JP2743185B2 - Circuit board and method of manufacturing the same - Google Patents
Circuit board and method of manufacturing the sameInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、金属箔表面に接着剤層を介することなく、
ポリイミド系樹脂組成物の薄膜を形成した、生産性及び
経済性に優れた回路基板及びその製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a method for manufacturing a metal foil without interposing an adhesive layer.
The present invention relates to a circuit board formed with a thin film of a polyimide resin composition and having excellent productivity and economy, and a method for manufacturing the same.
(従来の技術) 可撓性の回路基板は、金属箔とその上に形成された薄
い絶縁層とによって構成されている。絶縁層として、ポ
リイミド、ポリエステル等のフィルムやエポキシ樹脂含
浸ガラスクロス等が用いられている。エポキシ樹脂含浸
ガラスクロスは、可撓性、低誘電特性に劣るという欠点
があり、またポリエステルフィルムは耐熱性に劣るとい
う問題がある。ポリイミドフィルムは、それ自体の耐熱
性、低誘電特性、耐薬品性が優れているものの、金属箔
に対するポリイミドフィルムの接着特性などが劣るとい
う欠点がある。(Prior Art) A flexible circuit board is composed of a metal foil and a thin insulating layer formed thereon. As the insulating layer, a film of polyimide, polyester, or the like, an epoxy resin-impregnated glass cloth, or the like is used. Epoxy resin impregnated glass cloth has the drawback of poor flexibility and low dielectric properties, and polyester film has the problem of poor heat resistance. Although the polyimide film itself has excellent heat resistance, low dielectric properties, and chemical resistance, it has a disadvantage in that the adhesive properties of the polyimide film to the metal foil are inferior.
従来、回路基板製造における金属箔上のポリイミド膜
の形成には、金属箔に接着剤を介してポリイミドフィ
ルムを接着したもの、金属箔上にポリイミド前駆体の
ポリアミド酸樹脂を塗布し、300℃以上の高温で熱処理
してイミド化させたもの、金属箔上にポリイミドフィ
ルムを少なくとも300℃以上の高温で熱融着させたもの
がある。Conventionally, the formation of a polyimide film on a metal foil in the manufacture of circuit boards, a polyimide film bonded to the metal foil via an adhesive, a polyamic acid resin of a polyimide precursor applied on the metal foil, 300 ℃ or more And imidization by heat treatment at a high temperature, and heat-bonding a polyimide film on a metal foil at a high temperature of at least 300 ° C. or higher.
しかし、の回路基板は接着剤の耐熱性が低いためポ
リイミドの耐熱性の特徴を十分に発揮させることができ
ない欠点がある。また接着剤の使用に伴い工程が複雑に
なるという欠点がある。及びの回路基板は、いずれ
も高温での熱処理が必要で生産性、経済性に劣る欠点が
ある。更にの回路基板はポリイミド前駆体の組成によ
っては生成ポリイミド膜と金属箔との接着力が不十分と
なり、それが回路パターン形成時に剥離現象が生じ不良
の原因となる欠点があった。However, the circuit board has a disadvantage that the heat resistance of the adhesive is low and the characteristics of the heat resistance of polyimide cannot be sufficiently exhibited. Further, there is a disadvantage that the process becomes complicated with the use of the adhesive. Both of the circuit boards require heat treatment at a high temperature, and thus have the disadvantages of poor productivity and economic efficiency. Further, the circuit board has a disadvantage that the adhesive strength between the formed polyimide film and the metal foil is insufficient depending on the composition of the polyimide precursor, which causes a peeling phenomenon at the time of forming a circuit pattern and causes a defect.
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、上記の欠点を解消するためになされたもの
で、接着剤を介在させずに、耐熱性、接着性に優れ、か
つ生産性、経済性の高い回路基板及びその製造方法を提
供しようとするものである。(Problems to be Solved by the Invention) The present invention has been made in order to solve the above-mentioned disadvantages, and has excellent heat resistance, adhesiveness, and high productivity and economy without using an adhesive. An object of the present invention is to provide a circuit board and a method of manufacturing the same.
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明者らは、上記の目的を達成するため鋭意研究を
進めた結果、金属箔上に接着剤を介することなく直接
に、特定ポリイミド系樹脂組成物の薄膜を形成させるこ
とによって、耐熱性、接着性に優れ、かつ生産性、経済
性の高い回路基板が得られることを見いだし、本発明を
完成したものである。[Constitution of the Invention] (Means for solving the problem) As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that a specific polyimide-based material can be directly formed on a metal foil without using an adhesive. It has been found that by forming a thin film of the resin composition, a circuit board having excellent heat resistance and adhesiveness, high productivity and high economic efficiency can be obtained, and the present invention has been completed.
