JPH05164512A - 表面測定装置 - Google Patents
表面測定装置Info
- Publication number
- JPH05164512A JPH05164512A JP33069991A JP33069991A JPH05164512A JP H05164512 A JPH05164512 A JP H05164512A JP 33069991 A JP33069991 A JP 33069991A JP 33069991 A JP33069991 A JP 33069991A JP H05164512 A JPH05164512 A JP H05164512A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、簡易な構成でＳＴＭ（走査型トンネ
ル顕微鏡）探針の清浄化および汚染度の評価を行いなが
ら固体の表面構造や表面電子状態を測定する表面測定装
置を提供することを目的とする。 【構成】本発明の表面測定装置は、走査型トンネル顕微
鏡（ＳＴＭ）本体と、このＳＴＭ本体に沿って移動可能
なＳＴＭ探針と、このＳＴＭ探針に対して相対的に移動
可能で、ＳＴＭ探針からのトンネル電流を通ずる箇所に
測定試料および、ＳＴＭ探針の清浄化と汚染度評価のた
めの標準試料を配置できる試料台手段と、前記標準試料
について清浄でかつ原子レベルで平滑な表面を形成する
ためのマニピュレータ手段もしくはヒータ手段を真空チ
ェンバ内に納めたものである。
ル顕微鏡）探針の清浄化および汚染度の評価を行いなが
ら固体の表面構造や表面電子状態を測定する表面測定装
置を提供することを目的とする。 【構成】本発明の表面測定装置は、走査型トンネル顕微
鏡（ＳＴＭ）本体と、このＳＴＭ本体に沿って移動可能
なＳＴＭ探針と、このＳＴＭ探針に対して相対的に移動
可能で、ＳＴＭ探針からのトンネル電流を通ずる箇所に
測定試料および、ＳＴＭ探針の清浄化と汚染度評価のた
めの標準試料を配置できる試料台手段と、前記標準試料
について清浄でかつ原子レベルで平滑な表面を形成する
ためのマニピュレータ手段もしくはヒータ手段を真空チ
ェンバ内に納めたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体の表面構造や表面
電子状態を測定する走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ；Sc
anning Tunneling Microscope ）を用いた表面測定装置
に係り、特に簡易な構成でＳＴＭ探針の清浄化および汚
染度の評価を行うことができる表面測定装置に関する。
電子状態を測定する走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ；Sc
anning Tunneling Microscope ）を用いた表面測定装置
に係り、特に簡易な構成でＳＴＭ探針の清浄化および汚
染度の評価を行うことができる表面測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体表面の一つ一つの原子を測定する手
段として、走査型トンネル顕微鏡が開発されている（Ｇ
・ビニッヒ［G.Binnig］他，“サーフィスサイエン
ス”，第１２６巻，２３６頁）。
段として、走査型トンネル顕微鏡が開発されている（Ｇ
・ビニッヒ［G.Binnig］他，“サーフィスサイエン
ス”，第１２６巻，２３６頁）。
【０００３】これは、電気伝導性の固体試料に対し、先
端が尖った電気伝導性の探針を、その表面から約１nm上
で走査してトンネル電流を測定することにより、試料表
面の構造（原子の配列やクラック等）と電子状態（電子
の分布等）を原子レベルで検知するものである。
端が尖った電気伝導性の探針を、その表面から約１nm上
で走査してトンネル電流を測定することにより、試料表
面の構造（原子の配列やクラック等）と電子状態（電子
の分布等）を原子レベルで検知するものである。
【０００４】ところで、このＳＴＭにおいては、探針の
先端に絶縁性の吸着物や酸化膜などのコンタミーネーシ
ョン（汚染）が存在すると、測定時にこれらの絶縁物が
試料表面と機械的に接触し、試料表面に変形を起こした
り（Ｈ・Ｊ・マーミン［H.J.Mamin]他，“フィジカル・
レビュー”，Ｂ３４巻，９０１５頁）、トンネルバリア
に予期しない構造を与える（Ｒ・ベルテ［R.Berthe］，
“フィジカル・レビュー”，Ｂ４３巻，６８８０頁）な
どして、正確な測定には不都合な問題を生ずる。
先端に絶縁性の吸着物や酸化膜などのコンタミーネーシ
ョン（汚染）が存在すると、測定時にこれらの絶縁物が
試料表面と機械的に接触し、試料表面に変形を起こした
り（Ｈ・Ｊ・マーミン［H.J.Mamin]他，“フィジカル・
レビュー”，Ｂ３４巻，９０１５頁）、トンネルバリア
に予期しない構造を与える（Ｒ・ベルテ［R.Berthe］，
“フィジカル・レビュー”，Ｂ４３巻，６８８０頁）な
どして、正確な測定には不都合な問題を生ずる。
【０００５】しかし、市販のＳＴＭ探針の多くは不純物
を付着しており、さらに代表的なタングステン探針は大
気中で表面に酸化膜を形成する。また電気化学的な方法
で研磨（電解研磨）した探針は、エッチング液が残留し
ている可能性がある。したがって、精度のよい測定を行
うためには、これらの探針を測定前に清浄にする必要が
ある。
を付着しており、さらに代表的なタングステン探針は大
気中で表面に酸化膜を形成する。また電気化学的な方法
で研磨（電解研磨）した探針は、エッチング液が残留し
ている可能性がある。したがって、精度のよい測定を行
うためには、これらの探針を測定前に清浄にする必要が
ある。
【０００６】探針の先端を清浄に処理し、かつ探針の汚
染度も評価する手段に、電界イオン顕微鏡を用いる方法
がある（Ｙ・クック（Y.Kuk)他，“アプライド・フィジ
ックス・レターズ”，第４８巻，１５９７頁）。電界イ
オン顕微鏡は、不活性ガス中の探針の先端に強い電界を
かけ、コンタミーネーションをイオン化して気化させる
（飛ばす）ともに、この飛ばしたイオンをスクリーンに
集めて探針の像を形成し、その形状から汚染度を評価す
るものである。
染度も評価する手段に、電界イオン顕微鏡を用いる方法
がある（Ｙ・クック（Y.Kuk)他，“アプライド・フィジ
ックス・レターズ”，第４８巻，１５９７頁）。電界イ
オン顕微鏡は、不活性ガス中の探針の先端に強い電界を
かけ、コンタミーネーションをイオン化して気化させる
（飛ばす）ともに、この飛ばしたイオンをスクリーンに
集めて探針の像を形成し、その形状から汚染度を評価す
るものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この電界イ
オン顕微鏡は、設備が非常に大掛かりで、かつ高価でも
ある。そこで本発明は、簡易な構成によりＳＴＭ探針の
清浄化および汚染度の評価を行うことができる表面測定
装置を提供することを目的とする。
オン顕微鏡は、設備が非常に大掛かりで、かつ高価でも
ある。そこで本発明は、簡易な構成によりＳＴＭ探針の
清浄化および汚染度の評価を行うことができる表面測定
装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、表面測定用の探針と、前記探針と測定試料
表面との間の距離を調整するための粗動機構と、前記探
針を前記測定試料表面上で走査する圧電素子を用いた走
査手段探針の清浄化と汚染度評価のための標準試料を配
置できる試料台手段と、前記標準試料について清浄でか
つ原子レベルで平滑な表面を形成するためのマニピュレ
ータ手段もしくはヒータ手段を真空チェンバ内に納めた
表面測定装置を提供する。
するために、表面測定用の探針と、前記探針と測定試料
表面との間の距離を調整するための粗動機構と、前記探
針を前記測定試料表面上で走査する圧電素子を用いた走
査手段探針の清浄化と汚染度評価のための標準試料を配
置できる試料台手段と、前記標準試料について清浄でか
つ原子レベルで平滑な表面を形成するためのマニピュレ
ータ手段もしくはヒータ手段を真空チェンバ内に納めた
表面測定装置を提供する。
【０００９】
【作用】本発明の表面測定装置は、測定試料の他に、清
浄でかつ原子レベルで平滑な表面を有し、ＳＴＭ探針の
清浄化と汚染度評価に使用できる標準試料をも備え、測
定試料の測定前に、この標準試料をＳＴＭ探針からのト
ンネル電流を受ける位置に配置して、トンネル電流によ
るＳＴＭ探針コンタミネーションの清浄化（気化・飛
散）と汚染度評価を行なう。そして、十分な清浄が確認
された後に、測定試料を試料台ごと移動させて本来の表
面測定を行なう。
浄でかつ原子レベルで平滑な表面を有し、ＳＴＭ探針の
清浄化と汚染度評価に使用できる標準試料をも備え、測
定試料の測定前に、この標準試料をＳＴＭ探針からのト
ンネル電流を受ける位置に配置して、トンネル電流によ
るＳＴＭ探針コンタミネーションの清浄化（気化・飛
散）と汚染度評価を行なう。そして、十分な清浄が確認
された後に、測定試料を試料台ごと移動させて本来の表
面測定を行なう。
【００１０】
【実施例】以下添付の図面を参照して本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００１１】図１は、本発明の第１実施例に係る表面測
定装置１の側面図である。この表面測定装置１は、まず
図示しない真空チェンバ中にＳＴＭ本体２を具備する。
そしてＳＴＭ本体２は、図示しないモータに連結棒３を
介して接続されるスライド可能な試料台４を装備し、試
料台４には、測定試料５（複数個でもよい）が載置され
る他に、常に探針の汚染度評価のための標準試料（ここ
ではグラファイト）６が備えられる。
定装置１の側面図である。この表面測定装置１は、まず
図示しない真空チェンバ中にＳＴＭ本体２を具備する。
そしてＳＴＭ本体２は、図示しないモータに連結棒３を
介して接続されるスライド可能な試料台４を装備し、試
料台４には、測定試料５（複数個でもよい）が載置され
る他に、常に探針の汚染度評価のための標準試料（ここ
ではグラファイト）６が備えられる。
【００１２】また、ＳＴＭ探針７（白金製）はこれを走
査（上下に微動）させるスキャナ８に取り付けられ、ス
キャナ８は、ＳＴＭ探針７を粗動させるためインチワー
ム９を介して、ＳＴＭ本体２に接続する。その他、スキ
ャナ本体２には、標準試料としてのグラファイト６を劈
開させるためのマニピュレータ１０も備え付けられる。
なお、真空チェンバ内は、１０-9Torr以上の超高真空に
保たれる。
査（上下に微動）させるスキャナ８に取り付けられ、ス
キャナ８は、ＳＴＭ探針７を粗動させるためインチワー
ム９を介して、ＳＴＭ本体２に接続する。その他、スキ
ャナ本体２には、標準試料としてのグラファイト６を劈
開させるためのマニピュレータ１０も備え付けられる。
なお、真空チェンバ内は、１０-9Torr以上の超高真空に
保たれる。
【００１３】さて、測定に際しては、まず試料台４上の
標準試料グラファイト６をマニピュレータ１０の下に移
動させ、ついで前述の超高真空中でマニピュレータ１０
を作動させてグラファイト６を劈開し、標準試料として
清浄でかつ原子のレベルで平坦な表面（劈開面）を得
る。もともとグラファイトは不活性な物質であるが、１
０-9torr以上では完全にコンタミネーションのない状態
が数時間保たれる。
標準試料グラファイト６をマニピュレータ１０の下に移
動させ、ついで前述の超高真空中でマニピュレータ１０
を作動させてグラファイト６を劈開し、標準試料として
清浄でかつ原子のレベルで平坦な表面（劈開面）を得
る。もともとグラファイトは不活性な物質であるが、１
０-9torr以上では完全にコンタミネーションのない状態
が数時間保たれる。
【００１４】こうして、つぎにＳＴＭ探針７の清浄化処
理と汚染度の評価を行う。すなわち、今度は標準試料６
がＳＴＭ探針７の真下に来るように試料台４をスライド
させ、そして最初にインチワーム９による粗動、ついで
スキャナ８による微動によって、ＳＴＭ探針７とグラフ
ァイト６の間のトンネル抵抗が１０7 Ω程度になるよう
に、ＳＴＭ探針７−グラファイト６間の距離を調節す
る。
理と汚染度の評価を行う。すなわち、今度は標準試料６
がＳＴＭ探針７の真下に来るように試料台４をスライド
させ、そして最初にインチワーム９による粗動、ついで
スキャナ８による微動によって、ＳＴＭ探針７とグラフ
ァイト６の間のトンネル抵抗が１０7 Ω程度になるよう
に、ＳＴＭ探針７−グラファイト６間の距離を調節す
る。
【００１５】この後、−５Ｖのサンプルバイアス電圧を
０．１秒間パルス状に印加する。すると、ＳＴＭ探針７
の先端には約１０Ｖ／nmの電界が発生し、コンタミネー
ションはイオン化により飛散・除去される。このような
探針−試料間への電圧印加による探針先端の清浄化処理
は従来経験的に行われており、その有効性も知られてい
る（例えばＲ・エミック［R.Emich]他，“ジャーナル・
オブ・アプライド・フィジックス”，第６５巻，７９頁
その他）。ただ、従来の方式は測定試料との間で電圧を
印加するため、測定試料に損傷を与える危険を伴うが、
本実施例においては、標準試料との間で行なうため、測
定試料を測定前に損傷してしまうおそれはない。
０．１秒間パルス状に印加する。すると、ＳＴＭ探針７
の先端には約１０Ｖ／nmの電界が発生し、コンタミネー
ションはイオン化により飛散・除去される。このような
探針−試料間への電圧印加による探針先端の清浄化処理
は従来経験的に行われており、その有効性も知られてい
る（例えばＲ・エミック［R.Emich]他，“ジャーナル・
オブ・アプライド・フィジックス”，第６５巻，７９頁
その他）。ただ、従来の方式は測定試料との間で電圧を
印加するため、測定試料に損傷を与える危険を伴うが、
本実施例においては、標準試料との間で行なうため、測
定試料を測定前に損傷してしまうおそれはない。
【００１６】さて今度はこの清浄化処理を行なったＳＴ
Ｍ探針７先端の汚染度を評価する。まず、ＳＴＭ探針７
をトンネル抵抗が約１０6 Ωになるところまで標準試料
６に近づける。そして、その位置から、今度は＋０．１
〜−０．１nmの範囲でＳＴＭ探針７をスキャナ８で上下
動させ、ＳＴＭ探針７の変位（実際にはスキャナ８の試
料方向における変位）ｓ´［nm］とこの変位に伴うトン
ネル電流Ｉt ［nA］の変化をそれぞれ測定する。
Ｍ探針７先端の汚染度を評価する。まず、ＳＴＭ探針７
をトンネル抵抗が約１０6 Ωになるところまで標準試料
６に近づける。そして、その位置から、今度は＋０．１
〜−０．１nmの範囲でＳＴＭ探針７をスキャナ８で上下
動させ、ＳＴＭ探針７の変位（実際にはスキャナ８の試
料方向における変位）ｓ´［nm］とこの変位に伴うトン
ネル電流Ｉt ［nA］の変化をそれぞれ測定する。
【００１７】ところで、トンネルバリアをφ［ｅＶ］と
すると、φおよび、電子がトンネル効果を生ずるトンネ
ルバリアの幅ｓ［nm］とＩt の間には、
すると、φおよび、電子がトンネル効果を生ずるトンネ
ルバリアの幅ｓ［nm］とＩt の間には、
【数１】 なる関係があることが知られている（Ｇ・ビニッヒ［G.
Binnig］他、“アプライド・フィジックス・レター
ズ”，第４０巻，１７６頁その他）。
Binnig］他、“アプライド・フィジックス・レター
ズ”，第４０巻，１７６頁その他）。
【００１８】したがって、もしＳＴＭ探針７と標準試料
６の間が真空であれば、つまりＳＴＭ探針７にコンタミ
ネーションがなければ、ｓの変位量はｓ´の変位量に等
しくなるため、実測できるｓ´をｓの代わりに用いて、
式（１）により真空に対応するトンネルバリアφを正し
く求めることができる。
６の間が真空であれば、つまりＳＴＭ探針７にコンタミ
ネーションがなければ、ｓの変位量はｓ´の変位量に等
しくなるため、実測できるｓ´をｓの代わりに用いて、
式（１）により真空に対応するトンネルバリアφを正し
く求めることができる。
【００１９】すなわち、トンネルバリアφはＳＴＭ探針
７（白金）の固有の仕事関数と標準試料６（グラファイ
ト）の固有の仕事関数の平均値にほぼ等しくなる。これ
は、グラファイト６の劈開面およびＳＴＭ探針７の先端
ともコンタミネーションがなく清浄で、どちらも固有の
仕事関数値をもつためである。ここで白金、グラファイ
トとも４．５〜５．５ｅＶの仕事関数値を有するため、
トンネルバリアφもほぼ同等の値を示すことになる。
７（白金）の固有の仕事関数と標準試料６（グラファイ
ト）の固有の仕事関数の平均値にほぼ等しくなる。これ
は、グラファイト６の劈開面およびＳＴＭ探針７の先端
ともコンタミネーションがなく清浄で、どちらも固有の
仕事関数値をもつためである。ここで白金、グラファイ
トとも４．５〜５．５ｅＶの仕事関数値を有するため、
トンネルバリアφもほぼ同等の値を示すことになる。
【００２０】一方、ＳＴＭ探針７先端にコンタミネーシ
ョンが存在する場合は、先のトンネル抵抗が１０6 Ω程
度になるように接近させたとき、コンタミネーションを
介して標準試料６に機械的に接触する。このときは標準
試料６がへこむため、ＳＴＭ探針７は標準試料６側に変
位させることできるものの、その変位量ｓ´はｓよりも
小さくなる（Ｈ・Ｊ・マーミン［H.J.Mamin]他，“フィ
ジカル・レビュー”，Ｂ３４巻，９０１５頁）。したが
って、ｓを用いて計算されるφの値も小さくなり、つま
り白金とグラファイトそれぞれの仕事関数値の平均より
も小さくなり、汚染の程度を評価できる。
ョンが存在する場合は、先のトンネル抵抗が１０6 Ω程
度になるように接近させたとき、コンタミネーションを
介して標準試料６に機械的に接触する。このときは標準
試料６がへこむため、ＳＴＭ探針７は標準試料６側に変
位させることできるものの、その変位量ｓ´はｓよりも
小さくなる（Ｈ・Ｊ・マーミン［H.J.Mamin]他，“フィ
ジカル・レビュー”，Ｂ３４巻，９０１５頁）。したが
って、ｓを用いて計算されるφの値も小さくなり、つま
り白金とグラファイトそれぞれの仕事関数値の平均より
も小さくなり、汚染の程度を評価できる。
【００２１】そして、もしＳＴＭ探針７が未だ清浄でな
いことが判明したときは、スキャナ８によってＳＴＭ探
針７と標準試料６との距離を調節し、かつ必要に応じて
試料台４をスライドさせて標準試料６表面の損傷してい
ない箇所との間で再度前述の清浄化処理を行なう。
いことが判明したときは、スキャナ８によってＳＴＭ探
針７と標準試料６との距離を調節し、かつ必要に応じて
試料台４をスライドさせて標準試料６表面の損傷してい
ない箇所との間で再度前述の清浄化処理を行なう。
【００２２】こうして、ＳＴＭ探針７の先端が清浄なこ
とが確認されたら、インチワーム９によりＳＴＭ探針７
を標準試料６から遠ざける。そして試料台４をスライド
させ、測定試料５をＳＴＭ探針７の下にもってくる。こ
の後、インチワーム９とスキャナ８により再びＳＴＭ探
針７を測定に必要な距離まで近づけ、清浄なＳＴＭ探針
７によるＳＴＭ観察を行なうことができる。
とが確認されたら、インチワーム９によりＳＴＭ探針７
を標準試料６から遠ざける。そして試料台４をスライド
させ、測定試料５をＳＴＭ探針７の下にもってくる。こ
の後、インチワーム９とスキャナ８により再びＳＴＭ探
針７を測定に必要な距離まで近づけ、清浄なＳＴＭ探針
７によるＳＴＭ観察を行なうことができる。
【００２３】すなわち、本実施例によれば、電界イオン
顕微鏡のような大掛かりで高価な装置を用いなくても、
ＳＴＭ探針７の清浄化および汚染度評価を行なうことが
できる。
顕微鏡のような大掛かりで高価な装置を用いなくても、
ＳＴＭ探針７の清浄化および汚染度評価を行なうことが
できる。
【００２４】図２は、本発明の第２実施例に係る表面測
定装置２１の側面図である。図１に対応する箇所には同
一の符号を付して詳しい説明は省略する。
定装置２１の側面図である。図１に対応する箇所には同
一の符号を付して詳しい説明は省略する。
【００２５】本実施例の表面測定装置２１は、予め適当
な手段で劈開させた標準試料グラファイト６を試料台４
に埋め込まれたヒータ２２上に配備した後、真空チェン
バ内に納める。そして前実施例と同様の超高真空中でヒ
ータ２２により標準試料６を加熱（４５０℃で５時間）
する。このような加熱を施すと、グラファイト６につい
て清浄でかつ原子レベルで平坦な表面が確保される（Ｊ
・Ｊ・メトイス［J.J.Metois］他、“シン・ソリッド・
フィルムズ［Thin Solid Films］”，第５１巻，１０５
頁）。
な手段で劈開させた標準試料グラファイト６を試料台４
に埋め込まれたヒータ２２上に配備した後、真空チェン
バ内に納める。そして前実施例と同様の超高真空中でヒ
ータ２２により標準試料６を加熱（４５０℃で５時間）
する。このような加熱を施すと、グラファイト６につい
て清浄でかつ原子レベルで平坦な表面が確保される（Ｊ
・Ｊ・メトイス［J.J.Metois］他、“シン・ソリッド・
フィルムズ［Thin Solid Films］”，第５１巻，１０５
頁）。
【００２６】以下は前実施例とまったく同様な方法で、
ＳＴＭ探針７の清浄化処理、汚染度評価、そして測定試
料５の実際の表面測定を行なう。
ＳＴＭ探針７の清浄化処理、汚染度評価、そして測定試
料５の実際の表面測定を行なう。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の表面測定
装置によれば、従来の電界イオン顕微鏡のような大掛か
りで高価な装置を用いなくても、また測定試料を損傷す
ることなく、簡易な構成および簡単な手順でＳＴＭ探針
の清浄化と汚染度評価を行なうことができ、十分な清浄
化が確認されたＳＴＭ探針で測定試料の正確な表面測定
を行なうことができる。
装置によれば、従来の電界イオン顕微鏡のような大掛か
りで高価な装置を用いなくても、また測定試料を損傷す
ることなく、簡易な構成および簡単な手順でＳＴＭ探針
の清浄化と汚染度評価を行なうことができ、十分な清浄
化が確認されたＳＴＭ探針で測定試料の正確な表面測定
を行なうことができる。
【図１】図１は、本発明の第１実施例に係る表面測定装
置の側面図。
置の側面図。
【図２】図２は、本発明の第２実施例に係る表面測定装
置の側面図。
置の側面図。
２ ＳＴＭ本体 ４ 試料台 ５ 測定試料 ６ 標準試料 ７ ＳＴＭ探針 ８ スキャナ １０ マニピュレータ １４ ヒータ
Claims (1)
- 【請求項１】 表面測定用の探針と、前記探針と測定試
料表面との間の距離を調整するための粗動機構と、前記
探針を前記測定試料表面上で走査する圧電素子を用いた
走査手段探針の清浄化と汚染度評価のための標準試料を
配置できる試料台手段と、前記標準試料について清浄で
かつ原子レベルで平滑な表面を形成するためのマニピュ
レータ手段もしくはヒータ手段を真空チェンバ内に納め
た表面測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33069991A JPH05164512A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 表面測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33069991A JPH05164512A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 表面測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05164512A true JPH05164512A (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=18235578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33069991A Pending JPH05164512A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 表面測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05164512A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0736746A1 (en) * | 1995-04-04 | 1996-10-09 | Ryoden Semiconductor System Engineering Corporation | Method of using scanning probe microscope permitting cleaning of probe microscope or of probe tip in ambient atmosphere |
| JP2017207755A (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-24 | レイヴ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 高アスペクト構造からのデブリ除去 |
| US11040379B2 (en) | 2007-09-17 | 2021-06-22 | Bruker Nano, Inc. | Debris removal in high aspect structures |
| US11391664B2 (en) | 2007-09-17 | 2022-07-19 | Bruker Nano, Inc. | Debris removal from high aspect structures |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP33069991A patent/JPH05164512A/ja active Pending
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