JP2739144B2 - Rotary substrate processing equipment - Google Patents

Rotary substrate processing equipment

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JP2739144B2
JP2739144B2 JP10186791A JP10186791A JP2739144B2 JP 2739144 B2 JP2739144 B2 JP 2739144B2 JP 10186791 A JP10186791 A JP 10186791A JP 10186791 A JP10186791 A JP 10186791A JP 2739144 B2 JP2739144 B2 JP 2739144B2
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハや液晶パ
ネル用のガラス板といった基板を複数の処理機器へ搬送
し、搬送された基板に所要の処理液を供給して基板洗
浄,薄膜形成等の回転処理を基板に施す回転式基板処理
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of transferring a substrate such as a semiconductor wafer or a glass plate for a liquid crystal panel to a plurality of processing equipments, supplying a required processing liquid to the transferred substrate, and cleaning the substrate and forming a thin film. The present invention relates to a rotary substrate processing apparatus for performing a rotation process on a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の回転式基板処理装置は、基板処
理手順に基づき駆動されて基板を処理する複数の処理機
器のほか、各処理機器に基板を搬送するための基板搬送
機器を備える。この複数の処理機器としては、例えば、
フォトレジストや現像液或いは超純水等の各種処理液を
回転させた基板に供給し、基板に対して種々の回転処理
を施す回転処理機器や、ホットプレートやクールプレー
トといった基板に熱処理を施す熱処理機器等が挙げられ
る。また、各処理機器への基板搬送順序や各処理機器に
おける基板処理条件や各処理機器の制御条件である種々
の制御パラメータ(基板回転数,処理温度,使用する処
理液の指定,処理液吐出量等)を特定するための基板処
理手順は、所望する基板品質に応じて個別に作成され予
め回転式基板処理装置の記憶機器に複数記憶されてい
る。
2. Description of the Related Art A rotary type substrate processing apparatus of this type includes a plurality of processing apparatuses which are driven based on a substrate processing procedure to process a substrate, and a substrate transfer apparatus for transferring a substrate to each processing apparatus. As the plurality of processing devices, for example,
Rotation processing equipment that supplies various processing liquids such as photoresist, developing solution or ultrapure water to the rotated substrate and performs various rotation processing on the substrate, and heat treatment that performs heat treatment on the substrate such as a hot plate and a cool plate Equipment and the like. In addition, various control parameters such as substrate transfer order to each processing equipment, substrate processing conditions in each processing equipment and control conditions of each processing equipment (substrate rotation speed, processing temperature, specification of processing liquid to be used, processing liquid discharge amount, etc.) Etc.) are individually created in accordance with the desired substrate quality and are stored in advance in the storage device of the rotary substrate processing apparatus.

【0003】そして、ある基板処理手順が指定される
と、回転式基板処理装置は、この指定された基板処理手
順における基板搬送順序に基づいて、該当する処理機器
に基板を順次搬送し、搬送された各処理機器において、
基板処理手順における制御パラメータに基づいて処理機
器を駆動し、基板を回転処理する。
When a certain substrate processing procedure is designated, the rotary substrate processing apparatus sequentially transports the substrates to the corresponding processing equipment based on the substrate transport sequence in the designated substrate processing procedure, and transports the substrates. In each processing equipment
The processing equipment is driven based on the control parameters in the substrate processing procedure to rotate the substrate.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、所望する新
規の基板品質に応じた新たな基板処理手順の作成に際し
ては、基板処理手順に含まれる各制御パラメータ、例え
ば熱処理温度,処理液吐出量,基板回転数や、いわゆる
PID制御を行なう際の目標値との偏差及びその積分
量,微分量等をもれなく入力しているのが現状である。
By the way, when creating a new substrate processing procedure corresponding to a desired new substrate quality, each control parameter included in the substrate processing procedure, such as a heat treatment temperature, a processing liquid discharge amount, a substrate At present, the number of rotations, the deviation from a target value at the time of performing the so-called PID control, the integral amount, the differential amount, and the like are input without fail.

【0005】しかしながら、基板処理手順には上記した
制御パラメータだけにとどまらず多岐にわたる種々の制
御パラメータが含まれているため、新たな基板処理手順
の作成作業には多大な労力を必要とする。
[0005] However, since the substrate processing procedure includes not only the above-mentioned control parameters but also various control parameters, a great deal of labor is required to create a new substrate processing procedure.

【0006】本発明は、上記問題点を解決するためにな
され、新たな基板処理手順を作成する際の労力を軽減す
ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to reduce the labor required to create a new substrate processing procedure.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに本発明の採用した手段は、所要の処理液を用いて基
板に回転処理を施す回転処理機器を始めとする複数の処
理機器と、該複数の処理機器における制御パラメータを
含む基板処理手順を複数記憶する記憶手段とを有し、該
記憶した複数の基板処理手順のうちから随時指定された
基板処理手順に基づいて前記複数の処理機器を制御し基
板を処理する回転式基板処理装置であって、前記処理機
器の制御パラメータを、前記複数の基板処理手順に共通
する制御パラメータとしての共通パラメータと、前記複
数の基板処理手順毎に変更可能な制御パラメータとして
の可変パラメータとに区別するパラメータ区別手段と、
該区別された可変パラメータを入力するパラメータ入力
手段と、該入力された可変パラメータと前記共通パラメ
ータとを含む基板処理手順を作成する基板処理手順作成
手段と、該作成した基板処理手順を前記記憶手段に追加
して記憶させる基板処理手順追加手段とを備えることを
その要旨とする。
Means adopted by the present invention to achieve the above object are a plurality of processing devices including a rotary processing device for performing a rotation process on a substrate using a required processing solution, Storage means for storing a plurality of substrate processing procedures including control parameters in the plurality of processing apparatuses, wherein the plurality of processing apparatuses are stored based on a substrate processing procedure designated as needed from among the stored plurality of substrate processing procedures. A rotary substrate processing apparatus that processes a substrate by controlling the processing apparatus, wherein a control parameter of the processing equipment is changed for each of the plurality of substrate processing procedures, a common parameter as a control parameter common to the plurality of substrate processing procedures. Parameter distinguishing means for distinguishing between variable parameters as possible control parameters,
Parameter input means for inputting the distinguished variable parameter, substrate processing procedure generating means for generating a substrate processing procedure including the input variable parameter and the common parameter, and storage means for storing the generated substrate processing procedure And a means for adding a substrate processing procedure to be additionally stored in the storage device.

【0008】ここで、制御パラメータを共通パラメータ
と可変パラメータとに区別するに当たっては、基板品質
に直接影響する各処理機器における基板処理条件に関す
る制御パラメータ(基板回転数,処理温度,使用する処
理液の指定,処理液吐出量等)を、所望する基板品質毎
に変更する頻度の高い可変パラメータとし、各処理機器
の制御条件に関する制御パラメータ(PID制御を行な
う際の目標値との偏差及びその積分量,微分量や、温度
制御を行なう際の制御範囲上限値,下限値等)を、所望
する基板品質毎に変更する頻度が極めて低いために複数
の基板処理手順に共通する共通パラメータとしたりす
る。
Here, in discriminating the control parameters into the common parameters and the variable parameters, control parameters (substrate rotation speed, processing temperature, processing liquid to be used, etc.) relating to substrate processing conditions in each processing equipment which directly affects the substrate quality are used. (Designation, processing liquid discharge amount, etc.) are frequently changed parameters for each desired substrate quality, and control parameters relating to control conditions of each processing device (a deviation from a target value when performing PID control and an integral amount thereof) , The differential amount, the control range upper limit value, the lower limit value, and the like when performing the temperature control) are used as common parameters common to a plurality of substrate processing procedures because the frequency of change for each desired substrate quality is extremely low.

【0009】また、基板品質に直接影響する各処理機器
における基板処理条件に関する制御パラメータであって
も、所望する基板品質毎に変更する頻度が低ければ、複
数の基板処理手順に共通する共通パラメータとしてもよ
い。つまり、共通パラメータと可変パラメータとの区別
は、制御パラメータの基板品質に及ぼす影響や変更を要
する頻度等に応じて、適宜行なえばよい。
[0009] Even if the control parameters relating to the substrate processing conditions in each processing apparatus directly affect the substrate quality, if the frequency of change for each desired substrate quality is low, the control parameters may be common parameters for a plurality of substrate processing procedures. Is also good. In other words, the distinction between the common parameter and the variable parameter may be appropriately made according to the influence of the control parameter on the board quality, the frequency of the change, and the like.

【0010】[0010]

【作用】上記構成を有する本発明の回転式基板処理装置
は、パラメータ区別手段が区別した共通パラメータと可
変パラメータのうちの可変パラメータがパラメータ入力
手段から入力されると、この入力された可変パラメータ
と前記共通パラメータとを含む基板処理手順を基板処理
手順作成手段により新たに作成する。そして、新たに作
成された基板処理手順を、基板処理手順追加手段により
記憶手段に追加して記憶させる。
According to the rotary substrate processing apparatus of the present invention having the above configuration, when a variable parameter of the common parameter and the variable parameter distinguished by the parameter distinguishing means is inputted from the parameter input means, the inputted variable parameter is A substrate processing procedure including the common parameters is newly created by the substrate processing procedure creating means. Then, the newly created substrate processing procedure is added and stored in the storage means by the substrate processing procedure adding means.

【0011】つまり、新たな基板処理手順を作成するに
当たって必要な制御パラメータの入力を可変パラメータ
の入力だけで賄う。
That is, the input of the control parameters necessary for creating a new substrate processing procedure is covered only by the input of the variable parameters.

【0012】[0012]

【実施例】次に、本発明に係る回転式基板処理装置の好
適な実施例について、図面に基づき説明する。まず、本
実施例の回転式基板処理装置の概要について、当該装置
の概略斜視図である図1を用いて簡単に説明する。
Next, a preferred embodiment of the rotary substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. First, the outline of the rotary substrate processing apparatus of the present embodiment will be briefly described with reference to FIG. 1 which is a schematic perspective view of the apparatus.

【0013】回転式基板処理装置1は、半導体ウエハ等
の基板を回転させ、この基板表面にフォトレジスト等を
回転塗布して熱処理するための装置であり、図1に示す
ように、基板供給部2と基板処理部3とに大別される。
なお、以下の説明に当たっては、この両者を呼称上明確
に区別するために、前者の基板供給部2を基板授受ユニ
ット2と称し、基板処理部3をプロセス処理ユニット3
と称することとする。
The rotary substrate processing apparatus 1 is an apparatus for rotating a substrate such as a semiconductor wafer, applying a photoresist or the like to the surface of the substrate and subjecting the substrate to a heat treatment. As shown in FIG. 2 and a substrate processing unit 3.
In the following description, in order to clearly distinguish the two from each other, the former substrate supply unit 2 is referred to as a substrate transfer unit 2 and the substrate processing unit 3 is referred to as a process processing unit 3.
Shall be referred to as

【0014】基板授受ユニット2は、基板Wを多段に収
納したカセットC1ないしC4から基板Wを取り出して
基板受け渡し位置である基板授受位置Pまで移送した
り、この基板授受位置Pから基板Wを移送して基板の収
納が可能ないずれかのカセット内へ基板Wを収納する。
プロセス処理ユニット3は、後述するように基板に所要
の処理液を供給して回転処理を施す回転処理機器を含む
複数の各種処理機器等を備え、これら各処理機器等を駆
動して基板を処理する。
The substrate transfer unit 2 takes out the substrates W from the cassettes C1 to C4 storing the substrates W in multiple stages and transfers the substrates W to a substrate transfer position P which is a substrate transfer position, or transfers the substrates W from the substrate transfer position P. Then, the substrate W is stored in one of the cassettes capable of storing the substrate.
The process processing unit 3 includes a plurality of various processing devices including a rotary processing device that supplies a required processing liquid to the substrate and performs a rotation process as described later, and drives each of the processing devices to process the substrate. I do.

【0015】次に、上記各ユニットについて説明する。
基板授受ユニット2は、図1に示すように、カセット設
置台4の上面に、基板Wを多段に収納した2基のカセッ
トC1,C2と基板未収納の2基のカセットC3,C4
を備える。また、各カセットから基板Wを取り出したり
各カセット内に基板Wを収納したりするための基板移送
機器6を、カセットC1ないしC4の並びに沿った図中
矢印D方向に水平移動自在に備える。
Next, each of the above units will be described.
As shown in FIG. 1, the substrate transfer unit 2 includes two cassettes C1 and C2 storing the substrates W in multiple stages and two cassettes C3 and C4 not storing the substrates, on the upper surface of the cassette mounting table 4.
Is provided. Further, a substrate transfer device 6 for taking out the substrate W from each cassette or storing the substrate W in each cassette is provided so as to be horizontally movable in the direction of arrow D in the drawing along the rows of the cassettes C1 to C4.

【0016】そして、カセット設置台4の前面には、こ
の基板授受ユニット2や後述するプロセス処理ユニット
3に種々の指示を与えるための主操作パネル5が組み込
まれている。この主操作パネル5は、種々の設定や数値
入力を行なうためのキーボード5a(図2参照)と、こ
のキーボード5aからの指示に基づき種々の画面を表示
するディスプレイ5b(図2参照)と、タッチスイッチ
とを備える。
A main operation panel 5 for giving various instructions to the substrate transfer unit 2 and a process processing unit 3 to be described later is incorporated in the front of the cassette mounting table 4. The main operation panel 5 includes a keyboard 5a (see FIG. 2) for performing various settings and numerical values, a display 5b (see FIG. 2) for displaying various screens based on instructions from the keyboard 5a, and a touch panel. A switch.

【0017】基板移送機器6は、図1に示すように、基
板Wをその下面で吸引・吸着する基板吸着アーム7を、
カセットにおける基板Wの積み重ね方向に沿って昇降可
能で、且つ、図示するカセット手前の待機位置とカセッ
ト内に進入した取り出し位置との間に渡って図中矢印E
方向に前後動可能に備える。
As shown in FIG. 1, the substrate transfer device 6 includes a substrate suction arm 7 for sucking and sucking the substrate W on its lower surface.
The arrow E in the drawing can move up and down along the stacking direction of the substrates W in the cassette, and extends between a standby position before the illustrated cassette and a take-out position that has entered the cassette.
Prepare to be able to move back and forth in the direction

【0018】このため、基板移送機器6を図中矢印D方
向に水平移動させて所望のカセットの正面まで移動し、
その後、当該カセットにおける所望段の基板収納溝に対
応する高さまでの基板吸着アーム7の上昇,カセット内
への基板吸着アーム7の進入,基板吸着アーム7の僅か
な再上昇,基板吸着アーム7の後退,基板吸着アーム7
の降下を順次行なえば、カセットからの基板Wの取り出
しが完了する。また、この逆の手順で基板吸着アーム7
を移動させれば、カセット内への基板Wの収納が完了す
る。
For this reason, the substrate transfer device 6 is moved horizontally in the direction of arrow D in the figure to the front of the desired cassette,
Thereafter, the substrate suction arm 7 is raised to a height corresponding to the substrate storage groove at the desired stage in the cassette, the substrate suction arm 7 enters the cassette, the substrate suction arm 7 is slightly raised again, and the substrate suction arm 7 is moved up. Retreat, substrate suction arm 7
Are sequentially performed, the removal of the substrate W from the cassette is completed. Also, the substrate suction arm 7 is operated in the reverse order.
Is moved, the storage of the substrate W in the cassette is completed.

【0019】こうして、カセット内から取り出された基
板は、この基板移送機器6により基板授受位置Pに移送
された後、後述するプロセス処理ユニット3付属の基板
搬送機器37に受け渡され、当該ユニットにおける回転
塗布機器等に、順次、搬送されて処理される。また、処
理が完了した処理済み基板は、基板搬送機器37により
基板授受位置Pに返却された後、基板移送機器6により
所定のカセット内に収納される。
The substrate taken out of the cassette in this manner is transferred to the substrate transfer position P by the substrate transfer device 6, and then transferred to a substrate transfer device 37 attached to the process processing unit 3, which will be described later. It is sequentially conveyed and processed by a spin coating device or the like. The processed substrate that has been processed is returned to the substrate transfer position P by the substrate transfer device 37, and then stored in a predetermined cassette by the substrate transfer device 6.

【0020】基板移送機器6は、上記基板吸着アーム7
のほか、基板吸着アーム7でカセットから取り出した基
板Wを水平に支持するために、図示しない3本の支持ピ
ンをその基台9に昇降自在に備える。また、これら各支
持ピンに支持された基板Wの中心位置合わせを行なうた
めに、基板Wの外径と略同一の曲率となるような配列で
それぞれ突設させた4本の案内ピンを有する位置合わせ
板10を、基台9の両側に水平往復動自在に備える。よ
って、基台9から上昇した各支持ピンにより基板Wが支
持された状態で、各位置合わせ板10を水平往復動させ
ると、各案内ピンが基板Wの外周に当接・離間するた
め、基板Wの中心位置合わせが完了する。
The substrate transfer device 6 includes the substrate suction arm 7
In addition, in order to horizontally support the substrate W taken out of the cassette by the substrate suction arm 7, three support pins (not shown) are provided on the base 9 so as to be vertically movable. In order to align the center of the substrate W supported by each of the support pins, a position having four guide pins projecting from each other in an array having a curvature substantially equal to the outer diameter of the substrate W is provided. A mating plate 10 is provided on both sides of the base 9 so as to freely reciprocate horizontally. Therefore, when each alignment plate 10 is reciprocated horizontally while the substrate W is supported by the support pins raised from the base 9, each guide pin comes into contact with and separates from the outer periphery of the substrate W. The center alignment of W is completed.

【0021】また、カセット設置台4上面には、処理す
べき基板を収納したカセットであることや基板処理手順
を特定するのに必要な手順番号数値コードやカセット単
位の処理順序等を入力するためカセットコントロールパ
ネル18(図2参照)が備え付けられている。更に、各
カセット内に収納されている基板Wの有無を検出するた
めの基板検出用の光センサ24(図2参照)が備え付け
られている。この光センサ24は、光センサ昇降機構2
5(図2参照)によりカセットに沿って上昇する間にお
いて、カセット内における基板有無をカセットにおける
基板収納溝の段数に対応付けて一括して検出する。な
お、基板収納溝の段数との対応付けは、カセットの基板
収納溝と同ピッチのスリットの移動状態に基づいてタイ
ミング検出センサ42(図2参照)が生成するパルスを
用いて行なわれる。
Further, on the upper surface of the cassette mounting table 4, a cassette number containing substrates to be processed, a procedure number numerical code required for specifying a substrate processing procedure, a processing order in cassette units, and the like are input. A cassette control panel 18 (see FIG. 2) is provided. Further, an optical sensor 24 (see FIG. 2) for detecting a substrate for detecting the presence or absence of the substrate W stored in each cassette is provided. The optical sensor 24 includes the optical sensor elevating mechanism 2
5 (see FIG. 2), during the ascent along the cassette, the presence or absence of the substrate in the cassette is collectively detected in association with the number of substrate storage grooves in the cassette. The correspondence with the number of steps of the substrate storage groove is performed using a pulse generated by the timing detection sensor 42 (see FIG. 2) based on the movement state of the slit having the same pitch as the substrate storage groove of the cassette.

【0022】上記した基板授受ユニット2から基板を受
け取りこれを処理するプロセス処理ユニット3は、図1
に示すように、回転する基板表面に処理液を滴下して処
理液薄膜を形成する回転塗布機器31,32や、回転塗
布機器で処理を行なう前後に基板を熱処理(加熱・冷
却)する熱処理機器33,34,35を備える。更に、
各回転塗布機器31,32及び熱処理機器33,34,
35の並びに沿った図中矢印A方向に水平移動自在な基
板搬送機器37を備える。なお、図示するように、各熱
処理機器は、それぞれ上段に加熱用熱処理機器を、下段
に冷却用熱処理機器をそれぞれ備える。
A process processing unit 3 for receiving a substrate from the substrate transfer unit 2 and processing the substrate is shown in FIG.
As shown in Fig. 5, spin coating devices 31 and 32 for forming a processing liquid thin film by dropping a processing solution on the surface of a rotating substrate, and a heat treatment device for heat-treating (heating and cooling) the substrate before and after performing the processing by the spin coating device. 33, 34 and 35 are provided. Furthermore,
Each spin coating device 31, 32 and heat treatment device 33, 34,
A substrate transfer device 37 is provided which is horizontally movable in the direction of arrow A in FIG. As shown in the figure, each heat treatment device includes a heating heat treatment device in an upper stage and a cooling heat treatment device in a lower stage.

【0023】これら各回転塗布機器及び熱処理機器は、
後述するメインコントローラ50(図2参照)から基板
処理手順における種々の制御パラメータのロードを受け
る個別の後述するコントローラと、図示しない回転数セ
ンサ,温度センサ等を備える。そして、各回転塗布機器
及び熱処理機器は、これらセンサの検出信号とロードを
受けた後述する基板処理手順における処理条件に関する
制御パラメータ(制御指令値)とに基づき、各処理機器
付属のコントローラにより、フィードバック制御されて
いる。
Each of these spin coating equipment and heat treatment equipment are:
It includes a controller (described later) that receives loads of various control parameters in the substrate processing procedure from a main controller 50 (see FIG. 2) described later, a rotation speed sensor, a temperature sensor, and the like (not shown). Then, based on the detection signals of these sensors and the control parameters (control command values) related to the processing conditions in the substrate processing procedure, which will be described later, each spin coating device and the heat treatment device are fed back by a controller attached to each processing device. Is controlled.

【0024】基板搬送機器37は、図示しない駆動系に
より図中矢印A方向に水平移動自在なステージ38上面
に図中矢印B方向に旋回自在なヘッド39を備え、この
ヘッド39には、Uの字状の基板支持アーム37a,3
7bを上下2段に備えて構成される。また、この各基板
支持アーム37a,37bは、ヘッド39から出入り自
在に構成されている。
The substrate transporting device 37 has a head 39 which can be turned in the direction of arrow B in the figure on the upper surface of a stage 38 which can be moved horizontally in the direction of arrow A by a drive system (not shown). -Shaped substrate support arms 37a, 3
7b is provided in two upper and lower stages. Each of the substrate support arms 37a and 37b is configured to be able to move in and out of the head 39.

【0025】上記構成のプロセス処理ユニット3は、所
定の基板処理手順における搬送プロセスに基づいて、基
板搬送機器37を駆動制御して、基板授受ユニット2に
おける基板授受位置Pから、上記回転塗布機器といった
複数の処理機器のうちの必要な処理機器に、順次、基板
を搬送する。そして、基板が搬送された回転塗布機器等
にて、当該基板処理手順における処理条件に基づいて基
板を処理し、搬送された各処理機器における処理が完了
した処理済み基板を基板授受位置Pに返却する。
The process processing unit 3 having the above configuration drives and controls the substrate transfer device 37 based on the transfer process in a predetermined substrate processing procedure, and moves the substrate transfer device 37 from the substrate transfer position P in the substrate transfer unit 2 to the above-mentioned rotary coating device. The substrates are sequentially transferred to necessary processing equipment among the plurality of processing equipment. Then, the substrate is processed based on the processing conditions in the substrate processing procedure by a rotary coating device or the like to which the substrate has been transported, and the processed substrate that has been processed by each transported processing device is returned to the substrate transfer position P I do.

【0026】次に、上記した回転式基板処理装置1にお
ける制御系について、図2に示すブロック図を用いて説
明する。本実施例におけるこの制御系は、回転式基板処
理装置1の全体を統括制御するメインコントローラ50
のほか、そのサブコントローラとして、基板授受ユニッ
ト2を制御する基板授受ユニットコントローラ60と、
プロセス処理ユニット3を構成する各処理機器ごとのコ
ントローラである基板搬送機器コントローラ37Aと、
各回転塗布機器用の回転塗布機器コントローラ31A,
32Aと、各熱処理機器用の熱処理機器コントローラ3
3A,34A,35Aとを備える。
Next, a control system in the rotary substrate processing apparatus 1 will be described with reference to a block diagram shown in FIG. The control system according to the present embodiment includes a main controller 50 that integrally controls the entire rotary substrate processing apparatus 1.
In addition, as its sub-controllers, a board transfer unit controller 60 for controlling the board transfer unit 2;
A substrate transport device controller 37A, which is a controller for each processing device constituting the process processing unit 3,
A spin coating device controller 31A for each spin coating device,
32A and heat treatment equipment controller 3 for each heat treatment equipment
3A, 34A and 35A.

【0027】メインコントローラ50は、論理演算を実
行する周知のCPU51,CPUを制御する種々のプロ
グラム等を予め記憶するROM52,種々のデータを一
時的に記憶するRAM53等を中心に論理演算回路とし
て構成され、データの書き込み及びデータの保持が随時
可能で後述する多量のデータを予め記憶する記憶ディス
ク54を内蔵している。
The main controller 50 comprises a well-known CPU 51 for executing a logical operation, a ROM 52 for storing various programs for controlling the CPU in advance, and a RAM 53 for temporarily storing various data as a logical operation circuit. In addition, a storage disk 54 that can write and hold data at any time and stores a large amount of data described later in advance is built in.

【0028】そして、このメインコントローラ50は、
上記CPU等とコモンバス55を介して相互に接続され
た入出力ポート56により、外部との入出力、例えば、
既述した主操作パネル5や、前記基板授受ユニットコン
トローラ60,基板搬送機器コントローラ37A,各処
理機器ごとの各コントローラ31Aないし35A等との
間でデータの転送を行なう。
Then, the main controller 50
The input / output port 56 connected to the CPU or the like via a common bus 55 allows input / output with the outside, for example,
Data is transferred between the main operation panel 5, the substrate transfer unit controller 60, the substrate transfer device controller 37A, and the controllers 31A to 35A for each processing device.