すなわち、本発明の回路基板は、 金属箔と、該金属箔の表面にポリイミド系樹脂組成物溶
液を塗布することにより形成したポリイミド系樹脂組成
物の薄膜とを具備し、該樹脂組成物が、 (A)(a)3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸を95モル%以上含む芳香族テトラカルボン酸と、 (b)一般式(1)又は(2) (但し式中XはCH2,SO2,C(CH3)2,C(CF3)2,O又はS
を、R5はベンゼン核又はシクロヘキサン核を、R1,R2はC
H3,C2H5,OCH3又はOC2H5を、R3,R4はC2H5を、それぞれ表
し、そしてR1〜R4はいずれもアミノ基のオルソ位に置換
されている)で示される芳香族ジアミンを90モル%以上
含むジアミンとを反応させてなるポリイミド樹脂、及び
(B)エポキシ樹脂を含むものであることを特徴とし、 本発明の回路基板の製造方法は、金属箔表面に上記のポ
リイミド系樹脂組成物溶液を直接塗布した後、タックフ
リーな状態に乾燥して塗布金属箔を得、該塗布金属箔を
不活性ガス中で加熱して金属箔表面にポリイミド系樹脂
組成物薄膜を形成することを特徴とするものである。That is, the circuit board of the present invention includes a metal foil and a thin film of a polyimide-based resin composition formed by applying a polyimide-based resin composition solution to the surface of the metal foil. (A) (a) an aromatic tetracarboxylic acid containing 95 mol% or more of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid; and (b) a general formula (1) or (2) (Where X is CH 2 , SO 2 , C (CH 3 ) 2 , C (CF 3 ) 2 , O or S
R 5 is a benzene nucleus or a cyclohexane nucleus, and R 1 and R 2 are C
The H 3, C 2 H 5, OCH 3 or OC 2 H 5, and R 3, R 4 is C 2 H 5, each represent, and R 1 to R 4 is substituted at the ortho position of the amino group either The present invention relates to a method for producing a circuit board according to the present invention, comprising: a polyimide resin obtained by reacting a diamine containing at least 90 mol% of an aromatic diamine represented by After directly applying the polyimide-based resin composition solution to the surface, dried in a tack-free state to obtain a coated metal foil, the coated metal foil is heated in an inert gas to apply a polyimide-based resin to the metal foil surface. It is characterized by forming a composition thin film.
本発明に用いる(A)ポリイミド樹脂の成分である
(a)芳香族テトラカルボン酸は、その95モル%以上が
3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸である
が、本発明でいう3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸にはその無水物もしくはそのアルキルエステ
ルを含むものである。また(a)芳香族テトラカルボン
酸は3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸の
他の芳香族テトラカルボン酸を5モル%未満含んでいて
もよい。The (A) aromatic tetracarboxylic acid, which is a component of the polyimide resin (A) used in the present invention, has 95% by mole or more thereof.
It is 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, and the 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid referred to in the present invention includes its anhydride or its alkyl ester. Further, (a) the aromatic tetracarboxylic acid may contain less than 5 mol% of another aromatic tetracarboxylic acid other than 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid.
本発明に用いる(b)芳香族ジアミンは、その90モル
%以上が次の一般式(1)又は(2)で示されるジアミ
ンである。90 mol% or more of the aromatic diamine (b) used in the present invention is a diamine represented by the following general formula (1) or (2).
(但し式中XはCH2,SO2,C(CH3)2,C(CF3)2,O又はS
を、R5はベンゼン核又はシクロヘキサン核を、R1,R2はC
H3,C2H5,OCH3又はOC2H5を、R3,R4はC2H5を、それぞれ表
し、そしてR1〜R4はいずれもアミノ基のオルソ位に置換
されている) (b)芳香族ジアミンの具体的な化合物としては、3,
3′−ジメチル−5,5′−ジエチル−4,4′−ジアミノジ
フェニルメタン、3,3′,5,5′−テトラエチル−4,4′−
ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジメチル−4,4′−
ジアミノジシクロヘキシルメタン、3,3′−ジメトキシ
−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジエトキ
シ−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジエチ
ル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジメ
トキシ−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−
ジメチル−4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′
−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,
3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、3,3′−ジエトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルス
ルホン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジフェニル
プロパン、3,3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニ
ルプロパン、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフ
ェニルプロパン、3,3′−ジエトキシ−4,4′−ジアミノ
ジフェニルプロパン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミ
ノジフェニルスルファイド、3,3′−ジエチル−4,4′−
ジアミノジフェニルスルファイド、3,3′−ジメトキシ
−4,4′−ジアミノジフェニルスルファイド、3,3′−ジ
エトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルスルファイド、
4,4′−ジメチル−5,5′−ジアミノジフェニルヘキサフ
ルオロプロパン等が挙げられ、これらは単独又は2種以
上混合して用いることができる。またこれらの芳香族ジ
アミンの他に、10モル%未満のジアミンを配合すること
ができる。 (Where X is CH 2 , SO 2 , C (CH 3 ) 2 , C (CF 3 ) 2 , O or S
R 5 is a benzene nucleus or a cyclohexane nucleus, and R 1 and R 2 are C
The H 3, C 2 H 5, OCH 3 or OC 2 H 5, and R 3, R 4 is C 2 H 5, each represent, and R 1 to R 4 is substituted at the ortho position of the amino group either (B) Specific compounds of the aromatic diamine include 3,3
3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3 ', 5,5'-tetraethyl-4,4'-
Diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethyl-4,4'-
Diaminodicyclohexylmethane, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diethoxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diethyl-4,4'-diaminodiphenylether, 3 , 3'-Dimethoxy-4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-
Dimethyl-4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3 '
-Diethyl-4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,
3'-dimethoxy-4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diethoxy-4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylpropane, 3,3 '-Diethyl-4,4'-diaminodiphenylpropane,3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminodiphenylpropane,3,3'-diethoxy-4,4'-diaminodiphenylpropane,3,3'-dimethyl −4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 3,3′-diethyl-4,4′-
Diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diethoxy-4,4'-diaminodiphenyl sulfide,
4,4'-dimethyl-5,5'-diaminodiphenylhexafluoropropane and the like, and these can be used alone or in combination of two or more. In addition to these aromatic diamines, diamines of less than 10 mol% can be blended.
