JP2739833B2 - 広帯域進行波管 - Google Patents
広帯域進行波管Info
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- JP2739833B2 JP2739833B2 JP7075123A JP7512395A JP2739833B2 JP 2739833 B2 JP2739833 B2 JP 2739833B2 JP 7075123 A JP7075123 A JP 7075123A JP 7512395 A JP7512395 A JP 7512395A JP 2739833 B2 JP2739833 B2 JP 2739833B2
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- JP
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- traveling wave
- wave tube
- circuit
- electron beam
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
- H01J23/24—Slow-wave structures, e.g. delay systems
- H01J23/26—Helical slow-wave structures; Adjustment therefor
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、らせん構造を高周波回
路に有する進行波管に関し、特に広帯域化をはかるため
に使用される高周波回路部の構造に関する。
路に有する進行波管に関し、特に広帯域化をはかるため
に使用される高周波回路部の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波電力の応用は、通信Ｅｌｅｃ
ｔｒｏ Ｃｏｕｎｔｅｒ Ｍｅａｓｕｒｅ （以下ＥＣ
Ｍと呼ぶ）レーダー、工業加熱、粒子加速器、電波天文
学や核融合など、様々な分野に広がっている。２１世紀
にむけて、高度情報化社会を実現するという社会の要請
により、マイクロ波電力の応用は、上述した分野の中
で、通信に関する分野が益々重要になっている。
ｔｒｏ Ｃｏｕｎｔｅｒ Ｍｅａｓｕｒｅ （以下ＥＣ
Ｍと呼ぶ）レーダー、工業加熱、粒子加速器、電波天文
学や核融合など、様々な分野に広がっている。２１世紀
にむけて、高度情報化社会を実現するという社会の要請
により、マイクロ波電力の応用は、上述した分野の中
で、通信に関する分野が益々重要になっている。
【０００３】マイクロ波通信の中継局や衛星通信に用い
る代表的なマイクロ波管として、電子ビームを使用し
て、マイクロ波の増幅を行なわせる進行波管がある。進
行波管には、入力信号と電子ビームの間で相互作用を行
なわせる遅波回路があり、代表的な遅波回路としては、
円筒導波管に誘電体で支持されたヘリックスを配置した
ヘリックス型遅波回路がある。ヘリックス型遅波回路
は、構造が簡単、製作が容易、しかも広帯域性を持つ等
の特徴があり、広く一般に用いられている。
る代表的なマイクロ波管として、電子ビームを使用し
て、マイクロ波の増幅を行なわせる進行波管がある。進
行波管には、入力信号と電子ビームの間で相互作用を行
なわせる遅波回路があり、代表的な遅波回路としては、
円筒導波管に誘電体で支持されたヘリックスを配置した
ヘリックス型遅波回路がある。ヘリックス型遅波回路
は、構造が簡単、製作が容易、しかも広帯域性を持つ等
の特徴があり、広く一般に用いられている。
【０００４】ヘリックス型遅波回路を備えた従来のヘリ
ックス型進行波管の構造を図１１を用いて説明する。図
１１に示すように、従来のヘリックス型進行波管は、電
子ビームを発生する電子銃部１０と、これより放出され
た電子ビームと入力信号との相互作用で、入力マイクロ
波の増幅を行う遅波回路部１１、この遅波回路部１１を
透過した電子ビームを捕捉するコレクタ部１２から構成
される。遅波回路部１１は、真空外囲器内に複数のヘリ
ックス支柱４で支持されたヘリックス５が設置され、さ
らに真空外囲器の外側には、電子ビーム１５を集束する
集束装置１４を有している。ヘリックス５は、一般にモ
リブデン、タングステン等をらせん状に加工して形成さ
れる。
ックス型進行波管の構造を図１１を用いて説明する。図
１１に示すように、従来のヘリックス型進行波管は、電
子ビームを発生する電子銃部１０と、これより放出され
た電子ビームと入力信号との相互作用で、入力マイクロ
波の増幅を行う遅波回路部１１、この遅波回路部１１を
透過した電子ビームを捕捉するコレクタ部１２から構成
される。遅波回路部１１は、真空外囲器内に複数のヘリ
ックス支柱４で支持されたヘリックス５が設置され、さ
らに真空外囲器の外側には、電子ビーム１５を集束する
集束装置１４を有している。ヘリックス５は、一般にモ
リブデン、タングステン等をらせん状に加工して形成さ
れる。
【０００５】上述したヘリックス型遅波回路を、通信用
などのために広帯域化する場合には、遅波回路部１１
が、広い周波数に対し一定の特性を有する必要がある。
特に最近では、通信、ＥＣＭ、レーダー用の用途として
動作帯域を超広帯域化することが要求されている。しか
し、マイクロ波は異なる周波数によって波長も異なるた
め、通常の遅波回路では広帯域化はむずかしい。
などのために広帯域化する場合には、遅波回路部１１
が、広い周波数に対し一定の特性を有する必要がある。
特に最近では、通信、ＥＣＭ、レーダー用の用途として
動作帯域を超広帯域化することが要求されている。しか
し、マイクロ波は異なる周波数によって波長も異なるた
め、通常の遅波回路では広帯域化はむずかしい。
【０００６】この問題の解決方法として、実開平４−８
５６３７には、図７に示した様に、真空外囲器１３の内
側にベイン６とよばれる段のついた構造を使用する例が
示されている。この様な構造を用いることで、周波数に
対して遅波回路を伝搬する波の位相速度が一定となり、
広帯域化に効果がある。また、実開平４−８５６３７に
は、図８に示した様に、真空外囲器１３の一部を内側に
変形させることにより、ベインを付けた事と同一の効果
をもたせているものも示されている。
５６３７には、図７に示した様に、真空外囲器１３の内
側にベイン６とよばれる段のついた構造を使用する例が
示されている。この様な構造を用いることで、周波数に
対して遅波回路を伝搬する波の位相速度が一定となり、
広帯域化に効果がある。また、実開平４−８５６３７に
は、図８に示した様に、真空外囲器１３の一部を内側に
変形させることにより、ベインを付けた事と同一の効果
をもたせているものも示されている。
【０００７】これらのベインの効果を明らかにした例と
して、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ ｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎ
Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｖｏｌ３６，Ｎｏ．９，Ｓｅｐｔ，’
８９，ＰＰ１９９１〜１９９９（文献という）に図９，
図１０に示した構造が示されている。この例によると、
ベイン６付きの遅波回路を図１０に示したベイン６のヘ
リックス５の中心に対する開き角度θt とａv ／ａをパ
ラメータとして解析している。ヘリックス５の半径ａに
対するベイン６の内径ａv の比ａv ／ａが小さくなるに
つれ、遅波回路を伝搬する波の位相速度は、図４に示し
た様に、少しづつ小さくなる。しかも、位相速度が小さ
くなる効果は、周波数の低い方で顕著であり、ａv ／ａ
をある値以下にとると、位相速度は、周波数に対し一定
の状態から逆に低い周波数の方が、小さくなる状態とな
る。
して、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ ｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎ
Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｖｏｌ３６，Ｎｏ．９，Ｓｅｐｔ，’
８９，ＰＰ１９９１〜１９９９（文献という）に図９，
図１０に示した構造が示されている。この例によると、
ベイン６付きの遅波回路を図１０に示したベイン６のヘ
リックス５の中心に対する開き角度θt とａv ／ａをパ
ラメータとして解析している。ヘリックス５の半径ａに
対するベイン６の内径ａv の比ａv ／ａが小さくなるに
つれ、遅波回路を伝搬する波の位相速度は、図４に示し
た様に、少しづつ小さくなる。しかも、位相速度が小さ
くなる効果は、周波数の低い方で顕著であり、ａv ／ａ
をある値以下にとると、位相速度は、周波数に対し一定
の状態から逆に低い周波数の方が、小さくなる状態とな
る。
【０００８】上に示した効果は、θt を大きくとると、
より顕著であり、実際の設計では、ａv ／ａおよびθt
のバランスで、広い周波数にわたり一定の位相速度とな
る様に設計し、マイクロ波管を広帯域化している。
より顕著であり、実際の設計では、ａv ／ａおよびθt
のバランスで、広い周波数にわたり一定の位相速度とな
る様に設計し、マイクロ波管を広帯域化している。
【０００９】以上の様に、従来技術により広帯域進行波
管を実現するために、通常の進行波管に対しベイン構造
を形成し、広い周波数にわたり、一定の周波数特性を得
る技術が使用されている。
管を実現するために、通常の進行波管に対しベイン構造
を形成し、広い周波数にわたり、一定の周波数特性を得
る技術が使用されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来のベインを利用す
る場合、真空外囲器の内側にベインを取り付けるか、ま
たは外囲器をある一定の長さで変形させる必要がある。
マイクロ波帯において広帯域進行波管を実現するために
は、具体的な例として、４ＧＨＺ〜１２ＧＨＺまでを帯
域とする進行波管の場合、ヘリックスの平均半径が約
１．５ｍｍ、ベインの内径が約２ｍｍ、ベインの開き角
が４０°〜７０°、また、誘電体支柱の幅が約０．５ｍ
ｍといったものがある。
る場合、真空外囲器の内側にベインを取り付けるか、ま
たは外囲器をある一定の長さで変形させる必要がある。
マイクロ波帯において広帯域進行波管を実現するために
は、具体的な例として、４ＧＨＺ〜１２ＧＨＺまでを帯
域とする進行波管の場合、ヘリックスの平均半径が約
１．５ｍｍ、ベインの内径が約２ｍｍ、ベインの開き角
が４０°〜７０°、また、誘電体支柱の幅が約０．５ｍ
ｍといったものがある。
【００１１】この場合、ベインの幅は約１．５ｍｍとな
り、３本のベインを１２０°づつ等しく分配した位置
に、しかも２００ｍｍ以上にわたり取り付けることは、
技術的に可能であっても、工業的には難しさが伴う。ミ
リ波帯で、この方法による遅波回路を作るには、上に示
した寸法の約半分程度の部品により工作するため、ほぼ
不可能となる。
り、３本のベインを１２０°づつ等しく分配した位置
に、しかも２００ｍｍ以上にわたり取り付けることは、
技術的に可能であっても、工業的には難しさが伴う。ミ
リ波帯で、この方法による遅波回路を作るには、上に示
した寸法の約半分程度の部品により工作するため、ほぼ
不可能となる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、電子ビーム源
としての電子銃部、電子ビームとマイクロ波の相互作用
を行なわせるらせん構造の遅波回路とこれを支える支柱
などから構成される高周波回路部、高周波回路での相互
作用を終えた電子ビームを捕捉するコレクタ部、及び電
子ビームを集束させる集束装置部を有し、前記電子銃
部、高周波回路部およびコレクタ部が直線的に配置され
た進行波管において、前記高周波回路部を構成するポー
ルピースと、このポールピースの間に挿入されるスペー
サが、ポールピースの内径とスペーサの内径に段差を有
していることを特徴とする。また、高周波回路部の入力
側のポールピースとスペーサには段差を設けず、出力側
のポールピースとスペーサにのみ段差を設けてもよい。
としての電子銃部、電子ビームとマイクロ波の相互作用
を行なわせるらせん構造の遅波回路とこれを支える支柱
などから構成される高周波回路部、高周波回路での相互
作用を終えた電子ビームを捕捉するコレクタ部、及び電
子ビームを集束させる集束装置部を有し、前記電子銃
部、高周波回路部およびコレクタ部が直線的に配置され
た進行波管において、前記高周波回路部を構成するポー
ルピースと、このポールピースの間に挿入されるスペー
サが、ポールピースの内径とスペーサの内径に段差を有
していることを特徴とする。また、高周波回路部の入力
側のポールピースとスペーサには段差を設けず、出力側
のポールピースとスペーサにのみ段差を設けてもよい。
【００１３】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の第１の実施例の広帯域進行波管の
断面図である。この広帯域進行波管の製造に当たって
は、図３（ａ），（ｂ）に示す様に高周波回路を構成す
るポールピース１とスペーサ２にあらかじめ、内径の異
なる段差３を与えておく。この様なポールピース１とス
ペーサ２を１枚づつ交互にろう付し図１に示した構造を
得る。本構体が得られた後は、ヘリックス支柱とヘリッ
クスを高周波回路に挿入することで、図２（ａ），
（ｂ）に示した断面の広帯域進行波管の高周波回路を得
ることができる。
る。図１は、本発明の第１の実施例の広帯域進行波管の
断面図である。この広帯域進行波管の製造に当たって
は、図３（ａ），（ｂ）に示す様に高周波回路を構成す
るポールピース１とスペーサ２にあらかじめ、内径の異
なる段差３を与えておく。この様なポールピース１とス
ペーサ２を１枚づつ交互にろう付し図１に示した構造を
得る。本構体が得られた後は、ヘリックス支柱とヘリッ
クスを高周波回路に挿入することで、図２（ａ），
（ｂ）に示した断面の広帯域進行波管の高周波回路を得
ることができる。
【００１４】以下に本発明について、その作用を説明す
る。まず、環状のスペーサの段差の空隙により、通常の
ベインと等価な特性が得られる理由を明確にする。従来
のベイン付き高周波回路は、ヘリックスを伝搬する波に
対して、遅波回路を図１２に示す様に４つの部分に分け
ると、遅波回路は（１）真空外囲器のベインが存在して
内径が小さい領域，（２）真空外囲器の内径が大きく、
支柱の存在しない領域，（３）真空外囲器の内径が大き
く、支柱の存在する領域，（４）（２）と同一の領域の
４つの領域を１２０°おきに３組配置した構造である。
る。まず、環状のスペーサの段差の空隙により、通常の
ベインと等価な特性が得られる理由を明確にする。従来
のベイン付き高周波回路は、ヘリックスを伝搬する波に
対して、遅波回路を図１２に示す様に４つの部分に分け
ると、遅波回路は（１）真空外囲器のベインが存在して
内径が小さい領域，（２）真空外囲器の内径が大きく、
支柱の存在しない領域，（３）真空外囲器の内径が大き
く、支柱の存在する領域，（４）（２）と同一の領域の
４つの領域を１２０°おきに３組配置した構造である。
【００１５】ベインの寸法に対して、高周波回路を伝搬
する波の位相速度を周波数に対してコンピュータシミュ
レーションすると図４を得る。図４より、ａv ／ａの選
び方によって周波数に対する位相速度が一定となり、広
帯域化が実現できることがわかる。またベインの開き角
θt の選び方によってもこの傾向を制御することができ
る。この手法はベインを含めた遅波回路をヘリックス回
路に沿って回転しながら進行する電磁界に対し、ヘリッ
クスを直線上の線路に展開し、これと平行にヘリックス
支柱や真空外囲器を配置したモデルとして扱っている。
する波の位相速度を周波数に対してコンピュータシミュ
レーションすると図４を得る。図４より、ａv ／ａの選
び方によって周波数に対する位相速度が一定となり、広
帯域化が実現できることがわかる。またベインの開き角
θt の選び方によってもこの傾向を制御することができ
る。この手法はベインを含めた遅波回路をヘリックス回
路に沿って回転しながら進行する電磁界に対し、ヘリッ
クスを直線上の線路に展開し、これと平行にヘリックス
支柱や真空外囲器を配置したモデルとして扱っている。
【００１６】この考え方に基づくと、ヘリックスの回転
に沿って内径の異なるポールピースとスペーサからなる
シェルを配置しても、同一モデルとして扱う事ができ
る。本発明は、この点を利用しており、従来ヘリックス
の回転方向に内径の異なるシェルを配置したものを、軸
方向に内径の異なるシェルを配置し、同一の効果をもた
らすものである。このためヘリックスに沿ってシェル内
径をみると、内径の異なるシェルが径方向に配置されて
も、軸方向に内径の異なるシェルが複数個配置されて
も、等価的に同一構造となる事で、通常のベインと等価
な特性が得られる。
に沿って内径の異なるポールピースとスペーサからなる
シェルを配置しても、同一モデルとして扱う事ができ
る。本発明は、この点を利用しており、従来ヘリックス
の回転方向に内径の異なるシェルを配置したものを、軸
方向に内径の異なるシェルを配置し、同一の効果をもた
らすものである。このためヘリックスに沿ってシェル内
径をみると、内径の異なるシェルが径方向に配置されて
も、軸方向に内径の異なるシェルが複数個配置されて
も、等価的に同一構造となる事で、通常のベインと等価
な特性が得られる。
【００１７】以下に、段差３の寸法や最適化及びその具
体的な実現方法についてのべる。通常のベイン６を用い
た場合には、図４にも示した様に、ベイン６の内径を適
切に選択する事で周波数に対する位相速度が一定とな
る。本発明においても、段差３がついた凸部の内径が小
さくなると、従来のベイン６で内径を小さくした事と等
価であり、本発明における凸部の内径も、従来構造でベ
イン６が仮りに６０°の開き角θｔを有していれば、ヘ
リックス５の１回転に対し６０°／３６０°に対応する
ヘリックスピッチの分だけ凸部の幅を与える。また、内
径の小さい部分は位相速度が周波数に対し一定となる様
にヘリックス平均半径の１．５〜２倍程度に選択し、内
径の大きい部分は、ヘリックス平均半径の２倍〜３倍に
選択する。この様な寸法に選択する理由は、内径の大き
い部分をこれ以上大きくすると、電子ビーム集束用マグ
ネットの内径が大きくなり、必要な磁界が不足し電子ビ
ーを集束することが難しく、また内径をこれ以上小さく
すると回路のインピーダンス低下をまねき、マイクロ波
管の効率低下をまねくからである。ポールピースの素材
は鉄とし、その厚さは、非磁性材料であるスペーサの半
分程度とする。同時に、ポールピースの厚さとスペーサ
の厚さは、集束用の磁界が、適切に得られる範囲でなる
べく小さくする。
体的な実現方法についてのべる。通常のベイン６を用い
た場合には、図４にも示した様に、ベイン６の内径を適
切に選択する事で周波数に対する位相速度が一定とな
る。本発明においても、段差３がついた凸部の内径が小
さくなると、従来のベイン６で内径を小さくした事と等
価であり、本発明における凸部の内径も、従来構造でベ
イン６が仮りに６０°の開き角θｔを有していれば、ヘ
リックス５の１回転に対し６０°／３６０°に対応する
ヘリックスピッチの分だけ凸部の幅を与える。また、内
径の小さい部分は位相速度が周波数に対し一定となる様
にヘリックス平均半径の１．５〜２倍程度に選択し、内
径の大きい部分は、ヘリックス平均半径の２倍〜３倍に
選択する。この様な寸法に選択する理由は、内径の大き
い部分をこれ以上大きくすると、電子ビーム集束用マグ
ネットの内径が大きくなり、必要な磁界が不足し電子ビ
ーを集束することが難しく、また内径をこれ以上小さく
すると回路のインピーダンス低下をまねき、マイクロ波
管の効率低下をまねくからである。ポールピースの素材
は鉄とし、その厚さは、非磁性材料であるスペーサの半
分程度とする。同時に、ポールピースの厚さとスペーサ
の厚さは、集束用の磁界が、適切に得られる範囲でなる
べく小さくする。
【００１８】図５は、本発明の第２の実施例による広帯
域進行波管の断面図である。ヘリックス型進行波管の高
周波回路部は、通常、入力セクションと出力セクション
の２つの部分に分割され、構成される。この実施例にお
いては、出力セクションは、第１の実施例と同じく、真
空外囲器の内径に段差がついているが、入力セクション
は、図６に断面を示す様に、通常のヘリックス型進行波
管と同じく、ベインの無い構造となっている。
域進行波管の断面図である。ヘリックス型進行波管の高
周波回路部は、通常、入力セクションと出力セクション
の２つの部分に分割され、構成される。この実施例にお
いては、出力セクションは、第１の実施例と同じく、真
空外囲器の内径に段差がついているが、入力セクション
は、図６に断面を示す様に、通常のヘリックス型進行波
管と同じく、ベインの無い構造となっている。
【００１９】広帯域進行波管の場合には、入力セクショ
ンは、ベインを付けず、出力セクションのみにベインを
付けた構造を有するものがある。進行波管の場合、入力
セクションは、主として、管球の利得を制御し、出力セ
クションは、主として、管球の出力を制御する。従っ
て、第２の実施例は、この点を考慮し、広帯域化を目的
としたベイン付き進行波管に対して、本発明を適用した
実施例である。
ンは、ベインを付けず、出力セクションのみにベインを
付けた構造を有するものがある。進行波管の場合、入力
セクションは、主として、管球の利得を制御し、出力セ
クションは、主として、管球の出力を制御する。従っ
て、第２の実施例は、この点を考慮し、広帯域化を目的
としたベイン付き進行波管に対して、本発明を適用した
実施例である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、広帯域
進行波管において、ポールピースの内径と、スペーサの
内径に段差を与えることで、通常の広帯域進行波管の様
に真空外囲器の内側にベインを取り付けることなく、真
空外囲器の内径が異なる部分を作り出すことができ、広
帯域進行波管の工業化に有利となる効果を有する。
進行波管において、ポールピースの内径と、スペーサの
内径に段差を与えることで、通常の広帯域進行波管の様
に真空外囲器の内側にベインを取り付けることなく、真
空外囲器の内径が異なる部分を作り出すことができ、広
帯域進行波管の工業化に有利となる効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例による進行波管の断面図
である。
である。
【図２】（ａ），（ｂ）は図１の実施例におけるポール
ピース部とスペーサ部の断面図である。
ピース部とスペーサ部の断面図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は図１の実施例に用いるポール
ピースとスペーサの構造を示す断面図である。
ピースとスペーサの構造を示す断面図である。
【図４】広帯域進行波管の周波数に対する位相速度の関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施例による広帯域進行波管の
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明の第２の実施例による広帯域進行波管の
入力セクションの断面図である。
入力セクションの断面図である。
【図７】従来技術による標準的な進行波管の断面図であ
る。
る。
【図８】実開平４−８５６３７による進行波管の断面図
である。
である。
【図９】文献に示された従来のベイン構造を示す図であ
る。
る。
【図１０】文献に示された位相速度の周波数特性図であ
る。
る。
【図１１】通常のヘリックス型進行波管の構造を示す図
である。
である。
【図１２】ベイン付き広帯域進行波管の解析モデルの説
明図である。
明図である。
１ ポールピース ２ スペーサ ３ 段差 ４ ヘリックス支柱 ５ ヘリックス ６ ベイン ７ シェル ９ ろう材 １０ 電子銃部 １１ 遅波回路部 １２ コレクタ部 １３ 真空外囲器 １４ 集束装置 １５ 電子ビーム
Claims (2)
- 【請求項１】 電子ビーム源としての電子銃部、電子ビ
ームとマイクロ波の相互作用を行わせるらせん構造の遅
波回路とこれを支える支柱などから構成される高周波回
路部、高周波回路での相互作用を終えた電子ビームを捕
捉するコレクタ部、及び電子ビームを集束させる集束装
置部を有し、前記電子銃部、高周波回路部およびコレク
タ部が直線的に配置された進行波管において、前記高周
波回路部を構成するポールピースと、このポールピース
の間に挿入されるスペーサが、それぞれ内径の異なる段
差を有していることを特徴とする広帯域進行波管。 - 【請求項２】 前記高周波回路部の入力側のポールピー
スとスペーサには段差を設けず、出力側のポールピース
とスペーサにのみ段差を設けたことを特徴とする請求項
１記載の広帯域進行波管。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7075123A JP2739833B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 広帯域進行波管 |
| EP96105138A EP0735560B1 (en) | 1995-03-31 | 1996-03-29 | Broad-band travelling-wave tube |
| DE69609752T DE69609752T2 (de) | 1995-03-31 | 1996-03-29 | Breitbandige Wanderfeldröhre |
| US08/617,729 US5754006A (en) | 1995-03-31 | 1996-04-01 | Broad-band traveling-wave tube with offsets on pole pieces and spacers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7075123A JP2739833B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 広帯域進行波管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08273549A JPH08273549A (ja) | 1996-10-18 |
| JP2739833B2 true JP2739833B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=13567119
Family Applications (1)
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