JP2686996B2 - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JP2686996B2 JP2686996B2 JP30270188A JP30270188A JP2686996B2 JP 2686996 B2 JP2686996 B2 JP 2686996B2 JP 30270188 A JP30270188 A JP 30270188A JP 30270188 A JP30270188 A JP 30270188A JP 2686996 B2 JP2686996 B2 JP 2686996B2
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- vacuum
- pressure sensor
- processing container
- processing
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は真空処理装置に関する。
（従来の技術） 真空処理装置、たとえば極低圧状態の処理室内に設け
られ対向した電極の一方に半導体基板を保持し、この半
導体基板をエッチングするエッチング装置が知られてい
る。
られ対向した電極の一方に半導体基板を保持し、この半
導体基板をエッチングするエッチング装置が知られてい
る。
このようなエッチング装置の処理室内を極低圧状態に
するには、従来は次のように行われていた。
するには、従来は次のように行われていた。
すなわち、真空ポンプによって処理室内を減圧し、一
方で、ポンプスイッチによって、処理室内の気圧がエッ
チングに必要な極低圧状態である設定値（たとえば0.01
Torr）であるか否かを検出し、この設定値になると、真
空ポンプを停止させていた。
方で、ポンプスイッチによって、処理室内の気圧がエッ
チングに必要な極低圧状態である設定値（たとえば0.01
Torr）であるか否かを検出し、この設定値になると、真
空ポンプを停止させていた。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述したポンプスイッチにはたとえば
ダイアフラム式センサなどの圧力センサが使用されてお
り、このような圧力センサが、大気圧状態と0.01Torrの
ような極低圧状態に繰返しさらされると、圧力センサの
ダイアフラムなどの疲労・劣化が進み、検出圧力が設定
値からずれるという問題があった。
ダイアフラム式センサなどの圧力センサが使用されてお
り、このような圧力センサが、大気圧状態と0.01Torrの
ような極低圧状態に繰返しさらされると、圧力センサの
ダイアフラムなどの疲労・劣化が進み、検出圧力が設定
値からずれるという問題があった。
本発明はこのような問題を解決すべくなされたもの
で、その目的とするところは、真空ポンプスイッチの検
出圧力が設定値からずれることのない真空処理装置を提
供することにある。
で、その目的とするところは、真空ポンプスイッチの検
出圧力が設定値からずれることのない真空処理装置を提
供することにある。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 前記目的を達成するために本発明は、ガス供給手段と
排気手段を具備した気密な処理容器内で、被処理体に真
空処理を行う真空処理装置において、 前記処理容器に設けられ、前記処理容器内の真空度を
検出するための低真空度用の第１の圧力センサーと、 前記第１の圧力センサーとは独立に前記処理容器に設
けられ、前記処理容器内の真空度を検出するための高真
空度用の第２の圧力センサーと、 前記処理容器と前記第２の圧力センサーとの間に介挿
され、前記第２の圧力センサーが所定の圧力値以上の雰
囲気にさらされることを防止する開閉手段と を具備したことを特徴とする。
排気手段を具備した気密な処理容器内で、被処理体に真
空処理を行う真空処理装置において、 前記処理容器に設けられ、前記処理容器内の真空度を
検出するための低真空度用の第１の圧力センサーと、 前記第１の圧力センサーとは独立に前記処理容器に設
けられ、前記処理容器内の真空度を検出するための高真
空度用の第２の圧力センサーと、 前記処理容器と前記第２の圧力センサーとの間に介挿
され、前記第２の圧力センサーが所定の圧力値以上の雰
囲気にさらされることを防止する開閉手段と を具備したことを特徴とする。
また、請求項２の発明は、請求項１記載の真空処理装
置において、 前記処理容器内が所定の圧力値以上の低真空度の場合
に、前記開閉手段が閉塞され前記第１の圧力センサーに
よって前記処理容器内の真空度が検出され、前記処理容
器内が所定の圧力値以下の高真空度の場合に、前記開閉
手段が解放され、前記第２の圧力センサーによって前記
処理容器内の真空度が検出されるよう構成されたことを
特徴とする。
置において、 前記処理容器内が所定の圧力値以上の低真空度の場合
に、前記開閉手段が閉塞され前記第１の圧力センサーに
よって前記処理容器内の真空度が検出され、前記処理容
器内が所定の圧力値以下の高真空度の場合に、前記開閉
手段が解放され、前記第２の圧力センサーによって前記
処理容器内の真空度が検出されるよう構成されたことを
特徴とする。
（作用） 本発明では、真空ポンプによって処理室内が減圧され
るが、処理室内の気圧が中間設定値よりも高い間は、補
助スイッチによって主スイッチの検出管の開閉バルブは
閉ざされている。処理室内の気圧が中間設定値になる
と、補助スイッチによって前記開閉バルブは開放され
る。そして処理室内の気圧が最終設定値になると、主ス
イッチによって真空ポンプは停止される。
るが、処理室内の気圧が中間設定値よりも高い間は、補
助スイッチによって主スイッチの検出管の開閉バルブは
閉ざされている。処理室内の気圧が中間設定値になる
と、補助スイッチによって前記開閉バルブは開放され
る。そして処理室内の気圧が最終設定値になると、主ス
イッチによって真空ポンプは停止される。
（実施例） 以下図面に基づいて本発明の一実施例に係るエッチン
グ装置について説明する。
グ装置について説明する。
第２図に示されるようにこのエッチング装置は、本体
62の中央部の表示画面64に随時表示される処理データな
どを参考にし、表示画面64の下部に設けられた操作キー
66からのキー入力などによって操作可能である。本体62
の両側には、折畳み自在のキャリア載置台68が設けられ
ており、複数（たとえば25枚）の半導体基板を収納する
キャリア70などが載置可能であり、作業場スペースを有
効に利用できる。なお、キャリア載置台68は次のように
構成される。本体62の側面に載置板68aが、その一端
を、水平方向を軸として回動（第２図Ａ方向）自在に取
り付けられる。載置板68aの下面には、載置板68aを水平
にしたときに、本体62の側面の垂直方向を軸として、回
動（第２図Ｂ方向）自在に支持板68bが取り付けられ
る。支持板68bを鉛直にすると載置板68aは水平に支持さ
れるが、このとき支持板68bは、本体側面に設けられた
ストッパ68cによって固定される。
62の中央部の表示画面64に随時表示される処理データな
どを参考にし、表示画面64の下部に設けられた操作キー
66からのキー入力などによって操作可能である。本体62
の両側には、折畳み自在のキャリア載置台68が設けられ
ており、複数（たとえば25枚）の半導体基板を収納する
キャリア70などが載置可能であり、作業場スペースを有
効に利用できる。なお、キャリア載置台68は次のように
構成される。本体62の側面に載置板68aが、その一端
を、水平方向を軸として回動（第２図Ａ方向）自在に取
り付けられる。載置板68aの下面には、載置板68aを水平
にしたときに、本体62の側面の垂直方向を軸として、回
動（第２図Ｂ方向）自在に支持板68bが取り付けられ
る。支持板68bを鉛直にすると載置板68aは水平に支持さ
れるが、このとき支持板68bは、本体側面に設けられた
ストッパ68cによって固定される。
このエッチング装置の要部は次のように構成される。
装置本体62に設けられた支持部材１上に、接地された
円板状下部電極３が設けられている。下部電極３の上方
にはこの下部電極３と対向して、高周波電源４に接続さ
れた円板状上部電極５が設けられる。上部電極５は、中
空の構造で、下部電極３と対向する面に多数のガス通過
孔７を有し、絶縁部材８を介してガス供給管９に連結さ
れる。
円板状下部電極３が設けられている。下部電極３の上方
にはこの下部電極３と対向して、高周波電源４に接続さ
れた円板状上部電極５が設けられる。上部電極５は、中
空の構造で、下部電極３と対向する面に多数のガス通過
孔７を有し、絶縁部材８を介してガス供給管９に連結さ
れる。
ガス供給管９は反応ガス供給装置11および窒素ガス供
給装置13に選択的に連結される。反応ガス供給装置11か
らの反応ガス供給は反応ガスバルブ15によって制御され
る。窒素ガス供給装置13からの窒素ガス供給は窒素ガス
バルブ17によって制御される。
給装置13に選択的に連結される。反応ガス供給装置11か
らの反応ガス供給は反応ガスバルブ15によって制御され
る。窒素ガス供給装置13からの窒素ガス供給は窒素ガス
バルブ17によって制御される。
下部電極３の周囲にはアルミニウム製の処理室壁19が
設けられ、下部ハウジングが形成される。下部ハウジン
グの上方には、上部電極５を内設する、アルミニウム製
の電磁波シールドカバー21が設けられ、上部ハウジング
が形成される。
設けられ、下部ハウジングが形成される。下部ハウジン
グの上方には、上部電極５を内設する、アルミニウム製
の電磁波シールドカバー21が設けられ、上部ハウジング
が形成される。
処理室壁19の上端面にはパッキング23が設けられ、電
磁波シールドカバー21の下面が気密的に当接可能に構成
される。
磁波シールドカバー21の下面が気密的に当接可能に構成
される。
上部電極５の上方のガス供給管９の周囲には、シリン
ダ状の摺動部材27が設けられる。摺動部材27の側面は、
電磁波シールドカバー21に対して鉛直方向に摺動可能で
あるが、パッキング29を介在させることにより、気密性
が保持される。
ダ状の摺動部材27が設けられる。摺動部材27の側面は、
電磁波シールドカバー21に対して鉛直方向に摺動可能で
あるが、パッキング29を介在させることにより、気密性
が保持される。
摺動部材27の上端面上であって、ガス供給管９の周囲
には、矩形の平板状の支持板31が設けられる。支持板31
の４角には連結アーム33が固設され、４つの連結アーム
33のうち１つにはモータ35が固設され、他の連結アーム
33には支軸37が固設される。
には、矩形の平板状の支持板31が設けられる。支持板31
の４角には連結アーム33が固設され、４つの連結アーム
33のうち１つにはモータ35が固設され、他の連結アーム
33には支軸37が固設される。
モータ35の図示しない回転軸には回転ロッド39が鉛直
方向に連結され、また、支軸37の図示しないベアリング
にも回転ロッド39が鉛直方向に連結される。各回転ロッ
ド39は支持板31を貫通し、さらに支持板31との間にはベ
アリング32が介在される。各回転ロッド39の下部にはボ
ールスクリュー41が形設される。ボールスクリュー41が
電磁波シールドカバー21の下部を貫通して固設される。
一方、支持板31の下面に接する状態で回転ロッド39の周
囲にスラストベアリング43が設けられる。スラストベア
リング43の下面に接した状態で回転ロッド29の周囲にス
プロケット45が設けられる。各スプロケット45は、チェ
ーン47で連結される。したがって、モータ35の回転に連
動して、４つのボールスクリュー41は同調されて動作す
る。
方向に連結され、また、支軸37の図示しないベアリング
にも回転ロッド39が鉛直方向に連結される。各回転ロッ
ド39は支持板31を貫通し、さらに支持板31との間にはベ
アリング32が介在される。各回転ロッド39の下部にはボ
ールスクリュー41が形設される。ボールスクリュー41が
電磁波シールドカバー21の下部を貫通して固設される。
一方、支持板31の下面に接する状態で回転ロッド39の周
囲にスラストベアリング43が設けられる。スラストベア
リング43の下面に接した状態で回転ロッド29の周囲にス
プロケット45が設けられる。各スプロケット45は、チェ
ーン47で連結される。したがって、モータ35の回転に連
動して、４つのボールスクリュー41は同調されて動作す
る。
処理室壁19の下部には、排ガス管49が設けられ、真空
ポンプ51に連結される。
ポンプ51に連結される。
処理室壁19の側面には、処理室内の圧力を導入する圧
力検出管53、54が設けられる。圧力検出管53は、開閉バ
ルブ55を介してポンプ主スイッチ47に連結される。圧力
検出管54は、開閉バルブ56を介してポンプ補助スイッチ
58に連結される。ポンプ主スイッチ57およびポンプ補助
スイッチ58には図示しないダイアフラム式圧力センサが
内蔵されている。ポンプ主スイッチ57は、真空ポンプ51
に接続され、開閉バルブ55が解放されたときに処理室内
の圧力を検知し、最終設定値（この場合、1.0x10-2Tor
r）になると真空ポンプ51の動作を停止する。ポンプ補
助スイッチ58は処理室内の気圧が中間設定値（この場
合、50Torr）になったとき開閉バルブ55を開放する。
力検出管53、54が設けられる。圧力検出管53は、開閉バ
ルブ55を介してポンプ主スイッチ47に連結される。圧力
検出管54は、開閉バルブ56を介してポンプ補助スイッチ
58に連結される。ポンプ主スイッチ57およびポンプ補助
スイッチ58には図示しないダイアフラム式圧力センサが
内蔵されている。ポンプ主スイッチ57は、真空ポンプ51
に接続され、開閉バルブ55が解放されたときに処理室内
の圧力を検知し、最終設定値（この場合、1.0x10-2Tor
r）になると真空ポンプ51の動作を停止する。ポンプ補
助スイッチ58は処理室内の気圧が中間設定値（この場
合、50Torr）になったとき開閉バルブ55を開放する。
次にこのエッチング装置の動作について説明する。
まず、図示しないモータ制御装置によってモータ35が
作動され、上部電極が鉛直方向に移動され、上部電極５
と下部電極３との間隔がエッチングに適切な状態に調整
される。
作動され、上部電極が鉛直方向に移動され、上部電極５
と下部電極３との間隔がエッチングに適切な状態に調整
される。
そして、真空ポンプ51が作動することにより、処理室
内の排ガスは、排ガス管49に流入されて、真空ポンプ51
から外部へ排出され、処理室内が減圧される。この際、
処理室内の気圧が50Torrよりも高い間は、ポンプ補助ス
イッチ58によって開閉バルブ55は閉ざされている。処理
室内の気圧が設定値たとえば50Torrになると、ポンプ補
助スイッチ58によって開閉バルブ55は開放される。やが
て処理室内の気圧が1.0x10-2Torrになると、ポンプ主ス
イッチ57によって真空ポンプ51は停止される。また、次
に述べるエッチング処理中も真空ポンプ51によって同様
に処理室内の排ガスが排出されるとともに、ポンプ主ス
イッチ57およびポンプ補助スイッチ58によって気圧値の
検知・制御が行なわれる一定の気圧状態に保たれる。
内の排ガスは、排ガス管49に流入されて、真空ポンプ51
から外部へ排出され、処理室内が減圧される。この際、
処理室内の気圧が50Torrよりも高い間は、ポンプ補助ス
イッチ58によって開閉バルブ55は閉ざされている。処理
室内の気圧が設定値たとえば50Torrになると、ポンプ補
助スイッチ58によって開閉バルブ55は開放される。やが
て処理室内の気圧が1.0x10-2Torrになると、ポンプ主ス
イッチ57によって真空ポンプ51は停止される。また、次
に述べるエッチング処理中も真空ポンプ51によって同様
に処理室内の排ガスが排出されるとともに、ポンプ主ス
イッチ57およびポンプ補助スイッチ58によって気圧値の
検知・制御が行なわれる一定の気圧状態に保たれる。
次に、あらかじめ処理室内と同様に減圧されている図
示しない真空予備室から、図示しない搬送手段によって
半導体基板61が処理室内の下部電極３上に運び込まれ設
置される。
示しない真空予備室から、図示しない搬送手段によって
半導体基板61が処理室内の下部電極３上に運び込まれ設
置される。
ここで、反応ガス供給装置11からガス供給管９、ガス
通過孔７を介して、反応ガスが反応室内に供給される。
そして高周波電源４から上部電極５に高周波電圧が印加
され、反応ガスからプラズマが生じ、半導体基板61のプ
ラズマエッチングが行なわれる。
通過孔７を介して、反応ガスが反応室内に供給される。
そして高周波電源４から上部電極５に高周波電圧が印加
され、反応ガスからプラズマが生じ、半導体基板61のプ
ラズマエッチングが行なわれる。
その後、あらかじめ処理室内と同様に減圧されている
図示しない真空予備室へ、図示しない搬送手段によって
エッチングされた半導体基板61は運び出される。
図示しない真空予備室へ、図示しない搬送手段によって
エッチングされた半導体基板61は運び出される。
このような動作が個々の半導体基板毎に繰返される。
なお、このエッチング装置のメンテナンス時に、処理
室内を窒素ガスによって洗浄する場合は、真空ポンプ51
によって排ガス管49を介して反応室内の排ガスが排出さ
れるとともに、窒素ガス供給装置からガス供給管９、ガ
ス通過孔７を介して反応室内に窒素ガスが供給される。
室内を窒素ガスによって洗浄する場合は、真空ポンプ51
によって排ガス管49を介して反応室内の排ガスが排出さ
れるとともに、窒素ガス供給装置からガス供給管９、ガ
ス通過孔７を介して反応室内に窒素ガスが供給される。
かくして本実施例によれば、処理室内の気圧が50Torr
よりも高い間は、ポンプ補助スイッチ58によって開閉バ
ルブ55は閉ざされており、ポンプ主スイッチ57内の圧力
センサが50Torrよりも高い気圧状態にさらされることは
ない。したがって、ポンプ主スイッチ57が内蔵されてい
る圧力センサのダイアフラムなどの疲労・劣化は防止さ
れるので、ポンプ主スイッチ57の検出値が1.0x10-2Torr
からずれることはない。
よりも高い間は、ポンプ補助スイッチ58によって開閉バ
ルブ55は閉ざされており、ポンプ主スイッチ57内の圧力
センサが50Torrよりも高い気圧状態にさらされることは
ない。したがって、ポンプ主スイッチ57が内蔵されてい
る圧力センサのダイアフラムなどの疲労・劣化は防止さ
れるので、ポンプ主スイッチ57の検出値が1.0x10-2Torr
からずれることはない。
また、定期的に補助スイッチの誤差を主スイッチを用
い比較修正することにより、信頼性の高い値が得られ
る。
い比較修正することにより、信頼性の高い値が得られ
る。
なお、本実施例では補助スイッチおよび主スイッチに
内蔵される圧力センサをダイアフラム式のものとした
が、これに限定されるものではなく、たとえば、ベロー
ズ式など種々の圧力センサを内蔵した補助スイッチおよ
び主スイッチを使用できることはいうまでもない。
内蔵される圧力センサをダイアフラム式のものとした
が、これに限定されるものではなく、たとえば、ベロー
ズ式など種々の圧力センサを内蔵した補助スイッチおよ
び主スイッチを使用できることはいうまでもない。
上記実施例ではエッチング装置に適用した例について
説明したが真空処理する装置であれば、スパッタ、CV
D、イオン注入装置など何れに適用してもよい。
説明したが真空処理する装置であれば、スパッタ、CV
D、イオン注入装置など何れに適用してもよい。
［発明の効果］ 以上詳細に説明したように本発明によれば、処理室内
の気圧が中間設定値よりも高い間は、補助スイッチによ
って主スイッチの検出管の開閉バルブは閉ざされてお
り、主スイッチ内の圧力センサが中間設定値よりも高い
気圧状態にさらされることはない。したがって、圧力セ
ンサのダイアフラムなどの疲労・劣化は防止されるの
で、ポンプスイッチの検出値が最終設定値からずれるこ
とのない真空処理装置を提供することができる。
の気圧が中間設定値よりも高い間は、補助スイッチによ
って主スイッチの検出管の開閉バルブは閉ざされてお
り、主スイッチ内の圧力センサが中間設定値よりも高い
気圧状態にさらされることはない。したがって、圧力セ
ンサのダイアフラムなどの疲労・劣化は防止されるの
で、ポンプスイッチの検出値が最終設定値からずれるこ
とのない真空処理装置を提供することができる。
第１図は本実施例のエッチング装置の要部を示す図であ
り、第２図は第１図に示すエッチング装置の外観を示す
図である。 51……真空ポンプ 53、54……圧力検出管 55、56……開閉バルブ 57……ポンプ主スイッチ 58……ポンプ補助スイッチ
り、第２図は第１図に示すエッチング装置の外観を示す
図である。 51……真空ポンプ 53、54……圧力検出管 55、56……開閉バルブ 57……ポンプ主スイッチ 58……ポンプ補助スイッチ
Claims (2)
- 【請求項１】ガス供給手段と排気手段を具備した気密な
処理容器内で、被処理体に真空処理を行う真空処理装置
において、 前記処理容器に設けられ、前記処理容器内の真空度を検
出するための低真空度用の第１の圧力センサーと、 前記第１の圧力センサーとは独立に前記処理容器に設け
られ、前記処理容器内の真空度を検出するための高真空
度用の第２の圧力センサーと、 前記処理容器と前記第２の圧力センサーとの間に介挿さ
れ、前記第２の圧力センサーが所定の圧力値以上の雰囲
気にさらされることを防止する開閉手段と を具備したことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】請求項１記載の真空処理装置において、 前記処理容器内が所定の圧力値以上の低真空度の場合
に、前記開閉手段が閉塞され前記第１の圧力センサーに
よって前記処理容器内の真空度が検出され、前記処理容
器内が所定の圧力値以下の高真空度の場合に、前記開閉
手段が解放され、前記第２の圧力センサーによって前記
処理容器内の真空度が検出されるよう構成されたことを
特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30270188A JP2686996B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30270188A JP2686996B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02148836A JPH02148836A (ja) | 1990-06-07 |
| JP2686996B2 true JP2686996B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=17912151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30270188A Expired - Lifetime JP2686996B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2686996B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4695238B2 (ja) * | 1999-12-14 | 2011-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 圧力制御方法 |
| JP5470770B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2014-04-16 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | 真空処理装置 |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP30270188A patent/JP2686996B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02148836A (ja) | 1990-06-07 |
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