JP2669490B2 - 有機磁性体及びその製造方法 - Google Patents
有機磁性体及びその製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F1/0036—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity
- H01F1/0045—Zero dimensional, e.g. nanoparticles, soft nanoparticles for medical/biological use
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/42—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of organic or organo-metallic materials, e.g. graphene
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機磁性体及びその製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金属を含まない有機磁性体として，(i)
1,4-位にニトロキシラジカルを持つジアセチレン、(ii)
ピレンとベンズアルデヒドから合成されるポリマー、(i
ii)トリアミノベンゼンのポリマー、(vi)インジゴのポ
リマー等が報告されている。しかしながら、前記した従
来の有機磁性体は、飽和磁化値が低く（常温で０．５ｅ
ｍｕＧ／ｇ以下程度）、また、その合成に多段階のステ
ップを必要とするなどの欠点を有していた。さらに、有
機化合物のグラファイト化途上にある無定形炭化物も報
告されているが、主に含窒素化合物を原料としており、
飽和磁化値もそれほど大きな値ではなかった。
1,4-位にニトロキシラジカルを持つジアセチレン、(ii)
ピレンとベンズアルデヒドから合成されるポリマー、(i
ii)トリアミノベンゼンのポリマー、(vi)インジゴのポ
リマー等が報告されている。しかしながら、前記した従
来の有機磁性体は、飽和磁化値が低く（常温で０．５ｅ
ｍｕＧ／ｇ以下程度）、また、その合成に多段階のステ
ップを必要とするなどの欠点を有していた。さらに、有
機化合物のグラファイト化途上にある無定形炭化物も報
告されているが、主に含窒素化合物を原料としており、
飽和磁化値もそれほど大きな値ではなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、その製造が
容易で安定性に優れ、かつ金属ニッケル並の高い飽和磁
化値を有するすぐれた有機磁性体及びその製造方法を提
供することをその課題とする。
容易で安定性に優れ、かつ金属ニッケル並の高い飽和磁
化値を有するすぐれた有機磁性体及びその製造方法を提
供することをその課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、有機リン化合物及
び／又は有機ホウ素化合物の熱分解により得られたリン
及び／又はホウ素を含有し、かつ水素を含有する無定形
炭化物が高い飽和磁化値を有することを見いだし、本発
明を完成するに至った。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、有機リン化合物及
び／又は有機ホウ素化合物の熱分解により得られたリン
及び／又はホウ素を含有し、かつ水素を含有する無定形
炭化物が高い飽和磁化値を有することを見いだし、本発
明を完成するに至った。
【０００５】即ち、本発明によれば、グラファイト化途
上にありリン及び／又はホウ素を含有し、かつ水素を含
有する無定形炭化物からなり、リン及び／又はホウ素と
炭素の原子比が０．００１〜０．５であり、水素と炭素
の原子比は０．０１〜１．０であることを特徴とする有
機磁性体が提供される。
上にありリン及び／又はホウ素を含有し、かつ水素を含
有する無定形炭化物からなり、リン及び／又はホウ素と
炭素の原子比が０．００１〜０．５であり、水素と炭素
の原子比は０．０１〜１．０であることを特徴とする有
機磁性体が提供される。
【０００６】また、本発明によれば、水素と炭素の構成
比が１.７以上を有する有機リン化合物及び／又は有機
ホウ素化合物を不活性ガス又は真空下において、５００
℃以上の温度で加熱し、グラファイト化途上にありリン
及び／又はホウ素を含有し、かつ水素を含有する無定形
炭化物からなり、リン及び／又はホウ素と炭素の原子比
が０．００１〜０．５であり、水素と炭素の原子比は
０．０１〜１．０である有機磁性体を得ることを特徴と
する有機磁性体の製造方法が提供される。
比が１.７以上を有する有機リン化合物及び／又は有機
ホウ素化合物を不活性ガス又は真空下において、５００
℃以上の温度で加熱し、グラファイト化途上にありリン
及び／又はホウ素を含有し、かつ水素を含有する無定形
炭化物からなり、リン及び／又はホウ素と炭素の原子比
が０．００１〜０．５であり、水素と炭素の原子比は
０．０１〜１．０である有機磁性体を得ることを特徴と
する有機磁性体の製造方法が提供される。
【０００７】本発明で用いる原料有機化合物は、有機リ
ン化合物又は有機ホウ素化合物であり、常温で液体又は
固体であることができる。これらの有機化合物におい
て、それに含まれる水素と炭素の構成原子比（Ｈ／Ｃ）
は、１．７以上、好ましくは２〜４である。このＨ／Ｃ
が１．７より少ないと、得られる炭化物の飽和磁化値が
減少する傾向を示す。また、本発明で用いる有機リン化
合物又は有機ホウ素化合物において、その有機基は炭素
と水素のみから構成されるものであってもよく、また、
炭素と水素以外に、ハロゲンや、酸素、窒素及びイオウ
等の他の原子を含むものであってもよい。さらに、有機
基は、炭素を介してリン又はホウ素に結合することがで
きる他、炭素以外の原子、例えば、酸素や窒素、イオウ
等の原子を介して結合することができる。
ン化合物又は有機ホウ素化合物であり、常温で液体又は
固体であることができる。これらの有機化合物におい
て、それに含まれる水素と炭素の構成原子比（Ｈ／Ｃ）
は、１．７以上、好ましくは２〜４である。このＨ／Ｃ
が１．７より少ないと、得られる炭化物の飽和磁化値が
減少する傾向を示す。また、本発明で用いる有機リン化
合物又は有機ホウ素化合物において、その有機基は炭素
と水素のみから構成されるものであってもよく、また、
炭素と水素以外に、ハロゲンや、酸素、窒素及びイオウ
等の他の原子を含むものであってもよい。さらに、有機
基は、炭素を介してリン又はホウ素に結合することがで
きる他、炭素以外の原子、例えば、酸素や窒素、イオウ
等の原子を介して結合することができる。
【０００８】本発明で好ましく使用される有機リン化合
物及び有機ホウ素化合物は、下記一般式で示すことがで
きる。 ＸＲ1Ｒ2Ｒ3 （１） 前記式中、Ｘはリン又はホウ素である。Ｒ1、Ｒ2及びＲ
3は、有機基、ヒドロキシル基、アミノ基、水素又はハ
ロゲンを示すが、その少なくとも１つは有機基である。
有機基には、炭化水素基又は炭化水素オキシ基等が包含
される。また、炭化水素基には、脂肪族系及び芳香族系
の炭化水素基が包含される。この場合、好ましい炭化水
素基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル
基、トリアルキルメチル基、アルケニル基等が挙げられ
る。さらに、これらの炭化水素基は置換基を有すること
ができる。この場合の置換基としては、ハロゲン、アミ
ノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シアノ基、アルコ
キシ基等が挙げられる。
物及び有機ホウ素化合物は、下記一般式で示すことがで
きる。 ＸＲ1Ｒ2Ｒ3 （１） 前記式中、Ｘはリン又はホウ素である。Ｒ1、Ｒ2及びＲ
3は、有機基、ヒドロキシル基、アミノ基、水素又はハ
ロゲンを示すが、その少なくとも１つは有機基である。
有機基には、炭化水素基又は炭化水素オキシ基等が包含
される。また、炭化水素基には、脂肪族系及び芳香族系
の炭化水素基が包含される。この場合、好ましい炭化水
素基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル
基、トリアルキルメチル基、アルケニル基等が挙げられ
る。さらに、これらの炭化水素基は置換基を有すること
ができる。この場合の置換基としては、ハロゲン、アミ
ノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シアノ基、アルコ
キシ基等が挙げられる。
【０００９】本発明で好ましく用いられる有機リン化合
物及び有機ホウ素化合物を例示すると、例えば、トリエ
チルホスフィン、トリエトキシホスフィン、トリヒドロ
キシエチルホスフィン、トリクロロメチルホスフィン、
トリアミノメチルホスフィン、ｔ−ブチルホスフィン、
トリエチルボラン、トリブチルボラン、トリ−ｎ−ブチ
ルボレート、クロロジエチルボラン等が挙げられる。
物及び有機ホウ素化合物を例示すると、例えば、トリエ
チルホスフィン、トリエトキシホスフィン、トリヒドロ
キシエチルホスフィン、トリクロロメチルホスフィン、
トリアミノメチルホスフィン、ｔ−ブチルホスフィン、
トリエチルボラン、トリブチルボラン、トリ−ｎ−ブチ
ルボレート、クロロジエチルボラン等が挙げられる。
【００１０】本発明の有機磁性体は、原料としての有機
リン化合物及び／又は有機ホウ素化合物を、不活性ガス
(アルゴン，窒素ガス等)雰囲気下又は真空下において、
５００℃以上、好ましくは８００〜１０００℃の範囲の
温度に加熱し、炭化させることによって得ることができ
る。加熱温度の上限は３０００℃程度である。また、原
料として用いる有機リン化合物及び／又は有機ホウ素化
合物は、リンやホウ素を含まない他の有機物、例えば、
ヘキサン、シクロドデカン、トリエチルアミン等との混
合物の形で用いることができる。
リン化合物及び／又は有機ホウ素化合物を、不活性ガス
(アルゴン，窒素ガス等)雰囲気下又は真空下において、
５００℃以上、好ましくは８００〜１０００℃の範囲の
温度に加熱し、炭化させることによって得ることができ
る。加熱温度の上限は３０００℃程度である。また、原
料として用いる有機リン化合物及び／又は有機ホウ素化
合物は、リンやホウ素を含まない他の有機物、例えば、
ヘキサン、シクロドデカン、トリエチルアミン等との混
合物の形で用いることができる。
【００１１】前記のようにして得られる炭化物は、グラ
ファイト化途上にある無定形炭化物であり、リン及び／
又はホウ素を含有し、かつ水素を含有する。この炭化物
におけるリン及び／又はホウ素と炭素の原子比（Ｐ及び
／又はＢ／Ｃ）は０．００１〜０．５、好ましくは０．
０１〜０．０５であり、水素と炭素の原子比（Ｈ／Ｃ）
は０．０１〜１．０、好ましくは０．１〜０．５であ
る。炭化物中に含まれるリン及び／又はホウ素と水素の
割合が前記範囲を逸脱すると、得られる炭化物の飽和磁
化値が低下する傾向を示す。この無定形炭化物は、必要
に応じ、さらにプラズマ処理することによりその磁性を
強化させることもできる。このプラズマ処理には、通常
１３.５６ＭＨｚで−２００〜１０００℃の低温プラズ
マを使用する。この範囲より高い温度のプラズマを使用
すると、炭化物の分解が起こり磁性は極端に低下する。
プラズマガスとしては、空気、酸素、窒素、ヘリウム、
水素、アルゴン等が用いられる。出力は１０〜３００
Ｗ(ワット)、好ましくは１００〜１４０ Ｗ、試料部の
圧力１〜１０００ Ｐａ(パスカル)、好ましくは１０〜
１５０ Ｐａ、処理時間は１〜５００分、好ましくは５
〜２０分である。このような条件で上記無定形炭化物を
プラズマで処理すると、前記含有水素原子の一部がラジ
カル脱離し該炭化物全体のラジカル濃度を増加させるた
め、結果として磁性(飽和磁化)を強化させることが可能
である。
ファイト化途上にある無定形炭化物であり、リン及び／
又はホウ素を含有し、かつ水素を含有する。この炭化物
におけるリン及び／又はホウ素と炭素の原子比（Ｐ及び
／又はＢ／Ｃ）は０．００１〜０．５、好ましくは０．
０１〜０．０５であり、水素と炭素の原子比（Ｈ／Ｃ）
は０．０１〜１．０、好ましくは０．１〜０．５であ
る。炭化物中に含まれるリン及び／又はホウ素と水素の
割合が前記範囲を逸脱すると、得られる炭化物の飽和磁
化値が低下する傾向を示す。この無定形炭化物は、必要
に応じ、さらにプラズマ処理することによりその磁性を
強化させることもできる。このプラズマ処理には、通常
１３.５６ＭＨｚで−２００〜１０００℃の低温プラズ
マを使用する。この範囲より高い温度のプラズマを使用
すると、炭化物の分解が起こり磁性は極端に低下する。
プラズマガスとしては、空気、酸素、窒素、ヘリウム、
水素、アルゴン等が用いられる。出力は１０〜３００
Ｗ(ワット)、好ましくは１００〜１４０ Ｗ、試料部の
圧力１〜１０００ Ｐａ(パスカル)、好ましくは１０〜
１５０ Ｐａ、処理時間は１〜５００分、好ましくは５
〜２０分である。このような条件で上記無定形炭化物を
プラズマで処理すると、前記含有水素原子の一部がラジ
カル脱離し該炭化物全体のラジカル濃度を増加させるた
め、結果として磁性(飽和磁化)を強化させることが可能
である。
【００１２】本発明において、原料有機リン化合物及び
／又は有機ホウ素化合物を加熱して炭化する場合、磁性
を有する無定形炭化物を得るには、その加熱条件を調節
して、その炭化物として、グラファイト化途上にある無
定形炭化物を得ることが必要である。本発明の炭化物の
粉末Ｘ線回析によれば、グラファイトにおいて通常認め
られる２θ＝２５゜の近傍の炭素の（００２）回折線に
よる明確な吸収は認められない。また、レーザーラマン
分析によっても、グラファイトに特有な１５８０ｃｍ−
１の吸収は観察されない、これらのことから、本発明の
炭化物は、グラファイト化途上にある無定形のものであ
ることを示している。プラズマ処理後の炭化物も類似の
Ｘ線回折結果を示す。
／又は有機ホウ素化合物を加熱して炭化する場合、磁性
を有する無定形炭化物を得るには、その加熱条件を調節
して、その炭化物として、グラファイト化途上にある無
定形炭化物を得ることが必要である。本発明の炭化物の
粉末Ｘ線回析によれば、グラファイトにおいて通常認め
られる２θ＝２５゜の近傍の炭素の（００２）回折線に
よる明確な吸収は認められない。また、レーザーラマン
分析によっても、グラファイトに特有な１５８０ｃｍ−
１の吸収は観察されない、これらのことから、本発明の
炭化物は、グラファイト化途上にある無定形のものであ
ることを示している。プラズマ処理後の炭化物も類似の
Ｘ線回折結果を示す。
【００１３】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
する。
する。
【００１４】実施例１ トリ（ｎ−ブチル）ボラン１．０ｇを石英反応管の左端
に入れ、約３時間系内を真空排気後、同反応管の右側を
８１０℃に加熱する。反応温度に達した後、左端のトリ
（ｎ−ブチル）ボランを加熱蒸発させ、蒸気を右側に導
いた。８１０℃で１時間２０分反応、その後同温度で３
０分排気後冷却し、内壁に付着した無定形炭化物０．０
４７ｇを得た。このうち２００Ｇの永久磁石に吸いつく
部分（約０．０２１ｇ）について、常温での飽和磁化値
Ｍｓを測定したところ、５９．８ｅｍｕＧ／ｇであっ
た。また、前記炭化物は、元素分析の結果、その炭素原
子１個当りの水素原子含有率（Ｈ／Ｃ）は０．２０及び
ホウ素含有率（Ｂ／Ｃ）は０．０３５であることを示し
た。さらに、粉末Ｘ線分析においては、通常のグラファ
イト等で認められる２θ＝２５゜の近傍の炭素（００
２）回折線は明確には観察されず、この物質が無定形で
あることを示している。
に入れ、約３時間系内を真空排気後、同反応管の右側を
８１０℃に加熱する。反応温度に達した後、左端のトリ
（ｎ−ブチル）ボランを加熱蒸発させ、蒸気を右側に導
いた。８１０℃で１時間２０分反応、その後同温度で３
０分排気後冷却し、内壁に付着した無定形炭化物０．０
４７ｇを得た。このうち２００Ｇの永久磁石に吸いつく
部分（約０．０２１ｇ）について、常温での飽和磁化値
Ｍｓを測定したところ、５９．８ｅｍｕＧ／ｇであっ
た。また、前記炭化物は、元素分析の結果、その炭素原
子１個当りの水素原子含有率（Ｈ／Ｃ）は０．２０及び
ホウ素含有率（Ｂ／Ｃ）は０．０３５であることを示し
た。さらに、粉末Ｘ線分析においては、通常のグラファ
イト等で認められる２θ＝２５゜の近傍の炭素（００
２）回折線は明確には観察されず、この物質が無定形で
あることを示している。
【００１５】実施例２ ヘキサンで希釈したトリ（ｎ−ブチル）ボラン（１Ｍ溶
液）１．０ｇを用いた以外は実施例１と同様にして反応
させたところ、０．００５ｇの炭化物を得た。この炭化
物のＨ／Ｃは０．１５であり、Ｂ／Ｃは０．０２０であ
った。得られた炭化物のすべてが２００Ｇの永久磁石に
吸い着き、常温でのＭｓ値は１９．７ｅｍｕＧ／ｇであ
った。
液）１．０ｇを用いた以外は実施例１と同様にして反応
させたところ、０．００５ｇの炭化物を得た。この炭化
物のＨ／Ｃは０．１５であり、Ｂ／Ｃは０．０２０であ
った。得られた炭化物のすべてが２００Ｇの永久磁石に
吸い着き、常温でのＭｓ値は１９．７ｅｍｕＧ／ｇであ
った。
【００１６】実施例３ ヘキサンで希釈したトリエチルボラン（１Ｍ溶液）１．
０ｇを用いた以外は実施例１と同様にして反応させたと
ころ、０．０１２ｇの炭化物を得た。この炭化物のＨ／
Ｃは０．２９であり、Ｂ／Ｃは０．０２６であった。得
られた炭化物のすべてが２００Ｇの永久磁石に吸い着
き、常温でのＭｓ値は２８．８ｅｍｕＧ／ｇであった。
０ｇを用いた以外は実施例１と同様にして反応させたと
ころ、０．０１２ｇの炭化物を得た。この炭化物のＨ／
Ｃは０．２９であり、Ｂ／Ｃは０．０２６であった。得
られた炭化物のすべてが２００Ｇの永久磁石に吸い着
き、常温でのＭｓ値は２８．８ｅｍｕＧ／ｇであった。
【００１７】実施例４ 実施例３と同様の条件で反応させた後、内壁に炭化物が
堆積した反応管をプラズマ処理装置に装着し、空気圧５
０Ｐａ、１２０Ｗで１０分間プラズマ処理を行なった。
反応管を冷却後、生成物を取り出し（約０．００７
ｇ）、常温での飽和磁化値Ｍｓを測定したところ、Ｍｓ
値は４５．２ｅｍｕＧ／ｇであった。
堆積した反応管をプラズマ処理装置に装着し、空気圧５
０Ｐａ、１２０Ｗで１０分間プラズマ処理を行なった。
反応管を冷却後、生成物を取り出し（約０．００７
ｇ）、常温での飽和磁化値Ｍｓを測定したところ、Ｍｓ
値は４５．２ｅｍｕＧ／ｇであった。
【００１８】実施例５ ヘキサンで希釈したトリ（ｎ−プロピル）ボラン（１Ｍ
溶液）１．０ｇを用い、反応温度を８００℃とした以外
は実施例１と同様にして反応させたところ、０．００３
ｇの炭化物を得た。この炭化物のＨ／Ｃは０．３０であ
り、Ｂ／Ｃは０．０２４であった。得られた炭化物のす
べてが２００Ｇの永久磁石に吸い着き、常温でのＭｓ値
は２０．９ｅｍｕＧ／ｇであった。
溶液）１．０ｇを用い、反応温度を８００℃とした以外
は実施例１と同様にして反応させたところ、０．００３
ｇの炭化物を得た。この炭化物のＨ／Ｃは０．３０であ
り、Ｂ／Ｃは０．０２４であった。得られた炭化物のす
べてが２００Ｇの永久磁石に吸い着き、常温でのＭｓ値
は２０．９ｅｍｕＧ／ｇであった。
【００１９】実施例６ トリ（ｎ−ブチル）ホスフィン１．０ｇを石英反応管の
左端に入れ、約３時間系内を真空排気後、同反応管の右
側を８２０℃に加熱する。反応温度に達した後、反応管
左端のトリ（ｎ−ブチル）ホスフィンを加熱蒸発させ、
蒸気を右側に導いた。８２０℃で１時間反応、その後同
温度で３０分排気後冷却し、内壁に付着した無定形炭化
物０．００６ｇを得た。この炭化物のＨ／Ｃは０．２２
であり、Ｐ／Ｃは０．０３３であった。この炭化物の飽
和磁化値Ｍｓを測定したところ、常温で１２．３、４．
３Ｋで２０．５ｅｍｕＧ／ｇであった。
左端に入れ、約３時間系内を真空排気後、同反応管の右
側を８２０℃に加熱する。反応温度に達した後、反応管
左端のトリ（ｎ−ブチル）ホスフィンを加熱蒸発させ、
蒸気を右側に導いた。８２０℃で１時間反応、その後同
温度で３０分排気後冷却し、内壁に付着した無定形炭化
物０．００６ｇを得た。この炭化物のＨ／Ｃは０．２２
であり、Ｐ／Ｃは０．０３３であった。この炭化物の飽
和磁化値Ｍｓを測定したところ、常温で１２．３、４．
３Ｋで２０．５ｅｍｕＧ／ｇであった。
【００２０】実施例７ 実施例６と同様の条件で反応させた後、内壁に炭化物が
体積した反応管をプラズマ処理装置に装着し、空気圧５
０Ｐａ、１２０Ｗで１０分間プラズマ処理を行った。反
応管を冷却後、生成物を取り出し、常温での飽和磁化値
Ｍｓを測定したところ、Ｍｓ値は１４．５ｅｍｕＧ／ｇ
であった。
体積した反応管をプラズマ処理装置に装着し、空気圧５
０Ｐａ、１２０Ｗで１０分間プラズマ処理を行った。反
応管を冷却後、生成物を取り出し、常温での飽和磁化値
Ｍｓを測定したところ、Ｍｓ値は１４．５ｅｍｕＧ／ｇ
であった。
【００２１】
【発明の効果】本発明に係る有機磁性体は、高い飽和磁
化値を有するという特徴に加えて、軽量、高い安定性、
重金属を含まないので環境を汚染しない等の特徴も有し
ているので、その特徴を利用して複写機のトナー、磁性
流体、医用材料などの製品に応用することができる。ま
た、本発明の製造方法は、有機ホウ素化合物又は有機リ
ン化合物を用い、不活性ガス雰囲気又は真空下で加熱す
るという、安価で簡便な方法により、金属ニッケル並の
磁性を有する有機磁性体を容易に得ることができる。
化値を有するという特徴に加えて、軽量、高い安定性、
重金属を含まないので環境を汚染しない等の特徴も有し
ているので、その特徴を利用して複写機のトナー、磁性
流体、医用材料などの製品に応用することができる。ま
た、本発明の製造方法は、有機ホウ素化合物又は有機リ
ン化合物を用い、不活性ガス雰囲気又は真空下で加熱す
るという、安価で簡便な方法により、金属ニッケル並の
磁性を有する有機磁性体を容易に得ることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 グラファイト化途上にありリン及び／又
はホウ素を含有し、かつ水素を含有する無定形炭化物か
らなり、リン及び／又はホウ素と炭素の原子比が０．０
０１〜０．５であり、水素と炭素の原子比は０．０１〜
１．０であることを特徴とする有機磁性体。 - 【請求項２】 水素と炭素の構成比が１.７以上を有す
る有機リン化合物及び／又は有機ホウ素化合物を不活性
ガス又は真空下において、５００℃以上の温度で加熱
し、グラファイト化途上にありリン及び／又はホウ素を
含有し、かつ水素を含有する無定形炭化物からなり、リ
ン及び／又はホウ素と炭素の原子比が０．００１〜０．
５であり、水素と炭素の原子比は０．０１〜１．０であ
る有機磁性体を得ることを特徴とする有機磁性体の製造
方法。 - 【請求項３】 前記無定形炭化物をプラズマで処理する
ことからなる請求項２の有機磁性体の製造方法。 - 【請求項４】 プラズマとして低温プラズマを用いるこ
とを特徴とする請求項３の有機磁性体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5062841A JP2669490B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 有機磁性体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5062841A JP2669490B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 有機磁性体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251924A JPH06251924A (ja) | 1994-09-09 |
| JP2669490B2 true JP2669490B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=13211941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5062841A Expired - Lifetime JP2669490B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 有機磁性体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2669490B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69032951T2 (de) * | 1989-08-23 | 1999-07-01 | Agency Ind Science Techn | Ferromagnetisches organisches Polymermaterial |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP5062841A patent/JP2669490B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06251924A (ja) | 1994-09-09 |
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