JP2658317B2 - Mask substrate - Google Patents

Mask substrate

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Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 ステッパにおけるレチクルのチェックに用いるマスク
基板の構成の改良に関し、 エッチング特性の異なる複数のメタル層を備え、より
微細なレチクルの欠陥を検出することが可能となるマス
ク基板の提供を目的とし、 紫外線光源から放射された紫外線をレチクルに入射さ
せ、該レチクルの遮光膜にて遮光されない紫外線を、載
物台上に搭載したマスク基板に照射するステッパにおい
て、レチクルのチェックに用いるマスク基板であって、
透明基板の表面の複数の領域に、複数の遮光膜を形成す
るよう構成する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] Regarding the improvement of the configuration of a mask substrate used for checking a reticle in a stepper, it is possible to detect a finer reticle defect with a plurality of metal layers having different etching characteristics. A stepper that irradiates ultraviolet rays emitted from an ultraviolet light source onto a reticle, and irradiates the mask substrate mounted on a stage with ultraviolet light that is not blocked by a light-shielding film of the reticle. Mask substrate used for checking
A plurality of light-shielding films are formed in a plurality of regions on the surface of the transparent substrate.

〔産業上の利用分野〕[Industrial applications]

本発明は、ステッパにおけるレチクルのチェックに用
いるマスク基板の構成の改良に関するものである。
The present invention relates to an improvement in the configuration of a mask substrate used for checking a reticle in a stepper.

従来から用いられているステッパにおけるレチクルの
チェックに用いるマスク基板、例えば形状が半導体基板
と同じで、透明基板の表面に遮光膜を形成したガラスウ
エーハやマスク用の透明基板の表面に遮光膜を形成した
マスク基板の遮光膜は一般的には単一のメタル層から形
成されている。
A mask substrate used for checking a reticle in a conventional stepper, for example, a glass wafer that has the same shape as a semiconductor substrate and has a light-shielding film formed on the surface of a transparent substrate or a light-shielding film formed on the surface of a transparent substrate for a mask The light-shielding film of the mask substrate described above is generally formed from a single metal layer.

素子形成部が微細化、高密度化した今後の半導体装置
においては、レチクル或いはマスクのパターンの共通欠
陥の検出、転写パターンの寸法、品質の評価を行う場合
に、単一メタル層を用いていたのでは、現用の表面検査
装置の能力ではパターンの微細化に追随してゆくことが
不可能になってきた。
In the future semiconductor device in which the element forming part is miniaturized and densified, a single metal layer is used when detecting a common defect of a reticle or mask pattern and evaluating the size and quality of a transfer pattern. Therefore, it has become impossible to keep up with pattern miniaturization with the capability of the current surface inspection apparatus.

以上のような状況から素子形成部が微細化、高密度化
した今後の半導体装置の製造に用いることができる寸
法、品質を備えたレチクルのチェックに用いることが可
能なマスク基板が要望されている。
In view of the above circumstances, there is a demand for a mask substrate that can be used for checking a reticle having dimensions and quality that can be used in the manufacture of future semiconductor devices in which the element formation portion is miniaturized and increased in density. .

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のレチクルのチェックに用いるマスク基板及びこ
の基板を用いる表面検査方法について、第3図〜第5図
により説明する。
A conventional mask substrate used for checking a reticle and a surface inspection method using the substrate will be described with reference to FIGS.

従来のマスク基板11は、第4図に示すように、透明基
板11aの表面に単一のメタル、例えばクロム(Cr)から
なるCr遮光膜11bを蒸着などにより形成したものであ
る。
As shown in FIG. 4, the conventional mask substrate 11 is formed by forming a single metal, for example, a Cr light shielding film 11b made of chromium (Cr) on the surface of a transparent substrate 11a by vapor deposition or the like.

このマスク基板11を用いてレチクルのチェックを行う
には、第3図に概略構造を示すようなステッパを用い、
第5図(a)に示すようなレチクル12を用いてマスク基
板11の表面に形成した遮光膜パターンを表面検査装置に
より観察して比較検査法により評価を行っている。
In order to check the reticle using the mask substrate 11, a stepper whose structure is schematically shown in FIG.
A light-shielding film pattern formed on the surface of the mask substrate 11 using a reticle 12 as shown in FIG. 5 (a) is observed by a surface inspection device and evaluated by a comparative inspection method.

第3図はステッパの概略構造を示しており、紫外線光
源4から放射された紫外線を第5図(a)に示すような
2チップ分を単位にしたレチクル2に入射させ、このレ
チクルのレチクルパターンにて遮光されない紫外線を縮
小レンズ5により縮小し、X−Yテーブル7により移動
可能な載物第6上に搭載したマスク基板1に照射してそ
の表面に遮光膜パターンを形成している。
FIG. 3 shows a schematic structure of a stepper, in which ultraviolet rays emitted from an ultraviolet light source 4 are made incident on a reticle 2 in units of two chips as shown in FIG. 5 (a), and a reticle pattern of this reticle. The ultraviolet light which is not shielded by the light is reduced by the reduction lens 5 and is irradiated on the mask substrate 1 mounted on the movable object 6 by the XY table 7 to form a light shielding film pattern on the surface thereof.

表面検査装置においては、マスク基板11の表面に形成
された第5図(b)において矢印にて指示した異なるレ
チクルパターンにより形成された遮光膜パターンを比較
して欠陥の検出を行っている。
In the surface inspection apparatus, defects are detected by comparing light-shielding film patterns formed by different reticle patterns indicated by arrows in FIG. 5B formed on the surface of the mask substrate 11.

この比較対象にした遮光膜パターンはそれぞれレチク
ル12の正常レチクルパターン12aと欠陥レチクルパター
ン12bにより形成されたものであるから、これらの比較
対象にした遮光膜パターンの差異の検出により正常レチ
クルパターン12aと欠陥レチクルパターン12bとの差異を
検出することができるのである。
Since the light-shielding film patterns to be compared are formed by the normal reticle pattern 12a and the defective reticle pattern 12b of the reticle 12, respectively, the normal reticle pattern 12a and the normal reticle pattern 12a are detected by detecting the difference between these light-shielding film patterns to be compared. The difference from the defect reticle pattern 12b can be detected.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

以上説明した従来のマスク基板を用いる表面検査装置
による欠陥の検出方法においては、表面検査装置の欠陥
検出能力が0.5μm以上であるため、遮光膜が単一のメ
タル層から形成されている従来のマスク基板では、0.5
μm以下の欠陥を検出することができず、従って2チッ
プのレチクルを用いた場合に一方のチップに0.5μm以
下の欠陥が存在した場合には、表面検査装置によっては
欠陥が検出されないので、不良率が50%になってしまう
という問題点があった。
In the above-described conventional method for detecting a defect using a surface inspection apparatus using a mask substrate, since the defect detection capability of the surface inspection apparatus is 0.5 μm or more, the conventional light-shielding film is formed from a single metal layer. 0.5 for mask substrate
μm or less cannot be detected. Therefore, when a two-chip reticle is used and one chip has a defect of 0.5 μm or less, no defect is detected by the surface inspection device. There was a problem that the rate became 50%.

本発明は以上のような状況からエッチング特性の異な
る複数のメタル層を備え、より微細なレチクルの欠陥を
検出することが可能となるマスク基板の提供を目的とし
たものである。
An object of the present invention is to provide a mask substrate that includes a plurality of metal layers having different etching characteristics from the above-described situation and that can detect finer reticle defects.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明のマスク基板は、紫外線光源から放射された紫
外線をレチクルに入射させ、このレチクルの遮光膜にて
遮光されない紫外線を、載物台上に搭載したマスク基板
に照射するステッパにおいて、レチクルのチェックに用
いるマスク基板であって、透明基板の表面の複数の領域
に、複数の遮光膜を形成するよう構成する。
The mask substrate of the present invention is a stepper that irradiates ultraviolet rays emitted from an ultraviolet light source to a reticle and irradiates the mask substrate mounted on a stage with ultraviolet light that is not shielded by a light shielding film of the reticle. A plurality of light-shielding films are formed in a plurality of regions on the surface of the transparent substrate.

〔作用〕[Action]

即ち本発明においては、マスク基板の透明基板の表面
の複数の領域に、複数の遮光膜を形成するので、レチク
ルによりこれらの遮光膜に紫外線を露光した場合、各メ
タル層の反射率などの光学的特性の差異により露光状態
が異なるので、形成される遮光膜パターンに寸法差が生
じ、また、露光後のエッチング処理における各メタル層
のエッチング速度の差により各メタル間において遮光膜
パターンに寸法差が生じるので、欠陥が従来よりも際立
って大きく現れるようになり、従来は検出できなかった
ような欠陥も検出可能となる。
That is, in the present invention, a plurality of light-shielding films are formed in a plurality of regions on the surface of the transparent substrate of the mask substrate. The exposed state is different due to the difference in the characteristic characteristics, so that a dimensional difference occurs in the formed light-shielding film pattern, and the dimensional difference in the light-shielding film pattern between the metals due to the difference in the etching rate of each metal layer in the etching process after exposure. This causes defects to appear remarkably larger than in the past, making it possible to detect defects that could not be detected in the past.

〔実施例〕〔Example〕

本発明の一実施例のレチクルのチェックに用いるマス
ク基板及びこの基板を用いる表面検査方法について、第
1図〜第3図により説明する。
A mask substrate used for checking a reticle and a surface inspection method using the substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本発明のマスク基板1は、第1図に示すように、透明
基板1aの表面の複数の領域に複数のメタル、例えばクロ
ム(Cr),アルミニウム(Al),銅(Cu)からなるCr遮
光膜1b,Al遮光膜1c,Cu遮光膜1dを蒸着などにより形成し
たものである。
As shown in FIG. 1, a mask substrate 1 of the present invention includes a Cr light-shielding film made of a plurality of metals, for example, chromium (Cr), aluminum (Al), and copper (Cu) in a plurality of regions on the surface of a transparent substrate 1a. 1b, an Al light shielding film 1c, and a Cu light shielding film 1d are formed by vapor deposition or the like.

このマスク基板1を用いてレチクルのチェックを行う
には、第3図に概略構造を示すようなステッパを用いて
マスク基板1の表面に形成した遮光膜パターンを表面検
査装置により観察して比較検査法により評価を行ってい
る。
In order to check the reticle using the mask substrate 1, a light-shielding film pattern formed on the surface of the mask substrate 1 is observed with a surface inspection device using a stepper having a schematic structure shown in FIG. It is evaluated by the law.

本実施例に用いたステッパは第3図に示す従来のもの
と同じステッパであり、紫外線光源4から放射された紫
外線を第2図(a)に示すような2チップ分を単位にし
たレチクル2に入射させ、このレチクル2の正常レチク
ルパターン2a或いは欠陥レチクルパターン2bにて遮光さ
れない紫外線を、載物台6上に搭載したマスク基板1に
照射してその表面に正常遮光膜パターン3a或いは欠陥遮
光膜パターン3bを形成している。
The stepper used in this embodiment is the same stepper as the conventional one shown in FIG. 3, and is a reticle 2 in which ultraviolet light emitted from the ultraviolet light source 4 is divided into two chips as shown in FIG. 2 (a). UV light which is not blocked by the normal reticle pattern 2a or the defective reticle pattern 2b of the reticle 2 is radiated to the mask substrate 1 mounted on the stage 6, and the surface thereof is irradiated with the normal light shielding film pattern 3a or the defective light shield. The film pattern 3b is formed.

表面検査装置においては、マスク基板1の表面に形成
された第2図(b)に示す遮光膜パターンを比較して欠
陥の検出を行っている。
In the surface inspection apparatus, a defect is detected by comparing the light-shielding film patterns shown in FIG. 2B formed on the surface of the mask substrate 1.

この場合の遮光膜パターンはそれぞれレチクル2の正
常レチクルパターン2aと欠陥レチクルパターン2bにより
形成されたものであるが、図示のようにピンホールの場
合にはAl遮光膜1cのピンホールがCr遮光膜1bのピンホー
ルに比して直径が0.3μm以上大きくなるので、Cr遮光
膜1bでは見出せなかったピンホールが、Al遮光膜1cでは
発見可能になる。
The light-shielding film pattern in this case is formed by the normal reticle pattern 2a and the defective reticle pattern 2b of the reticle 2, respectively. In the case of a pinhole as shown in the figure, the pinhole of the Al light-shielding film 1c is replaced by the Cr light-shielding film. Since the diameter is larger than the pinhole of 1b by 0.3 μm or more, pinholes not found in the Cr light-shielding film 1b can be found in the Al light-shielding film 1c.

このように、従来は比較対象にならなかったレチクル
2の同一のレチクルパターンにより形成された遮光膜パ
ターンであっても、遮光膜の材料が異なっている場合に
は、寸法に差異が生じるので、比較対象として採用する
ことが可能となるのである。
As described above, even if the light-shielding film pattern is formed by the same reticle pattern of the reticle 2 which has not conventionally been compared, if the material of the light-shielding film is different, a difference occurs in the dimensions. It can be adopted as a comparison object.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて
簡単な構成の改良により、従来は表面検査装置により検
出できなかった微細な欠陥を検出できるようになる等の
利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期
待できるマスク基板の提供が可能である。
As is apparent from the above description, according to the present invention, there is an advantage in that a very simple configuration can be improved to detect a fine defect that could not be detected by a surface inspection apparatus in the past. In addition, it is possible to provide a mask substrate that can be expected to improve reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明による一実施例を示す図、 第2図は本発明による一実施例のマスク基板を用いる表
面検査方法を示す図、 第3図はステッパの概略構造を示す図、 第4図は従来のマスク基板を示す図、 第5図は従来のマスク基板を用いる表面検査方法を示す
図、 である。 図において、 1はマスク基板、 1aは透明基板、 1bはCr遮光膜、 1cはAl遮光膜、 1dはCu遮光膜、 2はレチクル、 2aは正常レチクルパターン、 2bは欠陥レチクルパターン、 3aは正常遮光膜パターン、 3bは欠陥遮光膜パターン、 4は紫外線光源、 5は縮小レンズ、 6は載物台、 7はX−Yテーブル、 を示す。
FIG. 1 is a view showing an embodiment according to the present invention, FIG. 2 is a view showing a surface inspection method using a mask substrate according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a view showing a schematic structure of a stepper, FIG. FIG. 5 is a diagram showing a conventional mask substrate, and FIG. 5 is a diagram showing a surface inspection method using a conventional mask substrate. In the figure, 1 is a mask substrate, 1a is a transparent substrate, 1b is a Cr light shielding film, 1c is an Al light shielding film, 1d is a Cu light shielding film, 2 is a reticle, 2a is a normal reticle pattern, 2b is a defect reticle pattern, and 3a is normal. A light shielding film pattern, 3b is a defect light shielding film pattern, 4 is an ultraviolet light source, 5 is a reduction lens, 6 is a stage, and 7 is an XY table.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】紫外線光源から放射された紫外線をレチク
ルに入射させ、該レチクルの遮光膜にて遮光されない紫
外線を、載物台上に搭載したマスク基板に照射するステ
ッパにおいて、前記レチクルのチェックに用いるマスク
基板であって、 透明基板(1a)の表面の複数の領域に、複数の遮光膜を
形成したことを特徴とするマスク基板。
1. A stepper that irradiates ultraviolet rays emitted from an ultraviolet light source onto a reticle and irradiates a mask substrate mounted on a stage with ultraviolet light that is not shielded by a light-shielding film of the reticle. A mask substrate to be used, wherein a plurality of light shielding films are formed in a plurality of regions on a surface of a transparent substrate (1a).
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