JP2730136B2

JP2730136B2 - 光学ピツクアツプ装置

Info

Publication number: JP2730136B2
Application number: JP1037871A
Authority: JP
Inventors: 芳幸松本
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1988-03-18
Filing date: 1989-02-17
Publication date: 1998-03-25
Anticipated expiration: 2013-03-25
Also published as: JPH01315036A

Description

【発明の詳細な説明】本発明を以下の順序で説明する。

Ａ産業上の利用分野Ｂ発明の概要Ｃ従来の技術Ｄ発明が解決しようとする課題Ｅ課題を解決するための手段Ｆ作用Ｇ実施例Ｈ発明の効果Ａ産業上の利用分野本発明は、レーザ光ビームを光学記録媒体に入射させ
るとともに、光学記録媒体からの反射レーザ光ビームを
受けて光検出器に導き、光検出器から光学記録媒体に記
録された情報の読取出力を得る光学ピックアップ装置に
関する。

Ｂ発明の概要本発明は、レーザ光ビームを光ディスク等の記録媒体
に入射されるとともに、記録媒体からの反射レーザ光ビ
ームを受けて光検出器により検出し、光検出器から反射
レーザ光ビームに応じた検出出力を得る光学ピックアッ
プ装置において、半導体基板に第１及び第２の光検出器
が形成されるとともにその半導体基板上に半導体レーザ
素子と光半透過反射面を有するプリズムとが配されたも
のとされ、プリズムの光半透過反射面が、半導体レーザ
素子から発せられたレーザ光ビームを記録媒体側へと反
射させ、かつ、記録媒体側からのレーザ光ビームを透過
させるものとされるとともに、半導体基板とプリズムと
の間に単層構成の保護膜部と保護膜部の屈折率に近似し
た屈折率を有するものとされた接着層部とが設けられ
て、プリズムにその光半透過反射面から入射してプリズ
ムを透過したレーザ光ビームの一部が第１の光検出器に
到達せしめられるとともに他の一部がプリズムの内部側
に反射せしめられ、かつ、プリズムの表面部でさらに反
射してプリズムを透過した上述のレーザ光ビームの他の
一部が第２の光検出器に到達せしめられるものとなすこ
とにより、半導体基板上に単層の保護膜部と保護膜部の
屈折率に近似した屈折率を有する接着層部とが設けられ
て成る簡略化された構成をもって、プリズムにその光半
透過反射面を透過して入射する記録媒体側からのレーザ
光ビームを、第１及び第２の光検出器の夫々に適正に導
くことができるようにしたものである。

Ｃ従来の技術光学式ディスク・プレーヤにおいては、光ディスクに
レーザ光ビームを入射させて光ディスクに記録された情
報の読取りを行うものとされる光学ピックアップ装置が
装備される。斯かる光学ピックアップ装置は、レーザ光
ビームを発生し、それを光ディスクに形成された極めて
狭小な記録トラック上に適正な集束状態をもって入射さ
せて、記録トラックに正確に追従させ、さらに、光ディ
スクの記録トラックからの反射レーザ光ビームを、光検
出器に的確に導くことが要求され、従って、半導体レー
ザ素子，各種のレンズ，光ビームスプリッタ，ミラーあ
るいはプリズム，光検出器等の種々の光学素子が精密配
置されて構成される。そのため、通常の光学ピックアッ
プ装置は、比較的大容積とされる光学素子配置空間を要
し、また、各部についての煩わしい調整作業が必要とさ
れるものとなり易い。

このような事情に関連して、上述の如くの光学ピック
アップ装置に伴われる不都合を解消できる改良された光
学ピックアップ装置として、半導体基板に光検出器が形
成されるとともに、その半導体基板上にレーザ光ビーム
を発する半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子により
発せられたレーザ光ビームを光ディスク等の光学記録媒
体側に導くとともに、光学記録媒体からの反射レーザ光
ビームを光検出器に導くプリズムとが配されて構成され
る集積型の光学ピックアップ装置が、本願出願人により
すでに提案されている（特願昭61−38576号）。

斯かる集積型の光学ピックアップ装置にあっては、例
えば、第４図に示される如くの構成がとられる。この構
成においては、半導体基板11の内部に第１及び第２の光
検出器12及び13が配列形成され、また、半導体基板11上
に半導体レーザ素子14が半田付けされて配置される。そ
して、半導体基板11における半導体レーザ素子14が配さ
れた面が保護膜15によって覆われ、斯かる保護膜15上に
おける第１及び第２の光検出器12及び13の上方となる位
置に、プリズム16が配される。プリズム16は、半導体レ
ーザ素子14に対向する面が、半導体基板11における半導
体レーザ素子14が配された面に対して傾斜した光半透過
反射面16aを形成するものとされる。

このようなもとで、半導体レーザ素子14から発せられ
るレーザ光ビームLiが、プリズム16の光半透過反射面16
aで反射され、対物レンズ17により集束されて、光ディ
スク18の記録トラック18aに入射せしめられる。そし
て、光ディスク18の記録トラック18aからの反射レーザ
光ビームLrが、対物レンズ17を通じて戻り、プリズム16
の光半透過反射面16aを透過してプリズム16内に入射す
る。プリズム16内に入射した反射レーザ光ビームLrは、
その一部分が第１の光検出器12に到達するとともに、他
の一部分がプリズム16内で反射して第２の光検出器13に
到達するものとされる。その際、反射レーザ光ビームLr
は、プリズム16内に形成される、第１の光検出器12から
第２の光検出器13に至る光路上において、集束点を有す
るものとなるように設定される。

従って、第１及び第２の光検出器12及び13の夫々から
は、光ディスク18の記録トラック18aからの反射レーザ
光ビームLrの検出出力信号が得られ、それらに基づいて
情報読取信号，トラッキング・エラー信号，フォーカス
・エラー信号等が形成される。

第５図は、例えば、フォーカス・エラー信号が形成さ
れる構成を示す。斯かる構成においては、第１の光検出
器12が、中央感光素子12aとそれを挾む両側感光素子12b
及び12cとが同一面内に配されて形成され、また、第２
の光検出器13が、中央感光素子13aとそれを挾む両側感
光素子13b及び13cとが同一面内に配されて形成されるも
のとされる。そして、第１及び第２の光検出器12及び13
の夫々の上に形成される反射レーザ光ビームLrによるス
ポットに応じて、感光素子12a〜12c及び13a〜13cの各々
から検出出力が得られるが、感光素子12b及び12cの夫々
からの検出出力が加算器20において加算され、加算器20
からの加算出力と感光素子12aからの検出出力とが減算
器21において減算されて、減算器21から減算出力Saが導
出され、また、感光素子13b及び13cの夫々からの検出出
力が加算器22において加算され、加算器22からの加算出
力と感光素子13aからの検出出力とが減算器23において
減算されて、減算器23から減算出力Sbが導出される。そ
して、減算出力Saと減算出力Sbとがさらに減算器24にお
いて減算されて、減算器24から減算出力Scが得られる。

第１及び第２の光検出器12及び13の夫々の上にスポッ
トを形成する反射レーザ光ビームLrは、光ディスク18の
記録トラック18aに入射するレーザ光ビームLiがジャス
ト・フォーカス状態にあるとき、プリズム16内に形成さ
れる第１の光検出器12から第２の光検出器13に至る光路
上における中間位置に集束点を有するものとされ、ま
た、レーザ光ビームLiがオーバー・フォーカス状態にあ
るとき、プリズム16内に形成される第１の光検出器12か
ら第２の光検出器13に至る光路上における中間位置より
第１の光検出器12側の位置に集束点を有し、さらに、レ
ーザ光ビームLiがアンダー・フォーカス状態にあると
き、プリズム16内に形成される第１の光検出器12から第
２の光検出器13に至る光路上における中間位置より第２
の光検出器13側の位置に集束点を有するものとされる。
このため、第１及び第２の光検出器12及び13の夫々にお
けるスポットは、レーザ光ビームLiがジャスト・フォー
カス状態にあるとき、互いに等しい寸法を有し、また、
レーザ光ビームLiがオーバー・フォーカス状態にあると
き、第１の光検出器12におけるスポットがジャスト・フ
ォーカス状態時より小となるとともに、第２の光検出器
13におけるスポットがジャスト・フォーカス状態時より
大となり、さらに、レーザ光ビームLiがアンダー・フォ
ーカス状態にあるとき、第１の光検出器12におけるスポ
ットがジャスト・フォーカス状態時より大となるととも
に、第２の光検出器13におけるスポットがジャスト・フ
ォーカス状態時より小となる。

