JP2711825B2 - パワートランジスタの実装方法 - Google Patents
パワートランジスタの実装方法Info
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- JP2711825B2 JP2711825B2 JP8061638A JP6163896A JP2711825B2 JP 2711825 B2 JP2711825 B2 JP 2711825B2 JP 8061638 A JP8061638 A JP 8061638A JP 6163896 A JP6163896 A JP 6163896A JP 2711825 B2 JP2711825 B2 JP 2711825B2
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- Japan
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- power transistor
- circuit board
- heat sink
- cream solder
- module
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無線送信機や無線
送受信機の送信部に使用されるＲＦパワーアンプモジュ
ールの（高周波電力増幅モジュール）の製造におけるパ
ワートランジスタの実装方法に関し、特に、モジュール
機能のばらつきを小さくするためのベアチップ状パワー
トランジスタの実装方法に関するものである。
送受信機の送信部に使用されるＲＦパワーアンプモジュ
ールの（高周波電力増幅モジュール）の製造におけるパ
ワートランジスタの実装方法に関し、特に、モジュール
機能のばらつきを小さくするためのベアチップ状パワー
トランジスタの実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１は従来のパワートランジスタの実装
方法を示す分解斜視図（Ａ）と断面図（Ｂ）である。図
１において、１は放熱板付パワートランジスタであり、
ベアチップ１１に放熱板１２が取付けられている。２は
回路基板、３は落とし込み穴、４はモジュール放熱板、
５はクリーム半田、６は金（Ａｕ）またはアルミニウム
（Ａｌ）の接続ワイヤである。回路基板２に落とし込み
穴３を設けてパワートランジスタ１を実装する場合、穴
３の中のパワートランジスタ１の位置がばらつくとアン
プ特性が大きくずれてしまうため、任意の位置（方向）
に寄せる必要がある。
方法を示す分解斜視図（Ａ）と断面図（Ｂ）である。図
１において、１は放熱板付パワートランジスタであり、
ベアチップ１１に放熱板１２が取付けられている。２は
回路基板、３は落とし込み穴、４はモジュール放熱板、
５はクリーム半田、６は金（Ａｕ）またはアルミニウム
（Ａｌ）の接続ワイヤである。回路基板２に落とし込み
穴３を設けてパワートランジスタ１を実装する場合、穴
３の中のパワートランジスタ１の位置がばらつくとアン
プ特性が大きくずれてしまうため、任意の位置（方向）
に寄せる必要がある。
【０００３】位置ずれを少なくするため、穴３を小さく
して放熱板付きパワートランジスタ１との嵌合をきつく
する方法の場合、落とし込みを人手で行うか、又は認識
・実装精度の高い機械を用いる必要があり、コストダウ
ンができない。
して放熱板付きパワートランジスタ１との嵌合をきつく
する方法の場合、落とし込みを人手で行うか、又は認識
・実装精度の高い機械を用いる必要があり、コストダウ
ンができない。
【０００４】図２は従来の他の実装方法（スクラブ法）
の断面図である。７は位置決めアームである。位置ずれ
を少なくする他の方法として、回路基板２とモジュール
放熱板４のリフロー接続時にスクラブをかける方法の場
合、落とし込みはラフでよいが、半田溶融中にアーム７
でスクラブをかけ位置を決めるため、既存のベルト炉方
式のリフロー炉が使用できず、専用のリフロー装置が必
要となり、やはりコストダウンができない。
の断面図である。７は位置決めアームである。位置ずれ
を少なくする他の方法として、回路基板２とモジュール
放熱板４のリフロー接続時にスクラブをかける方法の場
合、落とし込みはラフでよいが、半田溶融中にアーム７
でスクラブをかけ位置を決めるため、既存のベルト炉方
式のリフロー炉が使用できず、専用のリフロー装置が必
要となり、やはりコストダウンができない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３は従来のパワート
ランジスタの位置ずれ説明図である。パワートランジス
タ１を回路基板２の穴３に落とし込んで実装する場合、 （１）図３（Ａ）において、穴３内でのパワートランジ
スタ１のｘ方向（ゲートＧとドレインＤの方向）の位置
がばらつくことにより、接続ワイヤ６の長さ（＝インダ
クタンス）がまちまちとなり、アンプ特性が大幅に変わ
ってしまう。 （２）図３（Ｂ）のように、穴３内でのパワートランジ
スタの長手方向ｘ及び回転角θがばらつくことにより、
接続ワイヤ６をワイヤーボンダーで接続する際、認識エ
ラーとなりメンテナンス要員を常時配置するか、高価な
認識装置が必要となるという欠点がある。
ランジスタの位置ずれ説明図である。パワートランジス
タ１を回路基板２の穴３に落とし込んで実装する場合、 （１）図３（Ａ）において、穴３内でのパワートランジ
スタ１のｘ方向（ゲートＧとドレインＤの方向）の位置
がばらつくことにより、接続ワイヤ６の長さ（＝インダ
クタンス）がまちまちとなり、アンプ特性が大幅に変わ
ってしまう。 （２）図３（Ｂ）のように、穴３内でのパワートランジ
スタの長手方向ｘ及び回転角θがばらつくことにより、
接続ワイヤ６をワイヤーボンダーで接続する際、認識エ
ラーとなりメンテナンス要員を常時配置するか、高価な
認識装置が必要となるという欠点がある。
【０００６】本発明の目的は、上記欠点を安価に解決す
るために行ったものであり、パワートランジスタの実装
位置のばらつきをなくして高周波電力増幅モジュールの
特性の安定化を図ったパワートランジスタの実装方法を
提供することにある。
るために行ったものであり、パワートランジスタの実装
位置のばらつきをなくして高周波電力増幅モジュールの
特性の安定化を図ったパワートランジスタの実装方法を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のパワートランジ
スタの実装方法は、回路基板を、クリーム半田が塗布さ
れたモジュール放熱板に載せ、該回路基板に設けられた
落とし込み穴にベアチップ状の放熱板付きパワートラン
ジスタを落とし込んでリフロー半田付けすることにより
高周波電力増幅モジュールを製作するときのパワートラ
ンジスタの実装方法において、前記モジュール放熱板に
クリーム半田を塗布するとき、前記回路基板の落とし込
み穴に対応する部分の一部に非塗布部分を設けたことを
特徴とする。
スタの実装方法は、回路基板を、クリーム半田が塗布さ
れたモジュール放熱板に載せ、該回路基板に設けられた
落とし込み穴にベアチップ状の放熱板付きパワートラン
ジスタを落とし込んでリフロー半田付けすることにより
高周波電力増幅モジュールを製作するときのパワートラ
ンジスタの実装方法において、前記モジュール放熱板に
クリーム半田を塗布するとき、前記回路基板の落とし込
み穴に対応する部分の一部に非塗布部分を設けたことを
特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】図４は本発明の実施例の説明図で
あり、（Ａ）はモジュール放熱板４にクリーム半田５を
塗布した状態の平面図である。（Ｂ）はその上に回路基
板２を載せ、穴３にパワートランジスタ１を落とし込ん
だ状態であり、リフロー半田付け前の平面図、（Ｃ）は
その断面図である。（Ｄ）はリフロー半田付け後の断面
図である。
あり、（Ａ）はモジュール放熱板４にクリーム半田５を
塗布した状態の平面図である。（Ｂ）はその上に回路基
板２を載せ、穴３にパワートランジスタ１を落とし込ん
だ状態であり、リフロー半田付け前の平面図、（Ｃ）は
その断面図である。（Ｄ）はリフロー半田付け後の断面
図である。
【０００９】回路基板２とモジュール放熱板４を接続す
る際、まず、図４（Ａ）のように、モジュール放熱板４
にクリーム半田５を印刷する時に、パワートランジスタ
落とし込み穴３内のパワートランジスタ１が寄ってほし
くない方（寄せたい方の反対側）に、クリーム半田５の
非塗布部分８を設ける。図４（Ｂ），（Ｃ）のように、
回路基板２の穴３の中に落とし込むパワートランジスタ
１は方向を定めて入れるだけでよく、ｘ方向の位置や回
転角θがばらついていてもよい。次に、リフロー半田付
けすることによってリフロー半田付けの際、パワートラ
ンジスタ１は、溶融半田によるセルフアライメント作用
により非塗布部分８とは反対の方向（塗布部分）に寄っ
て固定される。すなわち、図４（Ｄ）のように、穴３の
右側の一辺とパワートランジスタ放熱板１２の右辺が当
接し、ｘずれとθずれ発生の両方が防止できる。回転基
板２の下面にあたる非塗布部分８の一部はクリーム半田
５が濡れ広がって、十分半田付けされる。
る際、まず、図４（Ａ）のように、モジュール放熱板４
にクリーム半田５を印刷する時に、パワートランジスタ
落とし込み穴３内のパワートランジスタ１が寄ってほし
くない方（寄せたい方の反対側）に、クリーム半田５の
非塗布部分８を設ける。図４（Ｂ），（Ｃ）のように、
回路基板２の穴３の中に落とし込むパワートランジスタ
１は方向を定めて入れるだけでよく、ｘ方向の位置や回
転角θがばらついていてもよい。次に、リフロー半田付
けすることによってリフロー半田付けの際、パワートラ
ンジスタ１は、溶融半田によるセルフアライメント作用
により非塗布部分８とは反対の方向（塗布部分）に寄っ
て固定される。すなわち、図４（Ｄ）のように、穴３の
右側の一辺とパワートランジスタ放熱板１２の右辺が当
接し、ｘずれとθずれ発生の両方が防止できる。回転基
板２の下面にあたる非塗布部分８の一部はクリーム半田
５が濡れ広がって、十分半田付けされる。
【００１０】
【発明の効果】本発明を実施することにより、次の利点
がある。 （１）落とし込み穴３内でパワートランジスタ１のゲー
トＧ−ドレインＤ方向が一定の位置に安定することによ
り、アンプ特性が安定し、回路定数の調整工数を大幅に
低減できる。 （２）θ方向が安定することと、前項のＧ−Ｄ方向が安
定することにより、ワイヤ接続（ワイヤーボンダー）
は、高額な認識装置がなくてもできる。 （３）回路基板２とモジュール放熱板４の接続工程で用
いるクリーム半田用スクリーンの設計変更だけで改善効
果が得られるため、高額な非汎用リフロー装置が不要と
なり、従来の既設のベルト炉式リフロー炉で実行するこ
とができる。 （４）本発明の実施手段で行われたことは、穴３の中に
半田の付着していない部分が見られるので一目で判断・
判定可能である。
がある。 （１）落とし込み穴３内でパワートランジスタ１のゲー
トＧ−ドレインＤ方向が一定の位置に安定することによ
り、アンプ特性が安定し、回路定数の調整工数を大幅に
低減できる。 （２）θ方向が安定することと、前項のＧ−Ｄ方向が安
定することにより、ワイヤ接続（ワイヤーボンダー）
は、高額な認識装置がなくてもできる。 （３）回路基板２とモジュール放熱板４の接続工程で用
いるクリーム半田用スクリーンの設計変更だけで改善効
果が得られるため、高額な非汎用リフロー装置が不要と
なり、従来の既設のベルト炉式リフロー炉で実行するこ
とができる。 （４）本発明の実施手段で行われたことは、穴３の中に
半田の付着していない部分が見られるので一目で判断・
判定可能である。
【図１】従来の高周波パワーアンプモジュールの構成例
を示す分解斜視図（Ａ）と断面図（Ｂ）である。
を示す分解斜視図（Ａ）と断面図（Ｂ）である。
【図２】従来のパワートランジスタ位置決め法（スクラ
ブ法）の例を示す断面図である。
ブ法）の例を示す断面図である。
【図３】従来のパワートランジスタ位置ずれ説明図であ
る。
る。
【図４】本発明の実施例を示す平面図（Ａ），（Ｂ）と
断面図（Ｃ），（Ｄ）である。
断面図（Ｃ），（Ｄ）である。
１ パワートランジスタ １１ ベアチップ １２ 放熱板 ２ 回路基板 ３ 落とし込み穴 ４ モジュール放熱板 ５ クリーム半田 ６ 接続ワイヤ ７ アーム ８ クリーム半田非塗布部分
Claims (1)
- 【請求項１】 回路基板を、クリーム半田が塗布された
モジュール放熱板に載せ、該回路基板に設けられた落と
し込み穴にベアチップ状の放熱板付きパワートランジス
タを落とし込んでリフロー半田付けすることにより高周
波電力増幅モジュールを製作するときのパワートランジ
スタの実装方法において、 前記モジュール放熱板にクリーム半田を塗布するとき、
前記回路基板の落とし込み穴に対応する部分の一部に非
塗布部分を設けたことを特徴とするパワートランジスタ
の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8061638A JP2711825B2 (ja) | 1996-02-26 | 1996-02-26 | パワートランジスタの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8061638A JP2711825B2 (ja) | 1996-02-26 | 1996-02-26 | パワートランジスタの実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232715A JPH09232715A (ja) | 1997-09-05 |
| JP2711825B2 true JP2711825B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=13176960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8061638A Expired - Fee Related JP2711825B2 (ja) | 1996-02-26 | 1996-02-26 | パワートランジスタの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2711825B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009123736A (ja) | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Nec Corp | デバイスの実装構造及びデバイスの実装方法 |
-
1996
- 1996-02-26 JP JP8061638A patent/JP2711825B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09232715A (ja) | 1997-09-05 |
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