JP2695555B2 - 半導体集積回路のテスト装置 - Google Patents
半導体集積回路のテスト装置Info
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- JP2695555B2 JP2695555B2 JP3342300A JP34230091A JP2695555B2 JP 2695555 B2 JP2695555 B2 JP 2695555B2 JP 3342300 A JP3342300 A JP 3342300A JP 34230091 A JP34230091 A JP 34230091A JP 2695555 B2 JP2695555 B2 JP 2695555B2
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体集積回路装置な
どを対象としたテスト装置に関し、特に走査型電子顕微
鏡を用いてテストを行う場合の周辺装置の改良に関する
ものである。
どを対象としたテスト装置に関し、特に走査型電子顕微
鏡を用いてテストを行う場合の周辺装置の改良に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】図5は例えば従来の走査線型電子顕微鏡
を用いてTABテープに実装されたフェースダウンのL
SIを評価する際の周辺装置の組み合わせ構造を示す図
である。
を用いてTABテープに実装されたフェースダウンのL
SIを評価する際の周辺装置の組み合わせ構造を示す図
である。
【0003】図5において、1は走査線型電子顕微鏡が
電子を射出するための電子銃、1aは電子銃1より射出
される電子ビーム、3はTABテープ上に実装されたL
SIチップ、2はTABテープを固定するためのテープ
キャリア、6はテープキャリア2を上部から加圧するた
めのソケットのふたである。4はテープ上のパッドであ
り、LSI3に外部から信号を供給するか、もしくはL
SI3の信号を取り出す。5はテープキャリア2を固定
するためのパッケージソケット、16はソケット5の信
号ピン、7はパッド4と信号ピン16とを電気的に接続
するためのソケット5内の配線である。8はテスト用基
板、8bはテスト用基板8に設けられた電子ビームをチ
ップ表面に照射するための開口部であり、11は信号ケ
ーブル、10は信号ケーブル11のコネクタ、10aは
コネクタ10の信号ピン、10bは信号ケーブル11と
信号ピン10aとを接続するための配線、9は信号ピン
16と信号ピン10aとを電気的に接続するためのテス
ト用基板8の配線である。
電子を射出するための電子銃、1aは電子銃1より射出
される電子ビーム、3はTABテープ上に実装されたL
SIチップ、2はTABテープを固定するためのテープ
キャリア、6はテープキャリア2を上部から加圧するた
めのソケットのふたである。4はテープ上のパッドであ
り、LSI3に外部から信号を供給するか、もしくはL
SI3の信号を取り出す。5はテープキャリア2を固定
するためのパッケージソケット、16はソケット5の信
号ピン、7はパッド4と信号ピン16とを電気的に接続
するためのソケット5内の配線である。8はテスト用基
板、8bはテスト用基板8に設けられた電子ビームをチ
ップ表面に照射するための開口部であり、11は信号ケ
ーブル、10は信号ケーブル11のコネクタ、10aは
コネクタ10の信号ピン、10bは信号ケーブル11と
信号ピン10aとを接続するための配線、9は信号ピン
16と信号ピン10aとを電気的に接続するためのテス
ト用基板8の配線である。
【0004】図6はLSIを実装したTABテープ及び
テープキャリアの詳細図である。図において、図5と同
一符号は同一又は相当部分を示し、14はTABテー
プ、14aはTABテープ14を位置決めするための
穴、12はLSIチップ3内部の信号パッド、13はパ
ッド4と信号パッド12を電気的に接続するための配線
である。
テープキャリアの詳細図である。図において、図5と同
一符号は同一又は相当部分を示し、14はTABテー
プ、14aはTABテープ14を位置決めするための
穴、12はLSIチップ3内部の信号パッド、13はパ
ッド4と信号パッド12を電気的に接続するための配線
である。
【0005】図7は図5のソケット5を詳細にみた斜視
図である。図において、図5と同一符号は同一又は相当
部分を示し、15はパッド4とパッケージ内信号配線7
とを電気的に安定に接続するためのソケット5の信号ピ
ンである。
図である。図において、図5と同一符号は同一又は相当
部分を示し、15はパッド4とパッケージ内信号配線7
とを電気的に安定に接続するためのソケット5の信号ピ
ンである。
【0006】図8は図5を上方から見た時の平面図であ
る。図において、図5と同一符号は同一又は相当部分を
示す。
る。図において、図5と同一符号は同一又は相当部分を
示す。
【0007】次に動作について説明する。信号ケーブル
11により印加された信号は、コネクタ10、信号ピン
10a、テスト用基板8の配線9、ソケット5の信号ピ
ン16、ソケット5内の配線7、ソケット5の信号ピン
15、テープ上のパッド4、配線13、LSIチップ3
の信号パッド12という経路を経て、LSIチップ3内
に伝わる。
11により印加された信号は、コネクタ10、信号ピン
10a、テスト用基板8の配線9、ソケット5の信号ピ
ン16、ソケット5内の配線7、ソケット5の信号ピン
15、テープ上のパッド4、配線13、LSIチップ3
の信号パッド12という経路を経て、LSIチップ3内
に伝わる。
【0008】これにより、信号をチップ3に印加した状
態でテスト用基板8の開口部8b及びソケット5の開口
部を介して、電子ビーム1aをLSIチップ3表面に照
射し、表面から飛び出す2次電子を検出器(図示せず)
により検出することにより、表面の電位を観測すること
ができる。
態でテスト用基板8の開口部8b及びソケット5の開口
部を介して、電子ビーム1aをLSIチップ3表面に照
射し、表面から飛び出す2次電子を検出器(図示せず)
により検出することにより、表面の電位を観測すること
ができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
のテスト装置は以上のように構成されており、電子顕微
鏡の許容焦点距離はあらかじめ一定の範囲内に設定され
ているのだが、LSIが微細化されるにつれ、LSIチ
ップのパッドピッチが小さくなり、数も多くなることに
より、ソケット内の配線が複雑になり、本数も増大し、
そのためソケットの外形寸法が増大してチップ表面と電
子銃との距離が長くなり、また、信号線数が多くなる
と、テスト用基板に多層構造基板が採用され、基板厚さ
が増大し、これによりチップ表面と電子銃との距離が許
容焦点距離の範囲を越えてしまい、精度ある観測が行え
ないという問題点があった。
のテスト装置は以上のように構成されており、電子顕微
鏡の許容焦点距離はあらかじめ一定の範囲内に設定され
ているのだが、LSIが微細化されるにつれ、LSIチ
ップのパッドピッチが小さくなり、数も多くなることに
より、ソケット内の配線が複雑になり、本数も増大し、
そのためソケットの外形寸法が増大してチップ表面と電
子銃との距離が長くなり、また、信号線数が多くなる
と、テスト用基板に多層構造基板が採用され、基板厚さ
が増大し、これによりチップ表面と電子銃との距離が許
容焦点距離の範囲を越えてしまい、精度ある観測が行え
ないという問題点があった。
【0010】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、テープキャリアパッケージに実
装された大規模なLSIに信号を印加した状態で、走査
型電子顕微鏡の焦点範囲内でチップ表面を観測できる半
導体集積回路のテスト装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、テープキャリアパッケージに実
装された大規模なLSIに信号を印加した状態で、走査
型電子顕微鏡の焦点範囲内でチップ表面を観測できる半
導体集積回路のテスト装置を得ることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路のテスト装置は、内部に電導性粒子を含み圧縮す
ることにより電気的接続が得られる平板を備え、該平板
により半導体集積回路装置を実装するパッケージ内の信
号端子とテスト用基板側の配線とを接続して信号を伝え
るようにしたものである。
積回路のテスト装置は、内部に電導性粒子を含み圧縮す
ることにより電気的接続が得られる平板を備え、該平板
により半導体集積回路装置を実装するパッケージ内の信
号端子とテスト用基板側の配線とを接続して信号を伝え
るようにしたものである。
【0012】
【作用】この発明においては、半導体集積回路装置を実
装するパッケージ内の信号端子、即ちTABテープ上の
テストパッドとテスト用基板上もしくはテスト用基板内
部の配線とを、電導性粒子を内部に含み上部から圧縮す
ることにより電気的接続が得られる平板を介して接続す
るようにしたから、従来用いられていたソケットが不要
となり、高集積なLSIに対してであってもLSI表面
から電子ビーム射出口までの距離を短くすることができ
る。
装するパッケージ内の信号端子、即ちTABテープ上の
テストパッドとテスト用基板上もしくはテスト用基板内
部の配線とを、電導性粒子を内部に含み上部から圧縮す
ることにより電気的接続が得られる平板を介して接続す
るようにしたから、従来用いられていたソケットが不要
となり、高集積なLSIに対してであってもLSI表面
から電子ビーム射出口までの距離を短くすることができ
る。
【0013】
【実施例】図1はこの発明の一実施例による半導体集積
回路のテスト装置の断面図である。図において、図5と
同一符号は同一又は相当部分を示し、17はテスト用基
板、18はテストパッド4とテスト用基板17との間に
設けられた媒体、19は媒体18のパッド4直下部にあ
る電導部分である。媒体18は電導部分19内部に電導
性粒子を含み圧縮することにより電気的接続が得られる
平板である。
回路のテスト装置の断面図である。図において、図5と
同一符号は同一又は相当部分を示し、17はテスト用基
板、18はテストパッド4とテスト用基板17との間に
設けられた媒体、19は媒体18のパッド4直下部にあ
る電導部分である。媒体18は電導部分19内部に電導
性粒子を含み圧縮することにより電気的接続が得られる
平板である。
【0014】図2は図1を上方から見た時の平面図であ
り、図において、図1と同一符号は同一又は相当部分を
示す。
り、図において、図1と同一符号は同一又は相当部分を
示す。
【0015】図3は、媒体18の詳細図であり、図にお
いて、図1と同一符号は同一又は相当部分を示し、18
aは媒体18の位置決め用開口部、21は絶縁物、22
は媒体18の平坦性を保つために媒体18の内部に設け
られた絶縁平板である。
いて、図1と同一符号は同一又は相当部分を示し、18
aは媒体18の位置決め用開口部、21は絶縁物、22
は媒体18の平坦性を保つために媒体18の内部に設け
られた絶縁平板である。
【0016】図4は図3に示すX−X′部分の断面構造
を示した図であり、媒体18の電気的接触部分を示す。
図において、図3と同一符号は同一又は相当部分を示
し、23は電導部分19にある電導性粒子であり、A−
B側に圧力を加えることにより、A−B間が電気的に導
通するようになっている。
を示した図であり、媒体18の電気的接触部分を示す。
図において、図3と同一符号は同一又は相当部分を示
し、23は電導部分19にある電導性粒子であり、A−
B側に圧力を加えることにより、A−B間が電気的に導
通するようになっている。
【0017】次に動作について説明する。信号ケーブル
11により印加される信号は、コネクタ10、信号ピン
10a、テスト用基板17の配線9を経由して、媒体1
8の電導部分19の図4に示すB部に伝搬する。図1に
示すソケットのふた6の上部から加圧することより、図
4に示すA−B間に圧力が加わり、A−B間が電気的に
導通し、B部の信号がA部に伝搬する。電導部分19の
A部の信号はパッド4を経由してLSIチップ3の内部
パッドに伝搬し、チップ内に信号を供給することができ
る。
11により印加される信号は、コネクタ10、信号ピン
10a、テスト用基板17の配線9を経由して、媒体1
8の電導部分19の図4に示すB部に伝搬する。図1に
示すソケットのふた6の上部から加圧することより、図
4に示すA−B間に圧力が加わり、A−B間が電気的に
導通し、B部の信号がA部に伝搬する。電導部分19の
A部の信号はパッド4を経由してLSIチップ3の内部
パッドに伝搬し、チップ内に信号を供給することができ
る。
【0018】このように本実施例によれば、LSIチッ
プ3を実装するパッケージ内の信号端子、即ちTABテ
ープ上のテストパッド4とテスト用基板17の配線9と
を、内部に電導性粒子23を含む媒体18を介して接続
するようにしたので、加圧により圧縮された媒体18内
の電導性粒子23により信号が伝達され、従来用いられ
ていた外形寸法の大きなソケット5を不要とすることが
でき、LSIチップ3表面から電子銃1の電子ビーム射
出口までの距離を短くすることができる。そして、電導
性粒子23を用いているために、パッドピッチが小さく
なっても配線が複雑にならず、媒体18の厚さが厚くな
ることもない。従って、高集積なLSI3に対しても、
信号を印加した状態で、走査線型電子顕微鏡の焦点範囲
内で、チップ表面を精度よく観測できる。
プ3を実装するパッケージ内の信号端子、即ちTABテ
ープ上のテストパッド4とテスト用基板17の配線9と
を、内部に電導性粒子23を含む媒体18を介して接続
するようにしたので、加圧により圧縮された媒体18内
の電導性粒子23により信号が伝達され、従来用いられ
ていた外形寸法の大きなソケット5を不要とすることが
でき、LSIチップ3表面から電子銃1の電子ビーム射
出口までの距離を短くすることができる。そして、電導
性粒子23を用いているために、パッドピッチが小さく
なっても配線が複雑にならず、媒体18の厚さが厚くな
ることもない。従って、高集積なLSI3に対しても、
信号を印加した状態で、走査線型電子顕微鏡の焦点範囲
内で、チップ表面を精度よく観測できる。
【0019】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体集
積回路のテスト装置によれば、電導性粒子を含み圧縮す
ることにより電気的接続が得られる平板を備え、該平板
により半導体集積回路装置を実装するパッケージ内の信
号端子とテスト用基板側の配線とを接続するようにした
ので、LSIチップ側のパッドとテスト用基板部との電
気的接続が上記平板により得られ、従来用いられていた
ソケットを不要とし、そして電導部分に電導性の粒子を
用いているためにパッドピッチが小さくなっても配線が
複雑にならず、平板の厚さが厚くなることもなく、従っ
て走査線型電子顕微鏡の電子ビーム射出部とチップ表面
との距離を短くすることができ、走査線型電子顕微鏡の
許容焦点距離内で、チップに信号を印加した状態で、精
度ある測定を行うことができる効果がある。
積回路のテスト装置によれば、電導性粒子を含み圧縮す
ることにより電気的接続が得られる平板を備え、該平板
により半導体集積回路装置を実装するパッケージ内の信
号端子とテスト用基板側の配線とを接続するようにした
ので、LSIチップ側のパッドとテスト用基板部との電
気的接続が上記平板により得られ、従来用いられていた
ソケットを不要とし、そして電導部分に電導性の粒子を
用いているためにパッドピッチが小さくなっても配線が
複雑にならず、平板の厚さが厚くなることもなく、従っ
て走査線型電子顕微鏡の電子ビーム射出部とチップ表面
との距離を短くすることができ、走査線型電子顕微鏡の
許容焦点距離内で、チップに信号を印加した状態で、精
度ある測定を行うことができる効果がある。
【図1】この発明の一実施例による半導体集積回路のテ
スト装置の断面構成図。
スト装置の断面構成図。
【図2】図1を上方から見た時の平面図。
【図3】この発明の一実施例による半導体集積回路のテ
スト装置の媒体の構成例を示す平面図。
スト装置の媒体の構成例を示す平面図。
【図4】図3に示すX−X′部分の断面図。
【図5】従来の半導体集積回路のテスト装置の断面構成
図。
図。
【図6】従来のLSIが実装されているTABテープ及
びテープキャリア部分を示す平面図。
びテープキャリア部分を示す平面図。
【図7】従来のソケット部分を示す図。
【図8】図5を上方から見た時の平面図。
1 電子銃 1a 電子ビーム 2 テープキャリア 3 LSIチップ 4 テープ上のパッド 6 ソケットのふた 9 テスト用基板の配線 10 信号ケーブルコネクタ 10a 信号ピン 11 信号ケーブル 17 テスト用基板 18 媒体 18a 位置決め用開口部 19 電導部分 21 絶縁物 22 絶縁平板 23 電導性粒子
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体集積回路装置に信号を印加した状
態で、走査線型電子顕微鏡により該半導体集積回路装置
表面を観測する半導体集積回路のテスト装置において、 内部に電導性粒子を含み、圧縮することにより電気的接
続が得られる平板を備え、 該平板により、上記半導体集積回路装置を実装するパッ
ケージ内の信号端子とテスト用基板側の配線とを接続
し、信号を伝えるようにしたことを特徴とする半導体集
積回路のテスト装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3342300A JP2695555B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 半導体集積回路のテスト装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3342300A JP2695555B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 半導体集積回路のテスト装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05152393A JPH05152393A (ja) | 1993-06-18 |
JP2695555B2 true JP2695555B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=18352662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3342300A Expired - Fee Related JP2695555B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 半導体集積回路のテスト装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2695555B2 (ja) |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP3342300A patent/JP2695555B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05152393A (ja) | 1993-06-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |