JP2734785B2 - 電解めっき用治具 - Google Patents
電解めっき用治具Info
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- JP2734785B2 JP2734785B2 JP3028475A JP2847591A JP2734785B2 JP 2734785 B2 JP2734785 B2 JP 2734785B2 JP 3028475 A JP3028475 A JP 3028475A JP 2847591 A JP2847591 A JP 2847591A JP 2734785 B2 JP2734785 B2 JP 2734785B2
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- plating
- jig
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電解めっき用治具に関
し、特に電解めっきに用いる条件測定用の治具に関す
る。
し、特に電解めっきに用いる条件測定用の治具に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上に電極や配線等を形成する
ために金や銅の電解めっき法が用いられる。この電解め
っきは、例えば図４に示すように、カップ５が設けられ
ためっき槽１０にめっき液８を満し、このめっき液８を
ヒータ１２により所定の温度にしたのちポンプ１４によ
りカップ５内に噴流させ、カップ５内のアノードメッシ
ュ６とカップ５の上方にセットした半導体基板１１との
間に電流を流すことにより行なわれていた。尚図４にお
いて１３はフィルターである。
ために金や銅の電解めっき法が用いられる。この電解め
っきは、例えば図４に示すように、カップ５が設けられ
ためっき槽１０にめっき液８を満し、このめっき液８を
ヒータ１２により所定の温度にしたのちポンプ１４によ
りカップ５内に噴流させ、カップ５内のアノードメッシ
ュ６とカップ５の上方にセットした半導体基板１１との
間に電流を流すことにより行なわれていた。尚図４にお
いて１３はフィルターである。
【０００３】この従来の電解めっき法において、半導体
基板１１の被めっき面のめっき厚ばらつきを低減させる
ためには、めっき処理における各パラメーター、例えば
めっき液の流量，アノードメッシュ６の位置と大きさ及
びめっき電流値等を変化させ、各々の条件それぞれにつ
いて半導体基板１１にめっき処理を行ない、被めっき面
のめっき厚のばらつきを測定し、最適な条件を求めてい
た。
基板１１の被めっき面のめっき厚ばらつきを低減させる
ためには、めっき処理における各パラメーター、例えば
めっき液の流量，アノードメッシュ６の位置と大きさ及
びめっき電流値等を変化させ、各々の条件それぞれにつ
いて半導体基板１１にめっき処理を行ない、被めっき面
のめっき厚のばらつきを測定し、最適な条件を求めてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の電解
めっき法においては、実際に半導体基板にめっき処理を
行ない各々の条件出しする必要があるため、条件出し用
半導体基板の作成，各々の条件でのめっき処理，めっき
厚ばらつき測定等と、多くの工数が必要となる。又各々
の条件でのめっき処理中での状態が連続的に把握するこ
とができないため、条件の最適化が困難であり、精度の
より電解めっきを行うことができないという問題があっ
た。
めっき法においては、実際に半導体基板にめっき処理を
行ない各々の条件出しする必要があるため、条件出し用
半導体基板の作成，各々の条件でのめっき処理，めっき
厚ばらつき測定等と、多くの工数が必要となる。又各々
の条件でのめっき処理中での状態が連続的に把握するこ
とができないため、条件の最適化が困難であり、精度の
より電解めっきを行うことができないという問題があっ
た。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の電解めっき用治
具は、導電性円板と、この円板に高分子絶縁樹脂製リン
グを介し表面が前記円板の表面と同一平面となるように
この前記円板に埋め込まれた複数のステンレス製のピン
と、このピンの裏面に接続された電流計とを含んで構成
される。
具は、導電性円板と、この円板に高分子絶縁樹脂製リン
グを介し表面が前記円板の表面と同一平面となるように
この前記円板に埋め込まれた複数のステンレス製のピン
と、このピンの裏面に接続された電流計とを含んで構成
される。
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の上
面図及びＡ−Ａ線断面図である。
説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の上
面図及びＡ−Ａ線断面図である。
【０００７】図１（ａ）、（ｂ）において電解めっき用
治具は、半導体基板と同程度の大きさのステンレス製の
円板１と、この円板１に絶縁用のテフロンリング（ポリ
テトラフルオロエチレン樹脂の高分子絶縁樹脂製リン
グ）２と共に表面が円板１の表面と同一平面となるよう
に埋め込まれた複数のステンレス製のピン３と、このピ
ン３の裏面に接続された電流計４とから主に構成され
る。
治具は、半導体基板と同程度の大きさのステンレス製の
円板１と、この円板１に絶縁用のテフロンリング（ポリ
テトラフルオロエチレン樹脂の高分子絶縁樹脂製リン
グ）２と共に表面が円板１の表面と同一平面となるよう
に埋め込まれた複数のステンレス製のピン３と、このピ
ン３の裏面に接続された電流計４とから主に構成され
る。
【０００８】図２は本実施例の使用方法を説明するため
のカップ近傍の斜視図である。電解めっきは図４で説明
したように、めっき槽１０内に設けたカップ５内にヒー
タ１２により温度調節されためっき液８を噴流させて、
カップ５の上方にセットされた半導体基板１１にめっき
を施すものであるが、めっき条件を測定する場合は、こ
の半導体基板１１の代りに円板１をセットする。
のカップ近傍の斜視図である。電解めっきは図４で説明
したように、めっき槽１０内に設けたカップ５内にヒー
タ１２により温度調節されためっき液８を噴流させて、
カップ５の上方にセットされた半導体基板１１にめっき
を施すものであるが、めっき条件を測定する場合は、こ
の半導体基板１１の代りに円板１をセットする。
【０００９】すなわち図２に示したように、それぞれの
ピン３を裏面より電流計４を介して円板１と共にめっき
電源７のマイナス側へ接続する。そしてカップ５内にあ
るアノードメッシュ６はプラス側へ接続する。ここで、
所定の温度に保もたれためっき液８をポンプ１４によっ
て噴流させることにより円板１およびピン３の表面にめ
っき処理がはじまる。それぞれのピン３につながれた電
流計４には、ピン３にめっきされた量と比例して電流が
流れるため、それぞれのピン３におけるめっき量のばら
つきが一見して読みとることができる。この状態におい
て各々の条件を変化させれば、連続的にめっき量のばら
つきを把握することができ、めっき条件の最適値を求め
ることができる。以下に本実施例の治具を用いて最適条
件を求めた例をあげる。
ピン３を裏面より電流計４を介して円板１と共にめっき
電源７のマイナス側へ接続する。そしてカップ５内にあ
るアノードメッシュ６はプラス側へ接続する。ここで、
所定の温度に保もたれためっき液８をポンプ１４によっ
て噴流させることにより円板１およびピン３の表面にめ
っき処理がはじまる。それぞれのピン３につながれた電
流計４には、ピン３にめっきされた量と比例して電流が
流れるため、それぞれのピン３におけるめっき量のばら
つきが一見して読みとることができる。この状態におい
て各々の条件を変化させれば、連続的にめっき量のばら
つきを把握することができ、めっき条件の最適値を求め
ることができる。以下に本実施例の治具を用いて最適条
件を求めた例をあげる。
【００１０】図５は本治具を用いて噴流量とピン３部の
電流値ばらつきを求めた例であり、噴流量を増すことに
よって、ピン３部の電流値ばらつきが減少していること
がわかり、噴流量は多い方がよい（例えば１０ｌ／ｍｉ
ｎ程度）ことがわかる。図６は本治具を用いてめっき電
流とピン３部の電流値ばらつきを求めた例である。めっ
き電流を増すことによって、ピン３部の電流値ばらつき
が増加していることがわかり、めっき電流値は少ない方
がよい（例えば２０ｍＡ程度）ことがわかる。
電流値ばらつきを求めた例であり、噴流量を増すことに
よって、ピン３部の電流値ばらつきが減少していること
がわかり、噴流量は多い方がよい（例えば１０ｌ／ｍｉ
ｎ程度）ことがわかる。図６は本治具を用いてめっき電
流とピン３部の電流値ばらつきを求めた例である。めっ
き電流を増すことによって、ピン３部の電流値ばらつき
が増加していることがわかり、めっき電流値は少ない方
がよい（例えば２０ｍＡ程度）ことがわかる。
【００１１】このように図５及び図６より、高精度のめ
っき行なうためには、噴流量は多く、めっき電流値を小
さくした方がよいことが分る。このようにして他の条件
であるカップ形状、アノードメッシュ間距離等の最適条
件を求めていくことができる。
っき行なうためには、噴流量は多く、めっき電流値を小
さくした方がよいことが分る。このようにして他の条件
であるカップ形状、アノードメッシュ間距離等の最適条
件を求めていくことができる。
【００１２】図３は本実施例の他の適用例を説明するた
めのめっき槽の一部切り欠き斜視図である。図２の場合
と同様に円板１の表面のみをめっき液８に接するよう
に、円板１の裏面側を絶縁性の材質でシールすることに
よって、デップ式の電解めっき装置にも適用することが
可能である。
めのめっき槽の一部切り欠き斜視図である。図２の場合
と同様に円板１の表面のみをめっき液８に接するよう
に、円板１の裏面側を絶縁性の材質でシールすることに
よって、デップ式の電解めっき装置にも適用することが
可能である。
【００１３】上記実施例では、導電性の円板及びピンを
ステンレスで形成した場合について説明したが、めっき
液と反応しない、白金等他の金属や合金を用いることが
できる。またピンの数を増せばより精度の良い条件を求
めることができる。
ステンレスで形成した場合について説明したが、めっき
液と反応しない、白金等他の金属や合金を用いることが
できる。またピンの数を増せばより精度の良い条件を求
めることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明の電解めっき
用治具を用いることにより、半導体基板に電解めっきを
行う場合の条件を連続的に把握することができるため、
めっき条件の最適化が容易になり、精度のよい電解めっ
きを行うことができるという効果を有する。
用治具を用いることにより、半導体基板に電解めっきを
行う場合の条件を連続的に把握することができるため、
めっき条件の最適化が容易になり、精度のよい電解めっ
きを行うことができるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の上面図及びＡ−Ａ線断面
図。
図。
【図２】実施例を用いた場合のカップ近傍の斜視図。
【図３】実施例の他の適用例を説明する場合のめっき槽
の斜視図。
の斜視図。
【図４】半導体基板のめっき方法を説明するためのめっ
き装置の構成図。
き装置の構成図。
【図５】噴流量とピン部の電流値ばらつきとの関係を示
す図。
す図。
【図６】めっき電流とピン部の電流値ばらつきとの関係
を示す図。
を示す図。
１ 円板 ２ テフロンリング ３ ピン ４ 電流計 ５ カップ ６ アノードメッシュ ７ めっき電源 ８ めっき液 １０，１０Ａ めっき槽 １１ 半導体基板 １２ ヒーター １３ フィルター １４ ポンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 導電性円板と、この円板に高分子絶縁樹
脂製リングを介し表面が前記円板の表面と同一平面とな
るように前記円板に埋め込まれた複数のステンレス製の
ピンと、このピンの裏面に接続された電流計とを含むこ
とを特徴とする電解めっき用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3028475A JP2734785B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 電解めっき用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3028475A JP2734785B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 電解めっき用治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04268098A JPH04268098A (ja) | 1992-09-24 |
| JP2734785B2 true JP2734785B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=12249673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3028475A Expired - Fee Related JP2734785B2 (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 電解めっき用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734785B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6297155B1 (en) * | 1999-05-03 | 2001-10-02 | Motorola Inc. | Method for forming a copper layer over a semiconductor wafer |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5139534A (en) * | 1974-10-01 | 1976-04-02 | Uemura Kogyo Kk | Metsuki denkaikenmanadono denkaishori niokeru denryubunfusokuteihoho |
-
1991
- 1991-02-22 JP JP3028475A patent/JP2734785B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04268098A (ja) | 1992-09-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971202 |
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