JP2661094B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JP2661094B2 JP2661094B2 JP63024324A JP2432488A JP2661094B2 JP 2661094 B2 JP2661094 B2 JP 2661094B2 JP 63024324 A JP63024324 A JP 63024324A JP 2432488 A JP2432488 A JP 2432488A JP 2661094 B2 JP2661094 B2 JP 2661094B2
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- Japan
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- etching
- electrode
- frequency power
- power supply
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はInやSnを含む物質、特に透明電導性薄膜とし
て用いられるIn2O3,SnO2,ITO等のドライエッチング方法
に関する。
て用いられるIn2O3,SnO2,ITO等のドライエッチング方法
に関する。
従来の技術 透明電極として各種表示体に用いられているIn2O3,Sn
O2,ITO等の薄膜は薬液を用いたウェットエッチングによ
りパターニングが行なわれていた。しかしレジストがエ
ッチング液に浸されやすく、アンダーカットにより寸法
精度が出ないといった問題があった。これらの問題を解
決するためにドライエッチング方法が検討されている。
特開昭52−119246号公報にはアルコール類またはカルボ
ン酸ガスプラズマで透明導電膜をエッチングすることが
示されている。以下、従来例を図面を参照しながら説明
する。第２図は従来例で用いられるドライエッチング装
置である。１は試料、２は石英ベルジャー、３は高周波
電源、４は高周波印加用電極、５は反応ガス、６は真空
ポンプである。アルコールを石英ベルジャー内に導入
し、真空度が0.5Torr前後で高周波電力を印加し、プラ
ズマを発生させて透明電導体膜をエッチングする。
O2,ITO等の薄膜は薬液を用いたウェットエッチングによ
りパターニングが行なわれていた。しかしレジストがエ
ッチング液に浸されやすく、アンダーカットにより寸法
精度が出ないといった問題があった。これらの問題を解
決するためにドライエッチング方法が検討されている。
特開昭52−119246号公報にはアルコール類またはカルボ
ン酸ガスプラズマで透明導電膜をエッチングすることが
示されている。以下、従来例を図面を参照しながら説明
する。第２図は従来例で用いられるドライエッチング装
置である。１は試料、２は石英ベルジャー、３は高周波
電源、４は高周波印加用電極、５は反応ガス、６は真空
ポンプである。アルコールを石英ベルジャー内に導入
し、真空度が0.5Torr前後で高周波電力を印加し、プラ
ズマを発生させて透明電導体膜をエッチングする。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の方法では例えばITO膜のエッチン
グ速度が50Å／分以下と遅く、しかもエッチング残渣を
生じることがわかった。
グ速度が50Å／分以下と遅く、しかもエッチング残渣を
生じることがわかった。
課題を解決するための手段 本発明は真空容器内に設けた高周波電力を印加するIn
あるいはSnを主要構成元素とする被エッチング物を置
き、ドライエッチングを行うものであり、エッチングガ
スとしてエーテル類を用いることを特徴とするものであ
る。また、他の発明は、真空容器内に対向する一対の電
極を設け、一方の電極を接地し、他方の電極に高周波電
源を接続し、InあるいはSnを主要構成元素とする被エッ
チング物を高周波電源を接続した電極上に置き、エッチ
ングガスを導入し高周波電力を印加してプラズマを発生
させてエッチングする方法において、エッチングガスは
エーテル類を用い、エッチング中のガス圧力は20mTorr
以下であることを特徴とする。
あるいはSnを主要構成元素とする被エッチング物を置
き、ドライエッチングを行うものであり、エッチングガ
スとしてエーテル類を用いることを特徴とするものであ
る。また、他の発明は、真空容器内に対向する一対の電
極を設け、一方の電極を接地し、他方の電極に高周波電
源を接続し、InあるいはSnを主要構成元素とする被エッ
チング物を高周波電源を接続した電極上に置き、エッチ
ングガスを導入し高周波電力を印加してプラズマを発生
させてエッチングする方法において、エッチングガスは
エーテル類を用い、エッチング中のガス圧力は20mTorr
以下であることを特徴とする。
作用 In,Sn,I2O3,SNO2,ITO等はプラズマ中で生成したメチ
ル基やエチル基といったアルキル基及び水素のラジカル
やイオンと反応し、水素化アルキルインジウム（化学式
RxInHyでｘ＋ｙ＝3,x,yは0,1,2,3のいずれか）や水素化
アルキルスズ（化学式RXSnHYでＸ＋Ｙ＝4.X,Yは0,1,2,
3,4のいずれか）を生成し、排気されると考えられる。
ここでＲはメチル基，エチル基等のアルキル基である。
したがってアルコール類またはエーテル類を反応ガスと
して用いた場合、プラズマ中でエッチング種であるアル
キル基や水素を容易に発生するためエッチングが可能で
ある。また、被エッチング物を高周波印加電極上に置く
ことにより、イオンシースで加速されたイオンによる衝
撃によりエッチング反応が促進され、高いエッチング速
度が得られる。さらに、反応生成物である水素化アルキ
ル金属は沸点が低く、また反応圧力が低いほど気化しや
すいためエッチング残渣を生じにくい。
ル基やエチル基といったアルキル基及び水素のラジカル
やイオンと反応し、水素化アルキルインジウム（化学式
RxInHyでｘ＋ｙ＝3,x,yは0,1,2,3のいずれか）や水素化
アルキルスズ（化学式RXSnHYでＸ＋Ｙ＝4.X,Yは0,1,2,
3,4のいずれか）を生成し、排気されると考えられる。
ここでＲはメチル基，エチル基等のアルキル基である。
したがってアルコール類またはエーテル類を反応ガスと
して用いた場合、プラズマ中でエッチング種であるアル
キル基や水素を容易に発生するためエッチングが可能で
ある。また、被エッチング物を高周波印加電極上に置く
ことにより、イオンシースで加速されたイオンによる衝
撃によりエッチング反応が促進され、高いエッチング速
度が得られる。さらに、反応生成物である水素化アルキ
ル金属は沸点が低く、また反応圧力が低いほど気化しや
すいためエッチング残渣を生じにくい。
実 施 例 以下本発明の第一の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。第１図は本発明において使用したドライエ
ッチング装置の概略図である。７は真空容器、８は下部
電極で13.56MHzの高周波電源９がマッチングチューナを
介して接続されている。さらに下部電極８の上に被エッ
チング物10が載置されている。11は接地された上部電極
であり、反応ガスの導入管12が接続されていて、多数の
細孔からガスが真空容器内に導入される。13は真空容器
内の排気を行うための排気口である。
ら説明する。第１図は本発明において使用したドライエ
ッチング装置の概略図である。７は真空容器、８は下部
電極で13.56MHzの高周波電源９がマッチングチューナを
介して接続されている。さらに下部電極８の上に被エッ
チング物10が載置されている。11は接地された上部電極
であり、反応ガスの導入管12が接続されていて、多数の
細孔からガスが真空容器内に導入される。13は真空容器
内の排気を行うための排気口である。
第１図に示した装置を用いて各種ガスを5SCCM流し、
圧力30mTorr〜2mTorrの範囲で高周波電力密度は1W/cm2
にてITO膜をエッチングした。試料はガラス基着上にITO
膜を約1,000Åスパッタ法により形成し、レジストパタ
ーンを形成したものである。その結果、圧力30mTorrで
はいずれのガスもわずかにエッチング残渣を生じた。圧
力20mTorr以下ではいずれのガスもエッチング残渣は認
められなかった。各種ガスのエッチング結果を第１表に
示す。エッチング速度及びレジストとの選択比は圧力20
mTorr〜2mTorrの範囲内では圧力依存性が小さかった。
圧力30mTorr〜2mTorrの範囲で高周波電力密度は1W/cm2
にてITO膜をエッチングした。試料はガラス基着上にITO
膜を約1,000Åスパッタ法により形成し、レジストパタ
ーンを形成したものである。その結果、圧力30mTorrで
はいずれのガスもわずかにエッチング残渣を生じた。圧
力20mTorr以下ではいずれのガスもエッチング残渣は認
められなかった。各種ガスのエッチング結果を第１表に
示す。エッチング速度及びレジストとの選択比は圧力20
mTorr〜2mTorrの範囲内では圧力依存性が小さかった。
なお、上記以外にｎ−プロピルアルコール,t−ブチル
アルコールなどのアルコール類やメチルエーテル，メチ
ルエチルエーテルなどのエーテル類はいずれも使用でき
る。さらに、O2,N2,He,Arなどのガスを添加することも
できる。O2やN2を添加することにより、チャンバ内壁や
電極上への炭素系の重合物の生成を抑制することができ
る。HeやArの添加はエッチング残渣の発生を抑制でき
る。
アルコールなどのアルコール類やメチルエーテル，メチ
ルエチルエーテルなどのエーテル類はいずれも使用でき
る。さらに、O2,N2,He,Arなどのガスを添加することも
できる。O2やN2を添加することにより、チャンバ内壁や
電極上への炭素系の重合物の生成を抑制することができ
る。HeやArの添加はエッチング残渣の発生を抑制でき
る。
発明の効果 以上述べたように、本発明によれば、InやSnを含む物
質を高速でドライエッチングすることができ、しかもエ
ッチング残渣のない良好なエッチングを達成できる。
質を高速でドライエッチングすることができ、しかもエ
ッチング残渣のない良好なエッチングを達成できる。
第１図は本発明の実施例におけるドライエッチング装置
の概略図、第２図は従来のドライエッチング方法に用い
られている装置の概略図である。 ７……真空容器、８……下部電極、９……高周波電源、
10……被エッチング物、11……上部電極、12……ガス導
入管。
の概略図、第２図は従来のドライエッチング方法に用い
られている装置の概略図である。 ７……真空容器、８……下部電極、９……高周波電源、
10……被エッチング物、11……上部電極、12……ガス導
入管。
Claims (2)
- 【請求項１】真空容器内に対向する一対の電極を設け、
一方の電極を接地し、他方の電極に高周波電源を接続
し、InあるいはSnを主要構成元素とする被エッチング物
を高周波電源を接続した電極上に置き、エッチングガス
を導入し高周波電力を印加してプラズマを発生させてエ
ッチングする方法において、エッチングガスとしてエー
テル類を用いることを特徴とするドライエッチング方
法。 - 【請求項２】真空容器内に対向する一対の電極を設け、
一方の電極を接地し、他方の電極に高周波電源を接続
し、InあるいはSnを主要構成元素とする被エッチング物
を高周波電源を接続した電極上に置き、エッチングガス
を導入し高周波電力を印加してプラズマを発生させてエ
ッチングする方法において、エッチングガスはエーテル
類を用い、エッチング中のガス圧力は20mTorr以下であ
ることを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024324A JP2661094B2 (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024324A JP2661094B2 (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01198029A JPH01198029A (ja) | 1989-08-09 |
| JP2661094B2 true JP2661094B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=12134999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63024324A Expired - Fee Related JP2661094B2 (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2661094B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6039156B2 (ja) * | 1979-09-27 | 1985-09-04 | 三菱電機株式会社 | 酸化インジウム膜のエツチング方法 |
| JPS60234325A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-21 | Stanley Electric Co Ltd | ドライエツチング方法 |
-
1988
- 1988-02-03 JP JP63024324A patent/JP2661094B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01198029A (ja) | 1989-08-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |