JP2747393B2 - 光情報記録装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、主としてＥＦＭ(Eight
to Fourteen Modulation)方式を用いた光ディスク等の
光情報記録媒体への光情報記録装置の改良に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年、光情報記録媒体、例えばＷＯディ
スク等の光ディスクに大容量の情報を記録する技術が一
般に普及してきた。光ディスクに例えば音響信号を記録
する場合、再生時における歪みや雑音等を排除するため
に、記録時において音響信号をディジタル化して記録す
る方法が一般に行われている。また、ディジタル化され
た音響信号（以下、基準ディジタル信号と称する）に対
してＣＩＲＣ(Cross Interleaved Reed-Solomon Code)
により誤り訂正のためのパリティが付加されると共に、
さらにこれをＥＦＭ方式により変調することによって再
生特性の向上を図っている。

【０００３】前述したＥＦＭ変調を行うことにより、基
準ディジタル信号のハイレベル及びロ−レベルの時間幅
として、所定の基準時間幅Ｔの３〜１１倍の９通りの時
間幅が与えられる。この基準ディジタル信号に基づいて
光ディスクにレ−ザ光が照射され、記録層にピット部が
形成される。例えば、基準ディジタル信号のハイレベル
の期間にピット部を形成できる強度のパルス状のレ−ザ
光が照射される。

【０００４】また、レ−ザの出射光強度の違いによっ
て、光ディスクに形成されるピット部の幅が増減した
り、ピット部及び非ピット部の長さが変化して、前記基
準ディジタル信号に対応しないピット部及び非ピット部
からなるピットが形成されることがある。即ち、レ−ザ
光の強度を高く設定しておくと、ピット部を形成した
後、光強度を低くして非ピット部の形成を開始する際
に、光ディスクの記録層に蓄えられた熱が発散するまで
に時間がかかり、ピット部が長くなると共にその幅が広
く形成されてしまう。また、レ−ザ光の強度を低く設定
しておくと、光ディスクにレ−ザ光を照射した際に記録
層に熱が吸収されるまでに時間がかかり、ピット部が短
く形成されてしまう。

【０００５】このため、光ディスクに情報を記録する前
に、レ−ザ光の強度を変化させて試験情報を光ディスク
の最内周部に記録し、レ−ザ光の最適な強度を求め、情
報の記録時には、レ−ザ光の強度をこの最適光強度に設
定して情報を記録するようにしている。即ち、光ディス
クに記録した情報を再生し、このときのアイパタ−ンを
観測する。このアイパタ−ンにおいて、図２に示すよう
に、交流基準レベルＰＷt から正方向の電圧ＰＷa と負
方向の電圧ＰＷb を求め、さらにこれらの差の値（ＰＷ
a −ＰＷb ）をこれらの和の値（ＰＷa ＋ＰＷb ）で除
算した値βが０となる最適光強度を設定して情報を記録
している。これにより、ピット部及び非ピット部のそれ
ぞれが基準ディジタル信号に対応したピットを形成する
ことができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たように最適光強度で情報を記録しても、この最適光強
度は光ディスクの最内周部において測定したものであ
り、これ以外の部分において記録層の性質が変り、この
変化にレ−ザ光の強度が対応しないため、基準ディジタ
ル信号に対応しないピットが形成されることがある。さ
らに、光ディスクには偏心があると共に、情報の記録時
に光ピックアップがオフトラック状態になることがあ
る。レ−ザ光を発する光ピックアップが偏心に追従した
場合、或いはオフトラックになった場合には、レ−ザ光
の分布状態がガウス分布であるため、光強度が低下した
ときと同じ状態となり、形成されたピットは基準ディジ
タル信号に対応せず、ジッタ−が悪化し、強いては再生
時のエラ−が増加するという問題点があった。

【０００７】さらに、周囲温度の変化等により、レーザ
の出力強度や発振波長が変化し、これによっても光ディ
スクに形成されたピットが基準ディジタル信号に対応し
ないことがあった。

【０００８】このように、ピットが基準ディジタル信号
に対応しない場合、ピットと基準ディジタル信号とのず
れは、時間幅の短いピット部に顕著に現れてくる。

【０００９】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、情報
の記録時にピットの形成状態に応じてレ−ザ光のパルス
幅を補正できる光情報記録装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、記録対象の情報に対応すると共に、ピッ
ト部を形成できる強度のレ−ザ光を照射する期間を表す
第１の信号レベルと前記強度よりも低い所定強度のレ−
ザ光を照射する期間を表す第２の信号レベルとを有し、
該第１及び第２の信号レベルは所定の基準時間幅の整数
倍となる等差級数をなす時間幅をもつ基準ディジタル信
号に基づき、光情報記録媒体に対して所定強度のパルス
状のレ−ザ光を照射し、ピットを形成する光情報記録装
置において、少なくとも前記ピットの形成時に前記光情
報記録媒体からの反射光の強度を検知する光強度検知手
段と、該光強度検知手段の検知結果における所定周波数
以上の高周波数成分を除去する高周波成分除去手段と、
前記高周波成分除去手段により高周波成分が除去された
反射光強度に基づき、前記基準ディジタル信号が第１の
信号レベルから第２の信号レベルに遷移したレベル変化
時における反射光強度を検出する第１の光強度検出手段
と、前記高周波成分除去手段により高周波成分が除去さ
れた前記反射光強度に基づき、前記第１の信号レベルか
ら前記第２の信号レベルに遷移したレベル変化時から所
定時間経過後の前記第２の信号レベル時における反射光
強度を検出する第２の光強度検出手段と、前記第１の光
強度検出手段による検出値と前記第２の光強度検出手段
による検出値との差或いは比を算出する演算手段と、該
演算手段の演算結果が所定の基準値とほぼ一致するよう
に前記基準ディジタル信号の第１及び第２の信号レベル
の時間幅を増減して記録信号となす記録信号生成手段
と、該記録信号に基づいて、レーザを駆動するレーザ駆
動手段とを備えた光情報記録装置を提案する。

