JPH034158A - プリント回路基板の製造における電気化学的反応プロセスの試験装置及びプリント回路基板の電着方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、一般に、プリント回路基板製造のためのフォ
トイメージ（ｐｈｏｔｏｉｍａｇｅ　）プロセスとメツ
＋　（ｐｌａｔ；ｎｇ）　　プロセスの最適化に関する
ものである。

〔従来技術とその問題点〕

電気化学的デイポジション・プロセス（Ｅ　１ｅｃｔｒ
。

ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｐｒｏｃｅ
ｓｓ　）は、多くの異なる製造プロセスに用いられてい
る。電気化学的プロセス（ｅｌｅｃ　ｔｒｏｃｈｅｍｉ
ｃａｌ　ｐｒｏｃｅｓｓ）は、典型的には、メッキ・バ
ス（ｐｌａｔｉｎｇ　ｂａｔｈ）と陽極と陰極から構成
される。メッキ・バスは、いくつかの化学成分を含む溶
液である。各化学成分は、プロセスの電気化学的性質に
影響を及ぼすだけでな（、化学成分の様々な組合せとそ
の相互作用もまた電気化学的性質に影響を与える。そし
て、他の多くのファクタ及びその組合せもプロセスに影
響を及ぼす。他のファクタのいくつかは、陽極配置（ａ
ｎｏｄｅ　ｐｌａｃｅｍｅｎｔ　）、陰極配置、温度勾
配、電流密度勾配、溶液の流体流、表面におけるイオン
物質移動、メッキ・バス容器（ｃｏｎｔａｉｎｅｒ）中
の使用する材料の組成、さまざまな汚染物（ｃｏｎｔａ
ｍｉｎａｎｔｓ　）等である。同じ溶液であっても、メ
ッキ・バスは、それぞれ独立で、異なる。電着（ｅｌｅ
ｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔ　）に影響を及ぼす変数が複雑
であるため、電気メッキ・プロセスは、電気メッキ・バ
スについて化学分析のみで制御することは極めて困難で
ある。

電着の、均一で予測可能な電気的及び機械的特性を得る
ため、電気メッキ・プロセスを特性化し、制御すること
が必要となる。これを実施する一つの方法は、ハル・セ
ル（Ｈｕｌｌｃｅｌｌ　）を使用する方法である。ハル
・セルは、陰極である研摩された金属表面を含むテスト
・パネルを備えることを特徴とするメッキ溶液の小さな
容器（ｓｍａｌｌ　ｖｏｌｕｍｅ）である。研摩された
金属表面は、陽極に対しある角度で配置され、パネルに
おけるさまざまな電流密度でメッキを行うことができる
。パネルの垂直イボジットの重さＫよって間接的に計算
され、所与の電流は一定であると仮定されていた。電流
密度とバスの組成に依存する電着の状態、一般には、あ
いまいさ（ｏｂｓｃｕｒ　ｉ　ｔｙ　）を決定すること
によシ、バスの特性化が可能となる。

ハル・セルの制限の１つに、陰極上の電流分布を直接測
定することができないという点がある。

パネルの縁部からのさまざまな距離に対する電流密度が
所与の電流において一定であるという仮定は、完全に正
しいというわけではない。電流分布は、印加された電流
の関数であるだけでなく、バス組成の関数でもある。陰
極をセグメントに分割して各セグメントを通る電流のモ
ニターを可能とする改良がハル・セルに対して施された
。セグメンｌ−に分割された陰極をモニターする方法の
１つは、各セグメントと共通電源との間に抵抗器を挿入
する。抵抗器による電圧降下は、オームの法則により、
セグメントに流れる電流に直接関係することとなる。例
えば、ヒユーレット・パノカード・カンパニー製のＨＰ
３４９７等のデータ受信装置（ｄａｔａ　ａｃｑｕｉｓ
ｉｔｉｏｎ　　ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ　）を用いて、メ
ッキ・プロセス時の各セグメントに対応した電流密度を
表わす電圧降下をスキャンし、モニターすることができ
る。こうして、電着における電流密度分布の効果（ｅｆ
ｆｅｃｔｓ）とメッキ効率を求めることができる。また
、電流対時間のグラフをプロ２卜することもできる。こ
のように、メッキ・プロセスが陰極のセグメントにおい
て拡散が制限される飽和状態を決定することができる。

セグメントに分割されたハル・セルは有効であるが、プ
リント回路基板の製造においては多（の制限を有する。

陰極がメッキ領域及び非メッキ領域にフォトレジストの
パターンを有する場合、そして、各セグメント毎に陰極
のメッキ領域の幅が異なる場合には、セグメントに分割
されているか否かに関係なく、ハル・セルは陰極から導
れるファクタの影響を決定することができない。セグメ
ントに分割された陰極は、フォトレジストに対スる溶液
の影響及び電着に対するフォトレジストの影響を、フォ
トレジストで分離されたメッキ領域において示すことが
できない。

チエツクボード（ｃｈｅｃｋｅｒ　ｂｏａｒｄ　）のパ
ターンと全円形メッキ形状（ｇｒｏｓｓ　ｃｉｒｃｕｌ
ａｒ　ｐｌａｔｉｎｇｆｅａｔｕｒｅ　）を備えたセグ
メン）Ｋ分割された陰極が開発されている。このような
比較的大きいパターンを用い、フォトレジストの角目数
（ｎｕｍｂｅｒｏｆ　ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ　５ｑｕ
ａｒｅｓ）によりてレジストの安定性を決定した。この
フォトレジストの目は標準接着テープで取シ去ることが
できる。全円形形状の金属の厚さを測定し、メッキの品
質を目視検査することによって、上記の設計でメッキの
均一性を確立することができた。このような設計では、
小さい幾何学構造に対するフォトレジストの効果とすぐ
隣接するメッキ領域における微量不純物による影響を表
わすことができないので制限される。

また、金属ディポジシ」ンに対するフォトレジストの現
像後の洗浄による影響と、続いて金属を汚染する、フォ
トレジストの側表面上で生じるフォトレジスト洗浄剤（
ｃｌｅａｎｅｒ　）の吸収の影響も表わすことかできな
い。他の制限事項は、陰極上のフォトレジストが不純物
の混入と、陰極表面の小さい領域内で流体流の摂動（ｐ
ｅｒｔｕｂａｔｉｏｎｓ　）が生じる場合、これらによ
る効果を決定することができないことである。

プリント回路基板は複雑な陰極であり、数千もの回路素
子または集積回路パッケージを収納し、接続させること
が可能な基板のための相互接続導電体ネットワークの複
雑な設計を必要とする。また、フォトイメージング（ｐ
ｈｏｔｏ　ｉｍａｇｉｎｇ　）の間、陰極はきわめて多
面的な（ｍｙｒｉａｄ　）プロセスを受ける可能性があ
る。フォトイメージ・プロセスには、フォトレジストの
付着表面の前処理、フォトレジストの露光、フォトレジ
ストの現像、リンスまたは現像の停止、フォトレジスト
のベーキング、フォトレジストの現像後の洗浄、特定の
フォトイメージング技術に固有の他のプロセスを必要と
する。陰極表面に直接または間接的にこれらのプロセス
を施し、陰極表面上の結果は、後続のメッキ・プロセス
に影響を及ぼす可能性がある。このよ５な結果は、メッ
キ・プロセスを特性化するため、制御及び試験をする必
要となる。従来のハル・セル設計は、どれも、陰極のラ
イン幅と陰極の複雑なパターンに対する流体のかくはん
効果とプリント回路基板の以前の洗浄の結果とメッキ・
プロセスによる陰極マスキング領域におけるフォトレジ
スト・パターンの安定性に関するメッキ結果と、プリン
ト回路基板の以前の洗浄及びメッキ・プロセスにおける
フォトレジスト・パターンの結果の関数である、陰極表
面における電流密度の分布の完全で正確な特性化を行う
ことができない。さらに、従来の設計では、フォトイメ
ージング及びメッキ・プロセスの組み合わせにおける解
像度の定量測定を行なうことができない。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上述の問題点を解消し、さまざまなメ
ッキ領域の幅を備え、製造中に多くの７０セスが行なわ
れるプリント回路基板についてもメッキ・プロセスを制
御可能にする。

〔発明の概要〕

本発明は、従来の限界を克服するためのプリント回路基
板の製造における電気化学的反応プロセスを試験する装
置を得る。本発明に係る装置は、誘電部分と表面を有す
る電極部分を備えたプリント回路基板から構成される。

プリント回路基板の電極表面部分に形成されたフォトレ
ジスト・テスト・パターンは、２つのメッキ領域を互い
に分離するフォトレジストの蛇状ライン（ｓｅｒｐｅｎ
ｔｉｎｅｌｉｎｅ）と、ラインの間にスペースが形成さ
れ、蛇状ラインとスペースは、フォトレジストのライン
幅と、メッキ・スペースの幅の関数として、電極表面に
おける電流密度の分布が決定できるように設けられる。

本発明は、従来のものとは異なり、フォトレジストとイ
メージ設計及び構成、メッキ前処理、メッキ・バスの組
成、電流密度、電流分布に関するかく拌の型式、メッキ
の厚さの均一度、デイポジションの状態、メッキの効率
、フォトレジストの完全性（電気メッキ・プロセス条件
の安定性と耐性）等の結合した結果に関する容量・情報
を得ることができる。

〔発明の実施例〕

第１図に、標準的なノ１ル・セルを示す。７％７し・１
４め約半分の長さの側壁１２を有する。２つの内角は、
図示するように、６０度と３０度である。

メッキが施される陽極３０と陰極２０が、イオン溶液に
浸される。陽極３０と陰極２０に、電源７０への回路を
完成させるためのリード線が受けつけられる。

第２図は、いくつかの異なる陰極の設計を示す。

を初のハル・セルの陰極は、ブランク金属プレート（ｂ
ｌａｎｋ　ｍｅｔａｌ　ｐｌａｔｅ　）　８０である。

リード線は、金属プレートに直接接続される。メッキが
施された後、プロセスの品質はメッキされた表面の目視
検査を行ない、電流密度がパネルに印加される電流と垂
直縁部からの距離の関数と仮定することによって決定さ
れる。これは、１９６６年にＲｏｂｅｒｔ　Ｄｒａｐｅ
ｒ　Ｌｔｄ、で出版されたＷａｌｔｅｒＮｏｈｓｅ氏著
のｒＴｈｅＨｕ目ｃｅ目」　に記載されている。他の設
計９０は、セグメントに分割された陰極である。メッキ
される金属がセグメント９２内に位置する。キャリヤ材
料９４は誘電体で、プロセス中に電気メッキされない。

設計１１０では、最初にフォトイメージ・パターン１１
６を用いる。フォトイメージ・パターンは、電着プロセ
ス後におこなうフォトレジストの完全性（ｉｎｔｅｇｒ
ｉｔｙ　）の試験に用いられるグリッド（ｇｒｉｄ）と
、電着の厚さと状態を測定するための大きな円形領域を
組み合わせたものである。メッキの厚さは、例えば、メ
ッキ・プロセス後のβ線後方散乱方法等の非破壊的方法
によって測定することができる。

第３図に、セグメントに分割された陰極２０を使用し、
ハル・セルとの接続を示す。陰極の各セグメントは、抵
抗器（Ｒ１−Ｒ１０）と接続する。

抵抗器Ｒ１の一方の端部は、導電体６０を介して電源７
０と接続し、もう一方の端部は、陰極２０と、抵抗器Ｒ
１による電圧降下の測定と記録をおこなうデータ受信ユ
ニッｌ−３０４の両方に接続される。データ受信ユニッ
ｌ−３０４は電源３０６と照合する。プログラマブルな
電源７０は、例えば、ヒユーレット・パラカード・カン
パニー製のＨＰ６０１２等が用いられる。抵抗器による
電圧降下は、陰極のセグメントを流れる電流の直接的な
尺度となる。

陽極からの距離の関数である、陰極についての電流分布
の定量分析を行なうことができる。データは、例えば、
ヒユーレット・パラカード・カンパニー製のＨＰ９８２
６等のデスクトップ・コンピュータ（３００）またはＨ
Ｐ　　Ｖｅｃｔｒａ　　等のＰＣＫダウンロードさせて
処理することができる。その結果は、プリンタ３０２に
よってプリントアウトすることができる。

第４図に、セグメントに分割された陰極の初期状態の実
施例を示す。テスト用プリント回路基板４００のフォト
レジスト・パターン４２２は、陰極の各セグメント４１
２．４１４．４１６．４１８．４２０をマスクし、メッ
キ・スペース領域４０２．４０４．４０６．４０８゜４
１０を形成する。本実施例では、各スペースは、他の陰
極セグメントにおけるスペースと比べると、その幅は異
なるが、長さは同じである。メッキ・プロセスの間、各
セグメントに流れる電流は、時間に基づいてモニターさ
れ、記録される。電流及びメッキ・スペース領域は、各
セグメントについて既知なので、電流密度の計算が可能
となる。各セグメントを流れる電流は、そのセグメント
の抵抗器による電流降下を測定することによって導出さ
れる。オームの法則ＩＲ＝■から、セグメントへの電流
をＩ＝ｖ／Ｒから計算することができる。

電流密度ｔｉ）は、セグメントのメッキ領域内で電流中
を割ったもの、ｉ　＝　Ｉ　／　Ａである。ファラデー
の法則を利用し、電流密度とメッキ時間から各セグメン
トにおけるメッキの厚さを計算することができもこの厚
さは、電流密度と時間の積に比例し、デイポジットされ
る所定の金属の比重に反比例する。

厚さ（Ｔ）は、（電流密度（ｉｌ）Ｘ　（時間（１３）
　Ｘ　（デイポジットされた金属の原子当りグラム数（
ｇ／ａｔｏｍ））×（電荷の単位当りのデイポジットさ
れた金属の原子数（ａｔｏｍ／ｅｌｅｃｔｒｏｎ）　）
　Ｘ　（単位ダラム当りの体積（ｃｒ／ｌ／　ｇ））、
すなわち、Ｔ　＝　ｉ　ｘ　ｔ　ｘ　ｇ／ａｔｏｍｘ　
ａｔｏｍ／　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｘ　ｃ１ｄ／ｇである
。

そして、プロセスの効率を測定することができる。最初
Ｋ、β線後方散乱方法または断面法（ｃｒｏｓｓ−ｓｅ
ｃｔｉｏｎｉｎｇ）　　等の非破壊測定方法を用いて、
実際の厚さを測定する。効率は、計算で求めた厚さに対
する実際の厚さの比を求めることによって得られる。

このテストのも５１つの結果として、陰極の異なるセグ
メントにおける電流密度の比を求めることＫよって、電
流密度分布を測定することができる。

こうして、電着プロセスを特性化し、最適化することが
可能となり、また、所与のメッキ厚さの公差に対するメ
ッキのライン幅の比に関連して、設計条件を定義するこ
とが可能となる。メッキの厚さの公差は、所与のライン
幅の比に対して推測されるメッキの厚さの均一度である
。

第５Ａ図に１本発明の一実施例を示す。本実施例では、
セグメン）Ｋ分割された陰極と共に用いられ、いくつか
のセグメントには、フォトレジスト層１２２中にパター
ン形成される。好適な実施例では、同様なフォトレジス
トパターンがそれぞれ形成される１０個のセグメントを
備えている。

このパターンには、メッキ時におけるフォトレジストの
［リフトアップ（ｌｉｆｔ　ｕｐ）Ｊによって生じる短
絡をチエツクするためのテスト・パターン１２４、１２
６．１２８．１３０　　が含まれる。「リフトアップ」
は、金属ベースに対するフォトレジストの接着不良、メ
ッキ・プロセス以前の現像、電気メッキ以前の洗浄、フ
ォトレジストに対するメッキ溶液の腐食作用、電解液の
フォトレジストによる微小汚染物質に起因する電気メッ
キの効率低下、不純物、異常かく拌、メッキとフォトレ
ジストの側壁との相互作用等による結果と考えられる。

パターンは、はぼ直交する成分（ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ
　ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ）が得られるよ５に構成される
。この場合、デバイス１２４．１２６は、デバイス１２
８，１３０から９０度回転した位置に配置され、１２４
．１２６はメッキ・プロセス中、重力に対して実質的に
水平位置となり、デバイス１２８．１３０は、メッキ・
プロセス中、重力に対して実質的に垂直位置となる。こ
のパターンを用いることによって、デイポジションの品
質、フォトレジストの安定性、効率等に対する、電流密
度、フォトレジスト、フォトレジスト処理、前洗浄、バ
スの組成、かく拌の組合せ効果に関する情報を得ること
ができる。

他の実施例では、隣接したセグメントのイメージは、同
じメッキ面積を有するが、ライン幅が異なる。このパタ
ーンもまた所与のフォトレジストのライン幅とメッキ・
スペースの寸法に対するプロセスの効率及び所与のフォ
トレジストのライン幅とメッキ領域のスペースの寸法に
対するメッキの厚さの均一度を確認するために用いるこ
とができる。

デバイス１３２は、完全なプロセスの解像度をチエツク
する。第５Ｂ図に、解像度パターン１３２の詳細を示す
。パターンは、互いに補足して、解像度の限界を示すよ
うに設計されたパターン群である。メッキ・スペース領
域は幅が異なシ、メッキ・スペース５１０は、２つの５
１４のスペースより狭（、スペース５１２は２つの５１
４のスペースより広（、スペース５１４はどちらも等し
い。デバイス１３２のフォトレジスト・フィンガーは、
その対応するスペースと逆になるように、異なる幅を備
える設計が施されており、各セクト毎に、ライン５１６
は５２０より広く、ライン５１８は５２０より狭い。幅
はあらかじめ選択された量だけ異なるので、解像度の定
量化が可能である。解像度は、顕微鏡による目視検査に
よって決定することが可能である。第５Ｃ図には、縁部
２００が、パターンの一方の側からもう一方の側におい
て直線であるので、５の解像度が示される。その決定を
行なうもう１つの方法は、オフセットのない、−列に並
んだフォトレジストのバーにおけるフォトレジストの縁
部である。完全な直線縁部を有するパターンがなければ
、解像度を、内挿及び外挿で求めることができる。

デバイス１３４は、メッキ後の、フォトレジストの完全
性の試験をおこなうために設計される。このデバイスは
、一連のフォトレジストの角目（ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉ
ｓｔ　５ｑｕａｒｅｓ　）から構成される。完全性は、
表面からどれだけ簡単に７オトレジストの角目が引き離
されるかによって決定される。

上述のパターンは、大きい矩形メッキ領域１３６等の他
のパターンと組み合わせることができる。

β線後方散乱方法等の厚さを測定する前述した非破壊方
法をこれらのパターンに用いることが可能である。厚さ
を求め、電流密度とメッキ時間を測定することによって
、メッキの効率を計算することができる。また、この領
域は、表面の明るさ、あらさ、樹脂状結晶に関する目視
検査に用いることができる。

メッキ・プロセスの間、セグメントに流れる電流は、第
３図に示すようにモニターされ、記録される。もう１つ
のプレートにおける第１のセグメントに対応するセグメ
ントに、同じセットのパターンがメッキされる。第２の
メッキ・プロセスの間、電流がモニターされ、記録され
る。こうして電流分布は、２つの異なるセグメントの電
流密度の比として比較することができる。さまざまなフ
ォトレジスト洗浄剤、フォトイメージング・プロセス、
かく拌スケームバスの組成による゛影響は、プレート毎
に生じるさまざまな電流分布に関連して比較することが
できる。周知の統計方法を用いて、変化の重要性及び可
能な大きさを求めることができる。蛇状パターンを用い
ることにより、外観と短絡に関する電気グローブの他の
２つの決定が可能となる。これらの決定については、第
６図に示す。

第６Ａ図には、デバイス１２４よりさらに複雑な実施例
を示す。第１の設計は、ラインとスペースが交互に形成
されるようにメッキするため、６１２から２つの領域６
０２を分割する、フォトレジスト６００の蛇状ラインで
ある。各ラインとスペースは、幅を変化させることが可
能であるか、または、ラインとスペースの幅を一定とす
ることもできるが、各陰極セグメントは、テストの目的
に従って、ラインとスペースの幅が異なるように設定す
る。第６Ｂ図の第２の設計は、６０８から２つのメッキ
領域６０６を分割するフォトレジスト６１４の矩形で蛇
状のラインである。同様にその説明を行なうので、メッ
キ領域の形状を参照する。複数のまたを備えたフォーク
の形状に設計された２つのメッキ領域が、組み合わさり
、フォトレジストによって分離される。陰極のセグメン
トは、これらの多くの発明を備えることができる−。パ
ターンの一部は、システムの陰極及びか（拌に対し、さ
まざまな角度に回転させることができる。例えば、３つ
の設計を並べて、１つの方向におけるアライメントをと
ることができる。他の１列のパターンに９０度回転する
位置につくように配向を施し、３つの設計がその列に対
し並ぶようにすることもできる。

このパターンを含むセグメントに流れる電流をモニター
し、記録して、プレート毎に電流の比較を行なうだけで
なく、他の２つの決定手順を用いることもできる。まず
、顕微鏡等の拡大手段を用いて、パターンを検査するこ
とができる。第６０図に観測可能な効果のいくつかを示
す。フォトレジストのライン間におけるメッキ領域に、
微小汚染物による影響を見ることができる。フォトレジ
ストのラインは、か（電流の方向にシャドー効果６５０
を生じる可能性がある。バスの溶液が減少するにつれて
、これは上昇する。この上昇と共に、フォトレジストの
ライン６１４によって、６５２とチャネルが形成される
。チャネルに流される溶液は、溶液に溶解するフォトレ
ジストの副産物を運ぶ。

チャネルのより広いメッキ領域６０８の頂部の状態に、
このようなプロセスには効果が表わされる。

この状態は、異なるプロセスを施された他のパターンと
比較することができる。標準的な輝度レベルの判定方法
または耐腐食能力を用いて、特定のデイポジットに基づ
く判断を行なうことができも他の判定手順は、蛇状の各
パターンの２つの広いメッキ領域に電圧計グローブを配
置させることである。理論的には、無限大ではなくても
、抵抗はかなり大きくなる。短絡が存在する場合、抵抗
が小さくなるので、このような短絡及び微小短絡を電気
的に測定することができる。異なるプリント回路基板に
おいて、パターン毎に、抵抗を比較することもできる。

本発明の詳細な説明は、例示及び解説のために行なった
ものである。これは、全てを網羅しようとしたものでも
なければ、あるいは、開示の形態そのままに本発明を制
限しようとしたものでもなく、上述の教示にかんがみて
、他の修正及び変更を行なうことも可能である。実施例
は、本発明の原理及びその実際上の適用について最もよ
く明らかになるように選択し、解説したものであり、そ
の結果、当業者が企図する特定の用途に適合したさまざ
まな実施例及び修正において、本発明を最も有効に利用
できるように意図したものである。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明では電気化学的プロセス、
即ちメッキ・プロセスの結果を試験するためのさまざま
なフォトイメージ・パターンを設け、プリント回路基板
等の複雑で多様な大きさの領斌のメッキ・プロセスを可
能にする。

【図面の簡単な説明】

第１図はハル・セルの概略図。 第２図は本発明の一実施例である電気メッキのだめの陰
極の平面図。 第３図はハル・セルとデータ受信に組込んだ本発明の一
実施例の概略図。 第４図は本発明の一実施例を用いたプリント回路基板の
平面図。 第５Ａ図から第５Ｃ図は本発明の一実施例を用いたプリ
ント回路基板の部分詳細図。 第６Ａ図から第６Ｃ図は本発明の他の実施例を用いたプ
リント回路基板の平面図。 ｌＯ：バス容器、　　２０：陰極、 ３０：陽極、　　　　４０：イオン溶液、７０：電源、 ３００：デスクトップ・コンピュータ（ｐｃ）、３０２
：プリンタ、 ３０４：データ受信ユニット、 ４００：テスト用プリント回路基板。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）誘電体部分と表面を有する電極部分を備えるプリ
   ント回路基板と前記電極部分の表面上に形成されるフォ
   トレジスト・テスト・パターンを含み、前記テスト・パ
   ターンは２つのメッキ領域に分離する一組のラインと前
   記ラインの間のスペースから成り、前記ラインとスペー
   スを前記電極部分の表面における電流分布がフォトレジ
   ストのライン幅とメッキ・スペースの幅の関数で決定で
   きるように設けることを特徴とするプリント回路基板の
   製造における電気化学反応プロセスの試験装置。
2. （２）次の（イ）から（リ）から成るプリント回路基板
   の電着方法。 （イ）ハル・セルに用いられるように設計された、被試
   験プリント回路基板の電極部分表面上にフォトレジスト
   ・テスト・パターンをフォトイメージングし、前記フォ
   トレジスト・パターンは第１と第２の２つのメッキ領域
   に分離するフォトレジストのラインから成り、前記ライ
   ンの第１と第２の部分間にメッキ・スペースを設け、 （ロ）前記被試験プリント回路基板を電極としてハル・
   セルに設置し、前記ハル・セルはプリント回路基板の生
   成に用いられるメッキ・バスを含み、 （ハ）電流モニタ手段と記録手段を被試験プリント回路
   基板に取りつけ、 （ニ）被試験プリント回路基板上に電着し、（ホ）メッ
   キ時間を測定し、 （ヘ）被試験プリント回路基板上の電流密度及びメッキ
   の厚さを計算し、 （ト）ハル・セルによる電着後、被試験プリント回路基
   板を取外し、 （チ）実際のメッキの厚さを測定し、 （リ）前記メッキの厚さの実測値と前記の計算値と比較
   する。