(a)芳香族テトラカルボン酸と(b)芳香族ジアミ
ンとの反応は、ほぼ等モルを有機溶媒中で30℃以下、好
ましくは0℃以下の温度下で3〜12時間付加反応させた
後、脱水環化して次の構造式(3),(4)を有するポ
リイミド樹脂が得られる。The reaction between (a) the aromatic tetracarboxylic acid and (b) the aromatic diamine is carried out by adding approximately equimolar addition reaction in an organic solvent at a temperature of 30 ° C or less, preferably 0 ° C or less for 3 to 12 hours. The dehydration cyclization gives a polyimide resin having the following structural formulas (3) and (4).
(但し式中XはCH2,SO2,C(CH3)2,C(CF3)2,O又はS
を、R5はベンゼン核又はシクロヘキサン核を、R1,R2はC
H3,C2H5,OCH3又はOC2H5を、R3,R4はC2H5を、それぞれ表
し、そしてR1〜R4はいずれもアミノ基のオルソ位に置換
されている) この付加重合反応において用いる有機溶媒としては、
例えば、N,N′−ジメチルスルホオキシド、N,N′−ジメ
チルホルムアミド、N,N′−ジエチルホルムアミド、N,
N′−ジメチルアセトアミド、N,N′−ジエチルアセトア
ミド、N−メチル−2−ピロリドン、ヘキサメチレンホ
スホアミド等が挙げられ、これは単独又は2種以上混合
して使用することができる。 (Where X is CH 2 , SO 2 , C (CH 3 ) 2 , C (CF 3 ) 2 , O or S
R 5 is a benzene nucleus or a cyclohexane nucleus, and R 1 and R 2 are C
The H 3, C 2 H 5, OCH 3 or OC 2 H 5, and R 3, R 4 is C 2 H 5, each represent, and R 1 to R 4 is substituted at the ortho position of the amino group either The organic solvent used in this addition polymerization reaction includes
For example, N, N'-dimethylsulfoxide, N, N'-dimethylformamide, N, N'-diethylformamide, N, N
N'-dimethylacetamide, N, N'-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, hexamethylenephosphamide, etc., can be used alone or in combination of two or more.
本発明に用いられる(B)エポキシ樹脂としては、例
えば2,2−ビス(p−ヒドロキシフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル)
プロパン、1,1,2,2−テトラキス(p−ヒドロキシフェ
ニル)エタン、4,4′−ジヒドロキシジフェニル、レゾ
ルシン、カテコール、ヒドロキノンなど芳香族多価フェ
ノール類のグリシジルエーテル;フェノールノボラッ
ク、クレゾールノボラック等のグリシジルエーテル;ビ
ニルシクロヘキセンジエポキシド、(3′,4′−エポキ
シシクロヘキシルメチル)−3,4−エポキシシクロヘキ
サンカルボキシレート、(3′,4′−エポキシ−6′−
メチルシクロヘキシルメチル)−3,4−エポキシ−6−
メチルシクロヘキサンカルボキシレート、3−(3′,
4′−エポキシシクロヘキシル)−2,4−ジオキサスピロ
(5,5)−8,9−エポキシウンデカン、3−(グリシジル
オキシエトキシエチル)−2,4−ジオキサスピロ(5,5)
−8,9−エポキシウンデカンなど脂環式エポキシ樹脂;
トリグリシジルイソシアヌレート、5,5−ジメチルヒダ
ントインのN,N−ジグリシジル酸誘導体など複素環式エ
ポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独もしくは2種以
上混合して使用することができる。前述した(A)ポリ
イミド樹脂と(B)のエポキシ樹脂を混合して容易にポ
リイミド系樹脂組成物を得ることができる。As the epoxy resin (B) used in the present invention, for example, 2,2-bis (p-hydroxyphenyl) propane,
2,2-bis (4-hydroxy-3,5-dibromophenyl)
Glycidyl ethers of aromatic polyhydric phenols such as propane, 1,1,2,2-tetrakis (p-hydroxyphenyl) ethane, 4,4'-dihydroxydiphenyl, resorcin, catechol, hydroquinone; phenol novolak, cresol novolak, etc. Glycidyl ether; vinylcyclohexene diepoxide, (3 ', 4'-epoxycyclohexylmethyl) -3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, (3', 4'-epoxy-6'-
Methylcyclohexylmethyl) -3,4-epoxy-6
Methylcyclohexanecarboxylate, 3- (3 ',
4'-epoxycyclohexyl) -2,4-dioxaspiro (5,5) -8,9-epoxyundecane, 3- (glycidyloxyethoxyethyl) -2,4-dioxaspiro (5,5)
Alicyclic epoxy resins such as -8,9-epoxyundecane;
Heterocyclic epoxy resins such as triglycidyl isocyanurate and N, N-diglycidyl acid derivative of 5,5-dimethylhydantoin are listed, and these can be used alone or as a mixture of two or more. The polyimide resin composition can be easily obtained by mixing the (A) polyimide resin and the (B) epoxy resin.
本発明で使用するポリイミド系樹脂組成物は、硬化
剤、硬化促進剤及び充填剤よりなる群から選択した添加
剤を少なくとも1種含有して良い。The polyimide resin composition used in the present invention may contain at least one additive selected from the group consisting of a curing agent, a curing accelerator, and a filler.
硬化剤の例としては、無水フタル酸、無水メチルナジ
ック酸、4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ト
リメリット酸、無水ピロメリット酸等の酸無水物系硬化
剤、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、
テトラエチレンペンタミン、m−フェニレンジアミン、
ジアミノフェニルエーテル、ジアミノジフェニルメタン
などのアミン系硬化剤、ポリアミド系硬化剤、2−エチ
ル−4−メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾール
などのイミダゾール系硬化剤、ジシアンジアミドなどが
挙げられる。硬化促進剤の例としては、ベンジルジメチ
ルアミンなどの第三級アミン、ホウ酸エステル、有機金
属塩などが挙げられる。他の添加剤の例としては希釈
剤、展伸剤、軟化剤などが挙げられる。溶媒としてはポ
リイミド樹脂、エポキシ樹脂を共に溶解することが必要
であり、例えばN,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメ
チルホルムアミドなどのアミド系溶媒、またシクロヘキ
サノン、テトラヒドロフランなどが挙げられる。ポリイ
ミド樹脂とエポキシ樹脂の配合比は50:50〜95:5の範囲
がよい。また硬化剤、硬化促進剤の量はエポキシ樹脂量
に対して標準的に用いられる量でよい。Examples of the curing agent include phthalic anhydride, methylnadic anhydride, 4-methylhexahydrophthalic anhydride, trimellitic anhydride, acid anhydride-based curing agents such as pyromellitic anhydride, hexamethylenediamine, diethylenetriamine,
Tetraethylenepentamine, m-phenylenediamine,
Examples include amine-based curing agents such as diaminophenyl ether and diaminodiphenylmethane, polyamide-based curing agents, imidazole-based curing agents such as 2-ethyl-4-methylimidazole and 2-methylimidazole, and dicyandiamide. Examples of the curing accelerator include a tertiary amine such as benzyldimethylamine, a borate ester, and an organic metal salt. Examples of other additives include diluents, spreaders, softeners and the like. As the solvent, it is necessary to dissolve both the polyimide resin and the epoxy resin, and examples thereof include amide solvents such as N, N-dimethylacetamide and N, N-dimethylformamide, and cyclohexanone and tetrahydrofuran. The mixing ratio of the polyimide resin and the epoxy resin is preferably in the range of 50:50 to 95: 5. Further, the amounts of the curing agent and the curing accelerator may be amounts used as standard with respect to the amount of the epoxy resin.
ポリイミド樹脂にエポキシ樹脂を含有させた溶液を金
属箔にコーティングする場合は、ポリイミド樹脂にエポ
キシ樹脂を含有させた溶液を5〜40重量%、特に好まし
くは10〜30重量%含有し、かつ固有粘度(intrinsic vi
scosity)が0.5〜6dl/g、特に1〜4dl/gである溶液を用
いることが、製造したポリイミド系序素薄膜の物性及び
塗布、乾燥工程での経済性から好ましい。When coating a metal foil with a solution containing an epoxy resin in a polyimide resin, a solution containing the epoxy resin in the polyimide resin in an amount of 5 to 40% by weight, particularly preferably 10 to 30% by weight, and an intrinsic viscosity (Intrinsic vi
It is preferable to use a solution having a scosity of 0.5 to 6 dl / g, particularly 1 to 4 dl / g, from the viewpoint of the physical properties of the produced polyimide-based thin film and the economy in the coating and drying steps.
ポリイミドにエポキシ樹脂を含有させた樹脂組成物溶
液をコーティングする対象の金属箔としては、一般に
は、銅箔やアルミニウム箔が用いられるが、ニッケル箔
などの導電性の金属箔を用いることもできる。As a metal foil to be coated with a resin composition solution containing an epoxy resin in a polyimide, a copper foil or an aluminum foil is generally used, but a conductive metal foil such as a nickel foil can also be used.
ポリイミド樹脂にエポキシ樹脂を含有させた溶液を金
属箔にコーティングする操作は、流延塗布により行われ
ることが好ましく、具体的には、次のような方法が利用
される。金属箔表面にポリイミド樹脂にエポキシ樹脂を
含有させた溶液を製膜用スリットから吐出させて均一な
厚さ(厚さは一般的には、30〜300μmとなるように調
節される)の塗膜層を形成させる。他のコーティング手
段としては、ロールコーター、ナイフコーター、コンマ
コーター、ドクターブレード、フローコーターなどの他
の公知の手段を利用することも可能である。The operation of coating a metal foil with a solution in which an epoxy resin is contained in a polyimide resin is preferably performed by cast coating. Specifically, the following method is used. A film of uniform thickness (the thickness is generally adjusted to 30-300 μm) by discharging a solution containing polyimide resin and epoxy resin on the surface of the metal foil from the slit for film formation. Form a layer. As other coating means, other known means such as a roll coater, a knife coater, a comma coater, a doctor blade, and a flow coater can be used.
上記のようにして調製されたポリイミド樹脂にエポキ
シ樹脂を含有させた樹脂組成物溶液塗布層を、次に加熱
して脱溶媒を行う。一般的には、所要温度100〜250℃に
加熱する。これらの脱溶媒工程で、金属箔表面が酸化さ
れる温度以上にさらされる場合は、金属箔表面の酸化が
起こり金属箔の機械的特性、電気的特性及び接着性の低
下が起こりやすいことがあるため、金属箔表面が酸化さ
れる温度以上では不活性ガス中で行うことが、金属箔表
面の酸化を防止するために特に好ましい。The resin composition solution coating layer obtained by adding the epoxy resin to the polyimide resin prepared as described above is then heated to remove the solvent. Generally, heating to the required temperature of 100-250 ° C. In these desolvation steps, if the metal foil surface is exposed to a temperature higher than the temperature at which it is oxidized, oxidation of the metal foil surface occurs and the mechanical properties, electrical properties, and adhesion of the metal foil may be easily reduced. Therefore, it is particularly preferable to perform the treatment in an inert gas at a temperature higher than the temperature at which the metal foil surface is oxidized in order to prevent the oxidation of the metal foil surface.
これらの加熱、乾燥は、塗布金属箔を広げた状態で行
うのが一般的であるが、本発明の場合、ポリイミド樹脂
にエポキシ樹脂を含有させた溶液を金属箔に直接コート
した後、実質的にタックフリーな状態迄乾燥した後、ロ
ール状に巻き取り、その巻き取った物を加熱して脱溶媒
を完全に行うことも可能である。These heating and drying are generally performed in a state where the applied metal foil is spread, but in the case of the present invention, after a solution in which an epoxy resin is contained in a polyimide resin is directly coated on the metal foil, substantially After drying to a tack-free state, the film may be wound into a roll, and the wound material may be heated to completely remove the solvent.
こうして、接着剤層を介することなく、直接金属箔上
にポリイミド系樹脂組成物の薄膜を形成して回路基板を
製造することができる。In this manner, a circuit board can be manufactured by forming a thin film of the polyimide-based resin composition directly on the metal foil without using an adhesive layer.
(作用) 本発明の回路基板は、金属箔表面に直接ポリイミド樹
脂とエポキシ樹脂を含む樹脂組成物の薄膜を形成したこ
とによって、接着剤を使用することによって起こる欠点
が除去され、生産性、経済性を向上させたものである。(Operation) The circuit board of the present invention has a thin film of a resin composition containing a polyimide resin and an epoxy resin formed directly on the surface of a metal foil, thereby eliminating defects caused by using an adhesive, thereby improving productivity and economy. It is the one with improved performance.
(実施例) 以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されない。(Examples) Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
実施例 1 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を置換し
た後、3,3′5,5′−テトラエチル−4,4′−ジアミノジ
フェニルメタン310gを入れ、これにN−メチル−2−ピ
ロリドン(NMP)2530mlを加え溶解した。溶解後、0℃
に冷却し撹拌しながら3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸無水物(BTDA)322gを加えた。反応によ
る発熱を氷水中で押さえながら6時間撹拌を続けて前駆
体の反応をさせた。次いで、反応溶液に脱水剤である無
水酢酸408mlとピリジン40mlを加え、100℃で酢酸を留出
させながら閉環反応を3時間行った。その後、無水酢酸
/ピリジンを減圧下で留出除去させてイミド化した。Example 1 After replacing the inside of a three-necked flask with dry nitrogen through the flask, 310 g of 3,3'5,5'-tetraethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane was added, and N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added thereto. 2530 ml was added and dissolved. After dissolution, 0 ° C
Then, 322 g of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic anhydride (BTDA) was added while cooling and stirring. The precursor was reacted by continuing stirring for 6 hours while suppressing the heat generated by the reaction in ice water. Next, 408 ml of acetic anhydride and 40 ml of pyridine, which are dehydrating agents, were added to the reaction solution, and a ring closure reaction was performed for 3 hours while distilling acetic acid at 100 ° C. Thereafter, acetic anhydride / pyridine was distilled off under reduced pressure to imidize.
反応後、反応溶液をメタノールと水の混合溶液に投入
してポリイミド樹脂を析出させた。析出物を乾燥し、黄
色のポリイミド樹脂粉末(固有粘度2.5)590gを得た。
得られたポリイミド樹脂粉末150g、エポキシ樹脂(油化
シェルエポキシ社製、エピコート828)45g、および2−
エチルイミダゾール0.2gをシクロヘキサノン850mlにて
溶解し、ドクターブレードを用いて圧延銅箔(厚さ35μ
m)に均一にコーティングした。このコーティング銅箔
を130℃で60分間加熱乾燥した後、250℃の窒素雰囲気中
で60分間加熱して、膜厚25μmのポリイミド系樹脂組成
物の薄膜をコートした回路基板を得た。この場合、コー
トする銅箔の表面は酸化処理又はプライマー処理しても
よい。After the reaction, the reaction solution was poured into a mixed solution of methanol and water to precipitate a polyimide resin. The precipitate was dried to obtain 590 g of a yellow polyimide resin powder (intrinsic viscosity 2.5).
150 g of the obtained polyimide resin powder, 45 g of epoxy resin (Epicoat 828, manufactured by Yuka Shell Epoxy), and 2-
Dissolve 0.2 g of ethyl imidazole in 850 ml of cyclohexanone and use a doctor blade to roll a rolled copper foil (thickness of 35μ).
m) was evenly coated. The coated copper foil was dried by heating at 130 ° C. for 60 minutes, and then heated in a nitrogen atmosphere at 250 ° C. for 60 minutes to obtain a circuit board coated with a 25 μm-thick polyimide-based resin composition thin film. In this case, the surface of the copper foil to be coated may be oxidized or primed.
第1図は、本発明に係る回路基板の断面図を示した。
金属箔(銅箔)1の片面に厚さ25μmの樹脂組成物薄膜
2が形成されている。FIG. 1 shows a cross-sectional view of a circuit board according to the present invention.
A resin composition thin film 2 having a thickness of 25 μm is formed on one surface of a metal foil (copper foil) 1.
実施例 2 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を置換し
た後、4,4′−ジメチル−5,5′−ジアミノジフェニルヘ
キサフルオロプロパン362gを入れ、これにN−メチル−
2−ピロリドン(NMP)3420mlを加え溶解した。溶解
後、0℃に冷却し撹拌しながら3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸無水物(BTDA)322gを加えた。
反応による発熱を氷水中で押さえながら6時間撹拌を続
けて前駆体の反応をさせた。次いで、反応溶液に脱水剤
である無水酢酸408mlとピリジン40mlとを加え、100℃で
酢酸を留出させながら閉環反応を3時間行った。その
後、無水酢酸/ピリジンを減圧下で留出除去させてイミ
ド化した。Example 2 After replacing the inside of a three-necked flask with dry nitrogen through the flask, 362 g of 4,4'-dimethyl-5,5'-diaminodiphenylhexafluoropropane was added, and N-methyl-
3420 ml of 2-pyrrolidone (NMP) was added and dissolved. After dissolution, the mixture was cooled to 0 ° C and 322 g of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic anhydride (BTDA) was added with stirring.
The precursor was reacted by continuing stirring for 6 hours while suppressing the heat generated by the reaction in ice water. Next, 408 ml of acetic anhydride and 40 ml of pyridine as dehydrating agents were added to the reaction solution, and a ring-closing reaction was performed for 3 hours while distilling acetic acid at 100 ° C. Thereafter, acetic anhydride / pyridine was distilled off under reduced pressure to imidize.
