JP2702672B2 - 物質表面における原子移動の検出方法 - Google Patents
物質表面における原子移動の検出方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、物質表面における原
子移動の検出方法に関するものである。さらに詳しく
は、この発明は、原子単位変換材料、および、原子単位
変換デバイス等の創製に有用な、物質表面におけるＳＴ
Ｍ原子移動の検出方法に関するものである。
子移動の検出方法に関するものである。さらに詳しく
は、この発明は、原子単位変換材料、および、原子単位
変換デバイス等の創製に有用な、物質表面におけるＳＴ
Ｍ原子移動の検出方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術と課題】従来より、エレクトロニクスやバ
イオ工学の発展にともなって、高機能、および、高性能
な新規材料の創製が精力的に検討されている。このよう
な新規材料の開発においては、対象物質表面を原子単位
で操作することが重要な課題となっており、この操作に
より、対象物質の本来の性質改変して、新しい特性を有
する材料を開発することが注目されている。
イオ工学の発展にともなって、高機能、および、高性能
な新規材料の創製が精力的に検討されている。このよう
な新規材料の開発においては、対象物質表面を原子単位
で操作することが重要な課題となっており、この操作に
より、対象物質の本来の性質改変して、新しい特性を有
する材料を開発することが注目されている。
【０００３】このような、対象物質表面の原子を操作す
る方法としては、一般的には、真空蒸着法、イオン蒸着
法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）、化学気相蒸着法
（ＣＶＤ）、あるいは気相エッチング法等が関連する技
術として知られている。これらの方法は、いずれも真空
中で対象物質基板に異種原子による成膜を行うか、ある
いはエッチングにより表面原子を除去する方法であっ
て、すでに広く一般的に用いられている。
る方法としては、一般的には、真空蒸着法、イオン蒸着
法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）、化学気相蒸着法
（ＣＶＤ）、あるいは気相エッチング法等が関連する技
術として知られている。これらの方法は、いずれも真空
中で対象物質基板に異種原子による成膜を行うか、ある
いはエッチングにより表面原子を除去する方法であっ
て、すでに広く一般的に用いられている。
【０００４】たとえば分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）
は、半導体、金属、誘導体などの単結晶薄膜を作製する
技術として知られており、この方法では、クヌーセンセ
ル（蒸発源セル）を加熱することにより発生する分子線
が、加熱された単結晶基板と相互作用することによって
単結晶薄膜が形成される。そしてこの方法においては、
一原子層程度の厚さの制御や、界面急峻性、大面積一様
性等を可能としている。
は、半導体、金属、誘導体などの単結晶薄膜を作製する
技術として知られており、この方法では、クヌーセンセ
ル（蒸発源セル）を加熱することにより発生する分子線
が、加熱された単結晶基板と相互作用することによって
単結晶薄膜が形成される。そしてこの方法においては、
一原子層程度の厚さの制御や、界面急峻性、大面積一様
性等を可能としている。
【０００５】また、気相エッチング法は、イオンやラジ
カルによる表面化学反応をその過程とした方法であり、
原子層単位での引抜き除去を可能としている。さらに近
年では、液体金属イオン源（ＬＭＩＳ）が開発され、ニ
ードルの対向電極に電位を加熱することによって、加熱
溶融した液相の金属をイオンとしてニードル先端から放
出させて原子層成膜することを可能としている。
カルによる表面化学反応をその過程とした方法であり、
原子層単位での引抜き除去を可能としている。さらに近
年では、液体金属イオン源（ＬＭＩＳ）が開発され、ニ
ードルの対向電極に電位を加熱することによって、加熱
溶融した液相の金属をイオンとしてニードル先端から放
出させて原子層成膜することを可能としている。
【０００６】しかしながら、このような従来の方法の場
合には、原子層程度の制御性や、界面急峻性、大面積一
様性等の実現がある程度可能になるが、対象物質表面の
局所的な領域を一原子単位で精密に操作することは難し
く、今後の新規材料やデバイス作製にとって欠かすこと
のできない原子レベルでの対象物質表面の操作・制御技
術としては現実的ではない。
合には、原子層程度の制御性や、界面急峻性、大面積一
様性等の実現がある程度可能になるが、対象物質表面の
局所的な領域を一原子単位で精密に操作することは難し
く、今後の新規材料やデバイス作製にとって欠かすこと
のできない原子レベルでの対象物質表面の操作・制御技
術としては現実的ではない。
【０００７】最近になって、今まで不可能と思われてい
た原子レベルで対象物質表面の原子の引抜きと表面への
原子の吸着を制御する方法が、この発明の発明者らによ
って提案された。それは、走査型トンネル電子顕微鏡
（ＳＴＭ）の探針に電圧を印加し、対象物質表面の原子
を局所的に引抜くこと、そして局所的に原子を吸着させ
ることからなる操作を特徴としている。
た原子レベルで対象物質表面の原子の引抜きと表面への
原子の吸着を制御する方法が、この発明の発明者らによ
って提案された。それは、走査型トンネル電子顕微鏡
（ＳＴＭ）の探針に電圧を印加し、対象物質表面の原子
を局所的に引抜くこと、そして局所的に原子を吸着させ
ることからなる操作を特徴としている。
【０００８】だが、この局所的な原子の操作のプロセス
は、これまでにない画期的な一原子操作法として注目さ
れるものではあるが、現実的な発展のためにはさらに解
決しなければならない課題も多い。その一つが、原子の
引抜き、吸着、すなわち原子の移動に関する状態検出の
方法を確立しなければならないことである。この検出法
の確立は、今後の原子単位変換材料、および、原子単位
変換デバイス等の創製において、局所的な原子の操作の
プロセスを厳密に解析し、その技術的な発展を図ってい
くためには非常に重要である。
は、これまでにない画期的な一原子操作法として注目さ
れるものではあるが、現実的な発展のためにはさらに解
決しなければならない課題も多い。その一つが、原子の
引抜き、吸着、すなわち原子の移動に関する状態検出の
方法を確立しなければならないことである。この検出法
の確立は、今後の原子単位変換材料、および、原子単位
変換デバイス等の創製において、局所的な原子の操作の
プロセスを厳密に解析し、その技術的な発展を図ってい
くためには非常に重要である。
【０００９】この発明は、以上の通りの背景からなされ
たものであって、ＳＴＭ技術をベースとして、物質表面
における原子移動の検出を可能とする新しい方法を提供
することを目的としている。
たものであって、ＳＴＭ技術をベースとして、物質表面
における原子移動の検出を可能とする新しい方法を提供
することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、走査型トンネル電子顕微鏡（Ｓ
ＴＭ）の探針と対象物質との系において、ＳＴＭの探針
にパルス電圧を印加して対象物質表面上の原子の引抜き
と対象物質表面への原子の吸着を行う原子移動操作にお
いて、パルス電圧の印加中、および、そのパルス電圧印
加後のｚピエゾ電圧を時系列で測定することにより、物
質表面における原子移動を検出することを特徴とする物
質表面における原子移動の検出方法を提供する。
を解決するものとして、走査型トンネル電子顕微鏡（Ｓ
ＴＭ）の探針と対象物質との系において、ＳＴＭの探針
にパルス電圧を印加して対象物質表面上の原子の引抜き
と対象物質表面への原子の吸着を行う原子移動操作にお
いて、パルス電圧の印加中、および、そのパルス電圧印
加後のｚピエゾ電圧を時系列で測定することにより、物
質表面における原子移動を検出することを特徴とする物
質表面における原子移動の検出方法を提供する。
【００１１】
【作用】この発明においては、上記の通りのｚピエゾ電
圧の時系列の測定によって、原子の表面からの引抜き時
には、ｚピエゾ電圧の変化によるＳＴＭ探針と対象物質
表面との距離の拡大として、また原子の表面への吸着で
は、その距離の縮小として、しかもその過程の時間変化
として確認されることになる。
圧の時系列の測定によって、原子の表面からの引抜き時
には、ｚピエゾ電圧の変化によるＳＴＭ探針と対象物質
表面との距離の拡大として、また原子の表面への吸着で
は、その距離の縮小として、しかもその過程の時間変化
として確認されることになる。
【００１２】このことから、一原子、あるいは複数原子
のクラスターの移動としての、表面からの引抜き、また
は表面への吸着を確認でき、この過程を人為的に再現し
て物質表面の修飾、物質そのものの創製が容易となる。
この方法においては、対象物質およびＳＴＭ探針の種類
の選択は任意であり、また、対象物質とは異種原子を用
いて、その原子の対象物質表面への吸着と引抜き操作を
行い、その過程や結果を同定することも可能となる。
のクラスターの移動としての、表面からの引抜き、また
は表面への吸着を確認でき、この過程を人為的に再現し
て物質表面の修飾、物質そのものの創製が容易となる。
この方法においては、対象物質およびＳＴＭ探針の種類
の選択は任意であり、また、対象物質とは異種原子を用
いて、その原子の対象物質表面への吸着と引抜き操作を
行い、その過程や結果を同定することも可能となる。
【００１３】以下、実施例を示し、詳しくこの発明の検
出方法について説明する。
出方法について説明する。
【００１４】
【実施例】Ｐをドープしたｎ型のＳｉウェハー（０．１
Ωｃｍ）から、１５×７×０．３ｍｍ3 の大きさにカッ
トしたものをＳｉ（１１１）基板として用い、これを走
査型トンネル顕微鏡（ＪＥＯＬ ＪＳＴＭ−４０００Ｘ
Ｖ）のサンプルホルダーに装着した。そして、このフォ
ルダーを、超真空チャンバー内で、１×１０-8Ｐａの真
空度で、１２００℃に加熱して表面清浄化した。
Ωｃｍ）から、１５×７×０．３ｍｍ3 の大きさにカッ
トしたものをＳｉ（１１１）基板として用い、これを走
査型トンネル顕微鏡（ＪＥＯＬ ＪＳＴＭ−４０００Ｘ
Ｖ）のサンプルホルダーに装着した。そして、このフォ
ルダーを、超真空チャンバー内で、１×１０-8Ｐａの真
空度で、１２００℃に加熱して表面清浄化した。
【００１５】ＳＴＭの先端は、０．１ｍｍの単結晶クリ
スタルＷワイヤーを用い、先端をＫＯＨの０．５Ｎの溶
液内でエッチングした。そして、＋２Ｖの試料バイアス
電圧を印加した。この時のトンネル電流は、０．６ｎＡ
であった。このＳＴＭの先端をあらかじめ設定しておい
た場所に移動させ、−５．５Ｖのパルス電圧を３０ｍｓ
間かけた。
スタルＷワイヤーを用い、先端をＫＯＨの０．５Ｎの溶
液内でエッチングした。そして、＋２Ｖの試料バイアス
電圧を印加した。この時のトンネル電流は、０．６ｎＡ
であった。このＳＴＭの先端をあらかじめ設定しておい
た場所に移動させ、−５．５Ｖのパルス電圧を３０ｍｓ
間かけた。
【００１６】パルス電圧印加前後の表面を例示したもの
が図１のＳＴＭ像である。図１（ａ）は、パルス電圧印
加前の、原子の引抜きを行なう前の、Ｓｉ表面を観察し
たものであり、図１（ｂ）は、パルス電圧印加後に、原
子が引抜かれたＳｉ表面を観察したものである。さら
に、図１（ｃ）は、原子の吸着前におけるＳｉ表面を観
察したものであり、図１（ｄ）は、原子の吸着後のＳｉ
表面を観察したものである。
が図１のＳＴＭ像である。図１（ａ）は、パルス電圧印
加前の、原子の引抜きを行なう前の、Ｓｉ表面を観察し
たものであり、図１（ｂ）は、パルス電圧印加後に、原
子が引抜かれたＳｉ表面を観察したものである。さら
に、図１（ｃ）は、原子の吸着前におけるＳｉ表面を観
察したものであり、図１（ｄ）は、原子の吸着後のＳｉ
表面を観察したものである。
【００１７】そして、この操作において、ｚピエゾ電圧
とトンネル電流を、４つのメモリバッファを備えた２チ
ャンネルデジタルオシロスコープ（フィリップ社製ＰＭ
３３２３）をコンピュータに連結して評価した。まずは
じめに、パルス電圧を印加した場合であって、しかも原
子には引抜き、吸着による移動が生じないときの、ＳＴ
Ｍ端子とＳｉ表面との距離を、ｚピエゾ電圧として時系
列で測定すると図２（ａ）に示した通りとなる。この図
２（ａ）において、ＳＴＭ端子とＳｉ表面の距離は、ｚ
ピエゾ電圧の変化に依存するので、ｚピエゾ電圧を調べ
ることにより、ＳＴＭ端子とＳｉ表面の距離を求めるこ
とができる。この図２（ａ）からわかるように、原子の
移動が生じないときは、パルス電圧を印加するとＳＴＭ
端子とＳｉ表面との距離は、約、０．３５ｎｍに拡大す
ることがわかる。
とトンネル電流を、４つのメモリバッファを備えた２チ
ャンネルデジタルオシロスコープ（フィリップ社製ＰＭ
３３２３）をコンピュータに連結して評価した。まずは
じめに、パルス電圧を印加した場合であって、しかも原
子には引抜き、吸着による移動が生じないときの、ＳＴ
Ｍ端子とＳｉ表面との距離を、ｚピエゾ電圧として時系
列で測定すると図２（ａ）に示した通りとなる。この図
２（ａ）において、ＳＴＭ端子とＳｉ表面の距離は、ｚ
ピエゾ電圧の変化に依存するので、ｚピエゾ電圧を調べ
ることにより、ＳＴＭ端子とＳｉ表面の距離を求めるこ
とができる。この図２（ａ）からわかるように、原子の
移動が生じないときは、パルス電圧を印加するとＳＴＭ
端子とＳｉ表面との距離は、約、０．３５ｎｍに拡大す
ることがわかる。
【００１８】−５．５Ｖのパルス電圧を印加して、ＳＴ
Ｍ端子とＳｉ表面との距離を測定すると、たとえば図２
（ｂ）〜（ｅ）の通りとなる。これらの図は、ＳＴＭ端
子とＳｉ表面の距離の違いを時系列で示している。この
図に例示したように、４種類の異なる結果が得られた。
図２で（ｂ）は、図２（ａ）と比較して、その違いがパ
ルス電圧を印加した直後から生じている。この場合をタ
イプ１と名付ける。このタイプ１においては、パルス電
圧を印加するとＳＴＭ端子とＳｉ表面との距離が減少
し、さらに、パルス電圧印加後の方が、その直前より
も、ＳＴＭ端子とＳｉ表面との距離が近くなっているこ
とがわかる。
Ｍ端子とＳｉ表面との距離を測定すると、たとえば図２
（ｂ）〜（ｅ）の通りとなる。これらの図は、ＳＴＭ端
子とＳｉ表面の距離の違いを時系列で示している。この
図に例示したように、４種類の異なる結果が得られた。
図２で（ｂ）は、図２（ａ）と比較して、その違いがパ
ルス電圧を印加した直後から生じている。この場合をタ
イプ１と名付ける。このタイプ１においては、パルス電
圧を印加するとＳＴＭ端子とＳｉ表面との距離が減少
し、さらに、パルス電圧印加後の方が、その直前より
も、ＳＴＭ端子とＳｉ表面との距離が近くなっているこ
とがわかる。
【００１９】図２（ｃ）では、図２（ａ）と比較して、
その違いがパルス電圧印加中に生じている。この場合を
タイプ２と名付ける。このタイプ２においては、パルス
電圧印加途中に、ＳＴＭ端子とＳｉ表面との距離が減少
し、さらに、パルス電圧印加後の方が、直前よりも、Ｓ
ＴＭ端子とＳｉ表面との距離が近くなっている。図２
（ｄ）では、図２（ａ）と比較して、その違いがパルス
電圧の印加が終了した直後に生じている。この場合をタ
イプ３と名付ける。このタイプ３においては、パルス電
圧印加後に、ＳＴＭ端子とＳｉ表面との距離が近くなっ
ている。
その違いがパルス電圧印加中に生じている。この場合を
タイプ２と名付ける。このタイプ２においては、パルス
電圧印加途中に、ＳＴＭ端子とＳｉ表面との距離が減少
し、さらに、パルス電圧印加後の方が、直前よりも、Ｓ
ＴＭ端子とＳｉ表面との距離が近くなっている。図２
（ｄ）では、図２（ａ）と比較して、その違いがパルス
電圧の印加が終了した直後に生じている。この場合をタ
イプ３と名付ける。このタイプ３においては、パルス電
圧印加後に、ＳＴＭ端子とＳｉ表面との距離が近くなっ
ている。
【００２０】図２（ｅ）では、図２（ａ）と比較して、
その違いがパルス電圧の印加が終了した後にしばらくた
ってから生じている。この場合をタイプ４と名付ける。
このタイプ４においては、パルス電圧の印加後、しばら
くたって、印加直前よりも、ＳＴＭ端子とＳｉ表面との
距離が遠くなっている。以上のタイプを比較すると、タ
イプ１、タイプ２、および、タイプ３の場合にはたとえ
ば図３に例示したように、Ｓｉ表面のＳｉ原子がＳＴＭ
探針により引き抜かれたことを示し、さらに、各々のタ
イプの相違は、その時間的な過程を示していることがわ
かる。
その違いがパルス電圧の印加が終了した後にしばらくた
ってから生じている。この場合をタイプ４と名付ける。
このタイプ４においては、パルス電圧の印加後、しばら
くたって、印加直前よりも、ＳＴＭ端子とＳｉ表面との
距離が遠くなっている。以上のタイプを比較すると、タ
イプ１、タイプ２、および、タイプ３の場合にはたとえ
ば図３に例示したように、Ｓｉ表面のＳｉ原子がＳＴＭ
探針により引き抜かれたことを示し、さらに、各々のタ
イプの相違は、その時間的な過程を示していることがわ
かる。
【００２１】また、タイプ４の場合には、たとえば図４
に例示したように、Ｓｉ表面上のＳＴＭ探針上のＳｉ原
子が、Ｓｉ表面上に吸着したことを示し、さらに、その
時間的な経過を示していることがわかる。図５は、上記
のタイプ４について、ＳＴＭ探針とＳｉ表面との距離が
遠くなる、原子引抜き時のｚピエゾ電圧から測定した距
離と、この時のパルストンネル電流の生成を示したもの
である。
に例示したように、Ｓｉ表面上のＳＴＭ探針上のＳｉ原
子が、Ｓｉ表面上に吸着したことを示し、さらに、その
時間的な経過を示していることがわかる。図５は、上記
のタイプ４について、ＳＴＭ探針とＳｉ表面との距離が
遠くなる、原子引抜き時のｚピエゾ電圧から測定した距
離と、この時のパルストンネル電流の生成を示したもの
である。
【００２２】また、図６は、上記のタイプ１〜４の生じ
る割合を２４２回の操作においてその分布を示したもの
である。単斜線部は、Ｓｉ表面とＳＴＭ探針が近づいた
場合を、また、クロス斜線部は、ＳＴＭ探針が遠のいた
場合を示している。この例では、探針が近づいた時は、
タイプ１の原子のＳｉ表面からの引抜きが主として生起
し、遠のいた場合は、タイプ４のＳｉ原子のＳｉ表面上
への吸着が主として生起することがわかる。
る割合を２４２回の操作においてその分布を示したもの
である。単斜線部は、Ｓｉ表面とＳＴＭ探針が近づいた
場合を、また、クロス斜線部は、ＳＴＭ探針が遠のいた
場合を示している。この例では、探針が近づいた時は、
タイプ１の原子のＳｉ表面からの引抜きが主として生起
し、遠のいた場合は、タイプ４のＳｉ原子のＳｉ表面上
への吸着が主として生起することがわかる。
【００２３】
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によ
り、原子の引抜き、その吸着からなる物質表面への原子
の局所的移動の検出が時間的過程として可能となる。
り、原子の引抜き、その吸着からなる物質表面への原子
の局所的移動の検出が時間的過程として可能となる。
【図１】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、原子の局所的吸
着と引抜きに係わる物質表面の状態としての基板上に形
成された微細なパターンを示した図面に代わる写真であ
る。
着と引抜きに係わる物質表面の状態としての基板上に形
成された微細なパターンを示した図面に代わる写真であ
る。
【図２】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は、ＳＴＭ探
針とＳｉ表面との距離を時間との関係を示した図であ
る。
針とＳｉ表面との距離を時間との関係を示した図であ
る。
【図３】図２（ｂ）（ｃ）（ｄ）の場合の物質表面の様
子を示した概略図である。
子を示した概略図である。
【図４】図２（ｅ）の場合の物質表面の様子を示した概
略図である。
略図である。
【図５】図２（ｅ）の場合のＳＴＭ探針とＳｉ表面との
距離の測定値を、パルストンネル電流の発生とともに示
した図である。
距離の測定値を、パルストンネル電流の発生とともに示
した図である。
【図６】２４２回の実施において、探針を接近させる場
合と遠ざける場合とについて、タイプ１〜４の各々の発
生比率を示した図である。
合と遠ざける場合とについて、タイプ１〜４の各々の発
生比率を示した図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エリック・スナイダー 茨城県つくば市東新井16−２ つくばハ イツ415号 (72)発明者 内田 裕久 茨城県つくば市東光台１−４−８ 旭ル ーミーつくば61−101 (72)発明者 青野 正和 神奈川県横浜市緑区新石川２−７−27 (56)参考文献 特開 平３−238744（ＪＰ，Ａ) 応用物理 1992年 第61巻 第12号 Ｐ．1264〜1268
Claims (1)
- 【請求項１】 走査型トンネル電子顕微鏡（ＳＴＭ）の
探針と対象物質との系において、探針にパルス電圧を印
加して対象物質表面上の原子の引抜きと対象物質表面へ
の原子の吸着を行う原子移動操作において、パルス電圧
の印加中、および、そのパルス電圧印加後のｚピエゾ電
圧を時系列で測定することにより、物質表面における原
子移動を検出することを特徴とする物質表面における原
子移動の検出方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13766994A JP2702672B2 (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 物質表面における原子移動の検出方法 |
| EP95304202A EP0687889A3 (en) | 1994-06-16 | 1995-06-16 | Method for detecting the displacement of atoms on the surface of matter and method for local supply of hetero atoms |
| US08/491,484 US5808311A (en) | 1994-06-16 | 1995-06-16 | Method for detecting displacement of atoms on material surface and method for local supply of heteroatoms |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13766994A JP2702672B2 (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 物質表面における原子移動の検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087819A JPH087819A (ja) | 1996-01-12 |
| JP2702672B2 true JP2702672B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=15204054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13766994A Expired - Fee Related JP2702672B2 (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-20 | 物質表面における原子移動の検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2702672B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3364817B2 (ja) | 1994-12-27 | 2003-01-08 | 森 勇蔵 | 走査型プローブ顕微鏡用探針の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19619287C2 (de) * | 1996-05-13 | 2002-09-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Erzeugen von Strukturen aus Nanoteilchen |
-
1994
- 1994-06-20 JP JP13766994A patent/JP2702672B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 応用物理 １９９２年 第６１巻 第１２号 Ｐ．１２６４〜１２６８ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3364817B2 (ja) | 1994-12-27 | 2003-01-08 | 森 勇蔵 | 走査型プローブ顕微鏡用探針の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH087819A (ja) | 1996-01-12 |
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