【００１１】

【作用】本発明によれば、光検知手段によってピット形
成時における光情報記録媒体からの反射光の光強度が検
知され、さらにこの検知結果における所定周波数以上の
高周波成分が高周波成分除去手段によって除去される。
これにより、光情報記録媒体に形成された傷等による誤
検知成分、即ちノイズ成分が除去される。この高周波成
分が除去された反射光強度に基づいて、第１の光強度検
出手段により基準ディジタル信号が、最小の時間幅を持
つ第１の信号レベルから第２の信号レベルに遷移したレ
ベル変化時における反射光強度が検出される。例えば、
ここで検出される反射光強度は、光情報記録媒体上に形
成された最小時間幅を持つピット部の後端部における反
射光強度であり、該反射光強度が高いときは、ピット部
の形成が不十分であり、ピット部形成時、即ち前記第１
の信号レベル時のレ−ザ光による光情報記録媒体への熱
の供給量が低すぎること、即ちレーザ光のパルス幅が短
すぎることを表し、該反射光強度が低いときはピット部
が過剰に形成されており、ピット部形成時のレ−ザ光に
よる前記熱の供給量が高すぎること、即ちレーザ光のパ
ルス幅が長すぎることを表している。また、前記高周波
成分が除去された反射光強度に基づいて、第２の光強度
検出手段により、前記第１の信号レベルから前記第２の
信号レベルに遷移したレベル変化時から所定時間経過後
の前記第２の信号レベル時における反射光強度が検出さ
れる。ここで検出される反射光強度は、非ピット部から
の反射光強度である。さらに、演算手段によって、前記
第１の光強度検出手段による検出値と前記第２の光強度
検出手段による検出値との差或いは比が算出され、該演
算結果が所定の基準値とほぼ一致するように、記録信号
生成手段によって前記基準ディジタル信号の第１及び第
２の信号レベルの時間幅が増減された記録信号が生成さ
れる。この記録信号に基づいて、レーザ駆動手段により
前記レーザが駆動され、レーザ光のパルス幅が増減され
る。

【００１２】

【実施例】図１は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。図において、１は光情報記録媒体である光ディス
ク、２は光情報記録装置（以下、記録装置と称する）で
ある。周知のように情報記録時において、光ディスク１
は図示せぬスピンドルモ−タ等によって回転される。

【００１３】記録装置２は、光ピックアップ２１、ＲＦ
アンプ２２、ロ−パスフィルタ２３、タイミングパルス
発生回路２４、サンプルホ−ルド回路２５，２６、演算
回路２７、記録信号生成回路２８、及びレ−ザ駆動回路
２９によって構成され、周知のＥＦＭ変調された基準デ
ィジタル信号Ａを入力し、基準ディジタル信号Ａがハイ
レベルのときにピット部を形成できる高強度のレ−ザ光
を光ディスク１に出射し、基準ディジタル信号Ａがロ−
レベルのときに非ピット部を形成できかつ情報を再生で
きる低強度のレ−ザ光を光ディスク１に出射する。

【００１４】光ピックアップ２１は、レ−ザダイオ−ド
２１ａ、フォトディテクタ２１ｂ、ハ−フミラ−２１
ｃ、レンズ２１ｄ等から構成されている。レ−ザダイオ
−ド２１ａは、レ−ザ駆動回路２９から入力する電流に
対応した強度のレ−ザ光を出射し、このレ−ザ光はハ−
フミラ−２１ｃ及びレンズ２１ｄを介して光ディスク１
に照射される。これにより、レ−ザ光の強度が高いとき
に光ディスク１にピット部が形成され、レ−ザ光の強度
が低いときに非ピット部が形成される。また、光ディス
ク１からの反射光はレンズ２１ｄ及びハ−フミラ−２１
ｃを介してフォトディテクタ２１ｂに入射され、フォト
ディテクタ２１ｂによって反射光強度に比例した電圧を
有する電気信号Ｂに変換されてＲＦアンプ２２に入力さ
れる。ＲＦアンプに入力された信号Ｂは所定の増幅度に
て増幅された信号Ｂ1 とされた後、ロ−パスフィルタ２
３によって所定周波数以上の高周波成分が除去された信
号Ｂ2 として、サンプルホ−ルド回路２５，２６に入力
される。これにより、光ディスク１に形成された傷等に
よるノイズ成分が除去される。サンプルホ−ルド回路２
５，２６のそれぞれは、タイミングパルス発生回路２４
からパルス信号Ｃ，Ｄを入力したときに、信号Ｂ2 の電
圧レベルを検出して保持すると共に、この保持電圧を有
する信号Ｅ，Ｆを出力する。

【００１５】タイミングパルス発生回路２４は、基準デ
ィジタル信号Ａを入力し、基準ディジタル信号Ａが基準
時間幅Ｔの３倍の時間幅（以下、３Ｔ時間幅と称する）
を持つハイレベルの期間からロ−レベルの期間に変わる
立ち下がりのエッヂを検出して所定の時間幅、例えば基
準時間幅Ｔの１／５程度の時間幅のパルス信号Ｃをサン
プルホ−ルド回路２５に出力すると共に、基準ディジタ
ル信号Ａがハイレベルの期間からロ−レベルの期間に変
わる立ち下がりのエッヂを検出した後、例えば基準時間
幅Ｔの２倍程度の時間だけ遅れてパルス信号Ｃと同等の
パルス幅を有するパルス信号Ｄをサンプルホ−ルド回路
２６に出力する。これにより、サンプルホ−ルド回路２
５にはピット部Ｐａの後端部からの反射光強度に対応し
た電圧が保持され、サンプルホ−ルド回路２６には非ピ
ット部Ｐｂからの反射光強度に対応した電圧が保持され
る。

【００１６】サンプルホ−ルド回路２５，２６のそれぞ
れから出力された信号Ｅ，Ｆは、演算回路２７に入力さ
れる。演算回路２７は演算増幅器からなり、信号Ｆの電
圧から信号Ｅの電圧を減算した電圧レベルを有する信号
Ｇを出力する。この信号Ｇは記録信号生成回路２８に入
力される。

【００１７】記録信号生成回路２８は、光ディスク１へ
の記録対象となる情報に対応した基準ディジタル信号Ａ
とこれに同期したクロック信号ＣＰとを入力し、信号Ｇ
に基づいて基準ディジタル信号Ａを補正した記録信号Ｍ
を生成する。この記録信号Ｍによりレ−ザ駆動回路２９
を介してレ−ザダイオ−ド２１ａを駆動し、光ディスク
１に情報を記録する。また、ここでは光ディスク１とし
ては、例えばトラッキング用グル−ブが形成された基板
上にシアニン色素によって記録層が形成され、さらにこ
の記録層の上に金の反射層及び紫外線硬化樹脂による保
護層が形成された光ディスクが用いられる。さらに、基
準ディジタル信号Ａがハイレベルのときにピット部を形
成できる高強度のレ−ザ光を光ディスクに照射し、ロ−
レベルのときに非ピット部を形成できる低強度のレ−ザ
光を光ディスクに照射するか或いはレ−ザ光の照射を停
止して前記記録媒体にピットを形成するように設定され
ている。

【００１８】記録信号生成回路２８は図３に示すよう
に、後端パルス生成回路100 、複数の遅延回路201 〜20
6 、充放電回路207 、電圧制御回路300 、信号合成回路
400 、比較器500 、ＮＯＴ回路600 によって構成されて
いる。後端パルス生成回路100 は、クロック信号ＣＰに
基づいて、基準ディジタル信号Ａのハイレベル及びロ−
レベルの時間幅を検出し、ハイレベルの時間幅が３〜６
Ｔ時間幅であるときに、各時間幅に対応して基準時間幅
Ｔの正のパルス信号Ｐ３〜Ｐ６を出力すると共に、ロ−
レベルの時間幅が基準時間幅Ｔの３或いは４Ｔ時間幅で
あるときに、各時間幅に対応して基準時間幅Ｔの正のパ
ルス信号Ｌ３，Ｌ４を出力する。

【００１９】また、後端パルス生成回路100 は、シフト
レジスタ111 、ＮＯＴ回路112 〜118 、４入力のＡＮＤ
回路119 〜124 から構成され、シフトレジスタ111 のク
ロック入力端子ＣＫにはクロック信号ＣＰが入力され、
シリアルデ−タ入力端子ＡＢには基準ディジタル信号Ａ
が入力されている。シフトレジスタ111 の出力端子Ｑａ
は、ＡＮＤ回路123,124 のそれぞれの第１の入力端子に
接続されると共に、ＮＯＴ回路112 を介してＡＮＤ回路
119 〜122 のそれぞれの第１の入力端子に接続されてい
る。シフトレジスタ111 の出力端子Ｑｂは、ＡＮＤ回路
119 〜122 のそれぞれの第２の入力端子及び信号合成回
路400 に接続されると共に、ＮＯＴ回路113 を介してＡ
ＮＤ回路123,124 のそれぞれの第２の入力端子に接続さ
れている。シフトレジスタ111 の出力端子Ｑｄは、ＡＮ
Ｄ回路119 の第３の入力端子に接続されると共に、ＮＯ
Ｔ回路114 を介してＡＮＤ回路123 の第３の入力端子に
接続されている。シフトレジスタ111 の出力端子Ｑｅ
は、ＡＮＤ回路120 の第３の入力端子及びＡＮＤ回路12
3 の第４の入力端子に接続されると共に、ＮＯＴ回路11
5 を介してＡＮＤ回路119 の第４の入力端子及びＡＮＤ
回路124 の第３の入力端子に接続されている。シフトレ
ジスタ111 の出力端子Ｑｆは、ＡＮＤ回路121の第３の
入力端子及びＡＮＤ回路124 の第４の入力端子に接続さ
れると共に、ＮＯＴ回路116 を介してＡＮＤ回路120 の
第４の入力端子に接続されている。シフトレジスタ111
の出力端子Ｑｇは、ＡＮＤ回路122 の第３の入力端子に
接続されると共に、ＮＯＴ回路117 を介してＡＮＤ回路
121 の第４の入力端子に接続されている。シフトレジス
タ111 の出力端子Ｑｈは、ＮＯＴ回路118 を介してＡＮ
Ｄ回路122 の第４の入力端子に接続されている。

【００２０】これにより、基準ディジタル信号Ａのハイ
レベルの時間幅が３〜６Ｔ時間幅のときに、対応するＡ
ＮＤ回路119,120,121,122 からパルス信号Ｐ３，Ｐ４，
Ｐ５，Ｐ６がそれぞれ出力される。また、基準ディジタ
ル信号Ａのロ−レベルの時間幅が３，４Ｔ時間幅のとき
に、対応するＡＮＤ回路123,124 からパルス信号Ｌ３，
Ｌ４がそれぞれ出力される。

【００２１】遅延回路201 〜206 のそれぞれは、図４に
示すように、ＮＰＮ型のトランジスタ211,212 、ＮＯＴ
回路213,214 、ダイオ−ド215 、抵抗器Ｒ１〜Ｒ３、及
びコンデンサＣ１から構成され、トランジスタ211 のコ
レクタには所定の正の電圧＋Ｖ２１、例えば＋５Ｖが印
加されている。さらに、トランジスタ211 のエミッタ−
コレクタ間にはコンデンサＣ１が接続されると共に、エ
ミッタはトランジスタ212 のコレクタ、ダイオ−ド215
のカソ−ド及びＮＯＴ回路213 の入力端子に接続されて
いる。ダイオ−ド215 のアノ−ドは接地され、ＮＯＴ回
路213 の出力端子はＮＯＴ回路214 の入力端子に接続さ
れている。トランジスタ212 のエミッタには抵抗器Ｒ２
を介して所定の負の電圧−Ｖ２２、例えば−５Ｖが印加
されていると共に、ベ−スは抵抗器Ｒ３の一端に接続さ
れている。

【００２２】また、遅延回路201 〜206 のトランジスタ
211 のベ−スは抵抗器Ｒ１を介してＡＮＤ回路119 〜12
4 の出力端子にそれぞれ対応して接続され、遅延回路20
1 〜206 のそれぞれにおける抵抗器Ｒ３の他端には、電
圧制御回路300 によって後述する所定の電圧ｖ1 〜ｖ6
が印加されている。

【００２３】これにより、遅延回路201 〜206 において
は、後端パルス生成回路100 から各遅延回路201 〜206
に入力されるパルス信号Ｐ３〜Ｐ６，Ｌ３，Ｌ４によっ
て、トランジスタ211 のオン、オフ状態が切り替えら
れ、ＮＯＴ回路214 の出力端子からはパルス信号Ｐ３〜
Ｐ６，Ｌ３，Ｌ４の後端が所定時間ｔ1 〜ｔ6 だけ遅延
された正のパルス信号Ｐｄ３〜Ｐｄ６，Ｌｄ３，Ｌｄ４
が出力される。

【００２４】即ち、図５に示すように、パルス信号Ｐ３
〜Ｐ６，Ｌ３，Ｌ４が入力され、トランジスタ211 のベ
−ス電圧ＶＥがハイレベルになると、トランジスタ211
はオン状態となり、コンデンサＣ１は放電すると共に、
ＮＯＴ回路213 の入力電圧Ｖinは電圧＋Ｖ１となり、Ｎ
ＯＴ回路214 の出力電圧Ｖout はハイレベルとなる。ま
た、トランジスタ211 のベ−ス電圧ＶＥがロ−レベルに
なると、トランジスタ211 はオフ状態となり、コンデン
サＣ１にはトランジスタ212 のベ−ス電圧と抵抗器Ｒ３
の抵抗値に基づく電流が流れ、コンデンサＣ１の充電が
開始される。これにより、ＮＯＴ回路213 の入力電圧Ｖ
inは、コンデンサＣ１の充電が進につれて徐々に低下
し、ＮＯＴ回路213 のしきい値電圧以下になると、ＮＯ
Ｔ回路214の出力電圧Ｖout はロ−レベルとなる。

【００２５】充放電回路207 は、図６に示すように、Ｎ
ＰＮ型のトランジスタ211,212 、ダイオ−ド215 、抵抗
器Ｒ１〜Ｒ３、及びコンデンサＣ１から構成され、トラ
ンジスタ211 のコレクタには所定の正の電圧＋Ｖ２１、
例えば＋５Ｖが印加されている。さらに、トランジスタ
211 のエミッタ−コレクタ間にはコンデンサＣ１が接続
されると共に、エミッタはトランジスタ212 のコレク
タ、ダイオ−ド215 のカソ−ド及び出力端子216 に接続
されている。ダイオ−ド215 のアノ−ドは接地され、ト
ランジスタ212 のエミッタには抵抗器Ｒ２を介して所定
の負の電圧−Ｖ２２、例えば−５Ｖが印加されていると
共に、ベ−スは抵抗器Ｒ３の一端に接続されている。

【００２６】また、トランジスタ211 のベ−スには抵抗
器Ｒ１を介して後述する信号Ｋが入力され、抵抗器Ｒ３
の他端には、所定の負の電圧−ｖが印加されている。こ
れにより、充放電回路207 においては、図７に示すよう
に、信号Ｋにおけるハイレベルの後端部の波形が一定の
傾きで降下する信号Ｋ’が出力される。

【００２７】電圧制御回路300 は、図８に示すように、
演算増幅器301 〜304 、１回路２接点のスイッチ305 、
抵抗器R11 〜R24,ｒ1 〜ｒ8 及び可変抵抗器VR1 〜VR3
によって構成されている。演算増幅器301 の反転入力端
子には、抵抗器R11 を介して演算回路２７の出力信号Ｇ
が入力されていると共に、抵抗器R12 を介してその出力
端子に接続されている。また、演算増幅器301 の非反転
入力端子は抵抗器R13を介して、直列接続された抵抗器R
14 と可変抵抗器VR1 との接続点に接続され、直列接続
された抵抗器R14 と可変抵抗器VR1 の両端にはそれぞれ
正の電圧＋Ｖ３１と負の電圧−Ｖ３２が印加されてい
る。これにより、演算増幅器301 の非反転入力端子には
電圧Ｖｈが印加される。

【００２８】演算増幅器302 の反転入力端子は、抵抗器
R15 を介してスイッチ305 の接片305aに接続され、スイ
ッチ305 の第１の接点305bは演算増幅器301 の出力端子
に接続され、第２の接点305cは接地されている。さら
に、演算増幅器302 の反転入力端子は、抵抗器R16 を介
してその出力端子に接続されている。また、演算増幅器
302 の非反転入力端子は、抵抗器R17 を介して、直列接
続された抵抗器R18 と可変抵抗器VR2 との接続点に接続
され、直列接続された抵抗器R18 と可変抵抗器VR2 の一
端は接地され他端には正の電圧＋Ｖ３３が印加されてい
る。これにより、演算増幅器302 の非反転入力端子には
電圧Ｖｅが印加される。

【００２９】演算増幅器303 の非反転入力端子は、抵抗
器R19 を介して演算増幅器302 の出力端子に接続される
と共に、抵抗器R20 を介してその出力端子に接続されて
いる。さらに、演算増幅器303 の非反転入力端子は、抵
抗器R21 を介して、直列接続された抵抗器R22 と可変抵
抗器VR3 との接続点に接続され、直列接続された抵抗器
R22 と可変抵抗器VR3 の一端は接地され他端には負の電
圧−Ｖ３４が印加されている。これにより、演算増幅器
302 の非反転入力端子には電圧Ｖｇが印加される。

【００３０】さらに、抵抗器ｒ1 〜ｒ5 は直列接続され
ると共に、抵抗器ｒ6 〜ｒ8 が直列接続され、抵抗器ｒ
1,ｒ6 のそれぞれの一端は演算増幅器303 の出力端子に
接続されている。また、抵抗器ｒ5,ｒ8 のそれぞれの他
端は接地されている。

【００３１】演算増幅器304 の非反転入力端子は接地さ
れ、反転入力端子は抵抗器R23 を介して演算増幅器302
の出力端子に接続されると共に、抵抗器R24 を介してそ
の出力端子に接続されている。

【００３２】前述の構成よりなる電圧制御回路300 によ
れば、演算増幅器301 によって電圧Ｖｈから信号Ｇの電
圧を減算した電圧Ｖｄが出力される。この電圧Ｖｄは、
演算増幅器302 に入力され、演算増幅器302 によって、
電圧＋Ｖ３３を抵抗器R18 と可変抵抗器VR2 によって分
圧した電圧Ｖｅから電圧Ｖｄを減算した電圧Ｖｆが出力
される。このとき、演算増幅器302 から出力される電圧
Ｖｆが負の電圧となるように各部品の定数が設定されて
いる。この電圧Ｖｆは演算増幅器304 によって反転さ
れ、正の電圧ｖ7 として比較器500 に入力される。

【００３３】また、演算増幅器302 からの出力電圧Ｖｆ
は演算増幅器303 に入力され、演算増幅器303 によっ
て、電圧−Ｖ３４を抵抗器R22 と可変抵抗器VR3 によっ
て分圧した電圧Ｖｇから電圧Ｖｆを減算した電圧Ｖｊが
出力される。このとき、演算増幅器303 から出力される
電圧Ｖｊが負の電圧となるように各部品の定数が設定さ
れている。

【００３４】この電圧Ｖｊは抵抗器ｒ1 〜ｒ8 によって
分圧され、電圧ｖ1 〜ｖ6 （ｖ1 ＜ｖ2 ＜ｖ3 ＜ｖ4 、
ｖ5 ＜ｖ6 ）が生成される。これらの電圧ｖ1 〜ｖ6 は
前述した各遅延回路201 〜206 のトランジスタ212 のベ
−スに印加される。即ち、抵抗器ｒ1 の他端ａは遅延回
路201 の抵抗器Ｒ３の他端に接続され、抵抗器ｒ2 の他
端ｂは遅延回路202 の抵抗器Ｒ３の他端に接続されてい
る。また、抵抗器ｒ3の他端ｃは遅延回路203 の抵抗器
Ｒ３の他端に接続され、抵抗器ｒ4 の他端ｄは遅延回路
204 の抵抗器Ｒ３の他端に接続されている。さらに、抵
抗器ｒ6 の他端ｅは遅延回路205 の抵抗器Ｒ１の他端
に、また抵抗器ｒ7 の他端ｆは遅延回路206 の抵抗器Ｒ
１の他端にそれぞれ接続されている。

【００３５】従って、演算増幅器303 の出力電圧Ｖｊが
変化するに伴い、各電圧ｖ1 〜ｖ6を連続的に変化し、
これにより各遅延回路201 〜206 から出力されるパルス
信号Ｐｄ３〜Ｐｄ６，Ｌｄ３，Ｌｄ４の後端の遅延時間
ｔ1 〜ｔ6 を連続的に変化させることができる。さら
に、演算増幅器304 の出力電圧ｖ7 が変化するに伴い、
後述する比較器500 から出力される信号Ｌ及びこれを反
転したパルス状の記録信号Ｍの後端の遅延時間ｔ7 を連
続的に変化させることができる。

【００３６】信号合成回路400 は、３入力のＯＲ回路40
1 〜403 、３入力のＡＮＤ回路404,405 、３入力のＮＡ
ＮＤ回路406 及びＮＯＴ回路407,408 から構成されてい
る。ＯＲ回路401 の第１の入力端子は接地され、第２及
び第３の入力端子のそれぞれは対応する遅延回路201,20
2 のＮＯＴ回路214 の出力端子に接続されている。ＯＲ
回路402 の第１の入力端子は接地され、第２及び第３の
入力端子のそれぞれは対応する遅延回路203,204 のＮＯ
Ｔ回路214 の出力端子に接続されている。

【００３７】また、ＯＲ回路403 の第１の入力端子は、
直列接続されたＡＮＤ回路404 ，405 を介して後端パル
ス生成回路100 のシフトレジスタ111 の出力端子Ｑｂに
接続されている。即ち、ＡＮＤ回路404 の３つの入力端
子は共にシフトレジスタ111の出力端子Ｑｂに接続さ
れ、ＡＮＤ回路404 の出力端子はＡＮＤ回路405 の３つ
の入力端子に接続され、さらにＡＮＤ回路405 の出力端
子はＯＲ回路403 の第１の入力端子に接続されている。
ＯＲ回路403 の第２及び第３の入力端子はそれぞれ対応
するＯＲ回路401 、402 の出力端子に接続され、ＯＲ回
路403 の出力端子はＡＮＤ回路406 の第１の入力端子に
接続されている。ＮＡＮＤ回路406 の第２及び第３の入
力端子は、ＮＯＴ回路407,408 を介して対応する遅延回
路205,206のＮＯＴ回路214 の出力端子にそれぞれ接続
され、ＮＡＮＤ回路406 の出力端子は充放電回路207 の
トランジスタ211 のベ−スに接続されている。さらに、
充放電回路207 の出力は、比較器500 、ＮＯＴ回路600
及びレ−ザ駆動回路２９を介してレ−ザダイオ−ド２１
ａに接続されている。

【００３８】また、前述した各遅延回路201 〜206 及び
充放電回路207 における抵抗器の抵抗値、コンデンサＣ
１の容量は予め実験等によって求めた適切な値に設定さ
れている。

【００３９】次に、前述の構成よりなる本実施例の動作
を図９乃至図１１に示すタイミングチャ−トに基づいて
説明する。前述した記録信号生成回路２８は次のように
動作する。後端パルス生成回路100 から出力されるパル
ス信号Ｐ３〜Ｐ６，Ｌ３，Ｌ４のそれぞれは、図９及び
図１０に示すように、シフトレジスタ111 の出力端子Ｑ
ｂから出力される信号、即ち基準ディジイタル信号Ａを
２クロックパルスＣＰ分だけ遅延させた信号Ｂに対応し
たものとなり、パルス信号Ｐ３〜Ｐ６の後端は基準ディ
ジタル信号Ａにおける３〜６Ｔ時間幅をもつハイレベル
の後端に一致し、パルス信号Ｌ３，Ｌ４の後端は基準デ
ィジタル信号Ａにおける３，４Ｔ時間幅をもつロ−レベ
ルの後端に一致するように出力される。また、これらの
パルス信号Ｐ３〜Ｐ６，Ｌ３，Ｌ４のそれぞれの時間幅
は、基準時間幅Ｔに等しいものとされる。

【００４０】後端パルス生成回路100 から出力されたパ
ルス信号Ｐ３〜Ｐ６，Ｌ３，Ｌ４のそれぞれは、前述し
たように、対応する遅延回路201 〜206 によって、その
後端が所定の時間ｔ1 〜ｔ6 だけ遅延されて出力され
る。

【００４１】この後、信号合成回路400 によって、パル
ス信号Ｐｄ３〜Ｐｄ６，Ｌｄ３，Ｌｄ４と信号Ｈとが合
成され、充放電回路207 及びＮＯＴ回路600 を介してレ
−ザ駆動回路２９に入力される。即ち、信号合成回路40
0 において、パルス信号Ｐｄ３〜Ｐｄ６はＯＲ回路401
〜403 によって信号Ｈと論理和され、信号Ｊとされる。
これにより信号Ｊにおいて、３〜６Ｔ時間幅をもつハイ
レベルの時間幅はそれぞれ時間ｔ1 〜ｔ4 だけ長くさ
れ、これらに続くロ−レベルの時間幅がその分短くされ
る。

【００４２】さらに、信号Ｊは、ＮＡＮＤ回路406 によ
って、パルス信号Ｌｄ３，Ｌｄ４を反転した信号Ｌｄ３
−，Ｌｄ４−と論理積された後さらに反転されて、信号
Ｋとして出力される。これにより、信号Ｈにおいて３，
４Ｔ時間幅をもつロ−レベルの後端部はそれぞれ時間ｔ
5 ，ｔ6 だけ引き伸ばされ、これらに続くハイレベルの
時間幅がその分短くされる。

【００４３】次いで、信号Ｋは充放電回路207 に入力さ
れ、信号Ｋにおけるハイレベルの後端部の波形が一定の
傾きで降下する信号Ｋ’として出力される。この信号
Ｋ’は比較器500 に入力され、比較器500 によって信号
Ｋ’の電圧が電圧制御回路300からの電圧ｖ7 と比較さ
れ、信号Ｋ’の電圧が電圧ｖ7 の電圧以上のときにハイ
レベルとなる信号Ｌが出力される。この出力信号ＬはＮ
ＯＴ回路600 によって反転され、記録信号Ｍとしてレ−
ザ駆動回路２９に入力される。これにより、信号Ｈにお
けるハイレベルの時間幅が一律に時間ｔ7 だけ減少され
る。

【００４４】レ−ザ駆動回路２９は、記録信号Ｍがハイ
レベルのときにレ−ザダイオ−ド２１ａに所定の電流を
流し、光ディスクの記録層にピット部を形成できる高光
強度のレ−ザ光を出射する、また、記録信号Ｍがロ−レ
ベルのときには、レ−ザダイオ−ド２１ａに非ピット部
を形成できる低光強度のレ−ザ光を出射する電流を通電
するか、或いはレ−ザダイオ−ド２１ａへの通電を停止
する。

【００４５】一方、光ディスク１へ情報の記録は、レー
ザパワーを一定（実際にはレーザパワーの振幅は従来の
固定パルスで最適となる程度）に定めておき、記録の際
の記録状態の最適化はレーザパルスのデューティー及び
パルス信号Ｐ３〜Ｐ６，Ｌ３，Ｌ４のパルス幅の補正量
を変えること（即ち、電圧制御回路300 の可変抵抗器VR
2 の抵抗値を変えること）で行う。

【００４６】即ち、光ディスク１の内周部の試験記録エ
リアに情報の記録を行うと共にこの情報を再生し、この
ときのアイパタ−ンを観測する。このアイパタ−ンにお
いて、図２に示すように、交流基準レベルＰＷt から正
方向の電圧ＰＷa と負方向の電圧ＰＷb を求め、さらに
これらの差の値（ＰＷa −ＰＷb ）をこれらの和の値
（ＰＷa ＋ＰＷb ）で除算した値βが０となる光強度を
最適パルスとし、この最適パルスで記録したときの演算
値（図１の信号Ｇ）を基準値とする。

【００４７】この場合、スイッチ305 の接片305aを第２
の接点305cに接続する。これにより、演算増幅器302 の
非反転入力端子への印加電圧Ｖｅは、電圧＋Ｖ３３を抵
抗器R18 と可変抵抗器VR2 によって分圧した電圧とな
り、演算増幅器303 の反転入力端子への印加電圧Ｖｆ
は、電圧−Ｖ３４を抵抗器R22 と可変抵抗器VR3 によっ
て分圧した電圧となる。この状態で、可変抵抗器VR2,VR
3 の抵抗値を変化させることにより、演算増幅器302 の
非反転入力端子への印加電圧及び演算増幅器303 の非反
転入力端子への印加電圧を予め実験などによって求めら
れている所定の電圧に設定する。これにより、パルス信
号Ｐ３〜Ｐ６，Ｌ３，Ｌ４のパルス幅が適正値に補正さ
れると共に、記録信号Ｍにおけるパルス幅が適値に設定
される。

【００４８】次いで、記録試験エリアへ記録を行う際
は、可変抵抗器VR2 の抵抗値を変え、パルス幅を変えて
記録し、再生波形のβがゼロとなる抵抗値を見つける。
このとき、演算増幅器301 の出力電圧がほぼ０Ｖになる
ように可変抵抗器VR1 の抵抗値を調整する。ここでは、
最適パルス幅でピット部Ｐａ及び非ピット部Ｐｂからな
るピットを形成したときの３Ｔ時間幅を持つピット部Ｐ
ａの後端部Ｐ1 からの反射光強度と、このピット部Ｐａ
に続く非ピット部Ｐｂの中央部Ｐ2 からの反射光強度と
の差を設定している。

【００４９】即ち、３Ｔ時間幅を持つピット部Ｐａが形
成され、レ−ザ光の強度が低レベルの再生光強度にされ
ると、ピット部Ｐａの後端部Ｐ1 からの反射光がフォト
ディテクタ２１ｂに入射されると共に、タイミングパル
ス発生回路２４からパルス信号Ｃが出力され、ロ−パス
フィルタ２３の出力信号Ｂ2 の電圧Ｖａがサンプルホ−
ルド回路２５に保持される。この後、このピット部Ｐａ
に続く非ピット部Ｐｂの形成時における、非ピット部Ｐ
ｂの中央部Ｐ2 からの反射光がフォトディテクタ２１ｂ
に入射されているときに、タイミングパルス発生回路２
４からパルス信号Ｄが出力され、このときのロ−パスフ
ィルタ２３の出力信号Ｂ2 の電圧Ｖｂがサンプルホ−ル
ド回路２６に保持される。このとき、信号Ｂ2 において
は、信号Ｂ1 に含まれている光ディスク１の傷Ｋ1 やご
みＫ2 等によるノイズ成分は除去されているので、誤検
出を防止することができる。

【００５０】この状態で、演算増幅器301 の出力電圧Ｖ
ｄがほぼ０Ｖになるように可変抵抗器VR1 の抵抗値を調
整することにより、最適パルス幅でピットを形成したと
き、即ち基準ディジタル信号Ａのハイレベルの時間幅に
対応した長さであり、かつ最適な幅を持つピット部Ｐ
ａ、及びロ−レベルの時間幅に対応した長さの非ピット
部Ｐｂからなるピットを形成したときの、３Ｔ時間幅を
持つピット部Ｐａの後端部Ｐ1 からの反射光強度に対応
する電圧Ｖａと、このピット部Ｐａに続く非ピット部Ｐ
ｂの中央部Ｐ2 からの反射光強度に対応する電圧Ｖｂと
の差の電圧Ｖｈ（＝Ｖｂ−Ｖａ）が、演算増幅器301 の
反転入力端子への印加電圧として設定される。

【００５１】この後、スイッチ305 の接片305aを第１の
接点305bに接続し、情報記録を開始する。情報の記録中
に光ディスク１の記録層の性質或いは偏心等によって３
Ｔ時間幅を持つピット部Ｐａの形成状態が変わると、こ
れに対応して最適なピットが形成されるように、即ち演
算増幅器301 の出力電圧Ｖｄが０Ｖとなるように、リア
ルタイムでレ−ザダイオ−ド２１ａから出射されるレー
ザ光のパルス幅及びパルス信号Ｐ３〜Ｐ６，Ｌ３，Ｌ４
の遅延量が増減される。

【００５２】即ち、３Ｔ時間幅を持つピット部Ｐａの形
成状態が過剰となり、その長さが長くなったり、或いは
幅が広く形成された場合、再生時におけるこのピット部
Ｐａの後端部Ｐ1 からの反射光の強度が低下する。ま
た、これに続く非ピット部Ｐｂの中央部Ｐ2 からの反射
光強度は、光ディスク１の全面においてほぼ一定とな
る。従って、この場合には、演算回路２７から出力され
る信号Ｇの電圧Ｖｃが基準電圧Ｖｈよりも増加し、これ
に伴い演算増幅器301 からは負の電圧Ｖｄが出力され
る。このとき演算増幅器302 の反転入力端子に印加され
る電圧は低下して電圧ｖ7 は減少し、全てのパルス幅
（デューティー）は減少する。また、電圧Ｖｊも減少
し、デューティーに対応したパルス信号Ｐ３〜Ｐ６，Ｌ
３，Ｌ４の補正量となる。これにより、レ−ザダイオ−
ド２１ａから出射されるレーザパルスのパルス幅が減少
して、レーザパルスにより光ディスク１に供給される熱
量が減少し、続いて形成されるピット部Ｐａの過剰形成
が緩和され、最適な形状、即ち基準ディジタル信号Ａに
対応した形状のピットが形成される。

【００５３】また、３Ｔ時間幅を持つピット部Ｐａの形
成状態が不十分で、その長さが短くなったり、或いは幅
が狭く形成された場合、再生光強度におけるこのピット
部Ｐａの後端部Ｐ1 からの反射光の強度が増加する。従
って、この場合には、演算回路２７の信号Ｇの電圧が基
準電圧Ｖｈよりも低下し、これに伴い演算増幅器301か
らは正の電圧Ｖｄが出力される。このときは、レ−ザダ
イオ−ド２１ａから出射されるレーザパルスのパルス幅
が増加して、レーザパルスにより光ディスク１に供給さ
れる熱量が増加し、続いて形成されるピット部Ｐａの形
成状態は適正なものとされ、基準ディジタル信号Ａに対
応した形状のピットが形成される。

【００５４】ここで、遅延回路201 〜206 における出力
パルス幅の増減率が、充放電回路207 における出力パル
ス幅の増減率よりも小さい所定値となるように各回路定
数が設定されている。

【００５５】前述したように本実施例によれば、光ディ
スク１の記録層の性質の変化、或いは光ディスク１の偏
心等によって形成状態が顕著に変化する３Ｔ時間幅を持
つピット部Ｐａの形成状態を反射光によって検出し、レ
−ザ光のパルス幅を増減して光ディスク１への熱の供給
量を補正しているので、常に基準ディジタル信号Ａに対
応した形状のピットを形成することができ、記録特性を
向上させることができる。

【００５６】また、周囲温度が変化し、レーザ光の強度
或いは発振波長が変化した場合においても、前述したよ
うにレーザ光のパルス幅が増減され、光ディスク１への
熱の供給量が補正されるので、ジッター等を低減できる
と共に、常に基準ディジタル信号Ａに対応した形状のピ
ットを形成することができ、記録特性を向上させること
ができる。

【００５７】尚、本実施例では、演算回路２７により信
号Ｅ，Ｆのそれぞれの電圧Ｖａ，Ｖｂの差の電圧Ｖｃを
求め、この差の電圧がＶｃ一定になるようにレ−ザダイ
オ−ド２１ａから出射されるレーザパルスのパルス幅を
制御したが、これに限定されることは無く、電圧Ｖａ，
Ｖｂの比を求め、この比が一定になるようにレーザパル
スのパルス幅を制御しても同様の効果を得ることができ
る。

【００５８】また、本実施例ではサンプルホ−ルド回路
２６において全ての非ピット部Ｐｂからの反射光強度に
対応した電圧を保持するようにしたが、３Ｔ時間幅のピ
ット部Ｐａに続く非ピット部Ｐｂからの反射光強度に対
応した電圧を保持するようにしても良い。

【００５９】さらに、本実施例では、ピット部Ｐａの後
端から基準時間幅Ｔの２倍程度の時間だけ遅れた位置で
非ピット部Ｐｂからの反射光強度に対応した電圧を保持
したが、この保持位置はピット部Ｐａの影響を受けない
位置であれば良いことはいうまでもないことである。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、情
報の記録中に光情報記録媒体の記録層の性質或いは偏心
等によって最小時間幅を持つピット部の形成状態が変わ
り、第１及び第２の光強度検出手段の検出結果が変わる
と、演算手段の演算結果が所定の基準値とほぼ一致する
ようにリアルタイムでレ−ザ光のパルス幅が増減され、
光情報記録媒体への熱の供給量が補正されるので、常に
基準ディジタル信号に対応した適正なピットを形成する
ことができる。また、短いパルスについては、それぞれ
について補正を行っているので、ピット間の熱干渉を減
少させることができ、ジッターを減らすことができる。
さらに、前記光情報記録媒体上に形成されている傷等に
よって反射光の強度が一時的に変化しても、該一時的な
光強度の変化は高周波成分除去手段によって除去される
ので、前記第１及び第２の光強度検出手段の誤検出を防
止することができ、記録特性の向上を図ることができる
という非常に優れた効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す構成図

【図２】従来例における最適光強度の設定方法を説明す
る図

【図３】本発明の一実施例における記録信号生成回路を
示す回路図

【図４】一実施例における遅延回路の構成図

【図５】一実施例における遅延回路のタイミングチャ−
ト

【図６】一実施例における充放電回路の構成図

【図７】一実施例における充放電回路のタイミングチャ
−ト

【図８】一実施例における電圧制御回路の構成図

【図９】一実施例の動作を説明するタイミングチャート

【図１０】一実施例の動作を説明するタイミングチャー
ト

【図１１】一実施例の動作を説明するタイミングチャー
ト

【符号の説明】

１…光ディスク、２…光情報記録装置、２１…光ピック
アップ、２１ａ…レ−ザダイオ−ド、２１ｂ…フォトデ
ィテクタ、２１ｃ…ハ−フミラ−、２１ｄ…レンズ、２
２…ＲＦアンプ、２３…ローパスフィルタ、２４…タイ
ミングパルス発生回路、２５，２６…サンプルホ−ルド
回路、２７…演算回路、２８…記録信号生成回路、２９
…レ−ザ駆動回路、100 …後端パルス発生回路、201 〜
206 …遅延回路、207 …充放電回路、300 …電圧制御回
路、400 …信号合成回路、500 …比較器、600 …ＮＯＴ
回路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 7/125 G11B 7/00

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録対象の情報に対応すると共に、ピッ
   ト部を形成できる強度のレ−ザ光を照射する期間を表す
   第１の信号レベルと前記強度よりも低い所定強度のレ−
   ザ光を照射する期間を表す第２の信号レベルとを有し、
   該第１及び第２の信号レベルは所定の基準時間幅の整数
   倍となる等差級数をなす時間幅をもつ基準ディジタル信
   号に基づき、光情報記録媒体に対して所定強度のパルス
   状のレ−ザ光を照射し、ピットを形成する光情報記録装
   置において、 少なくとも前記ピットの形成時に前記光情報記録媒体か
   らの反射光の強度を検知する光強度検知手段と、 該光強度検知手段の検知結果における所定周波数以上の
   高周波数成分を除去する高周波成分除去手段と、 前記高周波成分除去手段によって高周波成分が除去され
   た反射光強度に基づき、前記基準ディジタル信号が最小
   時間幅の第１の信号レベルから第２の信号レベルに遷移
   したレベル変化時における反射光強度を検出する第１の
   光強度検出手段と、 前記高周波成分除去手段によって高周波成分が除去され
   た前記反射光強度に基づき、前記第１の信号レベルから
   前記第２の信号レベルに遷移したレベル変化時から所定
   時間経過後の前記第２の信号レベル時における反射光強
   度を検出する第２の光強度検出手段と、 前記第１の光強度検出手段による検出値と前記第２の光
   強度検出手段による検出値との差或いは比を算出する演
   算手段と、 該演算手段の演算結果が所定の基準値とほぼ一致するよ
   うに前記基準ディジタル信号の第１及び第２の信号レベ
   ルの時間幅を増減して記録信号となす記録信号生成手段
   と、 該記録信号に基づいて、レーザを駆動するレーザ駆動手
   段とを備えた、 ことを特徴とする光情報記録装置。