反応後、反応溶液をメタノールと水の混合溶液に投入
してポリイミド樹脂を析出させた。析出物を乾燥し、黄
色のポリイミド樹脂粉末(固有粘度3.44)640gを得た。
得られたポリイミド樹脂粉末150g、エポキシ樹脂(油化
シェルエポキシ社製、エピコート828)45g、および2−
エチルイミダゾール0.2gをシクロヘキサノン850mlにて
溶解し、圧延銅箔(厚さ35μm)にドクターブレードを
用いて均一にコーティングした。このコーティング銅箔
を130℃で60分間加熱乾燥した後、250℃の窒素雰囲気の
中で60分間加熱して、膜厚25μmのポリイミド系樹脂組
成物薄膜をコートした回路基板を得た。After the reaction, the reaction solution was poured into a mixed solution of methanol and water to precipitate a polyimide resin. The precipitate was dried to obtain 640 g of a yellow polyimide resin powder (intrinsic viscosity 3.44).
150 g of the obtained polyimide resin powder, 45 g of epoxy resin (Epicoat 828, manufactured by Yuka Shell Epoxy), and 2-
Ethyl imidazole (0.2 g) was dissolved in cyclohexanone (850 ml), and uniformly coated on a rolled copper foil (thickness: 35 μm) using a doctor blade. The coated copper foil was dried by heating at 130 ° C. for 60 minutes, and then heated in a nitrogen atmosphere at 250 ° C. for 60 minutes to obtain a circuit board coated with a 25 μm-thick polyimide resin composition thin film.
実施例 3 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を置換し
た後、3,3′−ジメチル−5,5′−ジエチル−4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン282gを入れ、これにN−メチル
−2−ピロリドン(NMP)2420mlを加え溶解した。溶解
後、0℃に冷却し撹拌しながら3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸無水物(BTDA)322gを加えた。
反応による発熱を氷水中で押さえながら6時間撹拌を続
けて前駆体の反応をさせた。次いで、反応溶液に脱水剤
である無水酢酸408mlとピリジン40mlとを加え、100℃で
酢酸を留出させながらイミド閉環反応を3時間行った。Example 3 After replacing the inside of the flask with dry nitrogen through a three-necked flask, 282 g of 3,3'-dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane was added, and N-methyl-2-pyrrolidone was added thereto. (NMP) 2420 ml was added and dissolved. After dissolution, the mixture was cooled to 0 ° C and 322 g of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic anhydride (BTDA) was added with stirring.
The precursor was reacted by continuing stirring for 6 hours while suppressing the heat generated by the reaction in ice water. Next, 408 ml of acetic anhydride and 40 ml of pyridine, which are dehydrating agents, were added to the reaction solution, and an imide ring closure reaction was performed for 3 hours while distilling acetic acid at 100 ° C.
反応後、反応溶液をメタノールと水の混合溶液に投入
してポリイミド樹脂を析出させた。析出物を乾燥し、黄
色のポリイミド樹脂粉末(固有粘度2.33)564gを得た。
得られたポリイミド樹脂粉末150g、エポキシ樹脂(油化
シェルエポキシ社製、エピコート828)45g、および2−
エチルイミダゾール0.2gをシクロヘキサン850mlにて溶
解し、圧延銅箔(厚さ35μm)にドクターブレードを用
いて均一にコーティングした。このコーティング銅箔を
130℃で60分間加熱乾燥した後、250℃の窒素雰囲気の中
で60分間加熱して、膜厚25μmのポリイミド系樹脂組成
物薄膜をコートした回路基板を得た。After the reaction, the reaction solution was poured into a mixed solution of methanol and water to precipitate a polyimide resin. The precipitate was dried to obtain 564 g of a yellow polyimide resin powder (intrinsic viscosity 2.33).
150 g of the obtained polyimide resin powder, 45 g of epoxy resin (Epicoat 828, manufactured by Yuka Shell Epoxy), and 2-
Ethyl imidazole (0.2 g) was dissolved in cyclohexane (850 ml) and uniformly coated on a rolled copper foil (thickness: 35 μm) using a doctor blade. This coated copper foil
After heating and drying at 130 ° C. for 60 minutes, the substrate was heated in a nitrogen atmosphere at 250 ° C. for 60 minutes to obtain a circuit board coated with a 25 μm-thick polyimide-based resin composition thin film.
比較例 1 市販の厚さ25μmのポリイミドフィルムと実施例で用
いた圧延銅箔とを、アクリルゴム系接着剤を用いて、室
温で圧力0.7kg/cm2の条件で加圧して、回路基板を得
た。Comparative Example 1 A commercially available polyimide film having a thickness of 25 μm and the rolled copper foil used in the examples were pressed with an acrylic rubber adhesive at room temperature under a pressure of 0.7 kg / cm 2 to form a circuit board. Obtained.
これらの実施例及び比較例で得られた回路基板におけ
る銅箔とポリイミド系樹脂組成物薄膜あるいははポリイ
ミドフィルムとの接着力をASTM−D−1875に準じて測定
し、耐はんだ性をJIS−C−6481に準じて行ったので、
その結果を第1表に示す。The adhesive strength between the copper foil and the polyimide-based resin composition thin film or the polyimide film in the circuit boards obtained in these Examples and Comparative Examples was measured in accordance with ASTM-D-1875, and the solder resistance was measured in accordance with JIS-C. Since I went according to −6481,
Table 1 shows the results.
