、臭素、メチ
ル、エチル、イソプロピル、t−ブチル、メトキシ、メ
チルチオ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキ
シ、トリフルオロメチルチオ、随時フツ素、塩素及び/
またはメチルで置換されていてもよいフエニル、随時フ
ツ素、塩素及び/またはメチルで置換されていてもよい
フエノキシ、ニトロ、アミノ、アルキル素中に炭素原子
1〜4個を有するアルキルアミノ、各々のアルキル基中
に炭素原子1〜4個を有するジアルキルアミノ、フエニ
ルアミノ或いはアルキル基中に炭素原子1〜4個を有す
るアルキルカルボニルアミノを表わし、そしてmが0、
1、2または3を表わすか、或いはR2が式 の基を表わし、Xは窒素またはCH基を表わし、そしてY
が基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここにR5、R6、R7及びR8は相互に独立して水
素、メチルまたはエチルを表わす、上記1に記載の式
(I)のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体。
アルキル部分に炭素原子1〜6個を有するアルキルカル
ボニルを表わし、R1がフツ素、塩素、臭素、随時ハロゲ
ン、炭素原子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個
を有するハロゲノアルキル、炭素原子1〜4個を有する
アルキル及び/または炭素原子1〜4個を有するアルコ
キシで置換されていてもよいフエニル或いは基−Z−R3
を表わし、ここにZが酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わ
し、そしてR3が随時炭素原子1〜4個を有するアルキコ
キシ、炭素原子1〜4個を有するアルキルチオ、フエニ
ル及び/またはハロゲンで置換されていてもよい炭素原
子1〜6個を有するアルキル、随時ハロゲン、炭素原子
1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハロ
ケノアルキル、炭素原子1〜4個を有するアルキル及び
/または炭素原子1〜4個を有するアルコキシで置換さ
れていてもよいフエニルあるいは随時フエニル部分にお
いてハロゲン、炭素原子1もしくは2個及びハロゲン原
子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原子1〜4
個を有するアルキル及び/または炭素原子1〜4個を有
するアルコキシを表わし、R2が随時炭素原子1〜4個を
は有するアルコキシ、炭素原子1〜4個を有するアルキ
ルチオ、フエニル及び/またはハロゲンで置換されてい
てもよい炭素原子1〜6個をは有するアルキル、随時炭
素原子1〜4個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよい炭素原子3〜8個を有するシク
ロアルキル、随時炭素原子1〜4個を有するアルキル及
び/またはハロゲンで置換されていてもよいナフチル或
いは式 の基を表わし、ここにR4がフツ基、塩素、臭素、メチ
ル、エチル、イソプロピル、t−ブチル、メトキシ、メ
チルチオ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキ
シ、トリフルオロメチルチオ、随時フツ素、塩素及び/
またはメチルで置換されていてもよいフエニル、随時フ
ツ素、塩素及び/またはメチルで置換されていてもよい
フエノキシ、ニトロ、アミノ、アルキル素中に炭素原子
1〜4個を有するアルキルアミノ、各々のアルキル基中
に炭素原子1〜4個を有するジアルキルアミノ、フエニ
ルアミノ或いはアルキル基中に炭素原子1〜4個を有す
るアルキルカルボニルアミノを表わし、そしてmが0、
1、2または3を表わすか、或いはR2が式 の基を表わし、Xは窒素またはCH基を表わし、そしてY
が基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここにR5、R6、R7及びR8は相互に独立して水
素、メチルまたはエチルを表わす、上記1に記載の式
(I)のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体。
3.式 式中、Rは水素、アルキルまたはアシルを表わし、 R1はハロゲン、随時置換されていてもよいフエニルまた
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、 Xは窒素またはCH基を表わし、そして Yは基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体、並びにその酸
付加塩及び金属塩錯体を製造する方法において、 a)式 式中、R1、R2及びYは上記の意味を有する、 のオキシランを酸結合剤の存在下及び希釈剤の存在下で
式 式中、Xは上記の意味を有する、 のアゾールと反応させるか、または b)式 式中、R1、R2、X及びYは上記の意味を有する、 のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体を希釈剤の存在
下で強塩基と反応させ、そしてこの反応により生成され
る式 式中、R1、R2、X及びYは上記の意味を有し、そして R9は塩基の陽イオン性基を表わす、 のアルコラートを希釈剤の存在下で式 R10−Hal (IV) 式中、R10はアルキルまたはアシルを表わし、そして Halはハロゲンを表わす、 の化合物と反応させ、そして続いて必要に応じて酸また
は金属塩をかくて得られる式(I)の化合物に加えて酸
付加塩または金属塩錯体を生成させることを特徴とす
る、式(I)のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体並
びにその酸付加塩及び金属塩錯体の製造方法。
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、 Xは窒素またはCH基を表わし、そして Yは基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体、並びにその酸
付加塩及び金属塩錯体を製造する方法において、 a)式 式中、R1、R2及びYは上記の意味を有する、 のオキシランを酸結合剤の存在下及び希釈剤の存在下で
式 式中、Xは上記の意味を有する、 のアゾールと反応させるか、または b)式 式中、R1、R2、X及びYは上記の意味を有する、 のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体を希釈剤の存在
下で強塩基と反応させ、そしてこの反応により生成され
る式 式中、R1、R2、X及びYは上記の意味を有し、そして R9は塩基の陽イオン性基を表わす、 のアルコラートを希釈剤の存在下で式 R10−Hal (IV) 式中、R10はアルキルまたはアシルを表わし、そして Halはハロゲンを表わす、 の化合物と反応させ、そして続いて必要に応じて酸また
は金属塩をかくて得られる式(I)の化合物に加えて酸
付加塩または金属塩錯体を生成させることを特徴とす
る、式(I)のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体並
びにその酸付加塩及び金属塩錯体の製造方法。
4.少なくとも1つの上記1に記載の式(I)のヒドロキ
シアルキル−アゾリル誘導体または式(I)のヒドロキ
シアルキル−アゾリル誘導体の酸付加塩もしくは金属塩
錯体を含むことを特徴とする、殺菌・殺カビ剤及び植物
成長調節剤。
シアルキル−アゾリル誘導体または式(I)のヒドロキ
シアルキル−アゾリル誘導体の酸付加塩もしくは金属塩
錯体を含むことを特徴とする、殺菌・殺カビ剤及び植物
成長調節剤。
5.菌・カビを防除し、そして植物成長を調節する際の上
記1に記載のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体また
はその酸付加塩及び金属塩錯体の使用。
記1に記載のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体また
はその酸付加塩及び金属塩錯体の使用。
6.式 式中、Rは水素、アルキルまたはアシルを表わし、 R1はハロゲン、随時置換されていてもよいフエニルまた
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Yは基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 で表わされるオキシラン。
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Yは基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 で表わされるオキシラン。
7.式 式中、Rは水素、アルキルまたはアシルを表わし、 R1はハロゲン、随時置換されていてもよいフエニルまた
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Yは基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 で表わされるオキシランを製造する方法において、 c)式 式中、R1、R2及びYは上記の意味を有する、 のシクロプロピルケトンを希釈剤の存在下で α)式 のジメチルオキソスルホニウムメチライドまたは β)式 のジメチルスルホニウムメチライドのいずれかと反応さ
せるか、または d)式 式中、R1及びR2は上記の意味を有し、そして Hal′は塩素または臭素を表わす、 のカルビノールを希釈剤の存在下で塩基と反応させるこ
とを特徴とする、式(II)のオキシランの製造方法。
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Yは基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 で表わされるオキシランを製造する方法において、 c)式 式中、R1、R2及びYは上記の意味を有する、 のシクロプロピルケトンを希釈剤の存在下で α)式 のジメチルオキソスルホニウムメチライドまたは β)式 のジメチルスルホニウムメチライドのいずれかと反応さ
せるか、または d)式 式中、R1及びR2は上記の意味を有し、そして Hal′は塩素または臭素を表わす、 のカルビノールを希釈剤の存在下で塩基と反応させるこ
とを特徴とする、式(II)のオキシランの製造方法。
8.式 式中、Rは水素、アルキルまたはアシルを表わし、 R1はハロゲン、随時置換されていてもよいフエニルまた
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Yは基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 で表わされるシクロプロピルケトン。
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Yは基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 で表わされるシクロプロピルケトン。
9.式 式中、Rは水素、アルキルまたはアシルを表わし、 R1はハロゲン、随時置換されていてもよいフエニルまた
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Yは基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 で表わされるシクロプロピルケトンを製造する方法にお
いて、 e)式 R2−CHO (IX−a) または 式中、R2、R5及びR6は上記の意味を有する、 のアルデヒドを触媒の存在下及び希釈剤の存在下で式 式中、R1は上記の意味を有する、 のメチルシクロプロピルケトンと反応させ、そして適当
ならば式 または 式中、R1、R2、R5及びR6は上記の意味を有する、 のシクロプロピルケトンをこの反応において触媒の存在
下及び希釈剤の存在下で水素化するか、または f)式 R2−C≡CH (XI) 式中、R2は上記の意味を有する、 のアセチレンを触媒の存在下及び希釈剤の存在下で式 式中、R1は上記の意味を有し、そして Hal″は塩素または臭素を表わす、 の酸ハロゲン化物と反応させることを特徴とする、式
(V)のシクロプロピルケトンの製造方法。
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Yは基‐CH2‐CH2‐、‐CH=CH-、‐C≡C-、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 で表わされるシクロプロピルケトンを製造する方法にお
いて、 e)式 R2−CHO (IX−a) または 式中、R2、R5及びR6は上記の意味を有する、 のアルデヒドを触媒の存在下及び希釈剤の存在下で式 式中、R1は上記の意味を有する、 のメチルシクロプロピルケトンと反応させ、そして適当
ならば式 または 式中、R1、R2、R5及びR6は上記の意味を有する、 のシクロプロピルケトンをこの反応において触媒の存在
下及び希釈剤の存在下で水素化するか、または f)式 R2−C≡CH (XI) 式中、R2は上記の意味を有する、 のアセチレンを触媒の存在下及び希釈剤の存在下で式 式中、R1は上記の意味を有し、そして Hal″は塩素または臭素を表わす、 の酸ハロゲン化物と反応させることを特徴とする、式
(V)のシクロプロピルケトンの製造方法。
10.式 式中、Rは水素、アルキルまたはアシルを表わし、 R1はハロゲン、随時置換されていてもよいフエニルまた
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Hal′は塩素または臭素を表わす、 で表わされるカルビノール。
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Hal′は塩素または臭素を表わす、 で表わされるカルビノール。
11.式 式中、Rは水素、アルキルまたはアシルを表わし、 R1はハロゲン、随時置換されていてもよいフエニルまた
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Hal′は塩素または臭素を表わす、 で表わされるカルビノールを製造する方法において、 g)式 式中、R1は上記の意味を有し、そして Halは塩素または臭素を表わす、 のハロゲノケトンを適当ならば酸結合剤の存在下及び希
釈剤の存在下で式 R2−C≡C Me (XIV) 式中、R2は上記の意味を有し、そして Meは金属陽イオンの等価物を表わす、 のアセチレン塩と反応させることを特徴とする、式(VI
II)のカルビノールの製造方法。
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Hal′は塩素または臭素を表わす、 で表わされるカルビノールを製造する方法において、 g)式 式中、R1は上記の意味を有し、そして Halは塩素または臭素を表わす、 のハロゲノケトンを適当ならば酸結合剤の存在下及び希
釈剤の存在下で式 R2−C≡C Me (XIV) 式中、R2は上記の意味を有し、そして Meは金属陽イオンの等価物を表わす、 のアセチレン塩と反応させることを特徴とする、式(VI
II)のカルビノールの製造方法。
第1〜18図はいずれもNMRスペクトルを表わす。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C07C 49/563 C07C 49/563 49/567 49/567 317/24 317/24 323/22 323/22 C07D 249/08 514 C07D 249/08 514 303/08 303/08 303/22 303/22 303/34 303/34 319/16 319/16 405/06 249 405/06 249 407/06 303 407/06 303 (72)発明者 ビルヘルム・ブランデス ドイツ連邦共和国デー5653ライヒリンゲ ン・アイヘンドルフシユトラーセ 3 (72)発明者 シユテフアン・ドウツツマン ドイツ連邦共和国デー4000ジユツセルド ルフ13・ライネンベーバーベーク 33 (72)発明者 ゲルト・ヘンスラー ドイツ連邦共和国デー5090レーフエルク ーゼン3・アムアレンツベルク 58アー (56)参考文献 J.Chem.Soc.,Perki n Trans.I,[3](1981) p.700−702
Claims (10)
- 【請求項1】式 式中、Rは水素、アルキルまたはアシルを表わし、 R1はハロゲン、随時置換されていてもよいフエニルまた
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、 Xは窒素またはCH基を表わし、そして Yは基−CH2−CH2−、−CH=CH−、−C≡C−、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体、並びにその酸
付加塩及び金属塩錯体。 - 【請求項2】式 式中、Rは水素、アルキルまたはアシルを表わし、 R1はハロゲン、随時置換されていてもよいフエニルまた
は基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、 Xは窒素またはCH基を表わし、そして Yは基−CH2−CH2−、−CH=CH−、−C≡C−、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体、並びにその酸
付加塩及び金属塩錯体を製造する方法において、 a)式 式中、R1、R2及びYは上記の意味を有する、 のオキシランを酸結合剤の存在下及び希釈剤の存在下で
式 式中、Xは上記の意味を有する、 のアゾールと反応させ、そして続いて酸付加塩または金
属塩錯体の場合には、酸または金属塩をかくて得られる
式(I)の化合物に加えて酸付加塩または金属塩錯体を
生成させることを特徴とする、式(I)のヒドロキシア
ルキル−アゾリル誘導体並びにその酸付加塩及び金属塩
錯体の製造方法。 - 【請求項3】少なくとも1つの特許請求の範囲第1項記
載の式(I)のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体ま
たは式(I)のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体の
酸付加塩もしくは金属塩錯体を含むことを特徴とする、
殺菌・殺カビ剤。 - 【請求項4】少なくとも1つの特許請求の範囲第1項記
載の式(I)のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体ま
たは式(I)のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体の
酸付加塩もしくは金属塩錯体を含むことを特徴とする、
植物成長抑制剤。 - 【請求項5】菌・カビを防除する際に特許請求の範囲第
1項記載のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体または
その酸付加塩及び金属塩錯体を使用する方法。 - 【請求項6】植物成長を抑制する際に特許請求の範囲第
1項記載のヒドロキシアルキル−アゾリル誘導体または
その酸付加塩及び金属塩錯体を使用する方法。 - 【請求項7】式 式中、R1はハロゲン、随時置換されていてもよいフエニ
ルまたは基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Yは基−CH2−CH2−、−CH=CH−、−C≡C−、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 で表わされるオキシラン。 - 【請求項8】式 式中、R1はハロゲン、随時置換されていてもよいフエニ
ルまたは基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいシクロアルキル、随時置換されていてもよ
いナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Yは基−CH2−CH2−、−CH=CH−、−C≡C−、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 で表わされるオキシランを製造する方法において、 c)式 式中、R1、R2及びYは上記の意味を有する、 のシクロプロピルケトンを希釈剤の存在下で α)式 のジメチルオキソスルホニウムメチライドまたは β)式 のジメチルスルホニウムメチライドのいずれかと反応さ
せることを特徴とする、式(II)のオキシランの製造方
法。 - 【請求項9】式 式中、R1はハロゲン、随時置換されていてもよいフエニ
ルまたは基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル(但しR2−Yが
置換されていないn−ブチル基となる場合を除く)、随
時置換されていてもよいシクロアルキル、随時置換され
ていてもよいナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Yは基−CH2−CH2−、−CH=CH−、−C≡C−、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 で表わされるシクロプロピルケトン。 - 【請求項10】式 式中、R1はハロゲン、随時置換されていてもよいフエニ
ルまたは基−Z−R3を表わし、ここに Zは酸素、硫黄、SOまたはSO2を表わし、そして R3は随時置換されていてもよいアルキル、随時置換され
ていてもよいフエニルまたは随時置換されていてもよい
フエニルアルキルを表わし、 R2は随時置換されていてもよいアルキル(但しR2−Yが
置換されていないn−ブチル基となる場合を除く)、随
時置換されていてもよいシクロアルキル、随時置換され
ていてもよいナフチルまたは式 の基を表わし、ここに R4はハロゲン、炭素原子1〜4個を有するアルキル、炭
素原子1〜4個を有するアルコキシ、炭素原子1〜4個
を有するアルキルチオ、炭素原子1もしくは2個及びハ
ロゲン原子1〜5個を有するハロゲノアルキル、炭素原
子1もしくは2個及びハロゲン原子1〜5個を有するハ
ロゲノアルコキシ、炭素原子1もしくは2個及びハロゲ
ン原子1〜5個を有するハロゲノアルキルチオ、随時炭
素原子1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハ
ロゲンで置換されていてもよいフエニル、随時炭素原子
1もしくは2個を有するアルキル及び/またはハロゲン
で置換されていてもよいフエノキシ、ニトロ、アミノ、
アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノま
たはアルキルカルボニルアミノを表わし、そして mは0、1、2または3の数を表わすか、或いは R2は式 の基を表わし、そして Yは基−CH2−CH2−、−CH=CH−、−C≡C−、 を表わし、ここに R5、R6、R7及びR8は相互に独立して水素または炭素原子
1〜4個を有するアルキルを表わす、 で表わされるシクロプロピルケトンを製造する方法にお
いて、 e)式 R2−CHO (IX−a) または 式中、R2、R5及びR6は上記の意味を有する、 のアルデヒドを触媒の存在下及び希釈剤の存在下で式 式中、R1は上記の意味を有する、 のメチルシクロプロピルケトンと反応させ、そして適当
ならば式 または 式中、R1、R2、R5及びR6は上記の意味を有する、 のシクロプロピルケトンをこの反応において触媒の存在
下及び希釈剤の存在下で水素化することを特徴とする、
式(V)のシクロプロピルケトンの製造方法。
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