JP2690616B2 - 密着性試験方法 - Google Patents
密着性試験方法Info
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- JP2690616B2 JP2690616B2 JP29613790A JP29613790A JP2690616B2 JP 2690616 B2 JP2690616 B2 JP 2690616B2 JP 29613790 A JP29613790 A JP 29613790A JP 29613790 A JP29613790 A JP 29613790A JP 2690616 B2 JP2690616 B2 JP 2690616B2
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- Japan
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- semiconductor substrate
- thin film
- adhesion
- test method
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基板に形成された薄膜の密着性を試験
する密着性試験方法に関する。
する密着性試験方法に関する。
従来、この種の密着性試験方法は、例えば、蛍光液、
赤インク、あるいは放射性元素等を被試験サンプルに所
定の時間浸透あるいは照射させ、この試験サンプルを切
断研磨し、その切断面を顕微鏡あるいは写真を採りその
浸透状況あるは照射状況を目視により観察し試験を行な
っていた。これらの試験方法は、通常、蛍光浸漬試験、
レッドチェック試験及びラジオグラフィ気密試験と呼ば
れている。
赤インク、あるいは放射性元素等を被試験サンプルに所
定の時間浸透あるいは照射させ、この試験サンプルを切
断研磨し、その切断面を顕微鏡あるいは写真を採りその
浸透状況あるは照射状況を目視により観察し試験を行な
っていた。これらの試験方法は、通常、蛍光浸漬試験、
レッドチェック試験及びラジオグラフィ気密試験と呼ば
れている。
上述した従来の密着性試験では、測定手段として顕微
鏡や写真等を目視で判断しているため、分解能に限界が
ある。特に、半導体基板上に形成された薄膜の界面は微
小で、観察が困難となる場合が多々ある。例えば、蛍光
浸漬試験においては、蛍光液の浸入の有無を判断するこ
とが非常に困難である。また、薄膜の試験サンプルで密
着性の良いサンプルを試験する場合に、密着性の良否を
判断出来るまで試験する時間が非常にかかるという欠点
がある。
鏡や写真等を目視で判断しているため、分解能に限界が
ある。特に、半導体基板上に形成された薄膜の界面は微
小で、観察が困難となる場合が多々ある。例えば、蛍光
浸漬試験においては、蛍光液の浸入の有無を判断するこ
とが非常に困難である。また、薄膜の試験サンプルで密
着性の良いサンプルを試験する場合に、密着性の良否を
判断出来るまで試験する時間が非常にかかるという欠点
がある。
本発明の目的は、容易に密着性の良否を判断出来ると
ともに試験時間がより短い密着性試験方法を提供するこ
とである。
ともに試験時間がより短い密着性試験方法を提供するこ
とである。
本発明の密着性試験方法は、半導体基板の薄膜の密着
性試験方法において、薄膜が形成された前記半導体基板
を食塩水が収納された圧力容器の所定の温度雰囲気中に
所定の時間晒してNaあるいはClを前記半導体基板に拡散
する工程と、前記半導体基板の周縁部及び中央部に拡散
されたNaあるいはCl元素の深さ方向の濃度プロフアイル
を比較測定する工程とを含ん構成される。
性試験方法において、薄膜が形成された前記半導体基板
を食塩水が収納された圧力容器の所定の温度雰囲気中に
所定の時間晒してNaあるいはClを前記半導体基板に拡散
する工程と、前記半導体基板の周縁部及び中央部に拡散
されたNaあるいはCl元素の深さ方向の濃度プロフアイル
を比較測定する工程とを含ん構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の密着性試験方法の一実施例を説明す
るための試験装置の断面図、第２図は被試験用半導体基
板の平面図及びAA断面図、第３図は試験後の半導体基板
の表面から深さ方向に対する拡散した元素の濃度プロフ
アイルを示すグラフである。
るための試験装置の断面図、第２図は被試験用半導体基
板の平面図及びAA断面図、第３図は試験後の半導体基板
の表面から深さ方向に対する拡散した元素の濃度プロフ
アイルを示すグラフである。
この密着性試験方法は、まず、第１図に示す試験装置
を準備する。次に、この試験装置の圧力容器１内のパン
（図示せず）に食塩水２を満たす。次に、第２図に示す
薄膜６が形成された半導体基板５を圧力容器１内の金網
３の上に乗せる。次に、この圧力容器１に蓋４を被せ、
内蔵するヒータ（図示せず）で圧力容器１内を、例え
ば、125℃の高温状態にする。この状態を、例えば、10
時間程度保持する。
を準備する。次に、この試験装置の圧力容器１内のパン
（図示せず）に食塩水２を満たす。次に、第２図に示す
薄膜６が形成された半導体基板５を圧力容器１内の金網
３の上に乗せる。次に、この圧力容器１に蓋４を被せ、
内蔵するヒータ（図示せず）で圧力容器１内を、例え
ば、125℃の高温状態にする。この状態を、例えば、10
時間程度保持する。
次に、所定の時間経過後、半導体基板５を圧力容器１
より取り出し、従来の同様に半導体基板５を切断し、そ
の切断面を研磨する。次に、この切断面を表面元素分析
装置（例えば、二次イオン質量分析計等）により半導体
基板５の中央部及び周縁部の拡散したNa、Clの元素の濃
度を測定する。この結果を、例えば、第３図に示すよう
な元素濃度プロフアイルに作成する。通常、この濃度プ
ロフアイルは半導体基板５の薄膜６の表面が濃度が高
く、内部に従って薄くなり、薄膜６と半導体基板５の界
面でわずかに上昇し、さらに半導体基板の深さにしたが
って薄くなる。
より取り出し、従来の同様に半導体基板５を切断し、そ
の切断面を研磨する。次に、この切断面を表面元素分析
装置（例えば、二次イオン質量分析計等）により半導体
基板５の中央部及び周縁部の拡散したNa、Clの元素の濃
度を測定する。この結果を、例えば、第３図に示すよう
な元素濃度プロフアイルに作成する。通常、この濃度プ
ロフアイルは半導体基板５の薄膜６の表面が濃度が高
く、内部に従って薄くなり、薄膜６と半導体基板５の界
面でわずかに上昇し、さらに半導体基板の深さにしたが
って薄くなる。
ここで、密着性の良否の判断は、例えば、密着性の悪
い場合は、第２図の半導体基板５における側端部の薄膜
６と半導体基板５の界面にNa、Clが浸入し、第３図に示
すように、側端部に近い半導体基板の周縁部の濃度プロ
ファイル７が中央部の濃度プロファイル８より上まわっ
ている。また、密着性の良い場合は、半導体基板５の側
端部の薄膜６と基板との界面からNa、Clが浸入せず周縁
部の濃度プロフアイルと中央部の濃度プロファイルとは
ほとんど変らない。
い場合は、第２図の半導体基板５における側端部の薄膜
６と半導体基板５の界面にNa、Clが浸入し、第３図に示
すように、側端部に近い半導体基板の周縁部の濃度プロ
ファイル７が中央部の濃度プロファイル８より上まわっ
ている。また、密着性の良い場合は、半導体基板５の側
端部の薄膜６と基板との界面からNa、Clが浸入せず周縁
部の濃度プロフアイルと中央部の濃度プロファイルとは
ほとんど変らない。
このように、半導体基板の中央部と周縁部に拡散され
た元素の濃度プロフアイルを比較することによって、容
易に半導体基板の薄膜の密着性の良否が判定出来る。
た元素の濃度プロフアイルを比較することによって、容
易に半導体基板の薄膜の密着性の良否が判定出来る。
以上説明したように本発明は、半導体基板にNaあるい
はClの元素を拡散し、半導体基板の中央部の濃度プロフ
アイルと周縁部の濃度プロフアイルとを比較判断するこ
とによって、容易に密着性の良否を判断出来るとともに
試験時間がより短い密着性試験方法が得られるという効
果がある。
はClの元素を拡散し、半導体基板の中央部の濃度プロフ
アイルと周縁部の濃度プロフアイルとを比較判断するこ
とによって、容易に密着性の良否を判断出来るとともに
試験時間がより短い密着性試験方法が得られるという効
果がある。
第１図は本発明の密着性試験方法の一実施例を説明する
ための試験装置の断面図、第２図は被試験用半導体基板
の平面図及びAA断面図、第３図は試験後の半導体基板の
表面から深さ方向に対する拡散した元素の濃度プロフア
イルを示すグラフである。 １……圧力容器、２……食塩水、３……金網、４……
蓋、５……半導体基板、６……薄膜、７……周縁部の濃
度プロフアイル、８……中央部の濃度プロフアイル。
ための試験装置の断面図、第２図は被試験用半導体基板
の平面図及びAA断面図、第３図は試験後の半導体基板の
表面から深さ方向に対する拡散した元素の濃度プロフア
イルを示すグラフである。 １……圧力容器、２……食塩水、３……金網、４……
蓋、５……半導体基板、６……薄膜、７……周縁部の濃
度プロフアイル、８……中央部の濃度プロフアイル。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板の薄膜の密着性試験方法におい
て、薄膜が形成された前記半導体基板を食塩水が収納さ
れた圧力容器の所定の温度雰囲気中に所定の時間晒して
NaあるいはClを前記半導体基板に拡散する工程と、前記
半導体基板の周縁部及び中央部に拡散されたNaあるいは
Cl元素の深さ方向の濃度プロフアイルを比較測定する工
程とを含んでいることを特徴とする密着性試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29613790A JP2690616B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 密着性試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29613790A JP2690616B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 密着性試験方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04168742A JPH04168742A (ja) | 1992-06-16 |
| JP2690616B2 true JP2690616B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=17829632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29613790A Expired - Fee Related JP2690616B2 (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 密着性試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2690616B2 (ja) |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP29613790A patent/JP2690616B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04168742A (ja) | 1992-06-16 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |