JP2690760B2 - Cmosインバータ回路 - Google Patents

Cmosインバータ回路

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JP2690760B2
JP2690760B2 JP63283000A JP28300088A JP2690760B2 JP 2690760 B2 JP2690760 B2 JP 2690760B2 JP 63283000 A JP63283000 A JP 63283000A JP 28300088 A JP28300088 A JP 28300088A JP 2690760 B2 JP2690760 B2 JP 2690760B2
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00346Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents
    • H03K19/00361Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents in field effect transistor circuits

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Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、入力信号の反転信号を出力信号として出力
するCMOSインバータ回路に関するものであり、特に、輻
射ノイズを低減したCMOSインバータ回路に関するもので
ある。
<従来の技術> 現在LSIは超微細加工技術による高集積、高速化が進
み、これに伴い、輻射ノズルによる問題が起こり、この
問題につき無視できない状態にある。
従来のCMOSインバータ回路に於いては、第2図に示す
様に、一種類のPチャネル,NチャネルMOSトランジスタT
P,TNで構成されていた。同図(a)は回路図、同図
(b)はタイミングチャートである。
<発明が解決しようとする課題> 上記の様に、従来のCMOSインバータ回路は一種類のP
チャネル,NチャネルMOSトランジスタで構成していたた
めに、輻射ノイズ低減の為、トランジスタサイズを小さ
くして立ち上り・立ち下り時間を遅くすれば、ドライブ
能力が小さくなり、また、速くすれば、ドライブ能力は
大きくなるが、輻射ノイズの問題が起こり、問題解決は
できない。すなわち、従来の方式では一種類のPチャネ
ル,NチャネルMOSトランジスタで構成しているため、ド
ライブ能力を重視するか、又は輻射ノイズ対策を重視す
るかにより、どちらかの問題点が残る。
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、
この問題点を解決したCMOSインバータ回路を提供するこ
とを目的とする。
<課題を解決するための手段> 本発明のCMOSインバータ回路は、入力信号の反転信号
を出力信号として出力するCMOSインバータ回路に於い
て、第1図に示すように、立ち上り・立ち下り用の第1
のCMOSインバータINV2(TP2,TN2:トランジスタサイズ
小)と、ドライブ能力用の第2のCMOSインバータINV1
(TP1,TN1:トランジスタサイズ大)とを組み合わせて構
成したことを特徴とするものである。
<作用> 本発明は、第1図の様に、2種類のトランジスタ(TP
1,TN1とTP2,TN2)を使用するので、立ち上り・立ち下り
用と、ドライブ能力用とに分けることができ、これによ
り、ドライブ能力、輻射ノイズの対策を行うことができ
る。
<実施例> 第1図は本発明の一実施例を示すものであり、同図
(a)は回路図、同図(b)はタイミングチャートであ
る。
第1図(a)の回路図に於いて、PチャネルMOSトラ
ンジスタTP2,NチャネルMOSトランジスタTN2が立ち上り
・立ち下り用で、トランジスタサイズを小さめに、ま
た、PチャネルMOSトランジスタTP1,NチャネルMOSトラ
ンジスタTN1がドライブ能力用で、トランジスタサイズ
を大きめにしておく。
入力信号Aの変化が遅延回路DELAY1によって遅延され
た信号A′により、TP2,TN2がオン・オフされ、出力信
号Yが立ち上り・立ち下りの変化を行い、その後、さら
に遅延回路DELAY2によって遅延された信号A″により、
TP1,TN1のどちらかがオンされ、ドライブ能力を大きく
する。ORはオアゲート、ANDはアンドゲートである。ま
た、入力信号Aの変化によってTP1,TN1のどちらかがオ
フされる(第1図(b)のタイミングチャート参照)。
この動作により、出力信号Yの立ち上り・立ち下り期
間はTP1,TN1共にオフし、トランジスタサイズ小のTP2,T
N2により立ち上り・立ち下りを制御し、輻射ノイズを低
減し、また、出力信号YがH,Lの期間中は、トランジス
タサイズ大のTP1又はTN1がオンし、所定のドライブ能力
を確保することができる。
<発明の効果> 以上詳細に説明したように、本発明によれば、所定の
ドライブ能力を有すると共に、輻射ノイズも低減された
極めて有用なCMOSインバータ回路を提供することができ
るものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すものであり、同図
(a)は回路図、同図(b)はタイミングチャートであ
る。第2図は従来回路を示すものであり、同図(a)は
回路図、同図(b)はタイミングチャートである。 符号の説明 INV1:ドライブ能力用のCMOSインバータ、INV2:立ち上り
・立ち下り用のCMOSインバータ。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】入力信号の反転信号を出力信号として出力
    するCMOSインバータ回路において、 立ち上がり、立ち下がり用の駆動能力の小なる第1のCM
    OSインバータと、ドライブ能力用の駆動能力の大なる第
    2のCMOSインバータとを並列接続すると共に、 入力信号の立ち上がり、立ち下がり時の所定期間、上記
    第2のCMOSインバータのPチャネルMOSトランジスタ及
    びNチャネルMOSトランジスタを共にオフ状態に制御す
    ると共に、上記第1のCMOSインバータのPチャネルMOS
    トランジスタ又はNチャネルMOSトランジスタを入力信
    号に応じてオン状態に制御し、上記所定期間経過後、上
    記第2のCMOSインバータのPチャネルMOSトランジスタ
    又はNチャネルMOSトランジスタを入力信号に応じてオ
    ン状態に制御する制御手段を設けたことを特徴とするCM
    OSインバータ回路。
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