JP2685591B2 - 磁気ヘツドスライダの浮上量測定装置 - Google Patents
磁気ヘツドスライダの浮上量測定装置Info
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- JP2685591B2 JP2685591B2 JP1188771A JP18877189A JP2685591B2 JP 2685591 B2 JP2685591 B2 JP 2685591B2 JP 1188771 A JP1188771 A JP 1188771A JP 18877189 A JP18877189 A JP 18877189A JP 2685591 B2 JP2685591 B2 JP 2685591B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ヘツドスライダの浮上量測定装置及び、
その測定方法に関する。
その測定方法に関する。
磁気ヘツドスライダの磁気デイスク上での浮上量を測
定する方法としてはいくつかある。そのなかでもガラス
デイスク上に磁気ヘツドスライダを浮上させ、デイスク
とスライダとの間に光干渉を起こし浮上量を測定するも
のとしては、例えば特開昭60-131408号公報又は特開昭6
3-244348号公報に開示されたような光学的方法が主流で
あつた。しかし光干渉による方法では、磁気ヘツドスラ
イダの浮上量が低下し光の波長の1/4以下になると干渉
稿が全く消失してしまい、人為的に浮上量を変えるなど
して干渉光強度と浮上量との関係づけを行うなどして較
正し、浮上量測定を行うしかなかつた。本来これらの光
干渉による磁気ヘッドスライダの浮上量測定は測定に用
いる光の1/4波長近辺の浮上量の場合及びスライダのレ
ール面の高低差が1/4波長以下の場合には干渉稿そのも
のが現れないため不適であつた。
定する方法としてはいくつかある。そのなかでもガラス
デイスク上に磁気ヘツドスライダを浮上させ、デイスク
とスライダとの間に光干渉を起こし浮上量を測定するも
のとしては、例えば特開昭60-131408号公報又は特開昭6
3-244348号公報に開示されたような光学的方法が主流で
あつた。しかし光干渉による方法では、磁気ヘツドスラ
イダの浮上量が低下し光の波長の1/4以下になると干渉
稿が全く消失してしまい、人為的に浮上量を変えるなど
して干渉光強度と浮上量との関係づけを行うなどして較
正し、浮上量測定を行うしかなかつた。本来これらの光
干渉による磁気ヘッドスライダの浮上量測定は測定に用
いる光の1/4波長近辺の浮上量の場合及びスライダのレ
ール面の高低差が1/4波長以下の場合には干渉稿そのも
のが現れないため不適であつた。
上記従来技術は光干渉による磁気ヘツドスライダの浮
上量測定を行つているため、測定に用いる光の1/4波長
以下の浮上量の測定に配慮がなされておらず、そのよう
な浮上量の測定が困難か不可能になるという問題があっ
た。
上量測定を行つているため、測定に用いる光の1/4波長
以下の浮上量の測定に配慮がなされておらず、そのよう
な浮上量の測定が困難か不可能になるという問題があっ
た。
本発明の目的はフラストレーテイツドトータルリフレ
クションを浮上量測定に利用して、０から測定に用いる
光の波長程度までの磁気ヘッドスライダの浮上量を測定
することにある。
クションを浮上量測定に利用して、０から測定に用いる
光の波長程度までの磁気ヘッドスライダの浮上量を測定
することにある。
上記目的を達成するための手段は以下の通りである。
磁気ヘツドスライダの内部にスライダレール面内側で
全反射を起こすような光路を設ける。このスライダを回
転するガラスデイスク上に浮上させ上記の全反射をおこ
す光路に光を通す。このときスライダとデイスクとの間
隔が光の波長程度以下のときスライダ内で全反射してい
る光の一部がガラスデイスク側に透過する。この一部の
光量が欠損した全反射光又はガラスデイスク側に透過し
た光を測定するため光量測定手段を用いる。その測定値
から磁気ヘッドとガラスデイスクとの間隔を算出するた
めに数表またはグラフまたはデータ処理装置を用いる。
また、上記の光の光源としてはレーザ光またはその他の
光源をモノクロメータ等で単色化したものが好適である
が、任意の分光分布をもつ光源でも分光装置を並用すれ
ば可能である。また、上記光路においてスライダレール
面の全反射面で光路は幅方向に拡がりをもつていてもよ
い。
全反射を起こすような光路を設ける。このスライダを回
転するガラスデイスク上に浮上させ上記の全反射をおこ
す光路に光を通す。このときスライダとデイスクとの間
隔が光の波長程度以下のときスライダ内で全反射してい
る光の一部がガラスデイスク側に透過する。この一部の
光量が欠損した全反射光又はガラスデイスク側に透過し
た光を測定するため光量測定手段を用いる。その測定値
から磁気ヘッドとガラスデイスクとの間隔を算出するた
めに数表またはグラフまたはデータ処理装置を用いる。
また、上記の光の光源としてはレーザ光またはその他の
光源をモノクロメータ等で単色化したものが好適である
が、任意の分光分布をもつ光源でも分光装置を並用すれ
ば可能である。また、上記光路においてスライダレール
面の全反射面で光路は幅方向に拡がりをもつていてもよ
い。
第３図に示したように２つのガラスプリズムを距離ｄ
だけ離して配置する。そして、一方のプリズムに図中10
1で示されるような角度θで光を入射しプリズム底面で
全反射をおこす。このとき距離ｄが光の波長程度以下の
とき全反射光の一部がプリズム105側に透過し図中103に
示すように通りぬけていく。全反射光102は透過光103の
分だけ入射光101より弱くなる。入射光101の強度を１と
すると透過光103の強度Ｔはプリズム104の屈折査をｎ、
プリズムの間の媒質の屈折率をn2、プリズム105の屈折
率をn3、入射光101の波長をλとすると次のようにな
る。
だけ離して配置する。そして、一方のプリズムに図中10
1で示されるような角度θで光を入射しプリズム底面で
全反射をおこす。このとき距離ｄが光の波長程度以下の
とき全反射光の一部がプリズム105側に透過し図中103に
示すように通りぬけていく。全反射光102は透過光103の
分だけ入射光101より弱くなる。入射光101の強度を１と
すると透過光103の強度Ｔはプリズム104の屈折査をｎ、
プリズムの間の媒質の屈折率をn2、プリズム105の屈折
率をn3、入射光101の波長をλとすると次のようにな
る。
Ｔ＝（Asinh2（Ｂ）＋Ｃ）-1 …第１式 ここで である。第１式の係数A,Cは入射光の偏波方向によつて
異なり、全反射面に対して垂直な偏波成分では、係数Ａ
とＣはそれぞれ次に示すAVとCVとになる。
異なり、全反射面に対して垂直な偏波成分では、係数Ａ
とＣはそれぞれ次に示すAVとCVとになる。
又、全反射面に対して水平な偏波成分ではＡとＣは次
のAH，CHとなる 反射光102の強度Ｒは次の通りである。
のAH，CHとなる 反射光102の強度Ｒは次の通りである。
Ｒ＝１−Ｔ …第７式 よつて、入射光101と透過光103の光量を測定すれば第
１式〜第６式から間隔ｄが求まる。又、入射光101と反
射光102の光量を測定すれば第１式〜第７式より同様に
間隔ｄが求まる。
１式〜第６式から間隔ｄが求まる。又、入射光101と反
射光102の光量を測定すれば第１式〜第７式より同様に
間隔ｄが求まる。
本発明は、第４図に示すようにガラスデイスク９上に
支持体204で支持されて浮上する磁気ヘツドスライダ８
のレール203とガラスデイスク９との間隔を測定するこ
とを目的としている。本発明においては第１図に示すよ
うな磁気ヘツドスライダ８内部に光路を構成する。光フ
アイバ２により光源から導かれた光１がミラー４及び３
をへてプリズム５に入射する。プリズム５は一面をスラ
イダレール203の面と同一平面になるように組み込まれ
ている。プリズム５への入射光の角度はスライダレール
と同一平面をなす面で全反射を起こすように設定されて
いる。スライダ８のガラスデイスク９上の浮上量が測定
に用いている光の波長程度以下のとき、プリズムの全反
射光の一部がフラストレーテイツドトータルリフレクシ
ヨンによりガラスデイスク側に透過光７として透過す
る。全反射光はミラー6,4をへて測定光10として、光フ
アイバ11により光量測定のための受光素子へ送られる。
この光路を立体的に示したのが第６図である。プリズム
５はスライダレール203に組み込まれ、その上に上述の
ミラー3,4,6と光フアイバ2,11が組み込まれてフラスト
レーテイツドトータルリフレクシヨンのための光路が形
成される。受光素子で測定された光量は光源が単色光と
みなせるとき、ガラスデイスクから十分離れた状態のと
きの光量を比較して前述の作用のところで述べた数式に
より浮上量が数表や計算機構により算出される。光源が
単色光とみなせないときは、フイルター等により特定波
長の光量変化を測定するか、分光分布の比較を行なつ
て、ある波長での光量変化から浮上量を算出する。また
第２図に示すようにプリズム14の形状をスライダのレー
ル面で２度全反射させるようにして、２度のフラストレ
ーテイツドトータルリフレクシヨンによる透過光12,13
を発生させより大きな光量変化を得ることができる。ま
た、別の一実施例を第７図に示す。磁気ヘツドスライダ
の横擬物301はガラス等の透明体でできている。そして
スライダ301の支持体304の上に光フアイバ支持体302に
より光フアイバ２（光源から光を導く）と11（受光素子
へ光を導く）が光路303を形成するように支持される。
支持体204で支持されて浮上する磁気ヘツドスライダ８
のレール203とガラスデイスク９との間隔を測定するこ
とを目的としている。本発明においては第１図に示すよ
うな磁気ヘツドスライダ８内部に光路を構成する。光フ
アイバ２により光源から導かれた光１がミラー４及び３
をへてプリズム５に入射する。プリズム５は一面をスラ
イダレール203の面と同一平面になるように組み込まれ
ている。プリズム５への入射光の角度はスライダレール
と同一平面をなす面で全反射を起こすように設定されて
いる。スライダ８のガラスデイスク９上の浮上量が測定
に用いている光の波長程度以下のとき、プリズムの全反
射光の一部がフラストレーテイツドトータルリフレクシ
ヨンによりガラスデイスク側に透過光７として透過す
る。全反射光はミラー6,4をへて測定光10として、光フ
アイバ11により光量測定のための受光素子へ送られる。
この光路を立体的に示したのが第６図である。プリズム
５はスライダレール203に組み込まれ、その上に上述の
ミラー3,4,6と光フアイバ2,11が組み込まれてフラスト
レーテイツドトータルリフレクシヨンのための光路が形
成される。受光素子で測定された光量は光源が単色光と
みなせるとき、ガラスデイスクから十分離れた状態のと
きの光量を比較して前述の作用のところで述べた数式に
より浮上量が数表や計算機構により算出される。光源が
単色光とみなせないときは、フイルター等により特定波
長の光量変化を測定するか、分光分布の比較を行なつ
て、ある波長での光量変化から浮上量を算出する。また
第２図に示すようにプリズム14の形状をスライダのレー
ル面で２度全反射させるようにして、２度のフラストレ
ーテイツドトータルリフレクシヨンによる透過光12,13
を発生させより大きな光量変化を得ることができる。ま
た、別の一実施例を第７図に示す。磁気ヘツドスライダ
の横擬物301はガラス等の透明体でできている。そして
スライダ301の支持体304の上に光フアイバ支持体302に
より光フアイバ２（光源から光を導く）と11（受光素子
へ光を導く）が光路303を形成するように支持される。
光路303の途中のスライダレール203の面でフラストレ
ーテイツドトータルリフレクシヨンが起こり、光路303
を通つてくる反射光の光量より上述の場合と同様にスラ
イダの浮上量が測定できる。本方法を第４図の例に適用
すると第５図にようになる。スライダのレール面203に
はフラストレーテイツドトータルリフレクシヨンスをお
こす素子15が組み込まれ、光フアイバ２より光源の光が
素子15に送られ、全反射を起こした光フアイバ11により
受光素子へと送られ、測定された磁気ヘツドスライダの
浮上量が算出される。これにより浮上量０から測定に用
いた光の波長程度まで磁気ヘツドスライダの浮上量を測
定することができる。ここで、具体的な数値を示して、
スライダの浮上量の測定例を示す。
ーテイツドトータルリフレクシヨンが起こり、光路303
を通つてくる反射光の光量より上述の場合と同様にスラ
イダの浮上量が測定できる。本方法を第４図の例に適用
すると第５図にようになる。スライダのレール面203に
はフラストレーテイツドトータルリフレクシヨンスをお
こす素子15が組み込まれ、光フアイバ２より光源の光が
素子15に送られ、全反射を起こした光フアイバ11により
受光素子へと送られ、測定された磁気ヘツドスライダの
浮上量が算出される。これにより浮上量０から測定に用
いた光の波長程度まで磁気ヘツドスライダの浮上量を測
定することができる。ここで、具体的な数値を示して、
スライダの浮上量の測定例を示す。
光源の光としてHe-Neレーザ光（波長633nm）を用い
る。プリズム材の材質を石英（屈折率1.54）とする。プ
リズムの底面での入射角（第３図のθにあたる）を45°
とする。又、光源の光は偏光状態が一様であるとする。
この条件のもとで計算を行うとスライダレール面のプリ
ズムの部分での浮上量が0.25μｍのとき約12.4％の光が
全反射の際、ガラスデイスクへ透過し、損失する。又、
浮上量が0.2μｍのときは反射光の損失は約20％、浮上
量0.15μｍでは約32.5％となる。
る。プリズム材の材質を石英（屈折率1.54）とする。プ
リズムの底面での入射角（第３図のθにあたる）を45°
とする。又、光源の光は偏光状態が一様であるとする。
この条件のもとで計算を行うとスライダレール面のプリ
ズムの部分での浮上量が0.25μｍのとき約12.4％の光が
全反射の際、ガラスデイスクへ透過し、損失する。又、
浮上量が0.2μｍのときは反射光の損失は約20％、浮上
量0.15μｍでは約32.5％となる。
尚、デイスクにガラスデイスクの代わりに光の吸収を
示す物質を用いればアテニユーテイツドトータルリフレ
クシヨンが起り、同様に全反射光の損失がおこり浮上量
を測定することもできる。
示す物質を用いればアテニユーテイツドトータルリフレ
クシヨンが起り、同様に全反射光の損失がおこり浮上量
を測定することもできる。
又、本発明を通常の磁気デイスクを用いて行うことに
より、磁気デイスク上の物質の分布をフラストレーテイ
ツドトータルリフレクシヨン及びアテニユエーテイツド
トータルリフレクシヨンにより測定することに応用でき
る。
より、磁気デイスク上の物質の分布をフラストレーテイ
ツドトータルリフレクシヨン及びアテニユエーテイツド
トータルリフレクシヨンにより測定することに応用でき
る。
又、フラストレーテイツドトータルリフレクシヨンに
よる全反射光の光量変化が特定の浮上量近辺で大きくな
るようにするには、全反射をおこすプリズムの面への入
射角を調整してやれば良い。
よる全反射光の光量変化が特定の浮上量近辺で大きくな
るようにするには、全反射をおこすプリズムの面への入
射角を調整してやれば良い。
又、本発明の方法は、微小すきまの測定や検知にも応
用することが考えられる。
用することが考えられる。
磁気ヘツドスライダの浮上量測定にトータルフラスト
レーテイツドリフレクシヨンを用いる本発明の装置によ
れば、磁気ヘツドスライダの浮上量を０から測定に用い
る波長の程度まで連続して測定することができる。この
ため、光干渉法では難しい測定光の波長の1/4以下の浮
上量も測定することができる。
レーテイツドリフレクシヨンを用いる本発明の装置によ
れば、磁気ヘツドスライダの浮上量を０から測定に用い
る波長の程度まで連続して測定することができる。この
ため、光干渉法では難しい測定光の波長の1/4以下の浮
上量も測定することができる。
第１図はフラストレーテイツドトータルリフレクシヨン
をおこす光学素子を組み込んだ磁気ヘツドスライダの説
明図、第２図はフラストレーテイツドトータルリフレク
シヨンを２回以上おこす場合の説明図、第３図はフラス
トレーテイツドトータルリフレクシヨンの原理説明図、
第４図は本発明を適用するべき磁気ヘツドスライダの浮
上量測定系の説明図、第５図は第４図に本発明を適用し
た場合の測定量測定系を説明する図、第６図は第１図に
おける光学系付近を拡大して示す斜視図、第７図はスラ
イダ全体を透明体にして本発明の方法を適用した図であ
る。 １……光源からの光、２及び11……光フアイバ、３及び
４及び６……ミラー、５及び14……プリズム、７及び12
及び13及び103……フラストレーテイツドトータルリフ
レクシヨンによる透過光、８……磁気ヘツドスライダ、
９……ガラスデイスク、10及び102……欠損した全反射
光、15……フラストレーテイツドトータルリフレクシヨ
ンを起こす光学素子。
をおこす光学素子を組み込んだ磁気ヘツドスライダの説
明図、第２図はフラストレーテイツドトータルリフレク
シヨンを２回以上おこす場合の説明図、第３図はフラス
トレーテイツドトータルリフレクシヨンの原理説明図、
第４図は本発明を適用するべき磁気ヘツドスライダの浮
上量測定系の説明図、第５図は第４図に本発明を適用し
た場合の測定量測定系を説明する図、第６図は第１図に
おける光学系付近を拡大して示す斜視図、第７図はスラ
イダ全体を透明体にして本発明の方法を適用した図であ
る。 １……光源からの光、２及び11……光フアイバ、３及び
４及び６……ミラー、５及び14……プリズム、７及び12
及び13及び103……フラストレーテイツドトータルリフ
レクシヨンによる透過光、８……磁気ヘツドスライダ、
９……ガラスデイスク、10及び102……欠損した全反射
光、15……フラストレーテイツドトータルリフレクシヨ
ンを起こす光学素子。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−40276（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−263401（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−50707（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−153668（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】磁気ディスク又はその模擬物上を浮上する
磁気ヘッドスライダ又はその模擬物との浮上間隔を測定
するため、前記磁気ヘッドスライダ又はその模擬物のス
ライダレール面と同一平面上にその全反射面が来るよう
にプリズムを配置し、前記磁気ヘッドスライダ又はその
模擬物の上部から、一方側から光を出射し、他方側で光
を入射するように平行に配線した２本の光ファイバを束
ねて挿入し、前記一方側の光ファイバの出射口からの光
を２つの鏡面で反射して前記プリズムに入射して前記プ
リズムの全反射面で反射させ、その反射光を２つの鏡面
で反射させ前記他方側の光ファイバの入射口から光をフ
ァイバ内に導き、その入射された光の光量を計測し、前
記プリズムの全反射面と前記磁気ディスク又はその模擬
物との間のフラストレーティッドトータルリフレクショ
ン又はアテニュエーティッドトータルリフレクション現
象による反射光量の減少から前記浮上量を間隔を測定す
ることを特徴とする磁気ヘッドスライダの浮上量測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188771A JP2685591B2 (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 磁気ヘツドスライダの浮上量測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188771A JP2685591B2 (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 磁気ヘツドスライダの浮上量測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0354405A JPH0354405A (ja) | 1991-03-08 |
| JP2685591B2 true JP2685591B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=16229491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1188771A Expired - Lifetime JP2685591B2 (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 磁気ヘツドスライダの浮上量測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2685591B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5257093A (en) * | 1991-11-12 | 1993-10-26 | Guziktechnical Enterprises, Inc. | Apparatus for measuring nanometric distances employing frustrated total internal reflection |
| US5311287A (en) * | 1992-02-25 | 1994-05-10 | International Business Machines Corporation | Direct access storage device with head-disc dynamics monitor |
| JP5626796B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-11-19 | 国立大学法人東京農工大学 | 直列接続型ソーラーセル及びソーラーセルシステム |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350707A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-03 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘツドスライダ−の浮上量測定方法 |
| JPS63263401A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-10-31 | Toshiba Corp | 変位測定方法 |
| JPH0724149B2 (ja) * | 1989-07-06 | 1995-03-15 | 松下電器産業株式会社 | 磁気ディスク装置 |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP1188771A patent/JP2685591B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0354405A (ja) | 1991-03-08 |
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