JP2702843B2 - プレーナ型マグネトロンスパッタリング装置 - Google Patents
プレーナ型マグネトロンスパッタリング装置Info
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- JP2702843B2 JP2702843B2 JP4063320A JP6332092A JP2702843B2 JP 2702843 B2 JP2702843 B2 JP 2702843B2 JP 4063320 A JP4063320 A JP 4063320A JP 6332092 A JP6332092 A JP 6332092A JP 2702843 B2 JP2702843 B2 JP 2702843B2
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- magnet
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- erosion
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プレーナ型マグネトロ
ンスパッタリング装置における磁石構造に関する。
ンスパッタリング装置における磁石構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のスパッタリング装置では、図１１
に示すように金属、セラミックス及びプラスチックスな
どから成る基板１に対向してスパッタ源２を配置され、
このスパッタ源２は、ターゲット２１をバッキングプレ
ート２２に固定してある。バッキングプレート２２の裏
側には、磁石２３を配置し、その磁力線がターゲット２
１と平行になった位置が最もエッチングされる。
に示すように金属、セラミックス及びプラスチックスな
どから成る基板１に対向してスパッタ源２を配置され、
このスパッタ源２は、ターゲット２１をバッキングプレ
ート２２に固定してある。バッキングプレート２２の裏
側には、磁石２３を配置し、その磁力線がターゲット２
１と平行になった位置が最もエッチングされる。
【０００３】このために磁石２３は、磁性体２３１上に
内側磁石２３ａ及びこれを囲む外側磁石２３ｂを並列状
に配置してリング状の磁場を発生するものであり、以上
によリプレーナ型マグネトロンスパッタ源置２の構造の
概略を明らかにした。
内側磁石２３ａ及びこれを囲む外側磁石２３ｂを並列状
に配置してリング状の磁場を発生するものであり、以上
によリプレーナ型マグネトロンスパッタ源置２の構造の
概略を明らかにした。
【０００４】その一部を構成するアノ一ド２５とカソー
ド側に配置するターゲット２１との間に直流または高周
波電力を供給するので、磁場により拘束されるりング状
の放電が成膜室３内に発生する。
ド側に配置するターゲット２１との間に直流または高周
波電力を供給するので、磁場により拘束されるりング状
の放電が成膜室３内に発生する。
【０００５】その時、ガス導入口４から供給するアルゴ
ンガスにより形成する雰囲気のもとでスパッタリングを
行い、排気管５から放出ガスと共にアルゴンガスを排気
する。また、図１１中に示す２４１と２４２は冷却用配
管である。
ンガスにより形成する雰囲気のもとでスパッタリングを
行い、排気管５から放出ガスと共にアルゴンガスを排気
する。また、図１１中に示す２４１と２４２は冷却用配
管である。
【０００６】このようなスパッタリングによるターゲッ
トエロージョンの均一化を目指して、磁力線におけるタ
ーゲットに平行な部分を、できるだけ広いターゲツト上
領域に形成されるように、円形に配置した磁石２３の中
心位置Ｐをターゲット２１の中心軸Ｃから距離ｄだけ偏
心して位置させ、図示しないモータによつて中心軸Ｃを
中心として回転駆動させた。その結果、ターゲット２１
のエロージョン（Ｅｒｒｏｓｉｏｎ）バターンは、回転
中心軸に近いところが磁界の移動距離が短いので、図１
２に実線Ａで示すようになり、ターゲット２１と同心円
に配置する従来のパターン（点線Ｂで示す）よりも、ピ
ーク値が若干中心方向に寄るが、比較的広い範囲で効率
的に削り取られる。
トエロージョンの均一化を目指して、磁力線におけるタ
ーゲットに平行な部分を、できるだけ広いターゲツト上
領域に形成されるように、円形に配置した磁石２３の中
心位置Ｐをターゲット２１の中心軸Ｃから距離ｄだけ偏
心して位置させ、図示しないモータによつて中心軸Ｃを
中心として回転駆動させた。その結果、ターゲット２１
のエロージョン（Ｅｒｒｏｓｉｏｎ）バターンは、回転
中心軸に近いところが磁界の移動距離が短いので、図１
２に実線Ａで示すようになり、ターゲット２１と同心円
に配置する従来のパターン（点線Ｂで示す）よりも、ピ
ーク値が若干中心方向に寄るが、比較的広い範囲で効率
的に削り取られる。
【０００７】夕一ゲット２１は、消耗品であって時々交
換するが、高価な材料の場合や長いライフサイクルが要
求される場合などに、有効的な利用が望まれている。し
かし、削り取られる割合即ち利用効率は磁石２３を偏心
回転しない時よりも改善されているものの精々２５％〜
３０％に過ぎず、一層の利用効率の向上が望まれてい
る。 また、特公平２−４０７３６号公報により開示さ
れたスパッタリング装置が知られている。この装置で
は、磁石をターゲットに対し、被処理基板と反対側に配
置すると共に同じ磁極が内側を向くようハート型閉曲線
上に複数個並べて固定された状態で、ターゲット中心の
回りを回転できるように構成する。しかし、ハート型閉
曲線は、同公報に明らかにされているように、特殊な形
状が不可欠である。 また、前記磁石の構造をハート型
の特殊な閉曲線に変えて、円形磁石の外周に接線方向に
沿って直線部を設けた略『Ｄ』形と称される簡単構成と
したものもある。
換するが、高価な材料の場合や長いライフサイクルが要
求される場合などに、有効的な利用が望まれている。し
かし、削り取られる割合即ち利用効率は磁石２３を偏心
回転しない時よりも改善されているものの精々２５％〜
３０％に過ぎず、一層の利用効率の向上が望まれてい
る。 また、特公平２−４０７３６号公報により開示さ
れたスパッタリング装置が知られている。この装置で
は、磁石をターゲットに対し、被処理基板と反対側に配
置すると共に同じ磁極が内側を向くようハート型閉曲線
上に複数個並べて固定された状態で、ターゲット中心の
回りを回転できるように構成する。しかし、ハート型閉
曲線は、同公報に明らかにされているように、特殊な形
状が不可欠である。 また、前記磁石の構造をハート型
の特殊な閉曲線に変えて、円形磁石の外周に接線方向に
沿って直線部を設けた略『Ｄ』形と称される簡単構成と
したものもある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情により成されたもので、特に、簡単な構造を有する
略『Ｄ』形をなす直線部を設けた磁石において、各部の
寸法を限定することにより、更に利用効率を高めるプレ
ーナ型マグネトロンスパッタリング装置を提供すること
を目的とする。
事情により成されたもので、特に、簡単な構造を有する
略『Ｄ』形をなす直線部を設けた磁石において、各部の
寸法を限定することにより、更に利用効率を高めるプレ
ーナ型マグネトロンスパッタリング装置を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のプレーナ型マグ
ネトロンスパッタリング装置は、減圧装置に接続する成
膜室と、前記成膜室内に配設される基板と、前記基板に
対向して配置される円形状ターゲットと、前記円形状タ
ーゲットの基板と反対側方向にこのターゲットの中心と
は偏心して回転中心が配設される磁石とを具備したもの
において、前記磁石は、円形状磁石の外周の一部を直線
状に切除した直線部を有する形状をなし、かつ、下記の
条件を満足する寸法（ｍｍ）を備え、 ターゲット半径：Ｒｏ、 磁石固定時のターゲットエロージョンの円弧部の外径半
径：Ｍｏ、 夕一ゲットの中心と磁石の円弧部の中心間の距離：Ｇ、 磁石固定時におけるターゲットエロージョンの直線部外
周から磁石円弧部の中心までの距離とＭｏの差：ＤＦ、 磁石固定時におけるエロージョンの幅：Ｗとしたとき、 Ｍｏ＝Ｒｏ−Ｇ …（１） （２Ｍｏ−ＤＦ）／２≧Ｗ …（２） ＤＦ≦２０ …（３） １／８Ｒｏ−１．５≦Ｇ≦１／４Ｒｏ−３ …（４） ていることを特徴とする。
ネトロンスパッタリング装置は、減圧装置に接続する成
膜室と、前記成膜室内に配設される基板と、前記基板に
対向して配置される円形状ターゲットと、前記円形状タ
ーゲットの基板と反対側方向にこのターゲットの中心と
は偏心して回転中心が配設される磁石とを具備したもの
において、前記磁石は、円形状磁石の外周の一部を直線
状に切除した直線部を有する形状をなし、かつ、下記の
条件を満足する寸法（ｍｍ）を備え、 ターゲット半径：Ｒｏ、 磁石固定時のターゲットエロージョンの円弧部の外径半
径：Ｍｏ、 夕一ゲットの中心と磁石の円弧部の中心間の距離：Ｇ、 磁石固定時におけるターゲットエロージョンの直線部外
周から磁石円弧部の中心までの距離とＭｏの差：ＤＦ、 磁石固定時におけるエロージョンの幅：Ｗとしたとき、 Ｍｏ＝Ｒｏ−Ｇ …（１） （２Ｍｏ−ＤＦ）／２≧Ｗ …（２） ＤＦ≦２０ …（３） １／８Ｒｏ−１．５≦Ｇ≦１／４Ｒｏ−３ …（４） ていることを特徴とする。
【００１０】
【作用】現在の技術では、磁石の形からターゲットのエ
ロージョンを予測することは難しく、まして磁力分布を
算出することすら困難であり、それを回転した時のター
ゲット上のエロージョンを予測することは不可能と言っ
ても過言ではない。
ロージョンを予測することは難しく、まして磁力分布を
算出することすら困難であり、それを回転した時のター
ゲット上のエロージョンを予測することは不可能と言っ
ても過言ではない。
【００１１】本発明では、磁石の具体的な形状を簡単に
することにより、従来から使用されている丸形の磁石に
よる固定（回転させない）でのエロージョンデータを用
いてシミュレーションを行うことにより、容易にその結
果を予測でき、しかも実験結果とよく一致する。更に、
そのシミュレーション結果から実用上有効な寸法を限定
した。
することにより、従来から使用されている丸形の磁石に
よる固定（回転させない）でのエロージョンデータを用
いてシミュレーションを行うことにより、容易にその結
果を予測でき、しかも実験結果とよく一致する。更に、
そのシミュレーション結果から実用上有効な寸法を限定
した。
【００１２】公転または自転治具を使用するプレーナ型
マグネトロンスパッタリング装置のスパッタ源において
は、 １．ターゲットは基板に対して寸法が小さくても必要な
距離をとれば均一な膜厚分布が得られる。
マグネトロンスパッタリング装置のスパッタ源において
は、 １．ターゲットは基板に対して寸法が小さくても必要な
距離をとれば均一な膜厚分布が得られる。
【００１３】２．治具に対してターゲットが十分小さけ
れば、ターゲットのエロージョンパターンによっては、
基板上の膜厚分布は殆ど変化しないので、ターゲットの
最大の利用効率が求めることができると判断して本発明
は完成した。
れば、ターゲットのエロージョンパターンによっては、
基板上の膜厚分布は殆ど変化しないので、ターゲットの
最大の利用効率が求めることができると判断して本発明
は完成した。
【００１４】即ち、本発明に係わるプレーナ型マグネト
ロンスパッタリング装置のスパッタ源で偏心して回転す
る磁石は、その回転軸方向から見て、円形状磁石の外周
の一部を直線状に切除した直線部を有する略『Ｄ』形と
なる形状をなしているので、磁石により描かれる水平磁
界の強度分布は、従来の形より外側に広がる部分の長さ
が長くなって、エロージョンの平坦部分や傾斜が緩やか
な部分の範囲がより外側に移動するので、夕一ゲットの
平均的に消耗する領域が広がり、利用効率の向上が図れ
る。
ロンスパッタリング装置のスパッタ源で偏心して回転す
る磁石は、その回転軸方向から見て、円形状磁石の外周
の一部を直線状に切除した直線部を有する略『Ｄ』形と
なる形状をなしているので、磁石により描かれる水平磁
界の強度分布は、従来の形より外側に広がる部分の長さ
が長くなって、エロージョンの平坦部分や傾斜が緩やか
な部分の範囲がより外側に移動するので、夕一ゲットの
平均的に消耗する領域が広がり、利用効率の向上が図れ
る。
【００１５】具体的には、図４に明らかにするようにタ
ーゲット外径を特定した場合、エロージョンパターンの
変化と分布に最適値があることを根拠にするものであ
る。これでは、ターゲツトの中心と磁石の円弧部の中心
間の距離Ｇを示す横軸と、磁石固定時における直線部外
周から磁石円弧部の中心までのターゲットエロージョン
の距離と、磁石固定時のターゲットエロージョンの円弧
部の外径半径Ｍｏとの差を示す縦軸ＤＦにより、利用効
率を等高線状分布で示した。
ーゲット外径を特定した場合、エロージョンパターンの
変化と分布に最適値があることを根拠にするものであ
る。これでは、ターゲツトの中心と磁石の円弧部の中心
間の距離Ｇを示す横軸と、磁石固定時における直線部外
周から磁石円弧部の中心までのターゲットエロージョン
の距離と、磁石固定時のターゲットエロージョンの円弧
部の外径半径Ｍｏとの差を示す縦軸ＤＦにより、利用効
率を等高線状分布で示した。
【００１６】更に、特許請求の範囲に明らかにした数値
限定の根拠について説明する。数値限定の範囲として
は、図４に明らかにする利用効率が最良になる位置であ
る丸印Ａを通る垂線である線分Ｂと（丸印Ａの位置の横
軸の値をＧとした時）（３）式によるＤＦ＝２０の直線
で線分ＢからＧ／２の垂線の交点までの線分Ｃ、Ｇ／２
からの垂線Ｄ、更に線分Ｃに対応する線分Ｅにより囲ま
れた領域Ｆを限定する。このような限定の背景として
は、図４を書いた紙面の丸印Ａの右側は、明らかに急斜
面であって使用できないので省き、Ｇ／２より小さい場
所も実用的でないので割愛する。Ｂ〜Ｅの各線分により
囲まれた領域Ｆ内に位置することになる。
限定の根拠について説明する。数値限定の範囲として
は、図４に明らかにする利用効率が最良になる位置であ
る丸印Ａを通る垂線である線分Ｂと（丸印Ａの位置の横
軸の値をＧとした時）（３）式によるＤＦ＝２０の直線
で線分ＢからＧ／２の垂線の交点までの線分Ｃ、Ｇ／２
からの垂線Ｄ、更に線分Ｃに対応する線分Ｅにより囲ま
れた領域Ｆを限定する。このような限定の背景として
は、図４を書いた紙面の丸印Ａの右側は、明らかに急斜
面であって使用できないので省き、Ｇ／２より小さい場
所も実用的でないので割愛する。Ｂ〜Ｅの各線分により
囲まれた領域Ｆ内に位置することになる。
【００１７】図５は縦軸にＲｏ、横軸にＤＦ及びＧを、
また、図６は縦軸にＤＦ、横軸にＧを採り、利用効率の
最良値を夫々プロットして得られる直線を明らかにして
いる。
また、図６は縦軸にＤＦ、横軸にＧを採り、利用効率の
最良値を夫々プロットして得られる直線を明らかにして
いる。
【００１８】
【実施例】本発明に係わるプレーナ型マグネトロンスパ
ッタリング装置のスパッタ源における磁石の構造の一実
施例を図１乃至図１０を参照して説明する。なお図１１
およぴ図１２に示した従来の磁石と同一の構造部分に
は、同じ符号をつけて詳細な説明は省略する。
ッタリング装置のスパッタ源における磁石の構造の一実
施例を図１乃至図１０を参照して説明する。なお図１１
およぴ図１２に示した従来の磁石と同一の構造部分に
は、同じ符号をつけて詳細な説明は省略する。
【００１９】中心軸Ｃを中心として偏心して回転する磁
石２３の形状を、図１の平面図及ぴ図２のＡ−Ａ線断面
図に示した。即ち、外側に配置する外側磁石２３ｂは、
内側磁石２３ａとは、一定の問隔ｅを保持しで取り囲む
ように構成され、かつ、円形の外周の一部を直線状に切
除した一部に直線部を設けた形状、平面的には丁度アル
ファベッドの『Ｄ』のような形である。
石２３の形状を、図１の平面図及ぴ図２のＡ−Ａ線断面
図に示した。即ち、外側に配置する外側磁石２３ｂは、
内側磁石２３ａとは、一定の問隔ｅを保持しで取り囲む
ように構成され、かつ、円形の外周の一部を直線状に切
除した一部に直線部を設けた形状、平面的には丁度アル
ファベッドの『Ｄ』のような形である。
【００２０】従って、磁石２３によって描かれる水平磁
界の強度分布は、外側に広がる部分が大きくなって、外
側により多くの磁界エネルギーが分布するようになる。
界の強度分布は、外側に広がる部分が大きくなって、外
側により多くの磁界エネルギーが分布するようになる。
【００２１】この結果、エロージョンパターンは、図３
に実線Ｆで示すように、そのピーク値は、外側に移動
し、平坦部分あるいは傾斜が緩やかな部分の範囲がより
広がるので、ターゲットの利用効率は著しく向上する。
に実線Ｆで示すように、そのピーク値は、外側に移動
し、平坦部分あるいは傾斜が緩やかな部分の範囲がより
広がるので、ターゲットの利用効率は著しく向上する。
【００２２】因みに、実施例によるターゲット２１の利
用効率が最良になる状況を示した図３から明らかなよう
に、一点鎖線Ａで示した従来のパターンと比較して、削
り取られる全容積は大となり、利用効率は大幅に向上し
た。
用効率が最良になる状況を示した図３から明らかなよう
に、一点鎖線Ａで示した従来のパターンと比較して、削
り取られる全容積は大となり、利用効率は大幅に向上し
た。
【００２３】なお、この実施例では、磁石２３の終縁部
を直線的に押し潰したように変形するが、要するに単に
偏心回転する円形磁石よりも、磁界分布のピーク点がよ
り外側に移動する非円形状としたところにある。
を直線的に押し潰したように変形するが、要するに単に
偏心回転する円形磁石よりも、磁界分布のピーク点がよ
り外側に移動する非円形状としたところにある。
【００２４】図４にはＲｏが特定の寸法のときの、ター
ゲット利用効率の等高線を示したが、図５は横軸Ｇｍ
ｍ，ＤＦｍｍ、縦軸Ｒｏの変化に対するＤＦ及びＧの最
良値を求めており、横軸Ｇｍｍ、縦軸ＤＦｍｍを取った
図６（図４と同一のディメンション）にはＲｏが７５ｍ
ｍ、８０ｍｍ１００ｍｍ、１７５ｍｍと変わるにつれて
利用効率が最大となる寸法の変化する状況を明らかにし
た。すなわち、Ｒｏが大きくなるとＧも移動することを
明らかにした。なお、図５及び図６に記載された大小の
丸は、違う誤差範囲によるものである。
ゲット利用効率の等高線を示したが、図５は横軸Ｇｍ
ｍ，ＤＦｍｍ、縦軸Ｒｏの変化に対するＤＦ及びＧの最
良値を求めており、横軸Ｇｍｍ、縦軸ＤＦｍｍを取った
図６（図４と同一のディメンション）にはＲｏが７５ｍ
ｍ、８０ｍｍ１００ｍｍ、１７５ｍｍと変わるにつれて
利用効率が最大となる寸法の変化する状況を明らかにし
た。すなわち、Ｒｏが大きくなるとＧも移動することを
明らかにした。なお、図５及び図６に記載された大小の
丸は、違う誤差範囲によるものである。
【００２５】また、図７乃至図１０には、磁石によるタ
ーゲット２１におけるエロージョンパターンのシミュレ
ーションによる状況を明らかにした。
ーゲット２１におけるエロージョンパターンのシミュレ
ーションによる状況を明らかにした。
【００２６】これらの図では、Ｒｏ：ターゲット半径ｍ
ｍ．Ｇ：ターゲットの中心と磁石の円弧部の中心間の距
離ｍｍ、ＤＦ：磁石固定時における直線部外周から磁石
円弧部の中心までのターゲットエロージョンの距離とＭ
ｏの差、Ｍｏ：磁石固定時における直径１５０ｍｍター
ゲットエロージョンの円弧部の外径半径をパラメータと
して、直径１５０ｍｍターゲットのエロージョンのシミ
ュレーション結果を示した。
ｍ．Ｇ：ターゲットの中心と磁石の円弧部の中心間の距
離ｍｍ、ＤＦ：磁石固定時における直線部外周から磁石
円弧部の中心までのターゲットエロージョンの距離とＭ
ｏの差、Ｍｏ：磁石固定時における直径１５０ｍｍター
ゲットエロージョンの円弧部の外径半径をパラメータと
して、直径１５０ｍｍターゲットのエロージョンのシミ
ュレーション結果を示した。
【００２７】図７は、磁石の外形とエロージョン分布の
一例を示すもので、ｘ軸がターゲットの径、ｙ軸がター
ゲットの厚さである。磁石２３の半分をエロージョン分
布特性に対応させて図中にあてはめている。ここでａは
面取りされた略『Ｄ』形状をなす磁石の一部切欠部であ
り、その外側の線分が磁石２３外径である。図８乃至図
１０は図７に更にターゲット外径と位置を付加し、各寸
法を変化させた場合のエロージョン分布を表している。
一例を示すもので、ｘ軸がターゲットの径、ｙ軸がター
ゲットの厚さである。磁石２３の半分をエロージョン分
布特性に対応させて図中にあてはめている。ここでａは
面取りされた略『Ｄ』形状をなす磁石の一部切欠部であ
り、その外側の線分が磁石２３外径である。図８乃至図
１０は図７に更にターゲット外径と位置を付加し、各寸
法を変化させた場合のエロージョン分布を表している。
【００２８】曲線ｂは略『Ｄ』形をなす磁石固定時のシ
ミュレーション結果を、曲線ｃは略『Ｄ』形をなす磁石
を回転させた後のエロージョンのシミュレーション結果
を示した。また、磁石２３の外径を小さくする面取量
が、図８では１５ｍｍ、図９と図１０では１０ｍｍの場
合を示した。
ミュレーション結果を、曲線ｃは略『Ｄ』形をなす磁石
を回転させた後のエロージョンのシミュレーション結果
を示した。また、磁石２３の外径を小さくする面取量
が、図８では１５ｍｍ、図９と図１０では１０ｍｍの場
合を示した。
【００２９】図８乃至図１０におけるエロージョンのシ
ミュレーション結果を得るのに使用された前記パラメー
タを図番の若い順に記載すると、Ｒｏ：７５、７５、７
５、Ｇ：１０、１０、１５、ＤＦ：１５、１０、１０、
Ｍｏ：４５、４５、４０であり、そのターゲットの利用
効率は、曲線ｃで示されるように４６％、４６％、５６
％と向上できた。
ミュレーション結果を得るのに使用された前記パラメー
タを図番の若い順に記載すると、Ｒｏ：７５、７５、７
５、Ｇ：１０、１０、１５、ＤＦ：１５、１０、１０、
Ｍｏ：４５、４５、４０であり、そのターゲットの利用
効率は、曲線ｃで示されるように４６％、４６％、５６
％と向上できた。
【００３０】これらの図から明らかなように、ターゲッ
トエロージョンの形状は変化しているものの利用効率は
あまり変化しておらず、本発明の有効性を示している。
トエロージョンの形状は変化しているものの利用効率は
あまり変化しておらず、本発明の有効性を示している。
【００３１】
【発明の効果】本発明に係わるプレーナ型マグネトロン
スパッタリング装置は、スパッタ源に用いる略『Ｄ』形
と称される簡単な構成の磁石やこの磁石と関係する各部
の寸法を限定することにより、ターゲットの利用効率を
５６％程度にまで高めることができ、ターゲット自体は
勿論のことスパッタリング装置の稼働率をも改善できる
もので、磁石のコストも含め実用上の効果が大きい。
スパッタリング装置は、スパッタ源に用いる略『Ｄ』形
と称される簡単な構成の磁石やこの磁石と関係する各部
の寸法を限定することにより、ターゲットの利用効率を
５６％程度にまで高めることができ、ターゲット自体は
勿論のことスパッタリング装置の稼働率をも改善できる
もので、磁石のコストも含め実用上の効果が大きい。
【図１】本発明に係わるプレーナ型マグネトロンスパッ
タリング装置のスパッタ源における磁石の構造の一実施
例を示す平面図である。
タリング装置のスパッタ源における磁石の構造の一実施
例を示す平面図である。
【図２】図１をＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図３】図１の磁石により削り取られるターゲットのエ
ロージョンパターン図である。
ロージョンパターン図である。
【図４】横軸にＧｍｍ、縦軸にＤＦｍｍを採って最適値
Ａを求めた図である。
Ａを求めた図である。
【図５】横軸にＧｍｍ及びＤＦｍｍ、縦軸にＲｏを採っ
て最適値の関係を示した図である。
て最適値の関係を示した図である。
【図６】横軸にＧｍｍ、縦軸にＤＦｍｍを採って最適値
を示した図である。
を示した図である。
【図７】磁石により削り取られるターゲットのエロージ
ョンを、非回転時と回転時のものを示す説明図である。
ョンを、非回転時と回転時のものを示す説明図である。
【図８】磁石により削り取られるターゲットのエロージ
ョンを、非回転時と回転時のものを示す説明図（面取量
１５ｍｍ）である。
ョンを、非回転時と回転時のものを示す説明図（面取量
１５ｍｍ）である。
【図９】磁石により削り取られるターゲットのエロージ
ョンを、非回転時と回転時のものを示す説明図（面取量
１０ｍｍ）である。
ョンを、非回転時と回転時のものを示す説明図（面取量
１０ｍｍ）である。
【図１０】磁石により削り取られるターゲットのエロー
ジョンを、非回転時と回転時のものを示す説明図（面取
量１０ｍｍ）である。
ジョンを、非回転時と回転時のものを示す説明図（面取
量１０ｍｍ）である。
【図１１】従来のプレーナ型マグネトロンスパッタリン
グ装置の断面図である。
グ装置の断面図である。
【図１２】図１１に示したターゲットのエロージョンパ
ターン図である。
ターン図である。
１：基板 ２：スパッタ源 ２１：ターゲット ２２：バッキングプレート ２３：磁石 ２３ａ：内側磁石 ２３ｂ：外側磁石 ２５：アノ一ド
Claims (1)
- 【請求項１】 減圧装置に接続する成膜室と、前記成膜
室内に配設される基板と、前記基板に対向して配置され
る円形状ターゲットと、前記円形状ターゲットの基板と
反対側方向にこのターゲットの中心とは偏心して回転中
心が配設される磁石とを具備したものにおいて、 前記磁石は、円形状磁石の外周の一部を直線状に切除し
た直線部を有する形状をなし、かつ、 下記の条件を満足
する寸法（ｍｍ）を備えていることを特徴とするプレー
ナ型マグネトロンスパッタリング装置。 ターゲット半径：Ｒｏ、 磁石固定時のターゲットエロージョンの円弧部の外径半
径：Ｍｏ、 夕一ゲットの中心と磁石の円弧部の中心間の距離：Ｇ、 磁石固定時におけるターゲットエロージョンの直線部外
周から磁石円弧部の中心までの距離とＭｏの差：ＤＦ、
磁石固定時におけるエロージョンの幅：Ｗ、 Ｍｏ＝Ｒｏ−Ｇ …（１） （２Ｍｏ−ＤＦ）／２≧Ｗ …（２） ＤＦ≦２０ …（３） １／８Ｒｏ−１．５≦Ｇ≦１／４Ｒｏ−３ …（４）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4063320A JP2702843B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | プレーナ型マグネトロンスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4063320A JP2702843B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | プレーナ型マグネトロンスパッタリング装置 |
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|---|---|
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| JP2702843B2 true JP2702843B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=13225863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4063320A Expired - Fee Related JP2702843B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | プレーナ型マグネトロンスパッタリング装置 |
Country Status (1)
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-
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| JPH05263235A (ja) | 1993-10-12 |
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