【0029】基板授受ユニットコントローラ60は、光
センサ24及びタイミング検出センサ42のほか、基板
移送機器6,カセットコントロールパネル18,光セン
サ昇降機構25等と接続されている。そして、これら各
センサやカセットコントロールパネル18からの信号を
始め、当該コントローラで求めた算術演算データをメイ
ンコントローラ50に出力する。なお、カセットコント
ロールパネル18,光センサ24,タイミング検出セン
サ42,光センサ昇降機構25等は、カセット設置台4
の上面における4基のカセットC1ないしC4のそれぞ
れに備えられており、各々基板授受ユニットコントロー
ラ60に接続されている。
The board transfer unit controller 60 is connected to the board transfer device 6, the cassette control panel 18, the light sensor elevating mechanism 25, and the like, in addition to the optical sensor 24 and the timing detection sensor 42. Then, the arithmetic operation data obtained by the controller and the signals from the sensors and the cassette control panel 18 are output to the main controller 50. The cassette control panel 18, optical sensor 24, timing detection sensor 42, optical sensor elevating mechanism 25, etc.
Are provided in each of the four cassettes C1 to C4 on the upper surface of the substrate, and each is connected to the substrate transfer unit controller 60.

【0030】次に、上記各処理機器を駆動制御するため
の基板処理手順について説明する。基板処理手順は複数
種類存在し、図3に示すように、その各々が、各基板処
理手順を特定するための手順番号数値コードと各処理機
器における処理条件又は制御条件に関する制御パラメー
タ等とを対応付けて、予め記憶ディスク54に書き込み
記憶されている。
Next, a description will be given of a substrate processing procedure for controlling the driving of each of the above processing equipment. There are a plurality of types of substrate processing procedures. As shown in FIG. 3, each of them corresponds to a procedure number numerical code for specifying each substrate processing procedure and a control parameter related to a processing condition or a control condition in each processing device. In addition, it is written and stored in the storage disk 54 in advance.

【0031】より詳細に説明すると、図3に示すよう
に、各手順番号数値コードのそれぞれに関して、必要な
処理ステップごとに、各処理ステップにおける工程を表
す工程記号と、その工程を行なう処理機器と、その工程
における制御パラメータとに関するデータが書き込まれ
ている。
More specifically, as shown in FIG. 3, for each procedure number numerical code, a process symbol representing a process in each process step and a processing device for performing the process are provided for each necessary process step. , Data relating to the control parameters in the process.

【0032】つまり、各処理ステップにおける工程記号
の欄の記号は、それぞれの工程名称に相当し、工程記号
ADは処理液塗布前の加熱工程を、ACは処理液塗布前
の冷却工程を、SCは処理液塗布工程を、SBは処理液
塗布後の加熱工程をそれぞれ表す。また、同一の処理ス
テップにおいて複数の処理機器(処理機器1,2…)が
書き込まれている場合(手順番号数値コード01におけ
る処理ステップ1の加熱用熱処理機器33a,34a)
は、いずれかの処理機器で処理すれば良いことを示す。
ただし、処理機器の数値が小さいほど優先的に使用され
る。例えば、手順番号数値コード01の場合には、処理
機器1の欄の加熱用熱処理機器33aが優先して使用さ
れ、この加熱用熱処理機器33aが処理中であるとして
使用できなければ、処理機器2の欄の加熱用熱処理機器
34aが使用される。
That is, the symbols in the column of process symbols in each processing step correspond to the respective process names, the process symbol AD indicates a heating process before application of the processing solution, AC indicates a cooling process before application of the processing solution, SC Represents a treatment liquid application step, and SB represents a heating step after treatment liquid application. Further, when a plurality of processing devices (processing devices 1, 2,...) Are written in the same processing step (the heat treatment devices 33a, 34a for the processing step 1 in the procedure number numerical code 01).
Indicates that processing may be performed by any of the processing devices.
However, the smaller the numerical value of the processing device, the higher the priority. For example, in the case of the procedure number numerical code 01, the heating heat treatment equipment 33a in the column of the processing equipment 1 is preferentially used, and if the heating heat treatment equipment 33a cannot be used as it is being processed, the processing equipment 2 Is used.

【0033】処理ステップ3以外の処理ステップは、工
程記号AD,AC,SB等から判るように処理液塗布前
後の熱処理工程であり、その処理条件欄に記載されてい
るように、該当する処理機器を制御する際の処理温度や
処理時間等の種々の制御パラメータ(制御指令値)を表
す数値データを備える。
The processing steps other than the processing step 3 are heat treatment steps before and after the application of the processing liquid as can be seen from the process symbols AD, AC, SB, etc., and as described in the processing condition column, the corresponding processing equipment Is provided with numerical data representing various control parameters (control command values) such as a processing temperature and a processing time in controlling the control.

【0034】各処理ステップのうち処理ステップ3は、
工程記号SCから判るように回転処理機器を用いた処理
液塗布工程であり、処理液塗布を繰り返し行なうことか
ら、当該処理ステップを更に第1ステップ部分,第2ス
テップ部分…第iステップ部分等に区分したデータを有
する。
Processing step 3 of each processing step is as follows:
As can be seen from the process symbol SC, this is a processing liquid application step using a rotary processing device. Since the processing liquid application is repeatedly performed, the processing steps are further divided into a first step portion, a second step portion,. Has partitioned data.

【0035】つまり、処理液塗布工程である処理ステッ
プ3は、基板を回転させつつ処理液を塗布するため、使
用する複数種類の処理液の指定,処理回転数,回転加速
度,処理液吐出時間(吐出量)といった数多くの制御パ
ラメータ(制御指令値)に基づき実行される上に、異な
った処理液(薬液)を使用する回転処理を繰り返し行な
う。このため、処理ステップ3は他の処理ステップより
格段に多くの条件データを幾種類も備えるが、これらを
総て支障なく記憶できるように配慮されている。
That is, in the processing step 3, which is a processing liquid application step, the processing liquid is applied while rotating the substrate, so that a plurality of types of processing liquids to be used are specified, the processing speed, the rotational acceleration, and the processing liquid discharge time ( In addition to being executed based on a number of control parameters (control command values) such as a discharge amount, a rotation process using a different processing liquid (chemical liquid) is repeatedly performed. For this reason, the processing step 3 is provided with many types of condition data, which is much more than the other processing steps, but it is designed so that all of them can be stored without any trouble.

【0036】このように記憶ディスク54には、複数種
類の基板処理手順条件データが、膨大な処理条件のデー
タを含んで記録されている。そして、ある手順番号数値
コード、例えば00の手順番号数値コードが指定される
と、この時の基板処理手順は、まず処理液塗布前に加熱
用熱処理機器33aにて加熱処理を行ない(処理ステッ
プ1)、次に冷却用熱処理機器33bにて冷却処理を行
ない(処理ステップ2)、引続いて回転塗布機器32に
て処理液塗布処理を行ない(処理ステップ3)、処理液
塗布後の加熱処理を加熱用熱処理機器35aにて行なう
(処理ステップ4)ことになる。処理ステップ5以下に
ついてもデータが作成・記憶されていればそれに従って
処理されることは勿論である。
As described above, a plurality of types of substrate processing procedure condition data are recorded on the storage disk 54, including a huge amount of processing condition data. Then, when a certain procedure number numerical code, for example, a procedure number numerical code of 00 is designated, the substrate processing procedure at this time is first to perform a heat treatment by the heating heat treatment equipment 33a before applying the processing liquid (processing step 1). Next, a cooling process is performed by the cooling heat treatment device 33b (processing step 2), and subsequently, a processing solution coating process is performed by the spin coating device 32 (processing step 3), and a heating process after the processing solution coating is performed. This is performed by the heating heat treatment device 35a (processing step 4). Of course, if the data is created and stored in the processing steps 5 and subsequent steps, the processing is performed according to the data.

【0037】上記した基板回転数,処理温度等の基板品
質に直接影響する制御パラメータ(以下、この制御パラ
メータをプロセスパラメータという)は、基板処理手順
毎に必要に応じて変更可能である。また、処理ステップ
1,2,4等の熱処理ステップにおいては、設定処理温
度のほか、熱処理機器を構成しているプレートの温度と
実際の基板表面温度との差を見込んで基板表面温度を設
定処理温度にするための補正量(基板温度見込補正量)
も、制御パラメータとして記憶されている。
The above-described control parameters that directly affect the substrate quality such as the substrate rotation speed and the processing temperature (hereinafter, these control parameters are referred to as process parameters) can be changed as needed for each substrate processing procedure. In the heat treatment steps such as the processing steps 1, 2, 4, etc., the substrate surface temperature is set in consideration of the difference between the temperature of the plate constituting the heat treatment equipment and the actual substrate surface temperature in addition to the set processing temperature. Correction amount for temperature (estimated correction amount of substrate temperature)
Are also stored as control parameters.

【0038】各処理機器の制御状態を上記プロセスパラ
メータで示された制御状態に維持するための制御条件等
に関する制御パラメータ(以下、この制御パラメータを
イニシャルパラメータという)は、所望する基板品質毎
に変更する必要性が極めて低く複数の基板処理手順に共
通するが、上記プロセスパラメータと同様、変更可能で
ある。
Control parameters relating to control conditions and the like for maintaining the control state of each processing apparatus at the control state indicated by the above process parameters (hereinafter, these control parameters are referred to as initial parameters) are changed for each desired substrate quality. Although the need to perform the process is extremely low and is common to a plurality of substrate processing procedures, it can be changed similarly to the above process parameters.

【0039】このイニシャルパラメータとしては、処理
機器をPID制御する際の目標値との偏差及びその積分
量,微分量や、基板処理を行なう際の制御範囲上限値,
下限値等といった制御条件に関するもののほか、各処理
機器における異常事態、例えば温度異常,回転異常等の
発生有無を報知したりして装置の保守等に寄与するパラ
メータ(警報上下限温度,警報上下限回転数等)が含ま
れる。
The initial parameters include a deviation from a target value when PID control is performed on the processing equipment, an integral amount and a differential amount thereof, a control range upper limit value when performing substrate processing,
In addition to the control conditions such as the lower limit value, parameters that contribute to the maintenance of the equipment by notifying the occurrence of abnormal situations in each processing equipment, for example, temperature abnormalities, rotation abnormalities, etc. (alarm upper / lower limit temperature, alarm upper / lower limit) Rotation speed, etc.).

【0040】そして、記憶ディスク54には、既述した
複数種類の基板処理手順に関するデータのほか、各基板
処理手順における処理内容毎の工程、例えば熱処理工
程,処理液塗布工程等の各工程毎に、上記イニシャルパ
ラメータとそのパラメータ値とを対応付けた、図4に示
すようなイニシャルパラメータマップが記憶されてい
る。このイニシャルパラメータは、熱処理工程,処理液
塗布工程等の各工程毎に記憶されているとともに、基板
処理手順における各処理ステップ毎に、プロセスパラメ
ータと共に含まれている。
The storage disk 54 stores, in addition to the data relating to a plurality of types of substrate processing procedures described above, a step for each processing content in each substrate processing procedure, for example, a heat treatment step, a processing liquid application step, and the like. An initial parameter map as shown in FIG. 4 in which the initial parameters are associated with the parameter values is stored. The initial parameters are stored for each process such as a heat treatment process and a process liquid application process, and are included together with the process parameters for each process step in the substrate processing procedure.

【0041】なお、イニシャルパラメータを基板処理手
順における各処理ステップと関連付けることなく熱処理
工程,処理液塗布工程等の各工程毎に記憶してもよい。
この場合には、図3の基板処理手順における各処理ステ
ップのデータ欄に、イニシャルパラメータを読み出すた
めのデータを記入しておき、基板処理に当たってその都
度当該データに基づきイニシャルデータを読み込めばよ
い。
It should be noted that the initial parameters may be stored for each process such as the heat treatment process and the process liquid application process without associating with the respective process steps in the substrate processing procedure.
In this case, data for reading initial parameters is written in the data column of each processing step in the substrate processing procedure of FIG. 3, and the initial data may be read based on the data each time the substrate processing is performed.

【0042】図4に示すように、熱処理工程におけるイ
ニシャルパラメータとしては、熱処理機器のPID制御
を行なう際の温調パラメータP(偏差),温調パラメー
タI(積分量),温調パラメータD(微分量)のほか、
設定処理温度を中心とした適正処理温度制御範囲の上下
限パラメータと、温度異常(過剰な昇温状態や設定処理
温度への未昇温状態)の発生有無を判断しこれを報知す
るための異常報知温度上下限パラメータとが含まれてい
る。これら各イニシャルパラメータには、予め初期パラ
メータ値(a0 ,b0 等)が設定されている。また、処
理液塗布工程におけるイニシャルパラメータとしては、
回転塗布機器のPID制御を行なう際の各パラメータの
ほか、設定処理液温度,設定基板回転数を中心とした適
正制御範囲の上下限パラメータや、処理液温度異常及び
基板回転異常を報知するための異常報知上下限パラメー
タ等が挙げられる。
As shown in FIG. 4, temperature control parameters P (deviation), temperature control parameter I (integral amount), and temperature control parameter D (differential Amount),
Upper and lower limit parameters of the appropriate processing temperature control range centered on the set processing temperature, and abnormalities for judging and reporting the occurrence of temperature abnormalities (excessive temperature increase state or non-heated state to the set processing temperature) Notification temperature upper and lower limit parameters are included. Initial parameters (a0, b0, etc.) are set in advance for these initial parameters. Further, as initial parameters in the treatment liquid application step,
In addition to the parameters for performing PID control of the spin coating device, upper and lower limit parameters of an appropriate control range centered on the set processing liquid temperature and the set substrate rotation speed, and for notifying processing liquid temperature abnormality and substrate rotation abnormality. Abnormality upper and lower limit parameters and the like.

【0043】記憶ディスク54へのデータの書き込み
は、後述するように、主操作パネル5からのデータ入力
により行なわれる。また、磁気テープ,フレキシブルデ
ィスク等の記憶媒体にデータの書き込み・記憶を行なう
外部記憶装置70(図2参照)において、予め上記デー
タ入力を行ない、その後この外部記憶装置70からの入
出力ポート56を介したデータ転送等により記憶ディス
ク54へのデータの書き込みを行なってもよい。
Writing of data to the storage disk 54 is performed by inputting data from the main operation panel 5 as described later. Further, in an external storage device 70 (see FIG. 2) for writing and storing data in a storage medium such as a magnetic tape or a flexible disk, the above-described data input is performed in advance, and then the input / output port 56 from the external storage device 70 is connected. Data may be written to the storage disk 54 by data transfer via the like.

【0044】このように記憶された複数の基板処理手順
のうちからの所望の基板処理手順の選択指示は、カセッ
トコントロールパネル18や主操作パネル5等におい
て、手順番号数値コードの数値のキー入力操作により実
行される。
An instruction to select a desired substrate processing procedure from among the plurality of substrate processing procedures stored in this way is made by operating the key input operation of the numerical value of the procedure number numerical code on the cassette control panel 18 or the main operation panel 5 or the like. Is executed by

【0045】そして、基板処理を開始するに当たって手
順番号数値コードが指定されると、該当する基板処理手
順の各処理ステップにおける各パラメータ(プロセスパ
ラメータ及びイニシャルパラメータ)は、メインコント
ローラ50から該当する処理機器付属のコントローラに
ロードされる。例えば00の手順番号数値コードが指定
されると、処理ステップ1及び処理ステップ2における
各パラメータは加熱用熱処理機器33a,冷却用熱処理
機器33bを有する熱処理機器33付属の熱処理機器コ
ントローラ33Aにロードされる。同様に、処理ステッ
プ3における各パラメータは回転塗布機器31付属の回
転塗布機器コントローラ31Aにロードされ、処理ステ
ップ4における各パラメータは加熱用熱処理機器35a
を有する熱処理機器35付属の熱処理機器コントローラ
35Aにロードされる。
When the procedure number numerical code is designated when starting the substrate processing, the parameters (process parameters and initial parameters) in each processing step of the corresponding substrate processing procedure are sent from the main controller 50 to the corresponding processing equipment. Loaded to the attached controller. For example, when a procedure number numerical code of 00 is designated, each parameter in the processing step 1 and the processing step 2 is loaded into the heat treatment equipment controller 33A attached to the heat treatment equipment 33 having the heat treatment equipment 33a for heating and the heat treatment equipment 33b for cooling. . Similarly, each parameter in the processing step 3 is loaded to the spin coating device controller 31A attached to the spin coating device 31, and each parameter in the processing step 4 is set to the heating heat treatment device 35a.
Is loaded into the heat treatment equipment controller 35A attached to the heat treatment equipment 35 having

【0046】こうして制御パラメータのロードを受けた
各コントローラ37A,31Aないし35Aは、ロード
を受けた制御パラメータとセンサからの検出信号とに基
づき、各処理機器をフィードバック制御しつつ基板処理
を行なう。なお、各処理機器付属のコントローラは、上
記メインコントローラ50と同様、周知のCPU,RO
M,RAM等を中心に論理演算回路として構成されてい
るが、その詳細については説明を省略する。
Each of the controllers 37A, 31A to 35A, which have received the loaded control parameters, performs the substrate processing while performing feedback control of each processing device based on the loaded control parameters and the detection signals from the sensors. The controller attached to each processing device is a well-known CPU, RO, similar to the main controller 50.
Although it is configured as a logical operation circuit mainly with M, RAM, etc., the description thereof is omitted.

【0047】次に、上記した構成を備える本実施例の回
転式基板処理装置1が行なう基板処理手順作成制御につ
いて、図5,図6のフローチャートに基づき説明する。
図5のフローチャートは、イニシャルパラメータを設定
するためのキーボード5aの所定キー操作又は主操作パ
ネル5におけるタッチスイッチ等の操作(イニシャルパ
ラメータ設定オン操作)がなされる度に割り込み実行さ
れるイニシャルパラメータ設定ルーチンを表わす。ま
た、図6のフローチャートは、上記タッチスイッチ等に
より新規基板処理手順作成オン操作がなされる度に割り
込み実行される新規基板処理手順作成ルーチンを表わ
す。
Next, the control for creating a substrate processing procedure performed by the rotary substrate processing apparatus 1 of the present embodiment having the above-described configuration will be described with reference to the flowcharts of FIGS.
The flowchart of FIG. 5 is an initial parameter setting routine that is executed every time a predetermined key operation of the keyboard 5a for setting initial parameters or an operation of a touch switch or the like on the main operation panel 5 (initial parameter setting ON operation) is performed. Represents The flowchart in FIG. 6 shows a new substrate processing procedure creation routine that is executed every time the new substrate processing procedure creation ON operation is performed by the touch switch or the like.

【0048】イニシャルパラメータ設定ルーチンは、図
5のフローチャートに示すように、上記イニシャルパラ
メータ設定オン操作がなされると、まず、イニシャルパ
ラメータの編集を行なう処理内容毎の工程、例えば熱処
理工程,処理液塗布工程等の工程が指定されたか否か
を、キーボード5aの所定キー操作又は主操作パネル5
におけるタッチスイッチ等の操作の有無により判断する
(ステップ100,以下単にステップをSと表記す
る)。そして、処理工程が指定されるまで待機する。な
お、以下のイニシャルパラメータ設定ルーチンの説明に
当たっては、このS100にて熱処理工程が指定された
場合について説明する。
In the initial parameter setting routine, as shown in the flowchart of FIG. 5, when the initial parameter setting ON operation is performed, first, a process for each processing content for editing the initial parameters, for example, a heat treatment process, a process liquid application. Whether or not a process such as a process is designated is determined by a predetermined key operation on the keyboard 5a or the main operation panel 5.
Is determined based on the presence or absence of an operation of a touch switch or the like in step (step 100, hereinafter, step is simply referred to as S). Then, it waits until a processing step is designated. In the following description of the initial parameter setting routine, the case where the heat treatment step is specified in S100 will be described.

【0049】その後、指示された工程(熱処理工程)に
関するイニシャルパラメータを図4に示すイニシャルパ
ラメータマップから読み込み(S110)、図7に示す
ようにディスプレイ5bに表示する(S120)。な
お、表示に当たってはイニシャルパラメータの変更入力
を順次促すよう、初期画面において最上段の文字列(温
調パラメータ P)は反転表示されている。
Thereafter, initial parameters relating to the designated step (heat treatment step) are read from the initial parameter map shown in FIG. 4 (S110), and displayed on the display 5b as shown in FIG. 7 (S120). In the display, the uppermost character string (temperature control parameter P) is highlighted in the initial screen so as to sequentially prompt the user to change the initial parameters.

【0050】この初期画面表示後には、S100で指定
された処理工程(熱処理工程)における各イニシャルパ
ラメータのパラメータ値の変更を要するか否かを、キー
ボード5aにおけるテンキーからの数値キー入力の有無
と主操作パネル5におけるタッチスイッチ(次画面,ト
ップメニュー,編集作業終了)の押圧操作有無とに基づ
いて判断する(S130)。ここで、数値キー入力が有
れば、イニシャルパラメータのパラメータ値の変更を要
すると判断して次のS140に移行する。なお、上記各
タッチスイッチが押圧された場合の処理については後述
する。
After the initial screen is displayed, whether or not it is necessary to change the parameter value of each initial parameter in the processing step (heat treatment step) specified in S100 is determined by whether or not a numeric key is input from the numeric keypad on the keyboard 5a. The determination is made based on the presence or absence of the pressing operation of the touch switch (the next screen, the top menu, the end of the editing work) on the operation panel 5 (S130). Here, if there is a numeric key input, it is determined that the parameter value of the initial parameter needs to be changed, and the flow shifts to the next S140. The processing when each of the touch switches is pressed will be described later.

【0051】S130で数値キー入力があれば、反転表
示された文字列におけるパラメータ値を変更すると判断
して、当該入力された数値を反転表示された文字列にお
ける新たなパラメータ値として更新しこれを記憶する
(S140)。つまり、図4におけるイニシャルパラメ
ータマップを書き換える。その後、S130に移行す
る。
If there is a numeric key input in S130, it is determined that the parameter value in the highlighted character string is to be changed, and the input numeric value is updated as a new parameter value in the highlighted character string, and this is updated. It is stored (S140). That is, the initial parameter map in FIG. 4 is rewritten. Then, the process proceeds to S130.

【0052】例えば、最上段の文字列が反転表示されて
いる状態(初期画面)でa1 の数値入力が有れば、パラ
メータ値a0 を当該入力した数値a1 に変更すると判断
し、温調パラメータPのパラメータ値としてa1 に更新
しこれを記憶する(S140)。このようにそれまで反
転表示していた最上段の文字列においてパラメータ値の
変更がなされれば、次の段の文字列(温調パラメータ
I)におけるイニシャルパラメータの変更入力を促すよ
う、反転表示列は当該次の段の文字列(温調パラメータ
I)となる。そして、移行したS130にて再度数値キ
ー入力があれば、反転表示された次の段の文字列(温調
パラメータI)におけるパラメータ値を、入力された数
値に変更してこれを記憶する。
For example, if the numerical value of a1 is input while the uppermost character string is highlighted (initial screen), it is determined that the parameter value a0 is changed to the input numerical value a1, and the temperature control parameter P The parameter value is updated to a1 and stored (S140). As described above, if the parameter value is changed in the uppermost character string that has been reversely displayed, the reverse display column is displayed so as to prompt the user to change the initial parameter in the next character string (temperature control parameter I). Is the character string of the next stage (temperature control parameter I). If there is a numeric key input again in S130 after the shift, the parameter value in the character string (temperature control parameter I) of the next highlighted line is changed to the input numerical value and stored.

【0053】なお、数値キー入力の前に主操作パネル5
における下向きの図示しない矢印キーが押圧されると、
その反転文字列におけるパラメータ値の変更は要しない
と判断して反転文字列を次の段の文字列とし、当該次の
段におけるイニシャルパラメータの変更入力を促す。
Before inputting the numeric keys, the main operation panel 5
When the down arrow key (not shown) is pressed,
It is determined that it is not necessary to change the parameter value in the inverted character string, and the inverted character string is used as the character string of the next stage, and the change of the initial parameters in the next stage is prompted.

【0054】つまり、S130,140の処理を繰り返
すことにより、S100で指定された処理工程(熱処理
工程)における全イニシャルパラメータについてのパラ
メータ値の設定が完了する。具体的には、表示した6種
類のイニシャルパラメータについてパラメータ値の設定
が完了する。なお、パラメータ値の設定とは、該当する
パラメータ値の変更又は保持の何れかがなされることを
いう。
That is, by repeating the processing of S130 and S140, the setting of the parameter values for all the initial parameters in the processing step (heat treatment step) specified in S100 is completed. More specifically, the setting of the parameter values for the displayed six initial parameters is completed. The setting of a parameter value means that either the corresponding parameter value is changed or held.

【0055】一方、S130において、数値入力に代わ
って主操作パネル5におけるタッチスイッチ(次画面,
トップメニュー,編集作業終了のいずれか)が押圧操作
されると、S100で指定された処理工程(熱処理工
程)における全イニシャルパラメータについてのパラメ
ータ値の設定が完了したと判断し、各スイッチに基づい
て処理を行なう。
On the other hand, in step S130, a touch switch (next screen,
When either the top menu or the end of the editing operation is pressed, it is determined that the setting of the parameter values for all the initial parameters in the processing step (heat treatment step) specified in S100 is completed, and the processing is performed based on each switch. Perform

【0056】つまり、S130において、数値入力に代
わってタッチスイッチが押圧操作されると、S131へ
移行し、S131では、押圧操作されたタッチスイッチ
が次画面であるかを判断し、次画面であれば本ルーチン
の処理において次の処理工程におけるイニシャルパラメ
ータの設定のための画面表示を行なう旨の制御信号を出
力する。このため、この次画面スイッチが押圧される
と、次の処理工程、例えば処理液塗布工程等におけるイ
ニシャルパラメータのパラメータ値の設定を行なうと判
断して、S100に移行しそれ以降の既述した各処理を
行なう。
That is, if the touch switch is depressed in place of the numerical input in S130, the process proceeds to S131. In S131, it is determined whether the depressed touch switch is the next screen. For example, in the processing of this routine, a control signal for displaying a screen for setting initial parameters in the next processing step is output. For this reason, when the next screen switch is pressed, it is determined that the parameter values of the initial parameters are to be set in the next processing step, for example, the processing liquid application step, etc. Perform processing.

【0057】また、S131において、押圧操作された
タッチスイッチが次画面でなければ、即ち、トップメニ
ューや編集作業終了のタッチスイッチが押圧操作された
のであれば、図5に示すイニシャルパラメータ設定ルー
チンを終了する。なお、トップメニュースイッチは現在
行なっているルーチンを終了し本ルーチンや図示しない
他のルーチンを選択するための画面表示を行なう旨の制
御信号を出力し、編集作業終了スイッチは現在行なって
いるルーチンにおけるデータの編集作業が終了した旨の
制御信号を出力する。このため、これら二つのスイッチ
が押圧されると、S100で指定された処理工程(熱処
理工程)を始めとする総ての処理工程における全イニシ
ャルパラメータについてのパラメータ値の設定が完了し
たとして、本ルーチンを終了する。
In S131, if the pressed touch switch is not the next screen, that is, if the touch switch for ending the top menu or the editing operation is pressed, the initial parameter setting routine shown in FIG. 5 is ended. I do. The top menu switch outputs a control signal for ending the current routine and displaying a screen for selecting this routine or another routine (not shown). And outputs a control signal indicating that the editing operation has been completed. Therefore, when these two switches are pressed, it is determined that the setting of the parameter values for all the initial parameters in all the processing steps including the processing step (heat treatment step) specified in S100 is completed. To end.

【0058】次に、新規基板処理手順作成ルーチンにつ
いて、図6のフローチャートに基づき説明する。この新
規基板処理手順作成ルーチンは、図6のフローチャート
に示すように、上記新規基板処理手順作成オン操作がな
されると、まず、プロセスパラメータ(可変パラメー
タ)の設定を行なう処理ステップ、具体的には図3にお
ける処理ステップ1,処理ステップ2等の処理ステップ
が指定されたか否かを、キーボード5aの所定キー操作
又は主操作パネル5におけるタッチスイッチ等の操作の
有無により判断する(S200)。そして、処理ステッ
プが指定されるまで待機する。なお、以下の新規基板処
理手順作成ルーチンの説明に当たっては、このS200
にて熱処理工程の一つである熱処理ステップ(図3にお
ける処理ステップ1,2,4等の何れか)が指定された
場合について説明する。
Next, a routine for creating a new substrate processing procedure will be described with reference to the flowchart of FIG. As shown in the flow chart of FIG. 6, when the new substrate processing procedure creation ON operation is performed, the new substrate processing procedure creation routine first sets processing parameters (variable parameters), specifically, a processing step. It is determined whether or not the processing steps such as the processing steps 1 and 2 in FIG. 3 are designated based on the presence or absence of a predetermined key operation of the keyboard 5a or an operation of a touch switch or the like on the main operation panel 5 (S200). Then, it waits until a processing step is specified. Note that, in the following description of the new substrate processing procedure creation routine, this S200
The case where a heat treatment step (one of the processing steps 1, 2, 4, and the like in FIG. 3) which is one of the heat treatment steps is designated will be described.

【0059】その後、指示された処理ステップ(熱処理
ステップ)に関する総てのプロセスパラメータを設定を
促すためのパラメータ設定画面を、図8に示すようにデ
ィスプレイ5bに表示する(S210)。この表示画面
は、図示するように既述したイニシャルパラメータ設定
ルーチンにおいてこの熱処理ステップに関する工程であ
る熱処理工程について設定したイニシャルパラメータ
と、設定すべきプロセスパラメータ(熱処理温度,熱処
理時間,熱処理関連無処理時間,熱処理関連処理時間,
基板温度見込補正量)とを含んだ画面として表示され
る。
Thereafter, a parameter setting screen for prompting the user to set all process parameters related to the designated processing step (heat treatment step) is displayed on the display 5b as shown in FIG. 8 (S210). As shown in the figure, the display screen shows initial parameters set for the heat treatment step which is a step related to this heat treatment step in the initial parameter setting routine described above, and process parameters to be set (heat treatment temperature, heat treatment time, heat treatment-related non-treatment time). , Heat treatment related processing time,
(Estimated correction amount of substrate temperature).

【0060】また、その初期画面においては、上記各プ
ロセスパラメータのパラメータ値には、初期値0が表示
されている。なお、ここで、熱処理関連処理時間とは、
熱処理と並行して他の処理を行なう場合、例えば熱処理
を行ないつつ処理液を基板表面に塗布したり、紫外線等
を照射する場合には、これら並行処理(処理液塗布,紫
外線照射等)を行なう時間である。熱処理関連無処理時
間とは、これら並行処理の開始タイミングを定めるもの
である。つまり、熱処理を開始してからこの熱処理関連
無処理時間で規定される時間の経過後に、上記熱処理関
連処理時間で規定された時間だけ並行処理を実施するこ
とになる。基板温度見込補正量とは、既述したように、
雰囲気温度と実際の基板表面温度との差を見込んで基板
表面温度を設定処理温度にするための補正量(補正温
度)である。
In the initial screen, an initial value 0 is displayed as the parameter value of each process parameter. Here, the heat treatment-related processing time means
When performing other processing in parallel with the heat treatment, for example, when applying the processing liquid to the substrate surface while performing the heat treatment or irradiating with ultraviolet rays or the like, these parallel treatments (application of the treatment liquid, ultraviolet irradiation, etc.) are performed. Time. The heat treatment-related no-processing time defines the start timing of these parallel processes. That is, after the heat treatment is started, after the time specified by the heat treatment-related non-processing time has elapsed, the parallel processing is performed for the time specified by the heat treatment-related processing time. The substrate temperature expected correction amount is, as described above,
This is a correction amount (correction temperature) for setting the substrate surface temperature to the set processing temperature in consideration of the difference between the ambient temperature and the actual substrate surface temperature.

【0061】この画面表示後には、S200で指定され
た処理ステップ(熱処理ステップ)における各プロセス
パラメータのパラメータ値に所望する数値を設定するた
めに、キーボード5aにおけるテンキーからの数値キー
入力の有無を判断し(S220)、数値キー入力が有る
まで待機する。
After this screen is displayed, it is determined whether or not a numeric key has been input from the numeric keypad on the keyboard 5a in order to set a desired numerical value for the parameter value of each process parameter in the processing step (heat treatment step) specified in S200. (S220), and waits for a numeric key input.

【0062】ここで、数値キー入力があれば、最上段の
プロセスパラメータ(熱処理時間)のパラメータ値を当
該入力された数値に書き換えてこれを記憶する(S23
0)。この際、表示画面においても、入力された数値を
表示する。
Here, if there is a numeric key input, the parameter value of the process parameter (heat treatment time) at the top is rewritten to the input numerical value and stored (S23).
0). At this time, the input numerical value is also displayed on the display screen.

【0063】その後、S200で指定された処理ステッ
プ(熱処理ステップ)における総てのプロセスパラメー
タについて、パラメータ値が設定されたか否かを判断し
(S240)、否定判断すれば、即ち総てのプロセスパ
ラメータについてのパラメータ値設定が未完であれば上
記S220に移行する。
Thereafter, it is determined whether or not parameter values have been set for all the process parameters in the processing step (heat treatment step) designated in S200 (S240). If the parameter value setting for is not completed, the process proceeds to S220.

【0064】つまり、S220,230の処理を繰り返
すことにより、S200で指定された処理ステップ(熱
処理ステップ)における全プロセスパラメータについて
パラメータ値の設定が完了する。具体的には、表示した
5種類のプロセスパラメータについてパラメータ値の設
定が完了する。
That is, by repeating the processing of S220 and S230, the setting of the parameter values for all the process parameters in the processing step (heat treatment step) specified in S200 is completed. Specifically, the setting of the parameter values for the five displayed process parameters is completed.

【0065】こうしてS240にて全プロセスパラメー
タについてパラメータ値の設定が完了したと判断する
と、S200で指定された処理ステップ(熱処理ステッ
プ)を始めとする総ての処理ステップについて、プロセ
スパラメータのパラメータ値設定が完了したか否かを判
断する(S250)。この判断は、既述した次画面スイ
ッチ又は編集作業終了スイッチの押圧操作により下され
る。つまり、次画面スイッチが押圧されると、次の処理
ステップ、例えば図3における処理ステップ3(処理液
塗布ステップ)等におけるプロセスパラメータのパラメ
ータ値の設定を行なうと判断して、S200に移行しそ
れ以降の既述した各処理を行なう。
When it is determined in S240 that the setting of the parameter values has been completed for all the process parameters, the parameter values of the process parameters are set for all the processing steps including the processing step (heat treatment step) specified in S200. It is determined whether or not has been completed (S250). This determination is made by pressing the next screen switch or the editing work end switch described above. That is, when the next screen switch is pressed, it is determined that the parameter values of the process parameters are set in the next processing step, for example, processing step 3 (processing liquid application step) in FIG. 3, and the process proceeds to S200. The following processes described above are performed.

【0066】一方、編集作業終了スイッチが押圧される
と、図3に示す総ての処理ステップにおける全プロセス
パラメータについてのパラメータ値の設定作業が完了し
たとしてS250で肯定判断がなされる。なお、図8に
おける総てのプロセスパラメータ(5種類)についての
パラメータ値の設定入力が完了する前に編集作業終了ス
イッチが押圧されても、S250では肯定判断されず操
作エラーとして処理される。
On the other hand, when the editing work end switch is pressed, the affirmative judgment is made in S250 that the setting work of the parameter values for all the process parameters in all the processing steps shown in FIG. 3 is completed. Note that, even if the editing operation end switch is pressed before the parameter value setting input for all the process parameters (five types) in FIG. 8 is completed, an affirmative determination is not made in S250, and an operation error is processed.

【0067】こうして図3に示す総ての処理ステップに
おける全プロセスパラメータについてのパラメータ値の
設定作業が完了すると、手順番号数値コードの入力が有
るか否かを、キーボード5aにおけるテンキーからの数
値キー入力の有無に基づき判断し(S260)、当該数
値キー入力が有るまで待機する。そして、数値キー入力
が有れば、入力された数値を手順番号数値コードとして
記憶した後、既述したイニシャルパラメータ設定ルーチ
ンにおいて更新して記憶された各工程毎のイニシャルパ
ラメータのデータ(図4)を読み込む(S270)。
When the setting of the parameter values for all the process parameters in all the processing steps shown in FIG. 3 is completed, it is determined whether or not the procedure number numerical code has been input by inputting numerical keys from the ten keys on the keyboard 5a. (S260), and waits until the numeric key is input. If there is a numerical key input, the input numerical value is stored as a procedure number numerical code, and the initial parameter data for each process is updated and stored in the above-described initial parameter setting routine (FIG. 4). Is read (S270).

【0068】その後、読み込んだイニシャルパラメータ
のパラメータ値と上記のようにして各処理ステップ毎に
設定したプロセスパラメータとに基づいて、各処理ステ
ップ毎にデータ構築を行なって新たな基板処理手順を作
成し、これをS270で入力した手順番号数値コードと
対応付けて記憶ディスク54に追加して記憶する(S2
80)。つまり、図4に示す基板処理手順データに、1
レコード分のデータ(新たな基板処理手順に関する全デ
ータ)が追加される。その後、本ルーチンの処理を終了
する。
Then, based on the read initial parameter values and the process parameters set for each processing step as described above, data is constructed for each processing step to create a new substrate processing procedure. This is added to the storage disk 54 and stored in association with the procedure number numerical code input in S270 (S2
80). That is, the substrate processing procedure data shown in FIG.
Data for the record (all data relating to a new substrate processing procedure) is added. Thereafter, the processing of this routine ends.

【0069】以上説明したように本実施例の回転式基板
処理装置1によれば、プロセスパラメータの設定を新た
な基板処理に必要な各処理ステップ毎に行なうだけで、
基板処理手順を新規に作成することができるので、その
労力は著しく軽減される。
As described above, according to the rotary substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, the process parameters are set only for each processing step required for new substrate processing.
Since a new substrate processing procedure can be created, the labor is significantly reduced.

【0070】しかも、本実施例では、基板処理手順に共
通するイニシャルパラメータの設定をも行なうよう構成
したので、多種多様な基板処理に対して処理機器をきめ
細かく制御することができる。この結果、例えば、設定
処理温度を中心とした適正処理温度制御範囲の上下限温
度に広狭を設けることによって、基板品質の安定性を向
上させることができる。
Further, in this embodiment, since the initial parameters common to the substrate processing procedure are also set, the processing equipment can be finely controlled for various kinds of substrate processing. As a result, for example, the stability of the substrate quality can be improved by providing the upper and lower limits of the appropriate processing temperature control range centered on the set processing temperature.

【0071】以上本発明の一実施例について説明した
が、本発明はこの様な実施例になんら限定されるもので
はなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々な
る態様で実施し得ることは勿論である。例えば、上記実
施例では、雰囲気温度と実際の基板表面温度との差を見
込んで基板表面温度を設定処理温度にするための補正量
をプロセスパラメータとしたが、このパラメータをイニ
シャルパラメータとして設定してもよい。また、イニシ
ャルパラメータの設定をも行なうよう構成したが、イニ
シャルパラメータについては固定したまま変更しないよ
う構成してもよいことは勿論である。
Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to such an embodiment, and can be implemented in various modes without departing from the gist of the present invention. Of course. For example, in the above embodiment, the correction amount for setting the substrate surface temperature to the set processing temperature was set as the process parameter in consideration of the difference between the ambient temperature and the actual substrate surface temperature, but this parameter was set as the initial parameter. Is also good. In addition, although the initial parameters are set, the initial parameters may be fixed and not changed.

【0072】[0072]

【発明の効果】以上説明したように本発明の回転式基板
処理装置によれば、基板処理に必要な各処理ステップに
ついての総ての制御パラメータのうち、基板処理を決定
する基板処理手順に共通するパラメータ以外のパラメー
タの設定入力だけを行なえば、新たな基板処理手順を作
成することができる。この結果、各処理ステップについ
て上記共通パラメータの設定入力が不要となり、新たな
基板処理手順の作成労力の軽減を図ることができる。
As described above, according to the rotary substrate processing apparatus of the present invention, of all the control parameters for each processing step required for substrate processing, common to the substrate processing procedure for determining the substrate processing. A new substrate processing procedure can be created only by inputting parameters other than the parameters to be processed. As a result, there is no need to input the setting of the common parameters for each processing step, and it is possible to reduce the labor for creating a new substrate processing procedure.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例の回転式基板処理装置1の概略斜視図。FIG. 1 is a schematic perspective view of a rotary substrate processing apparatus 1 according to an embodiment.

【図2】回転式基板処理装置1におけるメインコントロ
ーラ50を中心とした制御系のブロック図。
FIG. 2 is a block diagram of a control system centered on a main controller 50 in the rotary substrate processing apparatus 1.

【図3】プロセス処理ユニット3にて基板を回転処理す
る際の基板処理手順を説明するための説明図。
FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining a substrate processing procedure when a substrate is rotated by a process processing unit 3;

【図4】上記基板処理手順とイニシャルパラメータ設定
ルーチンにおける処理を説明するための説明図。
FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining a process in the substrate processing procedure and an initial parameter setting routine.

【図5】イニシャルパラメータ設定ルーチンを示すフロ
ーチャート。
FIG. 5 is a flowchart showing an initial parameter setting routine.

【図6】新規基板処理手順作成ルーチンを示すフローチ
ャート。
FIG. 6 is a flowchart illustrating a routine for creating a new substrate processing procedure.

【図7】新規基板処理手順作成ルーチンにおける処理を
説明するための説明図。
FIG. 7 is an explanatory diagram for describing processing in a new substrate processing procedure creation routine.

【図8】新規基板処理手順作成ルーチンにおける処理を
説明するための説明図。
FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining processing in a new substrate processing procedure creation routine.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 回転式基板処理装置 2 基板授受ユニット 3 プロセス処理ユニット 4 カセット設置台 5 主操作パネル 5b ディスプレイ 50 メインコントローラ 60 基板授受ユニットコントローラ C1,C2,C3,C4 カセット W 基板 REFERENCE SIGNS LIST 1 rotary substrate processing apparatus 2 substrate transfer unit 3 process processing unit 4 cassette installation table 5 main operation panel 5b display 50 main controller 60 substrate transfer unit controller C1, C2, C3, C4 cassette W substrate

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 所要の処理液を用いて基板に回転処理を
施す回転処理機器を始めとする複数の処理機器と、該複
数の処理機器における制御パラメータを含む基板処理手
順を複数記憶する記憶手段とを有し、該記憶した複数の
基板処理手順のうちから随時指定された基板処理手順に
基づいて前記複数の処理機器を制御し基板を処理する回
転式基板処理装置であって、前記処理機器の制御パラメ
ータを、前記複数の基板処理手順に共通する制御パラメ
ータとしての共通パラメータと、前記複数の基板処理手
順毎に変更可能な制御パラメータとしての可変パラメー
タとに区別するパラメータ区別手段と、該区別された可
変パラメータを入力するパラメータ入力手段と、該入力
された可変パラメータと前記共通パラメータとを含む基
板処理手順を作成する基板処理手順作成手段と、該作成
した基板処理手順を前記記憶手段に追加して記憶させる
基板処理手順追加手段とを備えたことを特徴とする回転
式基板処理装置。
A storage means for storing a plurality of processing apparatuses including a rotation processing apparatus for performing a rotation processing on a substrate using a required processing liquid, and a plurality of substrate processing procedures including control parameters in the plurality of processing apparatuses. A rotary substrate processing apparatus configured to control the plurality of processing apparatuses and process substrates based on a substrate processing procedure designated as needed from among the stored plurality of substrate processing procedures, wherein the processing apparatus Parameter discriminating means for discriminating the control parameters of the above into a common parameter as a control parameter common to the plurality of substrate processing procedures and a variable parameter as a control parameter changeable for each of the plurality of substrate processing procedures; Parameter input means for inputting the input variable parameter, and creating a substrate processing procedure including the input variable parameter and the common parameter. A rotary substrate processing apparatus, comprising: a substrate processing procedure creating unit that stores the created substrate processing procedure in the storage unit;
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