JP2720743B2 - Lead frame processing method - Google Patents
Lead frame processing methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ（半導体集積回
路）やＬＳＩ（大規模集積回路）等の半導体装置に用い
られるリードフレームの加工方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of processing a lead frame used for a semiconductor device such as an IC (semiconductor integrated circuit) or an LSI (large-scale integrated circuit).
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、リードフレームは、半導体チップ
搭載部に半導体チップが搭載され、半導体チップの各ボ
ンディングパッドと、半導体チップ搭載部の周辺に形成
されたリード部の基部とがそれぞれワイヤボンディング
により接続された後、半導体チップおよびリード部の基
部が樹脂によりモールディングされていた。2. Description of the Related Art Conventionally, in a lead frame, a semiconductor chip is mounted on a semiconductor chip mounting portion, and each bonding pad of the semiconductor chip and a base of a lead portion formed around the semiconductor chip mounting portion are respectively bonded by wire bonding. After the connection, the bases of the semiconductor chip and the lead portion were molded with resin.
【０００３】図３は上述したモールディングされた後の
従来のリードフレーム１の一部の構成例を示す平面図で
ある。図示せぬ半導体チップおよびリード部の基部がモ
ールディングされたモールドレジン部２の周辺には、リ
ード部３，３，・・・が形成されており、リード部３，
３，・・・の先端は、タイバー４，４，・・・によって
ともに接続されている。また、リードフレーム１の３つ
の隅部１a〜１cには、略同一形状の支持ステイ５〜７が
形成されているが、隅部１dは、樹脂モールドゲート部
と呼ばれ、モールディング時に、樹脂がこの樹脂モール
ドゲート部１dより裏面へ流れやすくするために、平面
形状のままか、あるいは他の隅部１a〜１cとは異なる形
状の孔が形成されている。なお、実際には、上述したリ
ードフレーム１が図中左右方向に連続的に形成されてい
る。FIG. 3 is a plan view showing a configuration example of a part of a conventional lead frame 1 after the above-mentioned molding. Are formed around the semiconductor chip (not shown) and the mold resin portion 2 on which the base portions of the lead portions are molded.
The tips of 3,... Are connected together by tie bars 4, 4,. Support stays 5 to 7 having substantially the same shape are formed at the three corners 1 a to 1 c of the lead frame 1. The corner 1 d is called a resin mold gate, and is used for molding. , since the resin is easy to flow into the rear surface from the resin mold gate portion 1 d, are holes of different shapes formed remains or, or other corners 1 a to 1 c of the plane shape. Actually, the above-described lead frame 1 is formed continuously in the left-right direction in the figure.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のリードフレーム１は、複数のリードフレーム１が連
続的に接続された状態で半田、スズ、あるいは貴金属等
の外装めっきを施した後、リード部３，３，・・・にめ
っき液の噴流を当てて高速めっきにより厚膜半田めっき
を施すが、この際、樹脂モールドゲート部１dが平面形
状であると、この樹脂モールドゲート部１dにおいてめ
っき析出が発生するため、その周辺部に位置するリード
部３，３，・・・においては、厚膜半田めっきすべき金
属の陽イオンが減少してしまう。これにより、樹脂モー
ルドゲート部１dの周辺部に位置するリード部３，３，
・・・における厚膜半田めっき析出量が減少してしま
う。すなわち、樹脂モールドゲート部１dの周辺部に位
置するリード部３，３，・・・においては、実装のため
の厚膜半田めっきの膜厚を均一にできない。By the way, in the above-mentioned conventional lead frame 1, after a plurality of lead frames 1 are continuously connected, an outer plating such as solder, tin, or a noble metal is applied, and then the lead frame 1 is subjected to lead plating. The parts 3, 3,... Are subjected to high-speed plating by applying a jet of a plating solution to perform thick-film solder plating. In this case, if the resin mold gate part 1 d has a planar shape, the resin mold gate part 1 d , The cations of the metal to be plated with a thick film are reduced in the lead portions 3, 3,. Thus, the lead portions 3 located on the periphery of the resin mold gate portion 1 d,
, The amount of thick-film solder plating deposition decreases. That is, the lead portions 3 located on the periphery of the resin mold gate portion 1 d, in ..., it can not be the thickness of the thick film solder plating for implementation uniform.
【０００５】また、樹脂モールドゲート部１dは、他の
隅部１a〜１cとは異なる形状を有しているため、厚膜半
田めっきのための高速めっき時に、樹脂モールドゲート
部１dにめっき液の噴流が当たることによってめっき液
の乱流が発生し、樹脂モールドゲート部１dの周辺部に
位置するリード部３，３，・・・の厚膜半田めっきの析
出の状態が他の隅部１a〜１cの周辺部に位置するリード
部３，３，・・・と異なってしまう。[0005] The resin mold gate portion 1 d, since it has a different shape from the other corner portion 1 a to 1 c, at the time of high-speed plating for thick solder plating, resin mold gate portion 1 d turbulence of the plating solution is produced by the jet of plating solution hits, leads 3 and 3 positioned on the periphery of the resin mold gate portion 1 d, the state of the deposition of thick film solder plating ... other of corners 1 a ~1 lead portions 3 and 3 which is located on the periphery of the c, becomes different and ....
【０００６】以上のことから、樹脂モールドゲート部１
dの周辺部に位置するリード部３，３，・・・に施され
る実装のための厚膜半田めっきの膜厚にばらつきが生じ
るという欠点があった。本発明は、このような背景の下
になされたもので、樹脂モールドゲート部の周辺部に位
置するリード部に施される半田めっきの膜厚を均一にす
ることができるリードフレームの加工方法を提供するこ
とを目的とする。[0006] From the above, the resin mold gate portion 1
lead portions 3 located on the periphery of the d, has a drawback that variations in the thickness of the thick film solder plating for mounting to be performed on ... occurs. The present invention has been made under such a background, and a lead frame processing method capable of making the thickness of a solder plating applied to a lead portion located at a peripheral portion of a resin mold gate portion uniform. The purpose is to provide.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
半導体チップ搭載部の周辺の少なくとも１つの隅部に樹
脂モールドゲート部が形成されたリードフレームの、前
記半導体チップ搭載部に半導体チップをダイボンディン
グする第１の工程と、前記半導体チップの各ボンディン
グパッドと、前記半導体チップ搭載部の周辺に形成され
た複数のリード部の基部とをそれぞれワイヤーボンディ
ングする第２の工程と、前記半導体チップおよび前記複
数のリード部の基部を樹脂によりモールディングしモー
ルドレジン部を形成する第３の工程と、余分なモールド
材を落とす第４の工程と、前記複数のリード部の基部を
ともに接続するダムを切断する第５の工程と、前記複数
のリード部の略中央をそれぞれ折り曲げる第６の工程
と、前記複数のリード部に所定の膜厚のめっきを施す第
７の工程とを有するリードフレームの加工方法におい
て、前記第３の工程と前記第７の工程との間に、前記モ
ールドレジン部の外部に位置する樹脂モールドゲート部
に相当するリードフレームの一部を所定の形状に打ち抜
く第８の工程を実施することを特徴としている。According to the first aspect of the present invention,
A first step of die-bonding a semiconductor chip to the semiconductor chip mounting portion of a lead frame having a resin mold gate formed at at least one corner around the semiconductor chip mounting portion, and bonding pads of the semiconductor chip; When the semiconductor chip and the second step of each wire bonding and a base of a plurality of lead portions formed around the mounting portion, the semiconductor chip and the plurality of the base of the lead portion molding and a resin Meaux
A third step of forming a ruled resin portion, a fourth step of dropping excess molding material, a fifth step of cutting a dam connecting the bases of the plurality of leads together, and a step of cutting the plurality of leads. In a method for processing a lead frame, the method further comprising: a sixth step of bending substantially the center, and a seventh step of plating the plurality of leads with a predetermined thickness. in between, the motor
Resin mold gate located outside the mold resin
An eighth step of punching a part of the lead frame corresponding to the above into a predetermined shape is performed.
【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記リードフレームの前記樹脂モールドゲ
ート部が形成された隅部を除く他の３つの隅部に略同一
形状の支持ステイが形成され、前記第８の工程におい
て、前記樹脂モールドゲート部を前記他の３つの隅部と
同一形状、あるいは近似する形状に打ちぬくことを特徴
としている。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, a support stay having substantially the same shape is provided at three other corners of the lead frame except for the corner where the resin mold gate is formed. The eighth step is characterized in that in the eighth step, the resin mold gate is punched into the same shape or a shape similar to the other three corners.
【０００９】[0009]
【作用】本発明によれば、第７の工程において、複数の
リード部に均一の膜厚のめっきが施される。According to the present invention, in the seventh step, a plurality of leads are plated with a uniform thickness.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明の一実施例によるリードフレー
ムの加工方法について図１および図２を参照して説明す
る。まず、図１のステップＳＰ１では、図示せぬ半導体
チップ搭載部、図２に示すリード部３，３，・・および
図示せぬ隅部８a〜８cが打ちぬかれたリードフレーム８
の半導体チップ搭載部に半導体チップをダイボンディン
グした後、ステップＳＰ２へ進む。なお、この工程にお
いては、樹脂モールドゲート部８dは、図３に示すリー
ドフレーム１の樹脂モールドゲート部１dと同様、平面
形状のままである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A lead frame processing method according to one embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. First, at step SP1 in FIG. 1, a semiconductor chip mounting portion (not shown), leads 3 and 3 shown in FIG. 2, the lead ... and not shown corners 8 a to 8 c is bran out frame 8
After the semiconductor chip is die-bonded to the semiconductor chip mounting portion, the process proceeds to step SP2. Incidentally, in this step, the resin molded gate portion 8 d is similar to the resin mold gate portion 1 d of the lead frame 1 shown in FIG. 3, it remains planar shape.
【００１１】ステップＳＰ２では、半導体チップの各ボ
ンディングパッドと、半導体チップ搭載部の周辺に形成
されたリード部３，３，・・の基部とをそれぞれワイヤ
ーボンディングにより接続した後、ステップＳＰ３へ進
む。ステップＳＰ３では、半導体チップおよびリード部
３，３，・・の基部を樹脂によりモールディングしてモ
ールドレジン部２を成形した後、ステップＳＰ４へ進
む。この際、樹脂モールドゲート部８dが平面形状のま
まである。樹脂は、この樹脂モールドゲート部８dより
入り、半導体チップ搭載部の周辺のリード部３，３，・
・・間などより裏面へ容易に流れる。At step SP2, each bonding pad of the semiconductor chip is connected to the base of the leads 3, 3,... Formed around the semiconductor chip mounting portion by wire bonding, and then the process proceeds to step SP3. In step SP3, the base of the semiconductor chip and the lead portions 3, 3,... Is molded with resin to form the mold resin portion 2, and then the process proceeds to step SP4. At this time, the resin molded gate portion 8 d remains planar shape. Resin enters from the resin mold gate section 8 d, the peripheral lead portions 3 and 3 of the semiconductor chip mounting portion, -
..Easily flows to the back side from the gap.
【００１２】ステップＳＰ４では、余分なモールド材を
落とすレジンカッティングを行った後、ステップＳＰ５
へ進む。ステップＳＰ５では、リ−ド部３，３，・・の
基部をともに接続するダム（図示略）を切断するダムバ
ーカッティングを行った後、ステップＳＰ６へ進む。ス
テップＳＰ６では、図２に示すように、モールドレジン
部２の外部に位置する樹脂モールドゲート部８ｄに相当
するリードフレームの一部を所定の略正方形状に打ちぬ
く樹脂モールドゲート部カッティングを行った後、ステ
ップＳＰ７へ進む。なお、他の図示せぬ隅部８ａ〜８ｃ
は、図３に示す隅部１ａ〜１ｃとそれぞれ略同一形状に
打ちぬかれている。In step SP4, after performing resin cutting for removing excess molding material, step SP5
Proceed to. At step SP5, dam bar cutting for cutting a dam (not shown) connecting the bases of the leads 3, 3,... Together is performed, and then the process proceeds to step SP6. In step SP6, as shown in FIG.
Corresponds to resin mold gate part 8d located outside part 2
After a part of the lead frame to be punched out is cut into a predetermined substantially square shape, cutting of the resin mold gate portion is performed, and the process proceeds to step SP7. In addition, other corner portions 8a to 8c (not shown)
Are punched into substantially the same shape as the corners 1a to 1c shown in FIG.
【００１３】ステップＳＰ７では、後述する外装めっき
工程およびセルフソルダーめっき工程においてリード部
３，３，・・等の各部に半田、スズ、あるいは貴金属等
のめっきをしやすくするために、ホーニング粒子が混入
された液体中に浸してリード部３，３，・・等の各部を
研磨するホーニングを行った後、ステップＳＰ８へ進
む。ステップＳＰ８では、リード部３，３，・・の略中
央を折り曲げるベンディングを行った後、ステップＳＰ
９へ進む。In step SP7, honing particles are mixed in each part such as the lead portions 3, 3,. After the honing for immersing the lead portions 3, 3,... Etc. in the immersed liquid to polish them, the process proceeds to step SP8. In step SP8, bending is performed to bend substantially the center of the lead portions 3, 3,.
Go to 9.
【００１４】ステップＳＰ９では、リード部３，３，・
・全体に所定の膜厚の薄膜の外装めっきを施すために、
リード部３，３，・・の基部まで半田、スズ、あるいは
貴金属等のめっき液浴に浸す。この際、樹脂モールドゲ
ート部８dは、図２に示す形状を有しているので、この
樹脂モールドゲート部８dにおいてめっき析出が発生せ
ず、その周辺部においてもめっきすべき金属の陽イオン
が減少することはない。したがって、樹脂モールドゲー
ト部８dおよびその周辺部におけるめっき析出量は、図
示せぬ隅部８a〜８cおよびそれぞれの周辺部におけるめ
っき析出量にほぼ等しい。したがって、すべてのリード
部３，３，・・・に施されているめっきの膜厚は均一
（５〜１５μｍ）である。At step SP9, the lead sections 3, 3,.
・ In order to apply a thin film exterior plating of a predetermined thickness to the whole,
Immerse it in a bath of solder, tin, or a noble metal plating solution up to the bases of the leads 3, 3,. At this time, the resin molded gate portion 8 d is because it has a shape shown in FIG. 2, no plating deposition occurs in the resin mold gate section 8 d, the metal cation to be plated also in its periphery Does not decrease. Therefore, plating deposition amount in the resin mold gate portion 8 d and its peripheral portion is approximately equal to the plating deposition amount in the corner portion 8 a to 8 c and a respective peripheral portion (not shown). Therefore, the thickness of the plating applied to all the lead portions 3, 3,... Is uniform (5 to 15 μm).
【００１５】次に、ステップＳＰ１０では、半導体装置
を基板に実装する際に必要な半田を実装に必要な量だけ
あらかじめリード部３，３，・・の先端に厚膜めっきす
るセルフソルダーめっきを行うために、リード部３，
３，・・の先端に半田めっき液の噴流を当てる。この
際、樹脂モールドゲート部８dは、図２に示す形状を有
しているので、この樹脂モールドゲート部８dにおいて
めっき析出が発生せず、その周辺部に位置するリード部
３，３，・・・においてもめっきすべき半田の陽イオン
が減少することはない。したがって、樹脂モールドゲー
ト部８dの周辺部に位置するリード部３，３，・・・に
おけるめっき析出量は、図示せぬ隅部８a〜８cの周辺部
に位置するリード部３，３，・・・におけるめっき析出
量にほぼ等しい。 また、樹脂モールドゲート部８dに
めっき液の噴流が当たってもめっき液の乱流が発生しな
いため、樹脂モールドゲート部８dの周辺部に位置する
リード部３，３，・・・のめっきの析出の状態が他の隅
部８a〜８cの周辺部に位置するリード部３，３，・・・
と異なることはない。したがって、すべてのリード部
３，３，・・・に施されている厚膜半田めっきの膜厚は
均一（１５〜６０μｍ）である。Next, in step SP10, self-solder plating is performed in which the solder necessary for mounting the semiconductor device on the substrate is thickened in advance on the tips of the leads 3, 3,. For the lead part 3,
3. Apply a jet of solder plating solution to the tip of. At this time, the resin molded gate portion 8 d is because it has a shape shown in FIG. 2, no plating deposition occurs in the resin mold gate section 8 d, leads 3 and 3 positioned on its periphery, ..., the cations of the solder to be plated do not decrease. Therefore, the lead portions 3 located on the periphery of the resin mold gate section 8 d, plating deposition amount of ... is lead portions 3 located on the periphery of the corner portion 8 a to 8 c (not shown) ,... Are substantially equal to the amount of plating deposition. Further, since the turbulence of the plating solution be hit by the jet of plating solution in the resin mold gate portion 8 d is not generated, leads 3 and 3 positioned on the periphery of the resin mold gate section 8 d, · · · of the plating lead portions 3 and 3 the state of precipitation are located at the periphery of the other corner 8 a ~8 c, ···
There is no difference. Therefore, the thickness of the thick-film solder plating applied to all the lead portions 3, 3,... Is uniform (15 to 60 μm).
【００１６】次に、ステップＳＰ１１では、リード部
３，３，・・の先端を切断するリード先端カッティング
を行った後、ステップＳＰ１２へ進む。ステップＳＰ１
２では、各半導体装置を１つ１つ取り出すために、図示
せぬ隅部８a〜８cの図示せぬ支持ステイおよび樹脂モー
ルドゲート部８dを切断する個片カッティングを行った
後、ステップＳＰ１３へ進む。ステップＳＰ１３では、
取り出された個々の半導体装置の性能をチェックするテ
ストを行った後、全工程を終了する。Next, in step SP11, after performing lead tip cutting for cutting the tips of the leads 3, 3,..., The process proceeds to step SP12. Step SP1
In 2, in order to take out each semiconductor device one by one, after performing individual cutting for cutting the support stays (not shown) and the resin mold gate portions 8 d (not shown) at the corners 8 a to 8 c (not shown), Proceed to SP13. In step SP13,
After performing a test for checking the performance of each of the taken-out individual semiconductor devices, all the processes are completed.
【００１７】以上、本発明の実施例を図面を参照して詳
述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更等があっても本発明に含まれる。たとえば、上述した
一実施例においては、ステップＳＰ６の樹脂モールドゲ
ート部カッティング工程において、樹脂モールドゲート
部８dを図２に示す形状に打ちぬいた例を示したが、こ
れに限定されず、たとえば、リード部３，３，・・とリ
ードフレーム８の周辺部とを電気的に接続するためにス
テイ部を残して打ちぬいたり、図３に示す隅部１a〜１c
と同一形状、あるいは近似した形状に打ちぬいてもよ
い。Although the embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings, the specific configuration is not limited to this embodiment, and a design change or the like may be made without departing from the gist of the present invention. The present invention is also included in the present invention. For example, in one embodiment described above, the resin mold gate portion cutting step of the step SP6, an example is shown in which punched a resin mold gate portion 8 d into the shape shown in FIG. 2 is not limited to this, for example, , leads 3,3, ... and or punched leaving the stay portion for electrically connecting the peripheral portion of the lead frame 8, corners 1 a to 1 c shown in FIG. 3
It may be punched out in the same shape as or similar to the above.
【００１８】また、上述した一実施例においては、樹脂
モールドゲート部カッティング工程は、ステップＳＰ５
のダムバーカッティング工程の後に行う例を示したが、
これに限定されず、ステップＳＰ４のレジンカッティン
グ工程の後からステップＳＰ９の外装めっき工程の前ま
での間であれば、いつ行ってもよい。さらに、樹脂モー
ルドゲート部カッティング工程において用いる金型とし
ては、ステップＳＰ４のレジンカッティング工程、ステ
ップＳＰ５のダムバーカッティング工程、あるいはステ
ップＳＰ８のベンディング工程においてそれぞれ用いら
れる金型と共通化を計ったり、組み合わせたりしてもよ
い。In the above-described embodiment, the step of cutting the resin mold gate portion is performed in step SP5.
Although the example performed after the dam bar cutting process was shown,
The method is not limited to this, and may be performed any time after the resin cutting step in step SP4 and before the exterior plating step in step SP9. Further, as the mold used in the resin mold gate section cutting step, the molds used in the resin cutting step in step SP4, the dam bar cutting step in step SP5, or the bending step in step SP8 are commonly used or combined. Or you may.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
樹脂モールドゲート部の周辺部に位置するリード部に施
されるめっきの膜厚を均一にすることができるという効
果がある。As described above, according to the present invention,
This has the effect that the thickness of the plating applied to the leads located at the periphery of the resin mold gate can be made uniform.
【図１】 本発明の一実施例によるリードフレームの加
工方法を表す工程図である。FIG. 1 is a process diagram illustrating a method of processing a lead frame according to an embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の一実施例によるリードフレームの加
工方法によって加工されたリードフレーム８の樹脂モー
ルドゲート部８dの構成の一例を示す平面図である。2 is a plan view showing an example of the configuration of the resin molded gate portion 8 d of the lead frame 8 which is processed by the processing method of the lead frame according to an embodiment of the present invention.
【図３】 従来のリードフレーム１の一部の構成例を示
す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a configuration example of a part of a conventional lead frame 1;
１，８……リードフレーム、１a〜１c……隅部、１d，
８d……樹脂モールドゲート部、２……モールドレジン
部、３，３，・・・……リード部、４，４，・・・……
タイバー、５〜７……支持ステイ。1, 8 ... lead frame, 1 a to 1 c ... corner, 1 d ,
8 d ...... Resin mold gate section, 2 ... Mold resin section, 3,3, ... Lead section, 4,4, ...
Tie bar, 5 to 7 ... Support stay.
Claims (2)
１つの隅部に樹脂モールドゲート部が形成されたリード
フレームの、前記半導体チップ搭載部に半導体チップを
ダイボンディングする第１の工程と、前記半導体チップ
の各ボンディングパッドと、前記半導体チップ搭載部の
周辺に形成された複数のリード部の基部とをそれぞれワ
イヤーボンディングする第２の工程と、前記半導体チッ
プおよび前記複数のリード部の基部を樹脂によりモール
ディングしモールドレジン部を形成する第３の工程と、
余分なモールド材を落とす第４の工程と、前記複数のリ
ード部の基部をともに接続するダムを切断する第５の工
程と、前記複数のリード部の略中央をそれぞれ折り曲げ
る第６の工程と、前記複数のリード部に所定の膜厚のめ
っきを施す第７の工程とを有するリードフレームの加工
方法において、 前記第３の工程と前記第７の工程との間に、前記モール
ドレジン部の外部に位置する樹脂モールドゲート部に相
当するリードフレームの一部を所定の形状に打ち抜く第
８の工程を実施することを特徴とするリードフレームの
加工方法。A first step of die-bonding a semiconductor chip to the semiconductor chip mounting portion of a lead frame having a resin mold gate formed at at least one corner around the semiconductor chip mounting portion; A second step of wire-bonding each bonding pad of the chip and a base of a plurality of leads formed around the semiconductor chip mounting portion, and forming a base of the semiconductor chip and the plurality of leads using a resin. A third step of molding and forming a mold resin portion ;
A fourth step of dropping an excess molding material, a fifth step of cutting a dam connecting the bases of the plurality of leads together, and a sixth step of bending substantially the center of the plurality of leads, respectively. A lead frame processing method comprising: plating a plurality of lead portions with a predetermined film thickness. A method of processing a lead frame, wherein the molding is performed between the third step and the seventh step.
Compatible with the resin mold gate located outside the resin
A method of processing a lead frame, comprising performing an eighth step of punching a part of the lead frame into a predetermined shape.
ゲート部が形成された隅部を除く他の３つの隅部に略同
一形状の支持ステイが形成され、 前記第８の工程において、前記樹脂モールドゲート部を
前記他の３つの隅部と同一形状、あるいは近似する形状
に打ちぬくことを特徴とする請求項１記載のリードフレ
ームの加工方法。2. A support stay having substantially the same shape is formed at three other corners of the lead frame except for the corner where the resin mold gate is formed. In the eighth step, the resin mold gate is formed. 2. The method according to claim 1, wherein the portion is punched into the same shape as or a shape similar to the other three corners.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5024530A JP2720743B2 (en) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | Lead frame processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5024530A JP2720743B2 (en) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | Lead frame processing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236950A JPH06236950A (en) | 1994-08-23 |
| JP2720743B2 true JP2720743B2 (en) | 1998-03-04 |
Family
ID=12140715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5024530A Expired - Fee Related JP2720743B2 (en) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | Lead frame processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2720743B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204112A (en) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JP2655507B2 (en) * | 1995-02-01 | 1997-09-24 | 日本電気株式会社 | Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
| KR100325291B1 (en) * | 1999-03-22 | 2002-02-21 | 김영환 | structure for LEAD in stack type semiconductor-package and method of manufacture in stack type semiconductor-package use to this LEAD |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0360049A (en) * | 1989-07-27 | 1991-03-15 | Fujitsu Ltd | Manufacture of integrated circuit device |
| JPH04171971A (en) * | 1990-11-06 | 1992-06-19 | Yamaha Corp | Working method of lead frame |
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1993
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|---|---|
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