従って、上述の減算出力Sa及びSbは、夫々、第６図に
おいて一点鎖線及び破線にて示される如くに、レーザ光
ビームLiの光ディスク18の記録トラック18aにおけるフ
ォーカス状態に応じたレベル変化を有するものとなる。
それにより、減算出力Scは、第６図において実線にて示
される如くに、レーザ光ビームLiが光ディスク18の記録
トラック18aにおいてジャスト・フォーカス状態にある
ときそのレベルを零とし、オーバー・フォーカス状態に
あるときとアンダー・フォーカス状態にあるときとで
は、極性を異にするレベルを対称的にとるものとなり、
フォーカス・エラー信号とされる。

上述の第４図に示される光学ピックアップ装置は、そ
の部分拡大図である第７図に示される如くの詳細構成を
とるものとされている。即ち、半導体基板11上に設けら
れた保護膜15は、例えば、SiO₂（酸化シリコン）で形成
された第１の層15aとその上にSi₃N₄（シリコンナイトラ
イド）で形成された第２の層15bとから成る２層構造を
有するものとされており、斯かる保護膜15を形成する第
２の層15b上に、プリズム16が接着剤層25によって固定
されている。そして、プリズム16の保護膜15に対向する
下面16bにおける第１の光検出器12に対応する部分に
は、例えば、10層程度とされる多層光半透過膜26が、真
空蒸着手法により形成されている。

そして、プリズム16の光半透過反射面16aを透過して
プリズム16内に入射した反射レーザ光ビームLrは、プリ
ズム16内を進んで多層光半透過膜26に入射し、多層光半
透過膜26により、その一部分が多層光半透過膜26を透過
し、さらに、接着剤層25及び保護膜15を透過して第１の
光検出器12に到達するものとされ、また、他の一部分が
多層光半透過膜26においてプリズム16の内部側に反射さ
れ、さらに、プリズム16の上面16cにおいて再度プリズ
ム16の内部側に反射され、その後、接着剤層25及び保護
膜15を透過して第２の光検出器13に到達するものとされ
る。即ち、この場合、プリズム16内に入射した反射レー
ザ光ビームLrの第１及び第２の光検出器12及び13の夫々
への分配が、プリズム16の下面16bに設けられた多層光
半透過膜26によって行われるのである。

Ｄ発明が解決しようとする課題しかしながら、上述の如くに、光半透過反射面が設け
られたプリズムが使用される集積型光学ピックアップ装
置においては、半導体基板上に設けられる保護膜が、例
えば、SiO₂の層とSi₃N₄の層とが積層された２層構造を
有するものとされるので、Si₃N₄の層の形成時における
膜厚の均一化に困難が伴われることになって、保護膜の
膜厚が不均一とされることに起因して光学特性の不安定
化がまねかれる虞があり、また、製造コストが嵩んで高
価なものとなってしまう不都合がある。

斯かる点に鑑み、本発明は、半導体基板に第１及び第
２の光検出器が形成されるとともにその半導体基板上に
半導体レーザ素子と光半透過反射面を有するプリズムと
が配されて構成され、プリズムの光半透過反射面が、半
導体レーザ素子から発せられたレーザ光ビームを光ディ
スク等の記録媒体側へと反射させて記録媒体に入射せし
められるようになすとともに、記録媒体側からのレーザ
光ビームを透過させて第１及び第２の光検出器の夫々に
導かれるようになして、第１及び第２の光検出器から記
録媒体側からのレーザ光ビームに応じた検出出力を得る
ものとされ、その際、製造が容易とされて光学特性の安
定化が図られる、簡略化された構成をもって、光半透過
反射面を透過してプリズム内に入射した記録媒体側から
のレーザ光ビームの第１及び第２の光検出器の夫々への
分配を、適正に行うことができる光学ピックアップ装置
を提供することを目的とする。

Ｅ課題を解決するための手段上述の目的を達成すべく、本発明に係る光学ピックア
ップ装置は、半導体基板上に配された半導体レーザ素子
と、その半導体基板に形成された第１及び第２の光検出
器と、半導体基板上に位置し、半導体レーザ素子に対向
する面が、半導体基板の半導体レーザ素子が配された面
に対して所定の角度をもって傾斜せしめられた光半透過
反射面となされたプリズムとを備えて成り、光半透過反
射面が、半導体レーザ素子から発せられたレーザ光ビー
ムを記録媒体側へと反射させるとともに、記録媒体側か
らのレーザ光ビームを透過させて、光半透過反射面を透
過してプリズムに入射し、プリズムを通過したレーザ光
ビームの一部が、第１の光検出器に到達せしめられると
ともに、プリズムを通過したレーザ光ビームの他の一部
が、プリズムの内部側に反射せしめられ、かつ、プリズ
ムの表面部でさらに反射して、第２の光検出器に到達せ
しめられる状態を生じさせ、プリズムが、半導体基板に
おける少なくとも第１及び第２の光検出器が形成された
部分を覆うべく配された単層構成の保護膜部と、保護膜
部上に形成されて保護膜部の屈折率に近似した屈折率を
有するものとされた接着層部とを介して、半導体基板上
に配されるものとされる。

Ｆ作用このような構成を有する本発明に係る光学ピックアッ
プ装置においては、半導体レーザ素子から発せられたレ
ーザ光ビームが、プリズムの光半透過反射面において記
録媒体側へと反射され、記録媒体に入射せしめられる。
そして、記録媒体からの反射レーザ光ビームが、プリズ
ムの光半透過反射面を透過してプリズム内に入射する。
プリズム内に入射した反射レーザ光ビームは、プリズム
を通過した後、その一部が接着層部及び保護膜部を透過
して半導体基板に形成された第１の光検出器に到達する
ものとされ、また、他の一部がプリズムの内部側に反射
され、さらに、プリズム内において反射されて、接着層
部と保護膜部とを透過し、半導体基板に形成された第２
の光検出器に到達するものとされる。そして、第１及び
第２の光検出器の夫々から、反射レーザ光ビームに応じ
た検出出力が得られる。

従って、本発明に係る光学ピックアップ装置にあって
は、プリズム内に入射した反射レーザ光ビームの第１の
光検出器及び第２の光検出器の夫々への分配が、半導体
基板上に、例えば、SiO₂の層とされる単層の保護膜部と
保護膜部の屈折率に近似した屈折率を有する接着層部と
が設けられて成る、製造が容易とされて光学特性の安定
化が図られる簡略化された構成のもとに行われることに
なり、製造コストの大幅な低減が図られる。

Ｇ実施例第１図は、本発明に係る光学ピックアップ装置の一例
を概略的に示す。この例も、記録媒体として、例えば、
光ディスクを選択するものとされ、光ディスクとの関係
は、上述の第４図に示される光学ピックアップ装置の場
合と同様なものとされる。

第１図に示される例においては、半導体基板31の内部
に第１及び第２の光検出器32及び33が配列形成され、ま
た、半導体基板31の上面31aに半導体レーザ素子34が錫
半田35により半田付けされて配置されている。そして、
半導体基板31の上面31aが、錫半田35が配された部分を
除いて保護膜41によって覆われている。

保護膜41は、略均一な厚みを有して平坦な表面を形成
する単層構造をとるものとされていて、例えば、半導体
基板31の上面31aを他の部材による浸食から保護する役
割を果たすべく、屈折率を略1.46とするSiO₂によって形
成され、その厚みが、例えば、略4,500〜5,000Å程度に
選定される。

さらに、保護膜41における第１及び第２の光検出器32
及び33の上方となる位置には、プリズム36が、その屈折
率を、SiO₂の屈折率に近似した、略1.56とするエポキシ
樹脂系の接着剤で形成された接着層43を介して固定され
ている。接着層43は、その厚みが、例えば、略２〜10μ
とされて、上述の保護膜41の厚みに比して大なる厚みを
有するものとされるとともに、その屈折率がSiO₂の屈折
率に近似したものとされており、それにより、例えば、
保護膜41の厚みの変化がほとんど光学特性に影響を及ぼ
さないものとされることになる。そして、プリズム36の
保護膜41に対向する下面36bにおける第１の光検出器32
に対応する部分には、例えば、10層程度とされる多層光
半透過膜45が、真空蒸着手法により形成されている。

プリズム36は、半導体レーザ素子34に対向する面が、
半導体基板31の上面31aに対して傾斜しており、また、
光半透過反射膜が設けられて、光半透過反射面36aを形
成するものとされている。

このようなもとで、半導体レーザ素子34から発せられ
るレーザ光ビームLi′が、プリズム36の光半透過反射面
36aで反射され、第４図に示される光ディスク18と同様
に配された光ディスクの記録トラックに入射せしめられ
るとともに、斯かる光ディスクの記録トラックからの反
射レーザ光ビームLr′が、プリズム36の光半透過反射面
36aを透過してプリズム36内に入射するものとされる。
そして、半導体レーザ素子34は、発生するレーザ光ビー
ムLi′の波長を、例えば、780nmとするものとされ、ま
た、プリズム36の光半透過反射面36aを透過してプリズ
ム36内に入射する反射レーザ光ビームLr′が、例えば、
Ｓ偏光となるように設定される。

プリズム36内に入射した反射レーザ光ビームLr′は、
プリズム36を通過し、下面36bにおける第１の光検出器3
2の上方に対応する位置に配された多層光半透過膜45に
入射し、多層光半透過膜45により、その一部分が多層光
半透過膜45を透過し、さらに、接着層43及び保護膜41を
透過して第１の光検出器32に到達せしめられるものとさ
れ、また、他の一部分が多層光半透過膜45においてプリ
ズム36の内部側に反射され、プリズム36の内部をその上
面36cにおいて反射して進み、再び、その下面の36bから
出射して、第２の光検出器33の上方における接着層43及
び保護膜41を透過し、第２の光検出器33に到達せしめら
れる。

このようにして、第１図に示される例においては、プ
リズム36内に入射した反射レーザ光ビームLr′が、多層
光半透過膜45により、その一部分が第１の光検出器32に
到達せしめられるものとされるとともに、他の一部分が
第２の光検出器33に到達せしめられるものとなるように
分配されることにより、分配された反射レーザ光ビーム
Lr′の部分は、夫々、接着層43及び保護膜41を透過して
第１の光検出器32及び第２の光検出器33に入射し、第１
及び第２の光検出器32及び33から、それらに入射する反
射レーザ光ビームLr′の部分に応じた検出出力が得ら
れ、それらに基づいて情報読取信号，トラッキング・エ
ラー信号，フォーカス・エラー信号等が形成される。

なお、斯かる例においても、反射レーザ光ビームLr′
は、光ディスクの記録トラックに入射するレーザ光ビー
ムLi′がジャスト・フォーカス状態にあるとき、プリズ
ム36内に形成される第１の光検出器32から第２の光検出
器33に至る光路上における中間位置に集束点を有するも
のとされ、また、レーザ光ビームLi′がオーバー・フォ
ーカス状態にあるとき、プリズム36内に形成される第１
の光検出器32から第２の光検出器33に至る光路上におけ
る中間位置より第１の光検出器32側の位置に集束点を有
し、さらに、レーザ光ビームLi′がアンダー・フォーカ
ス状態にあるとき、プリズム36内に形成される第１の光
検出器32から第２の光検出器33に至る光路上における中
間位置より第２の光検出器33側の位置に集束点を有する
ものとされる。また、第１及び第２の光検出器32及び33
は、夫々、第５図に示される第１及び第２の光検出器12
及び13と同様に形成されるものとされる。従って、この
例においても、前述の第４図及び第７図に示される光学
ピックアップ装置の場合と同様にしてフォーカス・エラ
ー信号が形成される。

第２図は、本発明に係る光学ピックアップ装置の他の
例を概略的に示す。この例も、また、記録媒体として、
例えば、光ディスクを選択するものとされ、光ディスク
との関係は、前述の第４図に示される光学ピックアップ
装置の場合と同様なものとされる。

第２図に示される例は、第１図に示される例の各部に
対応する部分に、第１図に用いられている符号と共通の
符号が付されたものとされている。そして、第２図に示
される例にあっては、第１図に示される例において設け
られている多層光半透過膜45に対応するものは設けられ
ていず、また、半導体基板31の上面31aに、屈折率を略
1.46とするSiO₂によって、平坦な表面を形成する単層構
造をとるものとされて設けられ、半導体基板31の上面31
aを他の部材による浸食から保護する役割を果たす保護
膜41′が、第１図に示される例における半導体基板31の
上面31aに形成された保護膜41とは厚みを異にし、例え
ば、略8,800Åに選定された厚みを有するものとされて
いる。他の部分は、第１図に示される例と同様である。

このような構成のもとに、半導体レーザ素子34から発
せられるレーザ光ビームLi′が、プリズム36の光半透過
反射面36aで反射され、第４図に示される光ディスク18
と同様に配された光ディスクの記録トラックに入射せし
められるとともに、斯かる光ディスクの記録トラックか
らの反射レーザ光ビームLr′が、プリズム36の光半透過
反射面36aを透過してプリズム36内に入射するものとさ
れる。そして、半導体レーザ素子34は、発生するレーザ
光ビームLi′の波長を、例えば、780nmとするものとさ
れ、また、プリズム36の光半透過反射面36aを透過して
プリズム36内に入射する反射レーザ光ビームLr′が、例
えば、Ｓ偏光となるように設定される。

プリズム36内に入射した反射レーザ光ビームLr′は、
プリズム36を通過してその下面の36bから出射し、第１
の光検出器32の上方において、接着層43から保護層41′
に入射する。その際、保護膜41′に対する反射レーザ光
ビームLr′の入射角θ_１は、略17〜27度となるように設
定される。

上述の如くに、SiO₂によって形成されて略8,800Åの
厚みを有するものとされた保護膜41′がエポキシ樹脂系
の接着剤で形成されて略２〜10μの厚みを有するものと
された接着層43の下方に配された構成は、波長を780nm
とするＳ偏光とされた反射レーザ光ビームLr′に対し
て、第３図における曲線Ｘにより示される如くの、入射
角θ_１と透過率Ｔとの関係を提供するものとなる。そし
て、斯かる関係からして、入射角θ_１が略17〜27度とな
るようにされたもとにおいては、接着層43と保護膜41′
とにより構成される部分における反射レーザ光ビームL
r′の透過率Ｔは80％前後とされる。

従って、接着層43から保護膜41′に入射した反射レー
ザ光ビームLr′は、その略4/5が接着層43及び保護膜4
1′を透過して第１の光検出器32に到達し、また、残り1
/5が接着層43と保護膜41′とにおいて反射され、プリズ
ム36にその下面36bからその内部に再度入射する。プリ
ズム36にその下面36bから入射した、略1/5とされた反射
レーザ光ビームLr′の一部は、プリズム36の内部をその
上面36cにおいて反射して進み、再び、その下面の36bか
ら出射し、第２の光検出器33の上方において、再度、接
着層43から保護膜41′に入射する。その際、第２の光検
出器33の上方において保護膜41′に対する反射レーザ光
ビームLr′の一部の入射角θ_２は、略17〜27度となる。

従って、第３図に示される如く、第２の光検出器33の
上方において接着層43から保護膜41′に入射角θ_２をも
って入射する、略1/5とされた反射レーザ光ビームLr′
の一部の、接着層43と保護膜41′とにより構成される部
分における透過率Ｔは80％前後とされることになり、斯
かる反射レーザ光ビームLr′の一部は、その大部分が接
着層43及び保護膜41′を透過して第２の光検出器33に到
達することになる。

このようにして、第２図に示される例においては、プ
リズム36内に入射した反射レーザ光ビームLr′が、接着
層43と保護膜41′とにより構成される部分により、その
略4/5が第１の光検出器32に到達し、また、略1/5が第２
の光検出器33に到達するように分配されることになり、
第１及び第２の光検出器32及び33から、それらに入射す
る反射レーザ光ビームLr′に応じた検出出力が得られ
て、それらに基づいて情報読取信号，トラッキング・エ
ラー信号，フォーカス・エラー信号等が形成される。

Ｈ発明の効果以上の説明から明らかな如く、本発明に係る光学ピッ
クアップ装置にあっては、半導体基板に第１及び第２の
光検出器が形成されるとともにその半導体基板上に半導
体レーザ素子と光半透過反射面を有するプリズムとが配
された構成のもとに、プリズムの光半透過反射面によ
り、半導体レーザ素子から発せられたレーザ光ビームを
光ディスク等の記録媒体側へと反射させて記録媒体に入
射せしめられるようになすとともに、記録媒体側からの
レーザ光ビームを透過させて第１及び第２の光検出器の
夫々に導かれるようになし、第１及び第２の光検出器か
ら記録媒体側からのレーザ光ビームに応じた検出出力を
得るにあたり、プリズム内に入射した反射レーザ光ビー
ムの第１の光検出器及び第２の光検出器の夫々への適正
な分配が、半導体基板上に、例えば、SiO₂の層とされる
単層の保護膜部と保護膜部の屈折率に近似した屈折率を
有する接着層部とが配されて成る、製造が容易とされる
利点を伴う簡素化された構成がとられることになり、製
造コストの大幅な低減が図られるとともに、光学特性の
安定化が図られることになる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光学ピックアップ装置の一例を示
す断面図、第２図は本発明に係る光学ピックアップ装置
の他の例を示す断面図、第３図は第２図に示される例の
作用の説明に供される特性図、第４図は集積型光学ピッ
クアップ装置を示す概略構成図、第５図及び第６図は第
４図に示される集積型光学ピックアップ装置におけるフ
ォーカス・エラー信号形成の説明に供される図、第７図
は第４図に示される集積型光学ピックアップ装置の部分
拡大図である。図中、31は半導体基板、32は第１の光検出器、33は第２
の光検出器、34は半導体レーザ素子、36はプリズム、36
aは光半透過反射面、41及び41′は保護膜、43は接着
層、45は多層光半透過膜である。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に配された半導体レーザ素子
と、上記半導体基板に形成された第１及び第２の光検出器
と、上記半導体基板上に位置し、上記半導体レーザ素子に対
向する面が、上記半導体基板の上記半導体レーザ素子が
配された面に対して所定の角度をもって傾斜せしめられ
た光半透過反射面となされたプリズムと、を備えて成り、上記光半透過反射面が、上記半導体レーザ素子から発せ
られたレーザ光ビームを記録媒体側へと反射させるとと
もに、上記記録媒体側からのレーザ光ビームを透過させ
て、上記光半透過反射面を透過して上記プリズムに入射
し、該プリズムを通過したレーザ光ビームの一部が、上
記第１の光検出器に到達せしめられるとともに、上記プ
リズムを通過したレーザ光ビームの他の一部が、上記プ
リズムの内部側に反射せしめられ、かつ、上記プリズム
の表面部でさらに反射して、上記第２の光検出器に到達
せしめられる状態を生じさせ、上記プリズムが、上記半導体基板における少なくとも上
記第１及び第２の光検出器が形成された部分を覆うべく
配された単層構成の保護膜部と、上記保護膜部上に形成
されて該保護膜部の屈折率に近似した屈折率を有するも
のとされた接着層部とを介して、上記半導体基板上に配
されることを特徴とする光学ピックアップ装置。