[発明の効果] 以上の説明および第1表から明らかなように、本発明
の、また本発明方法による回路基板は、金属箔に接着剤
を介在させることなく直接に、特定のポリイミド樹脂系
樹脂組成物の薄膜を形成したので、耐熱性、接着性に優
れ、かつ生産性、経済性が高く、従ってプリント配線
板、ハイブリッド基板、LSI実装用基板等に好適なもの
である。 [Effects of the Invention] As is clear from the above description and Table 1, the circuit board of the present invention and the method of the present invention can be used in a specific polyimide resin-based resin directly without interposing an adhesive in a metal foil. Since a thin film of the composition is formed, the composition is excellent in heat resistance and adhesiveness, and has high productivity and economy. Therefore, it is suitable for printed wiring boards, hybrid boards, LSI mounting boards, and the like.
第1図は本発明に係る回路基板の一実施例を示す断面図
である。 1……金属箔、2……樹脂組成物薄膜。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a circuit board according to the present invention. 1 .... metal foil, 2 .... resin composition thin film.
Claims (2)
樹脂組成物溶液を塗布することにより形成したポリイミ
ド系樹脂組成物の薄膜とを具備し、該樹脂組成物が、 (A)(a)3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸を95モル%以上含む芳香族テトラカルボン酸と、 (b)一般式(1)又は(2) (但し式中XはCH2,SO2,C(CH3)2,C(CF3)2,O又はS
を、R5はベンゼン核又はシクロヘキサン核を、R1,R2はC
H3,C2H5,OCH3又はOC2H5を、R3,R4はC2H5を、それぞれ表
し、そしてR1〜R4はいずれもアミノ基のオルソ位に置換
されている)で示される芳香族ジアミンを90モル%以上
含むジアミンとを反応させてなるポリイミド樹脂、及び
(B)エポキシ樹脂を含むものであることを特徴とする
回路基板。A metal foil and a thin film of a polyimide resin composition formed by applying a polyimide resin composition solution to the surface of the metal foil, wherein the resin composition comprises: (A) ( a) an aromatic tetracarboxylic acid containing at least 95 mol% of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid; and (b) a general formula (1) or (2) (Where X is CH 2 , SO 2 , C (CH 3 ) 2 , C (CF 3 ) 2 , O or S
R 5 is a benzene nucleus or a cyclohexane nucleus, and R 1 and R 2 are C
The H 3, C 2 H 5, OCH 3 or OC 2 H 5, and R 3, R 4 is C 2 H 5, each represent, and R 1 to R 4 is substituted at the ortho position of the amino group either A circuit board comprising: a polyimide resin obtained by reacting a diamine containing at least 90 mol% of an aromatic diamine represented by the formula:
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸を95モル%以上含む
芳香族テトラカルボン酸と、 (b)一般式(1)又は(2) (但し式中XはCH2,SO2,C(CH3)2,C(CF3)2,O又はS
を、R5はベンゼン核又はシクロヘキサン核を、R1,R2はC
H3,C2H5,OCH3又はOC2H5を、R3,R4はC2H5を、それぞれ表
し、そしてR1〜R4はいずれもアミノ基のオルソ位に置換
されている)で示される芳香族ジアミンを90モル%以上
含むジアミンとを反応させてなるポリイミド樹脂及び
(B)エポキシ樹脂を含む樹脂組成物溶液を、直接塗布
した後タックフリーな状態に乾燥して塗布金属箔を得、
該塗布金属箔を不活性ガス中で加熱して金属箔表面にポ
リイミド系樹脂薄膜を形成することを特徴とする回路基
板の製造方法。2. The method according to claim 2, wherein (A) (a) 3,3 ', 4,4'
An aromatic tetracarboxylic acid containing 95 mol% or more of benzophenone tetracarboxylic acid, and (b) a general formula (1) or (2) (Where X is CH 2 , SO 2 , C (CH 3 ) 2 , C (CF 3 ) 2 , O or S
R 5 is a benzene nucleus or a cyclohexane nucleus, and R 1 and R 2 are C
The H 3, C 2 H 5, OCH 3 or OC 2 H 5, and R 3, R 4 is C 2 H 5, each represent, and R 1 to R 4 is substituted at the ortho position of the amino group either A) A resin composition solution containing a polyimide resin and an epoxy resin (B) obtained by reacting with a diamine containing at least 90 mol% of an aromatic diamine represented by the formula (1) is directly applied, then dried in a tack-free state and applied. Get the metal foil,
A method for manufacturing a circuit board, comprising heating the coated metal foil in an inert gas to form a polyimide resin thin film on the surface of the metal foil.
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