JP2715794B2 - 立方晶窒化ホウ素焼結体製造用成形体の製造方法 - Google Patents
立方晶窒化ホウ素焼結体製造用成形体の製造方法Info
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Landscapes
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、立方晶窒化ホウ素焼結
体を高純度、高密度、高硬度でかつ歩留まりよく製造す
ることができる立方晶窒化ホウ素焼結体製造用成形体の
製造方法に関する。
体を高純度、高密度、高硬度でかつ歩留まりよく製造す
ることができる立方晶窒化ホウ素焼結体製造用成形体の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】立方晶
窒化ホウ素（以下、ｃ−ＢＮと略記する。）はダイヤモ
ンドに匹敵する高い硬度と化学的な安定性を有している
ため、高速度、高精度加工用工業材料として使用されて
いるほか、その極めて良好な熱伝導性からヒートシンク
材等に利用されており、また、半導体特性等を有するこ
とから電子材料などへの応用も進んでいる。
窒化ホウ素（以下、ｃ−ＢＮと略記する。）はダイヤモ
ンドに匹敵する高い硬度と化学的な安定性を有している
ため、高速度、高精度加工用工業材料として使用されて
いるほか、その極めて良好な熱伝導性からヒートシンク
材等に利用されており、また、半導体特性等を有するこ
とから電子材料などへの応用も進んでいる。
【０００３】このような特性を十分に発揮するために
は、ｃ−ＢＮは高純度、高密度の焼結体であることが要
求される。このようなｃ−ＢＮ焼結体は、一般的には六
方晶窒化ホウ素（以下、ｈ−ＢＮと略記する。）粉末を
出発原料とし、高温高圧条件下でｃ−ＢＮに変換するこ
とにより製造されているが、このような高温高圧条件下
でのｃ−ＢＮの変換は、製造装置が大型化し、また、製
造条件の制御も難しいものとなる。
は、ｃ−ＢＮは高純度、高密度の焼結体であることが要
求される。このようなｃ−ＢＮ焼結体は、一般的には六
方晶窒化ホウ素（以下、ｈ−ＢＮと略記する。）粉末を
出発原料とし、高温高圧条件下でｃ−ＢＮに変換するこ
とにより製造されているが、このような高温高圧条件下
でのｃ−ＢＮの変換は、製造装置が大型化し、また、製
造条件の制御も難しいものとなる。
【０００４】そこで、このような問題点を解決した製造
方法として、特公昭５９−５５４７号公報において、窒
化ホウ素にＭ3Ｂ2Ｎ4（Ｍはアルカリ土類金属を表わ
す。）等の触媒物質を混合した出発原料を用い、上記の
製造方法よりも低温低圧条件下においてｃ−ＢＮを製造
する方法が提案されている。
方法として、特公昭５９−５５４７号公報において、窒
化ホウ素にＭ3Ｂ2Ｎ4（Ｍはアルカリ土類金属を表わ
す。）等の触媒物質を混合した出発原料を用い、上記の
製造方法よりも低温低圧条件下においてｃ−ＢＮを製造
する方法が提案されている。
【０００５】また、特公昭６０−２８７８２号公報にお
いて、ホットプレス法により製造されたｈ−ＢＮ成形体
に上記触媒を拡散含浸させたものを前駆体に用いてｃ−
ＢＮ焼結体を製造する方法も提案されている。
いて、ホットプレス法により製造されたｈ−ＢＮ成形体
に上記触媒を拡散含浸させたものを前駆体に用いてｃ−
ＢＮ焼結体を製造する方法も提案されている。
【０００６】しかし、本発明者は、ホットプレス法で製
造されたｈ−ＢＮ成形体においてはｈ−ＢＮ粒子同士が
その接触部で密接して接合しており、また、Ｂ 2Ｏ3等の
酸化物が原料粉末の表面に多く存在するほどその接合強
度も高くなり、このため、空隙率の高い、密度が１．８
ｇ／ｃｍ3以下の低密度成形体を用いた場合において
も、該ｈ−ＢＮ成形体にｃ−ＢＮ化触媒を含浸させた
際、局部的に含浸できない部位が生じたり、また、厚肉
のｈ−ＢＮ成形体を用いた場合、その中心部まではｃ−
ＢＮ化触媒を含浸できない等の問題があること知見し
た。また、上記特公昭６０−２８７８２号公報に記載さ
れているように、ｈ−ＢＮ成形体を予め窒素ガス中で２
１００℃の温度に２時間以上仮焼して酸素含有量を０．
３重量％以下とした場合、ｈ−ＢＮの結晶粒子が成長
し、このため更に含浸性が低下するという問題もあるこ
とを知見した。
造されたｈ−ＢＮ成形体においてはｈ−ＢＮ粒子同士が
その接触部で密接して接合しており、また、Ｂ 2Ｏ3等の
酸化物が原料粉末の表面に多く存在するほどその接合強
度も高くなり、このため、空隙率の高い、密度が１．８
ｇ／ｃｍ3以下の低密度成形体を用いた場合において
も、該ｈ−ＢＮ成形体にｃ−ＢＮ化触媒を含浸させた
際、局部的に含浸できない部位が生じたり、また、厚肉
のｈ−ＢＮ成形体を用いた場合、その中心部まではｃ−
ＢＮ化触媒を含浸できない等の問題があること知見し
た。また、上記特公昭６０−２８７８２号公報に記載さ
れているように、ｈ−ＢＮ成形体を予め窒素ガス中で２
１００℃の温度に２時間以上仮焼して酸素含有量を０．
３重量％以下とした場合、ｈ−ＢＮの結晶粒子が成長
し、このため更に含浸性が低下するという問題もあるこ
とを知見した。
【０００７】従って、厚肉の六方晶窒化ホウ素（ｈ−Ｂ
Ｎ）成形体を使用した場合においても、その中心部に至
るまで均一に立方晶窒化ホウ素化触媒（ｃ−ＢＮ触媒）
を含浸し得、このため低温低圧条件下においても立方晶
窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）焼結体を高純度、高硬度で歩留
まり良く製造することができる成形体が望まれていた。
Ｎ）成形体を使用した場合においても、その中心部に至
るまで均一に立方晶窒化ホウ素化触媒（ｃ−ＢＮ触媒）
を含浸し得、このため低温低圧条件下においても立方晶
窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）焼結体を高純度、高硬度で歩留
まり良く製造することができる成形体が望まれていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者らは上
記要望に応えるため鋭意検討を行った結果、ｈ−ＢＮ成
形体に対するｃ−ＢＮ化触媒の含浸性がｈ−ＢＮ成形体
の通気率と相関関係を有し、通気率が０．０１ｃｍ2／
ｓｅｃより小さいｈ−ＢＮ成形体は、その空隙率が高く
ても触媒含浸性が低く、触媒の含浸がせいぜい表面から
０．５ｍｍ程度の深さまでしか到達しない（従って、上
述したホットプレス法によるｈ−ＢＮ成形体は低密度で
空隙率が高い場合でも通気率が小さいため触媒含浸性が
悪いものである）ことを見い出すと共に、このように通
気率が低いと、ｈ−ＢＮ成形体の表層部においても局部
的に含浸量のバラツキが見られることを見い出した。
記要望に応えるため鋭意検討を行った結果、ｈ−ＢＮ成
形体に対するｃ−ＢＮ化触媒の含浸性がｈ−ＢＮ成形体
の通気率と相関関係を有し、通気率が０．０１ｃｍ2／
ｓｅｃより小さいｈ−ＢＮ成形体は、その空隙率が高く
ても触媒含浸性が低く、触媒の含浸がせいぜい表面から
０．５ｍｍ程度の深さまでしか到達しない（従って、上
述したホットプレス法によるｈ−ＢＮ成形体は低密度で
空隙率が高い場合でも通気率が小さいため触媒含浸性が
悪いものである）ことを見い出すと共に、このように通
気率が低いと、ｈ−ＢＮ成形体の表層部においても局部
的に含浸量のバラツキが見られることを見い出した。
【０００９】これに対し、水分含有量が１重量％以下の
六方晶窒化ホウ素粉末を２００〜１００００ｋｇ／ｃｍ
２の圧力下で静水圧加圧した後、不活性ガス雰囲気中に
おいて１５００〜２１００℃の温度で常圧焼成して、通
気率を０．０１〜０．３ｃｍ２／ｓｅｃとしたｈ−ＢＮ
成形体は、ｃ−ＢＮ触媒の含浸性が顕著に増大し、ｃ−
ＢＮ触媒を拡散含浸させた場合、ｈ−ＢＮ成形体が厚肉
（１ｍｍ以上）であってもその中心部まで触媒の含浸が
均一に進行し、触媒含浸不良による歩留まりの低下や表
面と内部との触媒含浸量のバラツキを防止、低減するこ
とができ、これによりｃ−ＢＮ焼結体も高品質に歩留ま
りよく製造できることを知見し、本発明をなすに至っ
た。
六方晶窒化ホウ素粉末を２００〜１００００ｋｇ／ｃｍ
２の圧力下で静水圧加圧した後、不活性ガス雰囲気中に
おいて１５００〜２１００℃の温度で常圧焼成して、通
気率を０．０１〜０．３ｃｍ２／ｓｅｃとしたｈ−ＢＮ
成形体は、ｃ−ＢＮ触媒の含浸性が顕著に増大し、ｃ−
ＢＮ触媒を拡散含浸させた場合、ｈ−ＢＮ成形体が厚肉
（１ｍｍ以上）であってもその中心部まで触媒の含浸が
均一に進行し、触媒含浸不良による歩留まりの低下や表
面と内部との触媒含浸量のバラツキを防止、低減するこ
とができ、これによりｃ−ＢＮ焼結体も高品質に歩留ま
りよく製造できることを知見し、本発明をなすに至っ
た。
【００１０】従って、本発明は、水分含有量が１重量％
以下の六方晶窒化ホウ素粉末を２００〜１００００ｋｇ
／ｃｍ２の圧力下で静水圧加圧した後、不活性ガス雰囲
気中において１５００〜２１００℃の温度で常圧焼成し
て、通気率が０．０１〜０．３ｃｍ２／ｓｅｃである厚
さ１ｍｍ以上の六方晶窒化ホウ素成形体を得た後、この
成形体に立方晶窒化ホウ素化触媒を含浸することを特徴
とする立方晶窒化ホウ素焼結体製造用成形体の製造方法
を提供する。
以下の六方晶窒化ホウ素粉末を２００〜１００００ｋｇ
／ｃｍ２の圧力下で静水圧加圧した後、不活性ガス雰囲
気中において１５００〜２１００℃の温度で常圧焼成し
て、通気率が０．０１〜０．３ｃｍ２／ｓｅｃである厚
さ１ｍｍ以上の六方晶窒化ホウ素成形体を得た後、この
成形体に立方晶窒化ホウ素化触媒を含浸することを特徴
とする立方晶窒化ホウ素焼結体製造用成形体の製造方法
を提供する。
【００１１】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明のｃ−ＢＮ焼結体製造用の成形体は、ｈ−Ｂ
Ｎ成形体にｃ−ＢＮ触媒を均一に含浸させてなるもので
ある。
と、本発明のｃ−ＢＮ焼結体製造用の成形体は、ｈ−Ｂ
Ｎ成形体にｃ−ＢＮ触媒を均一に含浸させてなるもので
ある。
【００１２】ここで、本発明においては、ｈ−ＢＮ成形
体としては、通気率が０．０１〜０．３ｃｍ2／ｓｅ
ｃ、好ましくは０．０５〜０．２ｃｍ2／ｓｅｃである
ものを用いるもので、この範囲の通気率のｈ−ＢＮ成形
体を用いることにより、ｈ−ＢＮ成形体が厚さ１ｍｍ以
上、特に１〜５ｍｍのものであってもその内部全体にｃ
−ＢＮ化触媒が均等に拡散、含浸されるものである。こ
の場合、通気率が０．０１ｃｍ2／ｓｅｃ未満の場合、
ｃ−ＢＮ化触媒はｈ−ＢＮ成形体の表面から０．５ｍｍ
程度の深さまでしか到達せず、またｈ−ＢＮ成形体の表
層部においても局部的に含浸量のバラツキが生じ、本発
明の目的を達成し得ない。また、通気率が０．３ｃｍ2
／ｓｅｃを超えるとｈ−ＢＮ成形体の機械的強度が弱く
なるため、取扱いが困難となり、好ましくない。
体としては、通気率が０．０１〜０．３ｃｍ2／ｓｅ
ｃ、好ましくは０．０５〜０．２ｃｍ2／ｓｅｃである
ものを用いるもので、この範囲の通気率のｈ−ＢＮ成形
体を用いることにより、ｈ−ＢＮ成形体が厚さ１ｍｍ以
上、特に１〜５ｍｍのものであってもその内部全体にｃ
−ＢＮ化触媒が均等に拡散、含浸されるものである。こ
の場合、通気率が０．０１ｃｍ2／ｓｅｃ未満の場合、
ｃ−ＢＮ化触媒はｈ−ＢＮ成形体の表面から０．５ｍｍ
程度の深さまでしか到達せず、またｈ−ＢＮ成形体の表
層部においても局部的に含浸量のバラツキが生じ、本発
明の目的を達成し得ない。また、通気率が０．３ｃｍ2
／ｓｅｃを超えるとｈ−ＢＮ成形体の機械的強度が弱く
なるため、取扱いが困難となり、好ましくない。
【００１３】なお、本発明において、通気率の値は、直
径２０ｍｍ，厚さ５ｍｍのｈ−ＢＮ成形体を試験片と
し、図１の装置にて測定した値を下記式（１）に代入し
て求めた値である。
径２０ｍｍ，厚さ５ｍｍのｈ−ＢＮ成形体を試験片と
し、図１の装置にて測定した値を下記式（１）に代入し
て求めた値である。
【００１４】ここで、図１において、１は試験気体（窒
素ガス）ボンベ、２は試験気体供給器、３は圧力計、４
は試験片、５はパッキン、６は試験片ホルダー、７は流
量計であり、試験片ホルダー６内にパッキン５を介して
厚さ方向が該ホルダー６内に流入する試験気体と対向す
るように取り付けた試験片４に試験気体を通過させ、下
記式（１）から通気率を求めるものである。
素ガス）ボンベ、２は試験気体供給器、３は圧力計、４
は試験片、５はパッキン、６は試験片ホルダー、７は流
量計であり、試験片ホルダー６内にパッキン５を介して
厚さ方向が該ホルダー６内に流入する試験気体と対向す
るように取り付けた試験片４に試験気体を通過させ、下
記式（１）から通気率を求めるものである。
【００１５】
【数１】
【００１６】このような通気率が０．０１〜０．３ｃｍ
2／ｓｅｃであるｈ−ＢＮ成形体を得る方法としては、
高純度ｈ−ＢＮ粉末を２００〜１００００ｋｇ／ｃ
ｍ2、より好ましくは１０００〜５０００ｋｇ／ｃｍ2の
圧力下で静水圧加圧した後、不活性ガス（例えば窒素、
アルゴン等）雰囲気中において１５００〜２１００℃、
より好ましくは１７００〜２０００℃の温度で常圧焼成
する方法が推奨される。
2／ｓｅｃであるｈ−ＢＮ成形体を得る方法としては、
高純度ｈ−ＢＮ粉末を２００〜１００００ｋｇ／ｃ
ｍ2、より好ましくは１０００〜５０００ｋｇ／ｃｍ2の
圧力下で静水圧加圧した後、不活性ガス（例えば窒素、
アルゴン等）雰囲気中において１５００〜２１００℃、
より好ましくは１７００〜２０００℃の温度で常圧焼成
する方法が推奨される。
【００１７】この場合、上記ｈ−ＢＮ粉末はその水分含
有量を乾燥等により１重量％以下に調整したものを用い
ることが必要であり、ｈ−ＢＮ粉末の水分含有量が１重
量％を超えると静水圧加圧時に粒子同士の接着力が強ま
り、このため除圧時に成形体に割れが入ったり、あるい
は成形体の通気孔が減少し、焼成後の成形体において通
気率が低くなってしまうなどの問題が発生し易い。
有量を乾燥等により１重量％以下に調整したものを用い
ることが必要であり、ｈ−ＢＮ粉末の水分含有量が１重
量％を超えると静水圧加圧時に粒子同士の接着力が強ま
り、このため除圧時に成形体に割れが入ったり、あるい
は成形体の通気孔が減少し、焼成後の成形体において通
気率が低くなってしまうなどの問題が発生し易い。
【００１８】また、このｈ−ＢＮ粉末の加圧程度、焼成
温度及び時間は以上の通りであるが、得られたｈ−ＢＮ
成形体は上記通気率を有すると共に、その密度が１．５
〜２ｇ／ｃｍ3、特に１．６〜１．９ｇ／ｃｍ3であるこ
とが、良好なｃ−ＢＮ焼結体を得る点から好ましい。
温度及び時間は以上の通りであるが、得られたｈ−ＢＮ
成形体は上記通気率を有すると共に、その密度が１．５
〜２ｇ／ｃｍ3、特に１．６〜１．９ｇ／ｃｍ3であるこ
とが、良好なｃ−ＢＮ焼結体を得る点から好ましい。
【００１９】上記ｈ−ＢＮ成形体は、これにｃ−ＢＮ化
触媒が含浸される。このｈ−ＢＮ成形体に含浸されるｃ
−ＢＮ化触媒としては、Ｍ3Ｂ2Ｎ4やＭ3Ｎ2（但し、Ｍ
はＭｇ，Ｃａ等のアルカリ土類金属を示す）を用いるこ
とが好ましい。
触媒が含浸される。このｈ−ＢＮ成形体に含浸されるｃ
−ＢＮ化触媒としては、Ｍ3Ｂ2Ｎ4やＭ3Ｎ2（但し、Ｍ
はＭｇ，Ｃａ等のアルカリ土類金属を示す）を用いるこ
とが好ましい。
【００２０】ｈ−ＢＮ成形体にｃ−ＢＮ化触媒を含浸さ
せる方法としては、上記ｃ−ＢＮ化触媒中にｈ−ＢＮ成
形体を埋設し、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で温度
１０００〜１５００℃、好ましくは１２００〜１３００
℃で１〜１０時間、好ましくは２〜７時間加熱処理する
方法が好適に採用される。
せる方法としては、上記ｃ−ＢＮ化触媒中にｈ−ＢＮ成
形体を埋設し、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で温度
１０００〜１５００℃、好ましくは１２００〜１３００
℃で１〜１０時間、好ましくは２〜７時間加熱処理する
方法が好適に採用される。
【００２１】このようにして得られた本発明のｃ−ＢＮ
化触媒含浸成形体は、公知の方法によりｃ−ＢＮ焼結体
に転換されるが、この場合良好なｃ−ＢＮ焼結体を得る
には温度１２００〜１５００℃、圧力３〜７ＧＰａの条
件を採用することが好ましい。
化触媒含浸成形体は、公知の方法によりｃ−ＢＮ焼結体
に転換されるが、この場合良好なｃ−ＢＮ焼結体を得る
には温度１２００〜１５００℃、圧力３〜７ＧＰａの条
件を採用することが好ましい。
【００２２】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００２３】［実施例１〜５、比較例１〜３］水分含有
量１．５重量％のｈ−ＢＮ粉末を温度１８０℃で種々の
乾燥時間で乾燥させ、表１に示す水分含有量の異なる粉
末を作製し、これをゴム型に充填し、表１に示す条件で
静水圧加圧を行って成形体を得た後、窒素ガス雰囲気中
で焼成してｈ−ＢＮ成形体を製造した。この成形体から
直径２０ｍｍ、厚さ５ｍｍの試料を取り、上述した方法
に従って通気率を測定した。結果を表１に併記する。な
お、水分含有量は赤外線水分計を用いて試料を加熱し、
加熱前後の重量変化から算出した。
量１．５重量％のｈ−ＢＮ粉末を温度１８０℃で種々の
乾燥時間で乾燥させ、表１に示す水分含有量の異なる粉
末を作製し、これをゴム型に充填し、表１に示す条件で
静水圧加圧を行って成形体を得た後、窒素ガス雰囲気中
で焼成してｈ−ＢＮ成形体を製造した。この成形体から
直径２０ｍｍ、厚さ５ｍｍの試料を取り、上述した方法
に従って通気率を測定した。結果を表１に併記する。な
お、水分含有量は赤外線水分計を用いて試料を加熱し、
加熱前後の重量変化から算出した。
【００２４】次に、これらの試料をＭｇ3Ｎ2中に埋設
し、窒素雰囲気下において１２００℃、２時間の加熱処
理を行い、触媒を含浸させた。触媒含浸後の試料断面を
目視及びＥＰＭＡにより調べ、含浸性を評価した。この
場合、内部まで均一に含浸されていた場合を良好、局部
的に含浸されていなかったり、表面と中心部のＭｇの濃
度差が２倍以上であったものを含浸性不良と判定した。
結果を表１に併記する。
し、窒素雰囲気下において１２００℃、２時間の加熱処
理を行い、触媒を含浸させた。触媒含浸後の試料断面を
目視及びＥＰＭＡにより調べ、含浸性を評価した。この
場合、内部まで均一に含浸されていた場合を良好、局部
的に含浸されていなかったり、表面と中心部のＭｇの濃
度差が２倍以上であったものを含浸性不良と判定した。
結果を表１に併記する。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１の結果から明らかなように、本発明に
係るｈ−ＢＮ成形体は触媒含浸性が良好であった。一
方、比較例１の場合、通気率は非常に良好であったが強
度が弱く、取扱いに問題が生じた。比較例２，３は原料
粉末の水分含有量が高いため通気率が低く、ｈ−ＢＮ成
形体の表層しか含浸されず、触媒含浸性が不良であっ
た。
係るｈ−ＢＮ成形体は触媒含浸性が良好であった。一
方、比較例１の場合、通気率は非常に良好であったが強
度が弱く、取扱いに問題が生じた。比較例２，３は原料
粉末の水分含有量が高いため通気率が低く、ｈ−ＢＮ成
形体の表層しか含浸されず、触媒含浸性が不良であっ
た。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、ｈ−ＢＮ成形体へのｃ
−ＢＮ化触媒含浸が容易かつ均一になり、ｈ−ＢＮ成形
体が厚肉である場合でも中心部まで安定して均一良好に
触媒が含浸する。このため、厚肉のｃ−ＢＮ焼結体を高
品質に歩留まりよく製造することができる。
−ＢＮ化触媒含浸が容易かつ均一になり、ｈ−ＢＮ成形
体が厚肉である場合でも中心部まで安定して均一良好に
触媒が含浸する。このため、厚肉のｃ−ＢＮ焼結体を高
品質に歩留まりよく製造することができる。
【図１】本発明における通気率を測定するための装置を
示す概略図である。
示す概略図である。
１ 試験気体（窒素ガス） ２ 試験気体供給器 ３ 圧力計 ４ 試験片 ５ パッキン ６ 試験片ホルダー ７ 流量計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 豊 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (72)発明者 樫田 周 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (56)参考文献 特開 昭63−45175（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−200864（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 水分含有量が１重量％以下の六方晶窒化
ホウ素粉末を２００〜１００００ｋｇ／ｃｍ２の圧力下
で静水圧加圧した後、不活性ガス雰囲気中において１５
００〜２１００℃の温度で常圧焼成して、通気率が０．
０１〜０．３ｃｍ２／ｓｅｃである厚さ１ｍｍ以上の六
方晶窒化ホウ素成形体を得た後、この成形体に立方晶窒
化ホウ素化触媒を含浸することを特徴とする立方晶窒化
ホウ素焼結体製造用成形体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4080403A JP2715794B2 (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 立方晶窒化ホウ素焼結体製造用成形体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4080403A JP2715794B2 (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 立方晶窒化ホウ素焼結体製造用成形体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05246765A JPH05246765A (ja) | 1993-09-24 |
| JP2715794B2 true JP2715794B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=13717330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4080403A Expired - Fee Related JP2715794B2 (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 立方晶窒化ホウ素焼結体製造用成形体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2715794B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4253565B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2009-04-15 | 電気化学工業株式会社 | 六方晶窒化硼素質成形体、その製造方法及び用途 |
| CN103924288B (zh) * | 2014-04-01 | 2016-08-17 | 山东建筑大学 | 采用镁基复合触媒的立方氮化硼单晶微粉制备方法及应用 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200864A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-11 | 東芝タンガロイ株式会社 | 立方晶窒化ホウ素を含む焼結体を製造する方法 |
| JPS6345175A (ja) * | 1986-04-09 | 1988-02-26 | 住友電気工業株式会社 | 立方晶窒化硼素焼結体の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-02 JP JP4080403A patent/JP2715794B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05246765A (ja) | 1993-09-24 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |